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闪郯
5 years ago
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1 砥砺前行, 开启国产离子注入机新篇章曾晓斌北京中科信 2018 年 03 月 16 日

2 目录一新形势下离子注入机发展需求二国产离子注入机发展现状三新一代中束流离子注入机四发展规划 1

3 集成电路产业作为国民经济和社会发展的战略性基础性先导性产业, 关乎国家核心竞争力和国家安全集成电路装备作为构筑集成电路产业的基石, 是核心竞争力的重要组成部分中国集成电路产业进入新时代习近平中国特色社会主义新时代, 市场环境达到空前的热度, 国家支持达到空前的高度 2

4 一新形势下离子注入机发展需求国家战略需求加快制造强国建设推动集成电路第五代移动通信飞机发动机新能源汽车新材料等产业发展, 实施重大短板装备专项工程, 发展工业互联网平台, 创建中国制造 2025 示范区 2018 年政府工作报告 3

5 一新形势下离子注入机发展需求国家战略需求极大规模集成电路制造装备及成套工艺攻克 14 纳米刻蚀设备薄膜设备掺杂设备等高端制造装备及零部件, 突破 28 纳米浸没式光刻机及核心部件, 研制 300 毫米硅片等关键材料, 研发 14 纳米逻辑与存储芯片成套工艺及相应系统封测技术, 开展 7/5 纳米关键技术研究, 形成纳米装备材料工艺封测等较完整的产业链, 整体创新能力进入世界先进行列十三五科技规划 4

6 一新形势下离子注入机发展需求国家战略需求 2015 年 2020 年 2025 年 2030 年重大装备及材料制造装备光刻机制造材料封装设备及材料高密度封装高端设备及配套材料 TSV 制造部分关键设备及材料, 设备国产化率 30% 90-32nm 工艺设备, 国产设备占同类工艺设备的 50% 20-14nm 工艺设备, 国产设备占 30% 18 英寸工艺设备 90nm 光刻机浸没式光刻机 EUV 光刻机 65-32nm 工艺材料国产材料占同类产品 50% 封装关键设备及材料国产化率 50% 22-14nm 及以下工艺材料, 国产材料 50% 封测设备及材料国产化原材料国产化中国制造

7 一新形势下离子注入机发展需求先进制程工艺需求 FinFET 3D Nand Flash 器件由平面结构转变为复杂的三维立体结构注 : 以上图片来源于 electroiq.com 6

8 一新形势下离子注入机发展需求先进制程工艺需求稳 FinFET Implant 注 : 以上图片来源于 electroiq.com 7

9 一新形势下离子注入机发展需求先进制程工艺需求准 3D Memory Implant 注 : 以上图片来源于 electroiq.com 8

剂量控制精度 :±0.5% 注入角度控制精度 :±0.05 剂量控制重复性 1σ<0.

10 一新形势下离子注入机发展需求先进制程对离子注入机要求注入能力更精确, 以适应 FinFET 及 3D Nand Flash 需求精确控制束斑形状及注入剂量具备高温注入能力以降低注入导致晶格缺陷优异的 Particle 控制能力剂量控制精度 :±0.5% 注入角度控制精度 :±0.05 剂量控制重复性 1σ<0.5% 高温 <5 adders( 0.045μm) Dose Rate 控制高温注入注 : 以上图片来源于 electroiq.com 9

11 二国产离子注入机发展现状 2003 年, 以中国电科 48 所离子注入机整体业务为基础成立北京中科信电子装备有限公司, 成为国内集成电路领域唯一一家集离子注入机研发制造服务于一体的高科技企业目前是中电科电子装备集团有限公司的全资子公司中电科电子装备集团有限公司 ( 简称电科装备 ) 成立于 2013 年, 由中国电科 2 所 45 所和 48 所及其 11 家控股公司整合而成, 分布在六省市八园区是国内主要的集成电路制造装备平板显示装备光伏装备动力锂电池材料装备供应商, 具备电子制造装备局部成套和集成服务能力, 具备完整的光伏产业链和整线交钥匙能力 10

12 一新形势下离子注入机发展需求地域横跨 6 省市, 分布在 8 个产业园, 占地 1500 亩 2017 年, 在职员工 6200 余人, 专业技术人员 2400 人, 千人计划 1 人, 总资产 99.3 亿元, 资产负债率 49.5% 地域分布 11

二国产离子注入机发展现状离子注入装备主要产品中束流离子注入机 CI P900HP 十一五 02

$5% 特种离子注入机定制开发注入元素 : Au\AL\ Cu\Ag 等能量范围 :$

13 二国产离子注入机发展现状离子注入装备主要产品中束流离子注入机 CI P900HP 十一五 02 专项成果制程工艺 :90~28nm 能量范围 :2keV-900keV 机械传输效率 :500 片 /h 均匀性 :1σ 0.5% 大束流离子注入机 CI C60 十二五 02 专项成果制程工艺 :45 ~ 22nm 能量范围 :200eV-60keV 机械传输效率 :500 片 /h 均匀性 : 1σ 0.5% 特种离子注入机定制开发注入元素 : Au\AL\ Cu\Ag 等能量范围 : 5keV-750keV 注入模式 : 常温 / 低温 / 高温注入均匀性 : 1σ 0.5% 成熟技术产业化推广中成熟技术 12

14 二国产离子注入机发展现状国内最大集成电路生产线实际量产验证 2014 年正式产线量产, 累计量产近 300 万片持续改进与提升设备性能 13

15 二国产离子注入机发展现状专业的团队团队人数 :140 人研发 :80 人 ; 制造 :30 人 ; 客服 :30 人 ; 学历情况 : 本科及以上学历 110 人 ; 硕士 40 人 ; 博士 15 人 14

16 二国产离子注入机发展现状完备的研发制造与工艺测试平台 15

17 三新一代中束流离子注入机 CI P900HP 中束流离子注入机二代注入机 16

18 三新一代中束流离子注入机 CI P900HP 主要改进二代注入机部件四极透镜平行透镜射频 PFG 2-D beam profile 目的改善注入精度改善束流角度控制能力改善金属污染水平提升注入均匀性途径 Beamline 功能部件添加, 精确控制束斑外形 Magnet pole 曲面设计等, 修正并控制束流水平及垂直角度无灯丝设计, 显著降低金属污染水平阵列式 faraday 设计, 束斑尺寸 2-D 检测, 实现束斑外形闭环控制 17

19 四发展规划聚焦客户需求, 持续提升设备工艺能力 nm 55nm 40&28nm 14nm 7nm 高温注入阵列 faraday 垂直角度测量四极透镜升级平行透镜升级剂量控制算法推进产学研合作, 加快设备各项功能开发及完善, 满足不同类型工艺需求 18

20 四发展规划推进离子注入机产业化系列化持续致力于集成电路全系列离子注入机的研发制造与服务, 十三五末整体达到 14nm 产业化水平, 进一步满足不同工艺的需求中束流 LC LC LC22-300E CI P900 CI P900HP 大束流 LC CI C40 CI C60 高能机 CI E

真空机械手 EFEM 等针对未国产化部件, 加强与国内零部件供应商及科研院所合作, 力争 2020

21 四发展规划大力推进离子注入机零部件国产化整机系统国产化率 15% 14% 71% 全国产部分国产全进口整机 88 个子系统, 国外零部件采购涵盖 27 个子系统, 未国产化部件主要包括高压电源高精度扫描电源冷泵分子泵真空机械手 EFEM 等针对未国产化部件, 加强与国内零部件供应商及科研院所合作, 力争 2020 年整机零部件国产化比率提升至 90% 整机零部件国产化比率近 70% 目标 :2020 年整机零部件国产化率 90% 20

22 四发展规划苔 ( 青峰励志诗 ) 白日不到处, 青春恰自开苔花如米小, 也学牡丹开把集成电路产业比作一艘航母, 装备有如一颗螺丝钉, 不被关注, 但我们会努力实现价值, 如苔花学牡丹盛开, 也渴望得到更多阳光雨露 21

济南大学计算机科学与技术专业发展规划

济南大学计算机科学与技术专业发展规划江苏省海安中等专业学校计算机网络技术专业三年发展规划 (2016-2019) 专业建设是中职学校最重要的教学基本建设, 对中职学校的改革与发展具有深远的影响专业建设决定着人才培养的格局与办学水平为主动适应中职教育发展的