行业研究 DONGXING SECURITIES 东兴证券股份有限公司证券研究报告 半导体制造兴起的三大投资机遇 电子行业深度报告 投资摘要 : 下半年景气度远优于上半年 晶圆制造代工厂 半导体设备厂商 封测厂商 终端系统应用厂商的情况一致印证半导体行业进入景气向上周期 台积电产能满载, 产能目前已排至 9 月份, 国际三大半导体设备厂商订单 销售数据大幅增长, 预示着晶圆制造厂进入扩产周期 联发科芯片出现全线缺货状态, 手机换机周期刺激下芯片出货量大增 在国家及产业资本推动下, 国内半导体晶圆制造兴起是未来三年半导体产业最为确定的变化 半导体制造兴起的进程将带动相应的配套产业快速发展, 我们看好半导体设备 存储封测 特色制造工艺三个细分领域的投资机会 国内半导体设备企业迎来历史最佳发展期 国内十余座晶圆厂今年上半年开工建设, 将带动总金额 2100~3500 亿元的半导体设备采购 ; 而 2015 年国内半导体设备总销售金额仅仅为 325 亿元, 未来 3 年市场规模将成倍增长 半导体设备国产化率提升是国家战略推动下的必然趋势, 中国制造 2025 技术路线图提出了 50% 以上国产化率的目标, 目前国产化率不足 15%, 国产化率提升空间巨大 国内存储产业崛起, 存储封测厂商将相伴成长 2016 年是 3D 存储大发展的元年, 紫光 武汉新芯合并成立的长江存储手握 3600 亿资本开支计划, 是海外存储厂商的理想合作伙伴 存储制造企业外包封测业务成为趋势, 因此随着国内存储芯片制造企业的崛起, 与之紧密合作的封测企业将进入快速发展期 特色工艺将为我国芯片制造产业开辟一条差异化竞争之路 在今年半导体年会上, 国家大基金负责人明确提出芯片制造产业是今后一段时间投资重点方向, 国家大基金 60% 的资金将投向芯片制造领域, 将在先进 CMOS 制程工艺与特色工艺领域努力实现国产突破 GaN/GaAs 射频工艺应用迎来 5G 通讯需求爆发的历史机遇, 国内市场 + 国外技术 合作模式突破, 国产替代有望实现突破 风险提示 : 半导体行业国产替代进程不及预期的风险 行业重点公司盈利预测与评级 简称 EPS( 元 ) PE PB 评级 15A 16E 17E 15A 16E 17E 七星电子 0.11 0.27 0.61 360 147 65 360 强烈推荐 上海新阳 0.23 0.41 0.91 186 104 47 186 强烈推荐 深科技 0.12 0.23 0.39 89 47 27 89 强烈推荐 三安光电 0.66 0.85 1.08 18 14 11 18 强烈推荐 资料来源 : 公司财报 东兴证券研究所 分析师 : 杨若木 2016 年 09 月 02 日看好 / 维持电子深度报告 010-66554032 y angrm@dxzq.net.cn 执业证书编号 : 联系人 : 贺茂飞 S1480510120014 010--66554067 hemf @dxzq.net.cn 联系人 : 余江 010--66554014 y ujiang@dxzq.net.cn 细分行业评级动态 半导体看好维持 汽车电子看好维持 安防看好维持 行业基本资料占比 % 股票家数 177 3.13% 重点公司家数 - - 行业市值 22200.82 亿元 4.43% 流通市值 15456.22 亿元 4.36% 行业平均市盈率 73.51 / 市场平均市盈率 20.22 / 行业指数走势图 资料来源 : 东兴证券研究所 相关研究报告 1 NB-IoT 标准获 3GPP 通过, 标准化拉开物联网产业爆发序幕 2016-06-23 2 东兴电子行业专题报告 :OLED 掀起显示技术革命浪潮 2016-06-21 3 电子元器件行业周报 : 继三星之后,iPhone 8 或将采用虹膜识别 2016-06-20
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P2 目录 1 半导体行业处于景气向上周期... 4 1.1 半导体行业包含设计 制造 封测 设备材料四大细分领域... 4 1.2 半导体行业周期性减弱, 进入平稳增长期... 4 1.3 半导体从 16Q2 开始进入复苏阶段... 6 1.3.1 台积电 Q2 产能利用率显著提高至 97.51%... 6 1.3.2 上游设备厂商订单大幅增长, 行业景气度明显回升... 7 1.3.3 手机套片出现缺货印证景气向上... 8 1.4 国家集成电路产业发展推进纲要 部署产业发展目标... 8 2 半导体制造兴起带来三大机会... 9 2.1 芯片制造进入建厂高峰, 设备行业迎来历史性机遇... 9 2.1.1 芯片制造产业基础薄弱, 急需提升实力... 9 2.1.2 我国掀起晶圆厂建设高峰, 设备年均资本支出将增长 115%...10 2.1.3 设备国产化率不足 15%, 中国制造 2025 要求国产化率达到 50%... 11 2.1.4 设备国产替代进行中 : 关键设备已进入 28nm 工艺生产线...12 2.2 国内存储晶圆制造崛起, 存储封测企业伴生成长...13 2.2.1 存储芯片几乎完全依赖进口, 国产化需求迫切...13 2.2.2 存储芯片产业处于 2D 向 3D 技术转换期, 我国迎来切入存储产业良机...13 2.2.3 韩国经验 : 重视先进技术吸收 + 持续资本投入是成功关键...14 2.2.4 存储产业大发展, 封测企业伴生成长...15 2.3 特色工艺开辟芯片制造差异化之路, 关注氮化镓工艺...16 2.3.1 特色工艺资本支出相对较小, 或将更快实现突破...16 2.3.2 砷化镓工艺已经是 4G 射频器件主流工艺...17 2.3.3 占尽天时地利, 砷化镓 / 氮化镓工艺国产化进行中...19 3 投资策略及相关公司解析...20 3.1 七星电子 (002371.SZ)...21 3.2 上海新阳 (300236.SZ)...21 3.3 深科技 (000021.SZ)...21 3.4 三安光电 (600703.SH)...22
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P3 表格目录 表 1: 国家集成电路产业发展推进纲要 的产业发展目标... 8 表 2: 国家集成电路产业发展推进纲要 的主要任务和发展重点... 9 表 3: 全球前十大晶圆厂营收情况及市占率 (2015 年 )... 9 表 4: 未来 3 年, 大陆地区半导体晶圆制造厂开工建设计划...10 表 5: 中国制造 2025 技术路线图 设定了集成电路产业设备国产化的目标... 11 表 6: 我国前十大半导体设备厂商销售收入 (2015 年 )... 11 表 7: 我国多款设备进入 28 纳米晶圆制造生产线...12 表 8:NAND FLASH 主要厂商均已实现 3D NAND 量产...14 表 9: 存储芯片制造厂商掀起外包封测业务浪潮...16 表 10: 全球主要独立存储封测企业概况...16 表 11:MMIC 器件广泛应用于各类通讯系统 ( 砷化镓 / 氮化镓工艺 )...17 表 12: 各类半导体材料的特点及应用范围...18 插图目录 图 1: 集成电路产业链分为设计 制造 封测 设备材料四大环节... 4 图 2: 半导体各子行业固定资产比例... 5 图 3: 半导体各子行业毛利率 净利率对比... 5 图 4: 全球半导体市场规模近 3500 亿美金, 销售额同比增速呈现出周期变化特征... 5 图 5: 全球半导体资本支出情况... 6 图 6: 台积电 2016 年 2 季度出货量止跌回升 ( 万片 )... 7 图 7: 台积电 2016 年 2 季度产能利用率创近 7 个季度新高... 7 图 8: 北美半导体 BB 值自 2015 年 12 月起连续 7 个月超过荣枯线... 8 图 9: 集成电路前道工艺主要设备及相应供应商...12 图 10:2016 年 Q1 市场格局 (NAND FLASH)...13 图 11:2016 年 Q1 市场格局 (DRAM)...13 图 12: 3D NAND 技术突破了摩尔定律限制, 使存储容量成倍增长...14 图 13: 国内资金 + 海外技术 模式引领国内存储芯片突围...15 图 14: 特色工艺分类...17 图 15: GaS( 砷化镓 ) GaN( 氮化镓 ) 等化合物半导体器件对应的应用频率及功率范围...18 图 16: 全球砷化镓半导体市场格局...18 图 17: 全球砷化镓半导体 Foundry 市场格局...18 图 18: 中国制造 2025 技术路线图 对化合物半导体行业设定的目标...19 图 19: 单部手机射频芯片成本 ( 美金 )...20
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P4 1 半导体行业处于景气向上周期 1.1 半导体行业包含设计 制造 封测 设备材料四大细分领域 半导体行业包含集成电路 半导体分立器件 半导体设备材料等细分领域, 其中集成电路子行业按照专业分工细分为设计 制造 封测三个细分业务 单个半导体公司包揽上述三个细分业务的模式称为 IDM 模式, 而上述三个细分业务由三家不同公司完成的模式称为 Fabless+Foundry 模式 图 1: 集成电路产业链分为设计 制造 封测 设备材料四大环节 EDA 软件 设备 材料 设计制造封测 终端应用 产出程序代码 GDSII 代码 资料来源 : 东兴证券研究所 1.2 半导体行业周期性减弱, 进入平稳增长期 集成电路设计是轻资产业务, 应用创新驱动行业成长 集成电路设计公司一般具备固定资产比例低, 无形资产比例高的特点 行业景气度基本不受半导体晶圆制造资本支出周期变化的影响, 而与智能手机 PC 工业控制 无线通讯等应用领域的成长息息相关 制造 封测等环节具有重资产属性, 行业景气度与资本支出 整体产能强相关 在行业景气上行时, 半导体制造厂商产能供不应求, 纷纷扩建新的晶圆厂 扩产项目的建设期一般为 1-2 年, 新建产能释放后, 行业出现产能供过于求, 行业景气下行 半导体制造 封装行业固定资产比重高, 比如半导体制造龙头企业台积电的固定资产比例达到 51%, 封测龙头企业日月光的固定资产比例高达 41% 因此产能利用率直接影响制造 封测企业业绩
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P5 图 2: 半导体各子行业固定资产比例 图 3: 半导体各子行业毛利率 净利率对比 资料来源 : 公司公告, 东兴证券研究所 资料来源 : 公司公告, 东兴证券研究所 1.2.2 行业销售增速波动范围由正负 30% 缩小至正负 10% 回顾 2000-2015 年半导体产业, 在 2010 年前, 半导体行业表现出了明显的周期性特征, 全球半导体销售同比增速在 -30% 与 30% 之间波动变化 第一个周期是 2000-2006 年, 先后经历了 2 年的衰退期 4 年的复苏期 在衰退期 中,2001 年全行业销售金额下滑了 32%, 而在复苏期,2004 年行业销售收入增长 速度达到了 28% 第二个周期是 2006 年至 2010 年, 先后经历了 2 年的衰退期 2 年的复苏期 在衰 退期,2009 年全行业销售收入下滑了 9%, 而在复苏期 2010 年, 全行业销售收入 增长了 32% 2010 年以后, 半导体行业整体上进入平稳增长期 图 4: 全球半导体市场规模近 3500 亿美金, 销售额同比增速呈现出周期变化特征 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 40% 30% 20% 10% 0% -10% -20% -30% -40% 全球半导体销售收入 销售增速 (YoY) 资料来源 :WSTS, 东兴证券研究所
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P6 图 5: 全球半导体资本支出情况 半导体行业周期性减弱最直接的原因就是行业趋于巨头垄断格局, 资本支出计划趋于理性 如下图所示,2010 年以前呈现出的资本支出暴涨暴跌现象消失不见了 500 400 300 200 100 0 2010 年后, 晶圆制造行业趋于寡头垄断格局, 半导体行业投资的周期性减弱 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 全球半导体资本支出金额全球半导体资本支出同比增速 (%, 右 ) 200% 150% 100% 50% 0% -50% -100% 资料来源 : 东兴证券研究所,wind 1.3 半导体从 16Q2 开始进入复苏阶段 1.3.1 台积电 Q2 产能利用率显著提高至 97.51% 晶圆代工厂的产能利用率 库存指标是半导体行业景气度最直接 最全面的衡量指标 台积电是全球晶圆制造代工的龙头企业,2015 年销售收入占全球晶圆代工市场的 54.3% 从台积电的情况来看, 半导体行业从今年二季度开始进入复苏阶段 台积电产能利用率从今年一季度的 87.28% 上升至 97.51%, 这是从 2015 年初开始 出现营收下滑以来, 台积电产能利用率首次出现大幅回升情况, 单季营收创历史第 三高 二季度, 台积电消费电子芯片销售金额环比增长 80%,PC 应用芯片销售金额环比 增长 19%, 工业应用芯片销售金额环比增长 12%, 除通讯应用芯片环比 0% 增长以 外, 其他领域均呈现大幅增长态势 7 月 14 日, 台积电召开法说会披露, 产能已排至今年 9 月, 产能处于满载状态 同时台积电预计三季度营收将实现双位数以上增长
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P7 图 6: 台积电 2016 年 2 季度出货量止跌回升 ( 万片 ) 资料来源 : 东兴证券研究所, 公司公告 图 7: 台积电 2016 年 2 季度产能利用率创近 7 个季度新高 二季度产能利用率达到 97.51%, 公司预期三季度 产能满载 资料来源 : 东兴证券研究所, 公司公告 1.3.2 上游设备厂商订单大幅增长, 行业景气度明显回升 以半导体设备三大巨头 :Applied Materials TEL Lam Research 的订单及业绩情况来看, 半导体行业的短期复苏是确定的 5 月 19 日, 美国 Applied Materials 二季度新接订单达到 34.5 亿美金, 同比增长 37%, 环比增长 52% 包括半导体行业 平板显示行业 新能源行业在内的各个子 行业设备新增订单均呈现高增长, 其中半导体行业设备新增订单 19.6 亿元, 环比 增长 54%, 同比增长 15% 来自中国大陆地区的单季度订单金额达到 9.03 亿美金, 环比增长 80%, 同比增长 157% 7 月 29 日, 日本 TEL 公告季度报告 (2016 年 4 月 -6 月 ), 二季度新增订单 19.3 亿美金, 同比增长 26%, 环比增长 5%, 与美国 Applied Materials 的订单高增长 趋势一致印证了半导体行业进入景气周期 订单增长主要来自晶圆代工 Foundry 先进制程扩产及 3D NAND 建厂需求 二季度 TEL 半导体设备销售收入略微下滑 6.8% 达到 12.8 亿美金, 但是来自中国大陆地区的设备销售收入达到 2.95 亿美金,
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P8 环比增长 97.3%, 同比增长 114%, 大陆地区的设备销售收入增速远远高于其他地 区 7 月 27 日,Lam Research 的季报显示其二季度营业收入达到 15.4 亿美金, 同比增长 18%,non-GAAP 毛利润达到 7.2 亿美金, 对应 46.6% 的 non-gaap 毛利率 公司管理层给出的三季度业绩指引为实现营收 16.25 亿美金, 相比二季度增长 5.5% 图 8: 北美半导体 BB 值自 2015 年 12 月起连续 7 个月超过荣枯线 资料来源 : 东兴证券研究所,wind 1.3.3 手机套片出现缺货印证景气向上 今年上半年, 三四线城市进入换机大潮, 以线下渠道优势著称的 Oppo 手机出货量跃升至全球第四, 仅次于三星 苹果 华为 受益于 Oppo Vivo 等厂商对 P10 X20 X25 芯片积极备货影响, 联发科上半年实现了 20% 以上的出货量增长, 远超预期, 以致于其高 低端全系列手机芯片在 7 月均出现缺货状态 台湾封测领军企业日月光在 6 月 28 日的股东会披露, 目前产能吃紧, 下半年状况将比上半年更好 1.4 国家集成电路产业发展推进纲要 部署产业发展目标 2014 年 6 月, 国务院印发 国家集成电路产业发展推进纲要, 部署集成电路产业发展目标及主要任务 表 1: 国家集成电路产业发展推进纲要 的产业发展目标 发展目标 到 2015 年, 集成电路产业发展体制机制创新取得明显成效, 建立与产业发展规律相适应的融资平台和政策环境 集 1 成电路产业销售收入超过 3500 亿元 移动智能终端 网络通信等部分重点领域集成电路设计技术接近国际一流水平 32/28 纳米 (nm) 制造工艺实现规模量产, 中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到 30% 以上,65-45nm 关键设备和 12 英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用 到 2020 年, 集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小, 全行业销售收入年均增速超过 20%, 企业可持续发展能 2 力大幅增强 移动智能终端 网络通信 云计算 物联网 大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平, 产业生态体系初步形成 16/14nm 制造工艺实现规模量产, 封装测试技术达到国际领先水平, 关键装备和材料进入 国际采购体系, 基本建成技术先进 安全可靠的集成电路产业体系
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P9 3 到 2030 年, 集成电路产业链主要环节达到国际先进水平, 一批企业进入国际第一梯队, 实现跨越发展 资料来源 : 东兴证券研究所 国务院表 2: 国家集成电路产业发展推进纲要 的主要任务和发展重点主要任务和发展重点 设计制造封测设备材料 (1) 聚焦移动智能终端和网络通信领域, 开发量大面广的移动智能终端芯片 数字电视芯片 网络通信芯片 智能穿戴设备芯片及操作系统, 提升信息技术产业整体竞争力 (2) 发挥市场机制作用, 引导和推动集成电路设计企业兼并重组 (3) 加快云计算 物联网 大数据等新兴领域核心技术研发, 开发基于新业态 新应用的信息处理 传感器 新型存储等关键芯片及云操作系统等基础软件, 抢占未来产业发展制高点 (4) 分领域 分门类逐步突破智能卡 智能电网 智能交通 卫星导航 工业控制 金融电子 汽车电子 医疗电子等关键集成电路及嵌入式软件, 提高对信息化与工业化深度融合的支撑能力 (1) 加快 45/40nm 芯片产能扩充, 加紧 32/28nm 芯片生产线建设, 迅速形成规模生产能力 (2) 加快立体工艺开发, 推动 22/20nm 16/14nm 芯片生产线建设 (3) 大力发展模拟及数模混合电路 微机电系统 (MEMS) 高压电路 射频电路等特色专用工艺生产线 (4) 增强芯片制造综合能力, 以工艺能力提升带动设计水平提升, 以生产线建设带动关键装备和材料配套发展 (1) 大力推动国内封装测试企业兼并重组, 提高产业集中度 (2) 适应集成电路设计与制造工艺节点的演进升级需求, 开展芯片级封装 (CSP) 圆片级封装(WLP) 硅通孔 (TSV) 三维封装等先进封装和测试技术的开发及产业化 加强集成电路装备 材料与工艺结合, 研发光刻机 刻蚀机 离子注入机等关键设备, 开发光刻胶 大尺寸硅片等关键材料 资料来源 : 东兴证券研究所 国务院 2 半导体制造兴起带来三大机会 2.1 芯片制造进入建厂高峰, 设备行业迎来历史性机遇 2.1.1 芯片制造产业基础薄弱, 急需提升实力 表 3: 全球前十大晶圆厂营收情况及市占率 (2015 年 ) 目前中芯国际的量产工艺为 28nm 工艺, 而台积电最先进的量产工艺为 16nm 工艺, 台联电最先进的量产工艺为 28nm, 中芯国际与台积电工艺相差 2 代 根据国际半导体设备材料产业协会数据, 中芯国际 华虹在 2015 年市场份额分别为 4.6% 1.3%, 远不及台积电 格罗方德 联电, 提升我国芯片制造技术水平及市场份额迫在眉睫 晶圆厂 2015 营收 ( 亿美金 ) 市占率 台积电 265.66 54.30% 格罗方德 46.73 9.60% 联电 45.61 9.30% 三星电子 26.07 5.30% 中芯 22.29 4.60%
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P10 力晶 9.85 2% TowerJazz 9.61 2% 富士通半导体 8.45 1.70% 世界先进 7.36 1.50% 华虹半导体 6.51 1.30% 合计 448.14 91.70% 资料来源 :SEMI, 东兴证券研究所 2.1.2 我国掀起晶圆厂建设高峰, 设备年均资本支出将增长 115% 表 4: 未来 3 年, 大陆地区半导体晶圆制造厂开工建设计划 今年, 我国十余个晶圆厂项目开始进入建设期, 投资总规模达到 3000-5000 亿元 半导体设备支出占晶圆代工厂建设成本约 70%, 土地和厂务设施占约 10~15%, 土建施工费用占 10~15% 因此未来 3 年, 我国半导体行业设备支出将超过 2100~3500 亿元, 保守估计我国半导体设备支出年均超过 700 亿元 根据国际半导体设备材料产业协会 (SEMI) 数据, 我国 2015 年的半导体设备销售金额为 325 亿人民币 未来 3 年我国半导体设备平均支出相比 2015 年将增长 115% 以上, 因此半导体设备企业将确定性受益 序号项目投资金额 ( 亿元 ) 产能 1 紫光深圳 12 寸存储晶圆厂 ( 一期 ) 2000( 一期 300 亿 ) ( 万片 / 月 ) 进展 4( 一期 ) 目前正在进行可行性研究论 证, 预计于 2019 年投产 2 合肥力晶 12 寸晶圆厂 135 4 已开工建设,2017 年 10 月 3 台积电南京 12 寸晶圆厂项目 200 2 已开工建设,2018 年下半年 4 台联电厦门 12 寸晶圆厂项目 414 5 今年 12 月投产 5000 片 / 月 5 武汉新芯存储器基地项目 1,600 30 存储芯片,2019 年达产 6 淮安德科码半导体有限公司 12 英吋项目 133.5 2 进入环评阶段,2018 年下半 投产 投产 年投产 7 南京德科玛半导体产业园项目 (8 寸晶圆厂 ) 33.4 4 已开工建设,2018 年下半年 8 重庆 AOS 12 寸功率半导体制造项目 ( 一期 ) 26.7 2 已开工建设, 功率半导体晶 投产 圆厂,2018 年投产 9 重庆 AOS 12 寸功率半导体制造项目 ( 二期 ) 40 3 已开工建设, 功率半导体晶 圆厂,2018 年投产 10 UMC 与晋华合作的存储芯片项目 ( 泉州 ) 370 6 已开工建设, 存储芯片,2018 年 9 月投产 11 中芯国际扩产项目 ( 北京 ) 340 3 已开工建设,2018 年投产 12 士兰微集成电路芯片项目 ( 杭州 ) 10 n/a 已开工建设,2017 年上半年
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P11 合计为 5302 亿元 投产 资料来源 : 东兴证券研究所, 互联网公开资料 2.1.3 设备国产化率不足 15%, 中国制造 2025 要求国产化率达到 50% 按照销售金额测算, 半导体设备国产化率不足 15% 根据国际半导体设备材料产业协会数据, 我国 2015 年半导体设备销售金额为 325 亿元 而根据中国电子专用装备工业协会数据,2015 年国产半导体设备销售金额约为 50 亿元, 其中国内前十强设备企业销售金额为 37.63 亿元, 占国产半导体设备市场的 75.26% 国内半导体设备的销售大部分集中在 LED 芯片制造 太阳能电池等半导体工艺线, 面向集成电路工艺线的半导体设备销售量更小 中国制造 2025 技术路线图部署了设备行业国产化率的产业目标, 我们认为在国家制造强国领导小组的背书下, 国资背景为主的晶圆厂在采购设备时会优先考虑国产厂商 国家制造强国建设战略咨询委员会 是副总理马凯领导的国家制造强国领导小组的智囊团, 其发布的 技术路线图 拥有非常强的权威性 在 中国制造 2025 技术路线图中, 国家制造强国建设战略咨询委员会按照不同工艺线和时间节点分别提出了国产化率要求, 目前设备国产化率离目标仍有较大差距, 未来发展潜力巨大 表 5: 中国制造 2025 技术路线图 设定了集成电路产业设备国产化的目标目标 1 在 2020 年之前,90~32 纳米工艺设备国产化率达到 50%, 实现 90 纳米光刻机国产化, 封测关键设备国产化率达到 50% 2 在 2025 年之前,20~14 纳米工艺设备国产化率达到 30%, 实现浸没式光刻机国产化 3 到 2030 年, 实现 18 英寸工艺设备 EUV 光刻机 封测设备的国产化 资料来源 : 东兴证券研究所, 国家制造强国建设战略咨询委员会 表 6: 我国前十大半导体设备厂商销售收入 (2015 年 ) 单位名称 半导体设备销售收入 ( 万元 ) 中电科电子装备有限公司 92,881 浙江晶盛机电股份有限公司 48,795 中微半导体设备 ( 上海 ) 有限公司 44,995 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 37,627 上海微电子装备有限公司 34,703 天通吉成机器技术有限公司 29,267 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 27,409 北京七星华创电子股份有限公司 21,687 盛美半导体设备 ( 上海 ) 有限公司 20,506 格兰达技术 ( 深圳 ) 有限公司 18,471
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P12 合计 376,340 来源 : 中国电子专用设备工业协会, 东兴证券 2.1.4 设备国产替代进行中 : 关键设备已进入 28nm 工艺生产线 半导体设备行业的门槛较高, 一般需要在下游制造企业的工艺线上经过长时间的验证, 验证过程中发现问题, 并经过多次改型才能最后定型 而国内的设备厂商主要通过中芯国际 上海华力等国内晶圆厂进行验证定型 随着我国中芯国际 华虹等晶圆制造厂商规模的扩大, 我国半导体设备企业近年来取得不小突破, 目前以七星电子为代表的国产设备已进入 28nm 工艺生产线 部分设备甚至已经进入 14nm 工艺试验线, 如北方微的刻蚀机于今年 8 月份首次进入上海集成电路中心的 14nm 工艺试验线 图 9: 集成电路前道工艺主要设备及相应供应商 CVD 国外 :Applied Materials TEL 国内 : 上海微装 中电 48 所 45 所 成都光机所 扩散 / 氧化炉国外 :Thermco ASM BRUCE 国内 : 七星电子 中电 48 所 青岛福润德 离子注入机国外 : 美国 Applied Materials 美国 CHA 美国维利安 国内 : 中电 48 所 中科信 上海硅拓沈阳方基 PVD 国外 : 美国 Applied Materials 美国 PVD 公司 美国 Vaportech 国内 : 北方微 沈阳拓荆 光刻机 ( 占前道设备成本 20%) 国外 :ASML(14nm) Nikon Canon 国内 : 上海微装 中电 48 所 45 所 成都光机所 刻蚀机国外 :Lam Research TEL Applied Materials 韩国 TES 韩国 JuSung 国内 : 上海微装 北方微 中微半导体 中电 48 所 45 所 成都光机所 检测设备国外 : 美国 KLA-Tencor 美国应用材料 日本日立 日本 Advantest 以色列 Camtek 美国 Rudolph 国内 : 上海睿励科学仪器 瑞柯仪器 资料来源 : 东兴证券研究所, 七星电子招股书, 互联网公开资料 表 7: 我国多款设备进入 28 纳米晶圆制造生产线 设备 品牌 进展 等离子硅刻蚀机 北方微 2015 年 4 月, 北方微电子自主研发的 12 寸 28 纳米 NMC612 系列高密度等离子硅刻蚀机正式安装, 进入中芯国际生产线
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P13 PVD 北方微 2016 年 4 月, 北方微电子 evictora830 PVD 设备进入武汉新芯生产线 PVD 北方微 2014 年 11 月, 北方微电子的 12 吋 extin H430 HM PVD 设备在上海华力微电子发起的 招标中实现中标 此设备具备极强的工艺扩展能力, 同时兼容 55-28 纳米工艺制程 PECVD/APCVD 北方微适用于不同规格衬底上 N 型 P 型硅材料的外延生长, 同时兼容 6 吋 8 吋衬底 单片清洗机 ( 铜互连清洗 ) 七星 300mm 堆叠式单片清洗机 (90-28nm), 已经完成了设备工艺验证, 及 28nm 设备装配工 作 LPCVD 七星在中芯国际 32-28 纳米生产线进行工艺验证, 完成了 MSTR 验证 氧化炉七星 2016 年 5 月, 七星电子 12 吋立式氧化炉顺利交付中芯国际 ( 北京 )28 纳米生产线 资料来源 : 东兴证券研究所, 互联网 2.2 国内存储晶圆制造崛起, 存储封测企业伴生成长 2.2.1 存储芯片几乎完全依赖进口, 国产化需求迫切 全球存储芯片总产值约 800 亿美元, 主要分为 DRAM 和 NAND FLASH 两大市场, DRAM 年产值 457 亿美金, 占存储芯片市场的 57%,NAND FLASH 年产值 306 亿美金, 占存储芯片市场的 38% DRAM 和 NAND FLASH 合计占据 95% 的市场份额, 另外 EEPROM NOR FLASH 等占据 5% 市场份额 DRAM 存储的内容掉电后将丢失, 主要应用于 PC 机内存等场景,NAND FLASH 存储的内容掉电后不会丢失, 用于手机存储 PC 固态硬盘等场景 目前三星 SK 海力士 美光 东芝 sandisk 英特尔等六家公司基本垄断了存储芯片 95% 以上市场份额 目前, 我国每年进口的集成电路芯片的 1/5 是存储器, 存储芯片几乎完全依靠海外供应, 这对我国信息产业安全构成挑战, 因此存储器放在国家战略的高度着重发展 图 10:2016 年 Q1 市场格局 (NAND FLASH) 7% 8% 35% 13% 15% 22% 图 11:2016 年 Q1 市场格局 (DRAM) 4% 2% 1% 1% 19% 46% 27% 三星 SK 海力士美光南亚科技 三星东芝 Sandisk 华邦电子力晶科技其他 美光 Sk 海力士英特尔 资料来源 : 东兴证券研究所,DRAMeXchange 资料来源 : 东兴证券研究所,DRAMeXchange 2.2.2 存储芯片产业处于 2D 向 3D 技术转换期, 我国迎来切入存储产业良机三维存储技术推动新一轮资本开支周期, 中国企业是理想合作伙伴 紫光集团存储业务与武汉新芯合并之后成立了 长江存储, 作为我国最大的存储芯片企业, 长江存储 手握 3600 亿资本开支计划, 是美光等存储芯片厂商的理
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P14 想合作伙伴 我国是最大的 DRAM NAND FLASH 销售市场, 我国存储器厂商拥有地利优势 我国 2014 年进口 DRAM 179 亿美元, 占全球 DRAM 总销售额的 38%,NAND 型 闪存进口 68 亿美元, 占全球总销售额的 28.2% 2016 年是 3D NAND 大发展的元年, 六大主流厂商均已推出 3D NAND FLASH 量产产品 未来几年将是 2D NAND 向 3D NAND 发展的转换期, 各家存储芯片厂商 面临着巨额的资本支出压力, 于是积极寻找合作伙伴共同投资减轻压力 表 8:NAND FLASH 主要厂商均已实现 3D NAND 量产公司 3D NAND 产品现状三星 2013 年 8 月,NAND 市场全球第一大厂商三星宣布量产世界首款 3D V-NAND 存储芯片 在 2013 年发布的第一代 V-NAND 产品可实现最多 24 层晶片堆叠, 目前三星已量产 48 层堆叠的 3D NAND 芯片, 并预计于 2017 年下半年量产 64 层堆叠的 3D NAND 芯片 海力士海力士预计于 2017 年上半年量产 48 层堆栈的 3D NAND FLASH 东芝 Sandisk 2015 年 8 月, 东芝联合 SanDisk 发布了 48 层 3D NAND 芯片, 并在日本四日市启动 3D NAND 试产线 东芝于 2016 年 7 月宣布, 已研发出 64 层的 3D NAND FLASH 技术 美光 英特尔 2016 年 8 月, 美光宣布研发出 48 层堆叠的 3D NAND FLASH 资料来源 : 东兴证券研究所, 互联网公开资料 3D NAND 相比 2D NAND 有如下优势 : 功耗更低, 3D V-NAND 功耗相比 2D NAND 降低 45% 以上 速度更快, 读写响应时间缩短 40% 以上 更加稳定,2D NAND 可擦写次数为 3000-10000 次,3D V-NAND 可擦写次数达到 35000 次 图 12: 3D NAND 技术突破了摩尔定律限制, 使存储容量成倍增长 资料来源 : 东兴证券研究所,Samsung 2.2.3 韩国经验 : 重视先进技术吸收 + 持续资本投入是成功关键
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P15 在上世纪 80 年代初期, 美国 日本是半导体行业的领导者, 韩国半导体产业几乎是一片空白 但是经过 10 年的发展, 韩国追赶了上来, 成为了存储芯片行业的领导者 到 1994 年, 三星成为了世界排名第一的 DRAM 制造商, 现代 LG 也位居世界前列, 韩国存储芯片产业实现了从零到第一的飞跃 总结韩国半导体产业发展经验, 有以下几项特点 研发经费指数式增长, 在半导体行业不景气阶段依然保持着大规模的研发支出 为避免企业间重复投资, 集中韩国企业 高校资源共同研发 在 1986 年, 政府将 4M DRAM 列为国家项目, 韩国三大半导体厂商三星 LG 现代结盟进行开发 政府提供研发资金支持 为了消除与日本公司的差距, 韩国政府设定了在 1989 年 量产 4M DRAM 的目标, 在 1986-1989 年共花费 1.1 亿美金研发费用, 政府承担了 其中 57% 借鉴韩国经验, 在国家集成电路大基金的牵线搭桥下, 武汉新芯与紫光集团存储业务进行了合并, 成立了国家存储产业平台公司 长江存储, 有利于避免重复投资, 实现各方优势资源共享 由于我国存储芯片产业基础薄弱, 各家存储企业通过引入海外技术合作方的方式实现项目落地 图 13: 国内资金 + 海外技术 模式引领国内存储芯片突围 紫光存储器项目 武汉新芯存储器项目 + 技术合作方 + 拟投资 932 亿元建设存储芯片晶圆厂 技术合作方提供技术方案 武汉新芯拟投资 1600 亿元建设存储芯片晶圆厂 Spansion 提供技术方案 福建晋华存储器项目 + 晋华拟投资 370 亿元建设存储芯片晶圆厂 UMC( 联电 ) 提供技术方案 合肥市存储器项目 合肥市政府 + 兆基科技 ( 尔必达前总经理创立 ) 合肥市政府出资 460 亿元 兆基科技提供技术方案 资料来源 : 东兴证券研究所, 互联网公开资料 2.2.4 存储产业大发展, 封测企业伴生成长国内存储封测厂具备对接实力 我国存储封测技术已经进入世界一流梯队, 已经具备与存储芯片制造商相配套的能
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P16 表 9: 存储芯片制造厂商掀起外包封测业务浪潮 时间 力 深科技于去年 6 月收购了沛顿科技, 获得 DRAM 芯片封测业务 沛顿科技原为美国金士顿科技的外商独资企业, 在晶圆封测业务有多年的技术积累 另一家厂 商太极实业已是 SK 海力士的主力封测厂之一, 有着多年的存储封测经验 国内存储封测厂拥有先发优势 比如国内封测企业华天科技已经与武汉新芯达成战 略合作协议, 在封测领域开展合作 存储芯片的 3D 堆叠技术要求制造厂与封测厂 在制造过程中更加紧密的合作, 率先介入制造厂工艺的国内厂商享有先发优势 为应对资本开支压力, 外包封测业务成为趋势 随着摩尔定律的演进, 单个存储芯片制造项目的投资金额日益扩大, 存储厂商渐渐改变原有的制造封测一体化的 IDM 模式, 将封测业务委托给几家长期稳定合作的独立封测厂商 合作事项 2010 大陆封测厂太极实业与韩国存储厂商海力士成立合资封测公司海太半导体, 太极实业持股 55%, 韩国海力 士持股 45%, 合资公司主要承接海力士存储芯片的封测订单 2013 年 5 月日本存储厂商东芝将位于大陆的存储封测厂 ( 无锡通芝微电子 ) 出售给日月光 2014 年 4 月台湾封测厂日月光与台湾最大 DRAM 厂商华亚科技宣布战略合作开发 3D 封装技术, 共同拓展 SiP 制造能 力 两者形成战略联盟, 华亚科技提供晶圆生产制造服务, 日月光提供封测服务 2016 年 3 月美光与台湾力成共同投资 2.5 亿美金在西安设立的存储封测厂竣工投产 资料来源 : 东兴证券研究所, 互联网公开资料 表 10: 全球主要独立存储封测企业概况 封测企业主要客户 2015 年营收 ( 亿元, 人民币 ) 台湾力成东芝 美光 intel sandisk kingston 台湾华东美光 南亚科 华邦 东芝 16 台湾南茂科技美光 飞索 东芝 39 新加坡 UTAC 南亚科 45.2( 存储芯片封测占比 89.6 12%) 韩国 hana Micron 三星 海力士 13.74 韩国 signetics 三星 海力士 11.8 韩国 SFA semicon 三星 海力士 30.8 韩国 ATsemicon 三星 海力士 6.85 资料来源 : 东兴证券研究所, 公司年报 2.3 特色工艺开辟芯片制造差异化之路, 关注氮化镓工艺 2.3.1 特色工艺资本支出相对较小, 或将更快实现突破 在 3 月 24 日举办的 2016 中国半导体市场年会 上, 国家集成电路产业基金总经理丁文武提出将重点推进先进制程工艺及特色工艺制程发展, 同时国家大基金在晶圆制造领域的投资金额占比将从去年的 45% 提升至 60%
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P17 集成电路制造工艺主要有两大类 : 一类是适用于数字 SoC 芯片设计的 CMOS 制程工艺, 此类工艺的发展路径遵循着 摩尔定律不断演进,CMOS 工艺以晶体管最小沟道尺寸作为工艺节点标志, 目前台积电 三星 英特尔已实现 14nm/16nm 工艺线量产, 英特尔已经实现 10nm 工艺 试产 另一类是特色工艺, 主要适用于电源管理 射频通讯 图形传感器 MEMS 等领域, 着重关注芯片高频率 大功率 光学性能等指标 先进制程工艺的开发建设需要投入巨额资金 例如建设一条 65nm 生产线需要投入 25 亿美金,32nm 生产线建设需要投入 49 亿美金,20nm 生产线的投入超过 60 亿美金 而特色工艺的资本支出规模远远小于先进制程工艺, 台湾砷化镓晶圆代工龙头企业稳懋半导体 2015 年全年的资本支出仅仅为 7.36 亿元, 研发费用支出仅仅为 1.2 亿元 因此特色工艺资本投入相对较小, 国内厂商或将更快实现突破 图 14: 特色工艺分类 资料来源 : 东兴证券研究所, 华虹半导体,QRVO 2.3.2 砷化镓工艺已经是 4G 射频器件主流工艺 根据 strategic Analytics 数据, 全球砷化镓器件 2014 年市场规模为 74.3 亿美金 其中智能手机是 GaAs 芯片最大市场, 占 GaAs 芯片总销量的 70% 2015 年全球手机出货量达到了 12.93 亿部, 每部手机装有数颗 GaAs 芯片,( 一般,2G 手机装有砷化镓芯片 1-2 颗,3G 手机 3-4 颗,4G 手机 5-6 颗 ) 整体市场规模相当可观 由于砷化镓工艺的 PA( 功率放大器 ) 的高频性能 线性度指标远远由于硅工艺, 目前已成为 4G 手机射频芯片的主流工艺 表 11:MMIC 器件广泛应用于各类通讯系统 ( 砷化镓 / 氮化镓工艺 ) 应用领域 工作频率 器件名称 Cable TV 50 to 1.000 MHz BiHEMT,pHEMT Fiber-Optic Nodes DC to >2.5 GHz,DC to >10 GHz phemt,hbt,bihemt Cellular/PCS/Wireless local 900MHz(Cellular), 1.8-2.2GHz(PCS), loop(wll) 2.2-2.4GHz(3G wireless) HBT,pHEMT,BiHEMT Wireless LAN 900MHz,2.4(bluetooth),5.8,60GHz HBT,pHEMT
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P18 Global Positioning(GPS) 1.6GHz phemt,bihemt Satellite Cellular 1.6, 2.5GHz(Subscriber) ; 20, 23, 29GHz up/down/crosslink phemt,bihemt Electronic Toll Collection System(ETC) 5.8GHz phemt,bihemt Point-to-Point Radio 6,8,11,15,18,23,38,60GHz phemt,bihemt Very Small Aperture Terminal(VSAT) 6,14,28GHz phemt,bihemt Satellite TV 11 to 13 GHz phemt,bihemt Broadband Satellite Services 28GHz phemt Local Multipoint Distribution(LMDS) 28,31GHz phemt Multipoint Video Distribution Service (MVDS) 42GHz phemt Automotive Redar-Smart Cruise Control( 汽车雷达 ) 76-77GHz phemt 资料来源 : 东兴证券研究所, 稳憨半导体 图 15: GaS( 砷化镓 ) GaN( 氮化镓 ) 等化合物半导体器件对应的应用频率及功率范围 资料来源 : 东兴证券研究所,IEEE 论文 表 12: 各类半导体材料的特点及应用范围 代表材料 特点及应用 第一代半导体材料 锗和硅 工艺成熟, 制造成本低 广泛应用于集成电路制造领域 第二代半导体材料 砷化镓 磷化铟 主要应用于以光发射器件为基础的光显示 光通信和光存储等光电子系统 第三代半导体材料 氮化镓 碳化硅 金刚石 具有具有宽的带隙 强的原子键 高的热导率 高熔点 (1700 摄氏度 ) 耐腐蚀等优点 主要在高温大功率器件 射频器件 高频微波器件中应用 资料来源 : 东兴证券研究所 图 16: 全球砷化镓半导体市场格局 图 17: 全球砷化镓半导体 Foundry 市场格局
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P19 资料来源 : 东兴证券研究所,SA 资料来源 : 东兴证券研究所,SA 2.3.3 占尽天时地利, 砷化镓 / 氮化镓工艺国产化进行中 中国制造 2025 技术路线图指出发展目标 2015 年 11 月, 国家制造强国建设战略咨询委员会发布 中国制造 2025 技术路线图, 提出氮化镓 SiC 半导体器件的发展目标 国家制造强国领导小组 是中国制造 2025 的战略顶级领导机构, 由国务院副总理马凯担任组长 中国制造 2025 技术路线图是 国家制造强国领导小组 的智囊团 建设委员会 编撰并发布的, 是引导先进制造产业发展的权威文件 图 18: 中国制造 2025 技术路线图 对化合物半导体行业设定的目标 光光光光 光光光光光光 200l m/ w 光光光光光 LED 光光光光光光光光光光 50mW 光光光 Al GaN 光光光 LED 光光光光光光光光光光光 60% 光光光光光光光光光光光 80% 15KV 光光 Si C 光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光 GaN 光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光光 光光光光 100Mhz 光光光 GaN 光 HEMT 光光光光光光光光光光 5G 光光光光光光光光光光光 资料来源 : 东兴证券研究所, 国家制造强国建设战略咨询委员会 未来 5G 手机砷化镓 / 氮化镓射频芯片使用量倍增 3GPP 提出的 5G 标准通信频率为 6G-100Ghz, 包括 8Ghz 15Ghz 28Ghz 60Ghz 73Ghz 频段 5G 场景下, 通信频率显著提高, 高频性能优异 线性度高的砷化镓 / 氮化镓射频芯片将是主流方案 同时, 为了适应多个频段,5G 手机使用的射频芯片数量将远远高于 4G 手机
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P20 图 19: 单部手机射频芯片成本 ( 美金 ) 资料来源 : 东兴证券研究所,qorvo 我国砷化镓 / 氮化镓器件有一定技术基础 微波通讯领域 ( 航空航天应用 ): 中国电科 13 所 中国电科 55 所拥有丰富的砷化镓器件产业化经验 中电 13 所成立于 1956 年, 设有砷化镓集成电路和功率器件国家重点实验室, 制作了我国第一只砷化镓微波场效应晶体管 第一块砷化镓集成电路, 创造了砷化镓领域的多项国内第一 中电 55 所成立于 1958 年, 设有微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室 在微波化合物半导体 MMIC( 单片微波集成电路 ) 相关领域的研发能力和产品水平处于国内领先 国际先进地位 4G/5G 无线通讯领域 ( 手机应用 ): 紫光旗下的 RDA 具备砷化镓 PA 设计能力, 其 3G/4G PA 产品线性度和功率转换效率指标已经达到国际领先水平 RDA 不具备制造能力, 它的产品主要交给台湾稳憨做晶圆代工 借助资本力量, 国内厂商整合全球优质氮化镓 / 砷化镓工艺线资源 2016 年 4 月, 三安光电拟以 2.26 亿美金收购美国砷化镓晶圆制造厂商 GCS 100% 股权 虽然最终未获 CFIUS( 美国外国投资委员会 ) 审核通过, 双方签署 谅解备忘录 成立一家合资公司布局手机射频 滤波器业务 3 投资策略及相关公司解析 我们认为半导体行业是资金密集型 知识密集型产业, 国家大基金的重点投资领域代表着国家强力扶持的方向, 也代表着国家意志 国家大基金今年的投资方向重点为芯片制造 存储领域, 因此受益于芯片制造领域建厂浪潮 国产存储崛起 特色工艺突破的细分子行业值得投资者重点关注 在设备领域, 七星电子是 A 股市场唯一的半导体设备企业, 是未来整合半导体设备 行业的平台型企业
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P21 在材料领域, 上海新阳的半导体硅片 电子化学品业务将逐步突破国外垄断 在存储封测领域, 深科技拥有多年的存储封测经验, 是国内为数不多的具有量产经 验的存储封测厂, 在国内存储产业的崛起浪潮中将充分受益 在特色工艺领域, 三安光电拟投资 30 亿元建设 GaN/GaAs 工艺线, 建成后将成为我 国最大规模 GaN GaAs 射频工艺线 三安光电通过与外资厂商合作化解了技术难 题, 项目前景向好 3.1 七星电子 (002371.SZ) 七星与北方微是国内半导体设备领军企业, 两者合并后实现了产品优势互补及销售渠道共享, 七星的强项在于氧化炉 清洗机 质量流量控制器领域, 北方微的优势在于刻蚀机 PVD 设备, 两者合并后将有利于互相促进产品销售 北方微是国内唯一一家有能力为客户提供前道硅刻蚀机 PVD 的供应商, 北方微的刻蚀设备与国外竞争对手实力相当, 占据了国内封装 PVD 市场 47.8% 的份额 在集成电路制造领域, 北方微的硅刻蚀 铜互连 PVD 硬掩膜 PVD 与国际最高技术水平差距已缩小到一至两个技术代 另外七星电子先后承担了多项 02 专项, 目前已经实现了 12 英寸立式氧化炉的量产销售 我们预计公司 2016 年营业收入和净利润分别为 15.9 亿元和 1.23 亿元, 同比增长 86% 和 219%,2016-2018 年 EPS 为 0.27 元 0.61 元 0.80 元, 对应 PE 为 147 倍 65 倍 50 倍 3.2 上海新阳 (300236.SZ) 公司产品属于配方类化学品, 固定资产投入比重低, 产能扩张容易, 产品一旦实现突破能快速上量 公司是国内半导体硅材料及化学品行业的核心上市平台 公司与国家集成电路大基金共同投资了上海新昇 12 寸大硅片项目, 目前 12 寸硅片领域主要由日本信越 Sumco Siltronic MEMC LG Siltron SAS 垄断 上海新昇的大硅片项目投产后将打破外国企业在 12 寸硅片领域的垄断 公司的化学产品涵盖电镀工艺 铜互连工艺等, 是国内唯一的在先进封装及晶圆制造领域实现产业化的企业, 目前为国内半数以上的封装企业供货, 晶圆化学品业务亦实现了对中芯国际 海力士 华力微的销售 目前公司已被台积电列入合格供应商目录并开始进行产品验证, 预计今年有望突破台积电这一大客户 我们预计公司 2016 年营业收入和净利润分别为 4.3 亿元和 6000 万元, 同比增长 17% 和 42%,2016-2018 年 EPS 为 0.41 元 0.91 元 1.23 元, 对应 PE 为 104 倍 47 倍 35 倍 3.3 深科技 (000021.SZ) 公司收购的沛顿科技是国内少有的存储芯片封测企业 沛顿科技是美国 Kingston 在国内投资的企业, 主要从事 DRAM 和 FLASH 的封装及测试业务 沛顿科技吸收了内存巨头 Kingston 在封测领域的核心技术, 技术实力国际领先, 在国家存储芯片国产化战略中将发挥重要作用, 未来可能受到国家或地方政府背景的产业基金扶持并扩增产能
东兴证券行业深度报告 电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P22 我们预计公司 2016 年营业收入和净利润分别为 168.5 亿元和 3.3 亿元, 同比增长 10% 和 83%,2016-2018 年 EPS 为 0.23 元 0.39 元 0.53 元, 对应 PE 为 47 倍 27 倍 20 倍 3.4 三安光电 (600703.SH) 公司拟投资 30 亿元建设两条化合物半导体生产线, 建成后将形成 36 万片砷化镓 / 氮化镓外延片产能及 36 万片砷化镓 / 氮化镓芯片产能, 建成后将成为我国最大的砷化镓 / 氮化镓芯片制造企业 目前产线设备已完成试产, 部分产品已经获得客户认证通过, 今年下半年随着设备陆续到位, 公司的产能将逐步释放并贡献业绩 我们预计公司 2016 年营业收入和净利润分别为 61.2 亿元和 23.3 亿元, 同比增长 26 和 38%,2016-2018 年 EPS 为 0.85 元 1.08 元 1.24 元, 对应 PE 为 14 倍 11 倍 10 倍
东兴证券行业深度报告电子行业 : 半导体制造兴起的三大投资机遇 P23 分析师简介 分析师 : 杨若木 基础化工行业小组组长,7 年证券行业研究经验, 擅长从宏观经济背景下, 把握化工行业的发展脉络, 对周期性行业的业绩波动有比较准确判断, 重点关注具有成长性的新材料及精细化工领域 曾获得卖方分析师 水 晶球奖 第三名, 今日投资 化工行业最佳选股分析师第一名, 金融界 慧眼识券商 最受关注化工行业分析师, 证券通 化工行业金牌分析师 联系人简介 联系人 : 贺茂飞 复旦大学微电子与固体电子学硕士,2016 年 7 月加入东兴证券从事电子行业研究 联系人 : 余江 北京大学硕士,2016 年 1 月加入东兴证券从事电子行业研究 分析师承诺 负责本研究报告全部或部分内容的每一位证券分析师, 在此申明, 本报告的观点 逻辑和论据均为分析师本人研究成果, 引用的相关信息和文字均已注明出处 本报告依据公开的信息来源, 力求清晰 准确地反映分 析师本人的研究观点 本人薪酬的任何部分过去不曾与 现在不与, 未来也将不会与本报告中的具体推荐或 观点直接或间接相关
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