摇第 期张富春, 等 : Co 掺杂闪锌矿 no 的磁性和光学性质摇 9 摇引摇摇言 近年来, 自旋电子学在信息存储和处理 高速 量子计算机和大规模集成电路等领域显示出极大 的工程应用和潜在的商业价值, 受到各国科研工 作者的普遍关注 稀磁半导体材料 (Diluted mag 鄄 netic sem

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1 第 6 卷摇 年 月 第 期 发摇光摇学摇报 CHINESE JOURNAL O LUMINESCENCE Vol 郾 6 No 郾 May, 文章编号 : 鄄 7() 鄄 8 鄄 7 Co 掺杂闪锌矿 no 的磁性和光学性质 张富春 *, 崔红卫 ( 延安大学物理与电子信息学院, 陕西延安摇 76) 摘要 : 采用自旋极化密度泛函理论方法对 Co 掺杂闪锌矿 no 的能带结构 态密度 磁学和光学属性进行了研究 计算结果显示 :Co 掺杂闪锌矿 no 的基态是反铁磁态, 具有金属性特征 ; 而铁磁态具有半金属性特征 铁磁耦合在费米能级附近出现了明显的自旋劈裂现象, 表现出明显的不对称性和强烈的 和 杂化效应 磁矩主要来源于 轨道电子以及部分近邻耦合的 轨道电子, 大小与 Co 原子的掺杂位置有关 光学性质计算结果显示,Co 掺杂闪锌矿 no 在可见光范围内都有较强的光吸收能力, 吸收峰在高能区发生了红移现象 理论计算结果表明,Co 掺杂闪锌矿 no 或许是一种优异的磁光材料 关摇键摇词 : Co 掺杂 ; 闪锌矿 no; 第一性原理 ; 铁磁和反铁磁 ; 光学性质 中图分类号 : O48. 摇摇摇文献标识码 : A 摇摇摇 DOI:. 788 / fgxb6. 8 Magnetic and Optical Properties of Co 鄄 doped inc lende no HANG u 鄄 chun *, CUI Hong 鄄 wei (Electronic and Information School of Yan 蒺 an University, Yan 蒺 an 76, China) *Corresponding Author, E 鄄 mail: zhangfuchun7@ 6. com Abstract: The band structure, density of state, magnetic and optical properties of oped zinc blende no were systematically studied by using the first 鄄 principles based on the spin polarized den 鄄 sity functional theory. The calculated results show that the ground state of oped zinc blende no is antiferromagnetic and shows metal characteristics, while the ferromagnetic state shows the half 鄄 me 鄄 tallic characteristics. or the ferromagnetic coupling state, strong spin 鄄 orbit coupling appears near the ermi level and shows no obvious asymmetry for up and down spins, which indicates a significant hybrid effects from and states. The magnetic moments are mainly contributed by un 鄄 paired electrons in and neighbor orbital and are correlated to the doped site of Co atoms. In addition, the calculated results of optical properties show that oped zinc blende no has a strong absorptive capacity at the visible light, and the absorption peaks have red shift in the high en 鄄 ergy region. The theoretical calculated results demonstrate that Co 鄄 doped zinc blende no may be 鄄 come excellent magneto 鄄 optic materials. Key words: Co 鄄 doped; zinc blende no; first 鄄 principles; ferromagnetic and anti 鄄 ferromagnetic; optical properties 摇 摇 收稿日期 : 鄄 鄄 8; 修订日期 : 鄄 鄄 7 摇 摇 基金项目 : 陕西省自然科学基金 (4JM 鄄 8); 延安市科技攻关项目 ( 鄄 KG); 榆林市产学研赞助项目 (6); 延安大学科 研引导项目 (YD4 鄄 ) 资助

2 摇第 期张富春, 等 : Co 掺杂闪锌矿 no 的磁性和光学性质摇 9 摇引摇摇言 近年来, 自旋电子学在信息存储和处理 高速 量子计算机和大规模集成电路等领域显示出极大 的工程应用和潜在的商业价值, 受到各国科研工 作者的普遍关注 稀磁半导体材料 (Diluted mag 鄄 netic semiconductors,dmss) 作为自旋电子学领域 应用最广的一类新型功能材料, 是通过掺杂引入 部分 d 过渡金属元素而形成的 它利用磁性材 料独有的自旋特性, 将材料的信息存储和处理结 合在一起, 形成了一类集磁 光 电一体的新型功 能材料 [ 鄄 ] 与传统的半导体材料器件相比, 自 旋电子器件都具有信息存储的非易失性 信息处 理的高速性 器件导通的低功耗性以及易于制造 大规模集成电路等优异的特性 [4] 特别是 no 材料, 由于本身存在氧空位等 n 型缺陷, 具有 n 型 半导体特性, 因此, 成为可能实现高居里温度的热 门 DMSs 的基体材料 理论和实验研究发现,nO 稀磁半导体材料具有优异的磁学 光学 电学和大 的激子束缚能等特性, 制备过程中的磁性离子溶 解度较高, 并且一般具有室温和高于室温的居里 [] 温度 Sato 等通过第一性原理计算研究了过渡 金属原子 ( Mn,V,Cr,e,Co,Ni) 掺杂的 no 材 [6] 料, 结果显示体系具有铁磁属性 Ueda 等也成 功制备了 Co 掺杂 no 薄膜材料, 测试结果显示 [7] 居里温度大于 8 K Liu 等发现, 在高真空条 件下制备的 n - x Co x O 薄膜具有室温铁磁性, 随着 氧分压的提高, 薄膜的铁磁性逐渐消失 elghazi [8] 等发现, 空气气氛退火也可以使 n - x Co x O 薄膜 [9] 的磁性消失 Philipi 等在研究 Co 掺杂 In O 体系时指出, 氧空位缺陷对体系的磁性有决定性 [] 的影响 Lee 等详细研究了 Co 掺杂浓度 替 代取向对 n Co O 体系磁性的影响 Dietl [] 等预测, 以宽带隙半导体材料 no 和 GaN 为 基底, 当存在足够多的载流子和磁性原子时, 能够 合成室温铁磁体材料 但到目前为止, 大多数的 研究都集中于过渡金属掺杂纤锌矿 no 材料, 包 括室温铁磁体的合成 理论研究和铁磁耦合机理 ; 而对过渡金属原子掺杂闪锌矿 no 稀磁半导体 材料的研究却很少 已有的研究也发现, 过渡金 属掺杂 no 材料制备的样品的性能相差较大, 实 验重复性差, 同时, 其磁性来源和磁性耦合机理也 有待进一步研究 本文以两个 Co 原子分别取代不同的两个 n 原子, 采用密度泛函理论方法, 研究了 Co 原子掺 杂闪锌矿 no 的铁磁与反铁磁的能带结构 电子 态密度和光学性质 利用能带结构和电子态密度 的理论计算, 揭示了电子结构与吸收系数 介电函 数的内在关系, 分析了光学属性产生的微观机理, 研究结果为 no 基稀磁半导体材料的应用提供 了必要的理论依据 摇理论模型和计算方法. 摇理论模型 我们构建了 Co 掺杂闪锌矿 no 材料模型, 如图 所示 在这里, 我们分别沿 a b c 个基 矢方向扩展一个原子单位, 构建了 伊 伊 闪锌 矿 no 超胞模型 (n O ) 当用两个 Co 原子替 换 和 位置的 n 原子时, 得到构型玉 ; 当用两 个 Co 原子替换 和 位置的 n 原子时, 得到构 型域 两种模型对应的掺杂比率都是 6. % 图 摇 Co 掺杂闪锌矿 no 的模型 黑色球表示 n 原子, ig. 摇 白色球表示 O 原子 Model of Co 鄄 doped zinc blende no. The black balls represent n atoms, the white balls represent O atoms.. 摇计算方法 理论计算采用基于密度泛函理论框架下的第 一性原理计算方法 [] 采用平面波赝势法将多 电子体系用平面波函数展开, 具体采用广义梯度 近似 ( Generalized gradient approximations, GGA) [] 矫正处理交换鄄关联势函数,Co O 和 n 原子 的外层价电子排布分别取 :Co 鄄 d 7 4s,O 鄄 s p 4, n 鄄 d 4s 其他具体参数设置为 : 平面波截断能 E cut = 6 ev, 能量收敛精度为 伊 - 6 ev / atom, 原子间的作用力在计算中选取为. ev / nm, 原 子间的最大位移精度为 伊 - nm, 第一布里渊 区积分区间采用 6 伊 6 伊 6 的 Monkhorst 鄄 pack 的特 殊 k 点来处理 同时, 采用 royden 鄄 letcher 鄄

3 摇 发摇摇光摇摇学摇摇报第 6 卷 [4] Goldfarb 鄄 Shanno (GS) 方案对 Co 掺杂闪锌 矿的本征态和掺杂体系的铁磁 反铁磁进行几何 结构的优化 摇结果与讨论. 摇几何优化结果 表 是此次计算得到的 Co 掺杂闪锌矿 no 的晶格参数 对于构型玉, 晶格参数 a 和 c 减小, 而 b 增大 ; 对于构型域, 晶格参数 a 和 b 明显增 大, 而 c 减小 这主要是由于 Co + 的离子半径 (. 74 nm) 与 n + 的离子半径 (. 74 nm) 相 当, 构型玉的两个 Co 原子沿晶格参数 a 平行排 列, 所以造成晶格参数 a 略有减小 ; 而构型域的两 个 Co 原子沿着 () 面平行, 所以造成晶格参数 a 和 b 增大 但晶格参数与本征态相比较, 其误 差都小于 %, 表明我们的计算方法和模型是可 信的 表 摇 Table 摇 Co 掺杂 no 的晶格参数 Lattice constants of Co 鄄 doped no Lattice constant a / nm b / nm c / nm Pure no Configuration 玉 Configuration 域 表 列出了 Co 掺杂闪锌矿 no 铁磁 (M) 反铁磁 (AM) 耦合的构型 几何优化后的键长和 磁矩参数等数据, 其中 n O Co O 分别代表与 n 相邻的锌氧键和钴氧键的键长 从表 可以 看出, 与本征态 no 相比, 掺杂后两种构型的晶 Table 摇 表 摇 体自由能均增加, 这说明掺杂后的晶体结构的稳 定性下降 构型玉的 AM 态能量比 M 态能量 低. ev, 而构型域的 AM 态能量比 M 态能 量低. 4 ev 以上能量计算结果显示,Co 掺杂 闪锌矿 no 的两种构型的基态都对应于反铁磁 态 同时, 从图中可以看到, 构型玉和构型域中 Co O 键长比 n O 键长缩短 这是因为构型 玉中, 两个掺杂的 Co 原子相距较近, 几何优化后 导致晶格畸变较大 ; 而构型域中, 两个 Co 原子相 距较远, 轨道电子之间的库伦斥力较小,Co O 键 长进一步缩短 其次, 从表 中还可以看到, 掺杂 构型玉的反铁磁耦合中,Co 原子的磁矩有. 7 滋 和 -. 7 滋, 而铁磁耦合中 Co 原子的磁矩有. 9 滋, 都小于理论磁矩值. 滋, 表明 Co 的 d 态失去电子较多, 并且与两个 Co 原子相连的 O 原子也分别被诱导出微弱的磁矩, 磁矩值分别 为 -. 6 滋 和. 滋 对于构型域, 铁磁和反 铁磁的磁矩都略有增加, 同时, 与 Co 原子近邻的 氧原子也出现了一定的微弱磁矩 可以看出,Co 掺杂闪锌矿 no 后的体系都出现了一定的磁学 特性, 这主要是由于 离子外层价电子构型 是 d 7, 尽管 Co + 离子掺杂 ( 替代 n + 离子 ) 未引 入额外的价电子, 但 轨道未成对电子通过 近邻 O 原子形成了 Co + 鄄 O - 鄄 Co + 自旋极化, 从 而导致 Co 掺杂闪锌矿 no 的外层价电子重新分 配而出现上自旋和下自旋电子的不对称分布 以 上磁矩的分析印证了后面能带结构和电子态密度 [] 的分析, 这些理论分析结果与毕艳军等的结果 相符 Co 掺杂 no 铁磁和反铁磁的能量 耦合方式 键长和磁矩 Energy, coupling, bond length and magnetic moments of Co 鄄 doped no Coupling 驻 E / ev Co O / nm n O / nm Co / 滋 Co / 滋 O / 滋 Pure no Configuration 玉 AM Configuration 玉 M Configuration 域 AM Configuration 域 M 摇电子结构为了对比研究 Co 掺杂闪锌矿 no 电子结构的变化规律, 我们计算了本征态的闪锌矿 no 的能带结构和态密度, 计算结果如图 (a) 和 (b) 所示 从图 (a) 中可以看出, 本征态闪锌矿 no 的 导带底和价带顶都位于第一布里渊区的点, 计算的带隙约为. ev, 表明闪锌矿 no 是一直接带隙半导体材料, 与已有的理论计算结果一致 [6] 而从图 (b) 的整体态密度图可知, 计算的上自旋和下自旋态密度完全对称, 表明纯的闪锌矿 no

4 摇 第 期 张富春, 等: Co 掺杂闪锌矿 no 的磁性和光学性质 a 6 b and stucture of pure zinc blende no DOS of pure zinc blende no d E E - - f E and structures of AM for model - and structures of AM for model e 4 E -6 c E -8 - 摇 E - - and structures of M for model - and structures of AM for model 图 摇 Co 掺杂闪锌矿 no 的能带结构和纯的 no 的整体态密度 ig. 摇 and structures of Co鄄doped zinc blende no and total density of state of pure no 是没有磁性的 图 ( c) ( d) ( e) 和( f) 分别是 Co 掺杂闪锌 矿 no 构型玉和构型域的铁磁和反铁磁能带结 旋能级和下自旋能级在费米能级附近发生了强烈 的自旋极化现象,铁磁态自旋向下费米能级处的 能级曲线明显多于自旋向上费米能级处的能级曲 构图 从图中可以看出,构型玉和构型域的反铁 线,上自旋态密度和下自旋态密度是不对称分布 磁能带结构上自旋和下自旋基本呈对称分布,这 的,整体对外表现出一定的磁性和半导体特性,同 是由于反铁磁自旋向上的电子数等于自旋向下的 时,费米能级处有一定的电子占据,也表现出一定 电子数,具有相同的能级曲线,对外表现出的净磁 矩几乎为零,对外不显示磁性 两种构型的能带 结构也大体相同,部分杂质能级穿过费米面,出现 了金属性特征 另外,在价带顶附近都出现了一 的金属性 因此,Co 掺杂 no 的铁磁态是一种很 好的半金属磁性材料 以上的能带结构分析结果 与 Ren 等 [7] 研究的半金属磁性材料结果相吻合 为了更进一步揭示 Co 掺杂 no 的电子结构 条满带和一条半满带杂质能级,这两条杂质能级 和磁学属性,我们计算了总体态密度和分波态密 杂闪锌矿 no 载流子的输运,可明显改善 Co 掺 (d)是构型玉的铁磁和反铁磁耦合的总体态密度 对载流子的迁移具有重要意义,它有利于 Co 掺 杂 no 的导电性能 图 ( c) 和( e) 是构型玉和 构型域的铁磁态能带结构,从图中可以看出,上自 度,结果如图 和图 4 所示 图 (a) ( b) ( c) 和 和各原子的分波态密度,从图中可以看到,反铁磁 的总体态密度及各原子的分波态密度的自旋向上

5 摇 发摇摇光摇摇学摇摇报第 6 卷 ig. 摇 DOS/(electrons ev - ) DOS/(electrons ev - ) 图 摇 8 (a) (b) - - (d) n s n p n d AM AM E AM AM (e) (f) - - (c) (g) (h) n s n p n d M M E M M 构型玉的总体态密度和分波态密度图 and partial density of states of configuration 玉 和自旋向下是对称的 同时, 总体态密度由 部 分组成 : - 7 ~ - ev 的态密度主要由 n d 与部 分 轨道电子杂化形成 ; - ~ ev 的上价带 态密度主要是由 与 轨道电子组成, 且 主要态密度峰位置相对应, 具有强烈的 与 轨道电子杂化效应, 导致 电子和 O p 电子能级向高能方向移动并穿过费米面, 因 此,Co 掺杂闪锌矿 no 的金属性主要来源于 Co d 轨道电子和 轨道电子的杂化 ; ~ ev 的 导带部分主要是由 轨道 部分 n 4s p 和 轨道电子贡献形成 图 ( e) ( f) ( g) 和 (h) 是构型玉的铁磁态的总体态密度及各原子的 分波态密度 从图中可以看出, 铁磁的总体态密 度和 Co 原子的分波态密度在费米能级处明显不 对称, 发生了较大的偏移, 轨道电子发生明显的自 旋劈裂, 总体对外表现出一定的磁性 这主要是 由于 Co 原子 d 轨道外层有 7 个电子, 形成晶体 时, 原子之间发生相互耦合作用, 电子通过 Co + 鄄 O - 鄄 Co + 发生重新排列, 造成原子的外层电子再 分配, 特别是在相邻原子层内,d 层未抵消的电 子自旋磁矩同向排列形成铁磁耦合 图 4 是构型域的铁磁态密度和反铁磁的态密 度图, 从图中可以看到, 构型域的总体态密度与构 型玉的基本相同, 但 Co 原子的 d 轨道电子作用 更加强烈 在铁磁耦合中, 下自旋在费米能级附 DOS/(electrons ev - ) DOS/(electrons ev - ) 图 4 摇 8 (a) (b) - - (d) n s n p n d AM AM AM E AM (e) (f) - - (c) (g) (h) n s n p n d M M M E M 构型域的总体态密度和分波态密度图 ig. 4 摇 and partial density of states of configuration 域

6 摇第 期张富春, 等 : Co 掺杂闪锌矿 no 的磁性和光学性质摇 近的态密度峰分裂为两个由 Co 的 d 电子贡献的 态密度, 分波态密度自旋向上和自旋向下发生了 明显的偏移, 出现了明显的自旋劈裂现象 下自 旋表现出金属性特征, 上自旋表现出半导体特征, 形成了半金属磁性材料, 载流子是 % 自旋极 化的 这些计算结果与我们用过渡金属掺杂 no [8] 纳米线材料的铁磁和反铁磁耦合构型的结果 具有相似性特征. 摇光学性质 图 (a) 是此次计算的介电函数虚部图, 在 ~ ev 范围内存在 6 个明显的介电峰 结合上 面分析的总体态密度和分波态密度可以看出, 第 一个介电峰 ( 小于. ev) 主要来源于价带顶 和 电子到导带的 态的跃迁, 位 于. ev 附近的介电峰来自于价带 到导带 n 4s 轨道间的跃迁,. ev 附近的介电峰来源于 Absorption/ a. u. 图 摇 ig. 摇 Dieletronic function (a) no M of Model AM of Model M of Model AM of Model no M of Model AM of Model M of Model AM of Model (b) Co 掺杂 no 光学属性 (a) 介电函数虚部 ;( b) 光 学吸收系数 Optical properties of Co 鄄 doped no. ( a) Imaginary parts of dielectric function. ( b) Optical absorption coefficient. 和 到导带的跃迁,7. 6 ev 附近的最大 的介电峰来自于 n d 电子到导带间的跃迁 另 外, 在 Co 离子掺杂后, 在. ev 附近, 构型玉的 铁磁和反铁磁态都有一个极大的介电峰, 这主要 是由于 态电子主要分布在费米能级附近和 价带顶, 而态密度计算显示价带顶和费米能级附 近的电子具有向低能区移动的趋势, 因此,. ev 附近的介电峰是由 轨道电子的带间跃迁造 成的 而构型域的铁磁和反铁磁几乎与本征态 no 一致, 说明构型域这种掺杂方式对介电函数 影响很小 以上光学性质的计算结果与 Chen [9] 等关于 Mn 掺杂 no 的计算结果相符 图 (b) 是理论计算的吸收系数, 在 ~ ev 能量范围内存在 个明显的吸收峰, 主要峰的位 置与介电峰图谱吻合 随着能量的逐渐增大, 吸 收峰值开始增大, 在可见光区 7. 6 ev 附近有吸收 峰值达到最大 随着能量的进一步增大,. ev 附近出现了次极大吸收峰, 但与未掺杂的闪锌矿 no 相比, 反铁磁态峰值都略有减小, 并且在高能 区发生了一定的红移, 而铁磁态的峰值和位置几 乎与未掺杂 no 相同 4 摇结摇摇论 采用基于自旋极化密度泛函理论计算方法, 研究了 Co 掺杂闪锌矿 no 的铁磁和反铁磁态的 磁性耦合机理 磁性起源和基本属性 研究发现, Co 掺杂后,Co 原子引入的杂质能级穿过费米能 级进入导带, 铁磁态显示出半金属性特征, 反铁磁 显示出金属性特征 铁磁耦合的态密度在费米能 级附近表现出明显的不对称性, 出现了明显的自 旋劈裂现象, 在费米能级附近发生了强烈的 Co d 和 杂化效应, 磁矩主要来源于未成对 Co d 轨道电子的贡献和小部分近邻 轨道电子 的贡献, 计算的整体磁矩大小与 Co 原子的掺杂 位置相关 光学性质计算结果显示,Co 掺杂闪锌 矿 no 在远紫外和可见光区都具有很强的吸收 峰, 吸收峰在高能区附近发生了明显的红移 研 究结果表明,Co 掺杂闪锌矿 no 或许是一种集 磁 光 电一体的稀磁半导体材料 参摇考摇文摇献 : [ ] Pan W, Dai R, Wang L. Nanobelts of semiconducting oxides [J]. Science,, 9():947 鄄 949.

7 摇 4 发摇摇光摇摇学摇摇报第 6 卷 [ ] Jian W, Wu Y, Huang R T, et al. Direct observation of structure effect on ferromagnetism in n - x Co x O nanowires [J]. Phys. Rev., 6, 7():8 鄄 鄄 6. [ ] Sluiter M H, Kawazoe Y, Sharma P, et al. irst principles based design and experimental evidence for a no 鄄 based fer 鄄 romagnetic at room temperature [J]. Phys. Rev. Lett.,, 94(8):874 鄄 鄄. [ 4 ] Wolf S A, Awschalom D D, uhrman R A, et al. Spintronics 颐 A spin 鄄 based electronics vision for the future [J]. Science,, 94(46):488 鄄 49. [ ] Sato K, Katayama 鄄 Yoshida H. Material designs for transparent ferromagnetic with no 鄄 based magnetic semiconductors [J]. Jpn. J. Appl. Phys.,, 9(6):L 鄄 L8. [ 6 ] Ueda K, Tabata H, Kawai T. Magnetic and electric properties of transition 鄄 metal 鄄 doped no films [ J]. Appl. Phys. Letts.,, 79(7):988 鄄 99. [ 7 ] Liu X C, Shi E W, Chen, et al. Effect of donor localization on the magnetic properties of n 鄄 Co 鄄 ystem [J]. Appl. Phys. Letts., 8, 9(4):4 鄄 鄄. [ 8 ] elghazi Y, Schmerber G, Colis S, et al. Extrinsic origin of ferromagnetism in no and n. 9 Co. O magnetic semicon 鄄 ductor films prepared by sol 鄄 gel technique [J]. Appl. Phys. Lett., 6, 89():4 鄄 鄄. [ 9 ] Philip J, Punnoose A, kim I, et al. Carrier 鄄 controlled ferromagnetism in transparent oxide semiconductors [J]. Nat. Mater., 6, :98 鄄 4. [] Lee E C, Chang K J. erromagnetic versus antiferromagnetic interaction in Co 鄄 doped no [J]. Phys. Rev., 4, 69 (8):8 鄄 鄄. [] Liu C, Yun, Morko H. erromagnetism of no and GaN 颐 A review [J]. Mater. Sci. Mater. Electron.,, 6(9): 鄄 97. [] Kresse G, urthm 俟 ller J. Efficiency of ab 鄄 initio total energy calculations for metals and semiconductors using a plane 鄄 wave basis set [J]. Comput. Mater. Sci., 996, 6(): 鄄. [] Perdew J P, urke K, Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple [ J]. Phys. Rev. Lett., 996, 77 (8):86 鄄 87. [4] Pfrommer G, C? t 佴 M, Louie S G, et al. Relaxation of crystals with the quasi 鄄 newton method [J]. J. Comput. Phys., 997, : 鄄 4. [] i Y J, Guo Y, Li, et al. irst 鄄 principle research on ferromagnetism of (Co, Mn) 鄄 codoped no [J]. Chin. J. Lu 鄄 min. ( 发光学报 ), 8, 9(6): 鄄 (in Chinese). [6] hang X Y, Chen W, i Y P, et al. Ab initio comparative study of zinc blende and wurtzite no [ J]. Chin. Phys. Lett., 7, 4(4): 鄄 4. [7] Ren S K, hang M, Du Y W. Half 鄄 metallic magnetic materials [J]. Prog. Phys. ( 物理学进展 ), 4, 4(4):8 鄄 97 (in Chinese). [8] hang C, hang W H, Dong J T, et al. Electronic structure and magnetism of Cr 鄄 doped no nanowires [ J]. Acta Phys. Sinica ( 物理学报 ),, 6():7 鄄 鄄 (in Chinese). [9] Chen Y, hang J, Chen. Half 鄄 metallic ferromagnetism and optical properties of Mn 鄄 doped zinc 鄄 blende no [J]. J. Wuhan Univ. ( 武汉大学学报 ),, 6(4):48 鄄 4 (in Chinese). 张富春 (97 - ), 男, 陕西定边人, 副教授,9 年于中国科学院西安光学精密机械研究所获得博士学位, 主要从事纳米光电子材料与器件方面的研究 E 鄄 mail: zhangfuchun7@ 6. com