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1 1302 物理化学学报 (Wuli Huaxue Xuebao) Acta Phys. Chim. Sin. 2015, 31 (7), July [Article] doi: /PKU.WHXB YCu 共掺杂 ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 * 袁俊辉 * 高博汪文王嘉赋 ( 武汉理工大学理学院, 武汉 ) 摘要 : 采用基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理平面波赝势法研究了本征 ZnO Y 和 Cu 单掺杂 ZnO YCu 共掺杂 ZnO 的电子结构和光学性质. 计算结果表明, 在本文的掺杂浓度下, Y 和 Cu 单掺杂可以提高 ZnO 的载流子浓度, 从而改善 ZnO 的导电性, YCu 共掺时 ZnO 半导体进入简并状态, 呈现金属性. Y 掺杂 ZnO 可以提高体系在紫外区域的吸收, 而 Cu 掺杂 ZnO 在可见光和近紫外区域发生吸收增强现象, 其中由于 Y 离子和 Cu 离子之间的协同效应, YCu 共掺杂 ZnO 时体系对可见光和近紫外区域的光子能量吸收大幅增加, 因此 YCu 共掺杂 ZnO 可以用于制作光电感应器件. 关键词 : YCu 共掺杂 ZnO; 第一性原理 ; 电子结构 ; 光学性质中图分类号 : O641 FirstPrinciples Calculations of the Electronic Structure and Optical Properties of YCu CoDoped ZnO YUAN JunHui * GAO Bo WANG Wen WANG JiaFu * (School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan , P. R. China) Abstract: Using the pseudopotential planewave based on the density functional theory (DFT), the electronic structures and optical properties of intrinsic ZnO, Y, Cu, and YCu codoped ZnO were studied. The results show that the conductivity of ZnO can be improved by Y and Cu doping because of the increase in carrier concentration under the order of magnitude of the doping concentration in this paper. YCu codoping leads to degeneration and makes ZnO metallic. Ydoped ZnO can show enhanced light absorption in the ultraviolet region, while doping with Cu enhances absorption in the visible and near ultraviolet regions. YCu codoping greatly increases the absorption of visible and near ultraviolet regions owing to the synergistic effect between Y ions and Cu ions, which can be exploited to fabricate the optoelectronic devices. Key Words: YCu codoped ZnO; First principles; Electronic structure; Optical property 1 引言在 ΙΙVΙ 族氧化物半导体材料中, ZnO 由于其稳定的化学和热学性质宽带隙 (3.37 ev) 及具有高达 60 mev 的激子束缚能等优点, 在太阳能电池半导体激光器以及透明导电薄膜等方面有着广泛的应用前景, 已成为继 GaAs 之后的新一代宽禁带半导体材料. 14 目前对于 ZnO 光电材料方面的研究主要是集中于通过掺杂不同类型的元素对其进行光电改性, 从而达到实际应用, 并且通过掺杂这种方式能够使得人们对于 ZnO 掺杂结构的光学性质的变化机理有一个新的认识. 例如, 本征 ZnO 在制备时常会产生 O 空位和 Zn 间隙原子, 这些本征缺陷使得 Received: January 8, 2015; Revised: May 8, 2015; Published on Web: May 8, Corresponding authors. YUAN JunHui, yuanjhwhut@whut.edu.cn; Tel: WANG JiaFu, jasper@whut.edu.cn; Tel: The project was supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China (2014zy164). 中央高校基本科研业务费专项资金 (2014zy164) 资助项目 Editorial office of Acta PhysicoChimica Sinica

No.7 袁俊辉等 : YCu 共掺杂 ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 1303 ZnO 呈现 n 型导电性, 而在掺入 N 等受主杂质后则可得到导电性较好的 p 型 ZnO 材料 ; 5,6 掺入 Fe Co Ni Mn 等过渡金属元素的 ZnO 则转换为良好的稀磁半导体材料, 可用于制作电子自旋或场发射方面的电子器件, 7,8 掺入 Ce Gd Er 等稀土元素则会使得

2 No.7 袁俊辉等 : YCu 共掺杂 ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 1303 ZnO 呈现 n 型导电性, 而在掺入 N 等受主杂质后则可得到导电性较好的 p 型 ZnO 材料 ; 5,6 掺入 Fe Co Ni Mn 等过渡金属元素的 ZnO 则转换为良好的稀磁半导体材料, 可用于制作电子自旋或场发射方面的电子器件, 7,8 掺入 Ce Gd Er 等稀土元素则会使得体系的光学性质和光催化性能得到较好的改善. 9,10 而 Y Cu 作为常用的光学掺杂元素, 其对 ZnO 光电 11 学性质的影响也已被广泛研究. Heo 等利用实验方法研究了 Y 掺杂 ZnO 的性质, 发现其为 n 型掺杂, 12 掺杂后体系的电阻率减小, 导电性增强 ; Zheng 等通过实验方法研究了不同浓度的 Y 掺杂 ZnO 体系的光电学特性, 结果显示, 适量浓度 Y 的掺入会使得 ZnO 体系在紫外区域的发射谱增强. 同时, Y 掺入 ZnO 会减小体系的带宽并且 Y 3+ 会增加体系中氧空位的浓度. 13,14 15 Xia 等则通过水热法实验合成了 Cu 掺杂 ZnO, 并研究了掺杂前后体系的电子结构和光学性质, 光致发光谱显示 Cu 掺入后使得体系的紫外发射谱向低能方向移动且强度有所降低, 并且在蓝光和绿光区域 (469 和 535 nm) 得到了两个新的发射峰. 而同时 Cu 和 Zn 在很多物理和化学性质上具有相似性, 因此 Cu 掺入 ZnO 能够改变体系的微结构和光学性质. 16,17 18 近来, Anandan 等采用溶胶凝胶方法合成了 Y Cu 掺杂 ZnO 纳米颗粒, 并研究了不同浓度的掺杂对体系电子结构和光学性质的影响, 发现适量的 Y 和 Cu 掺杂浓度使得体系在可见光区域和近紫外区的光学性质发生较大改变, 使得其在透明电极和光电设备上具有更为广阔的应用. 综上所述, Y Cu 掺杂对 ZnO 的性能有重要影响. 虽然实验上已对 YCu 共掺杂 ZnO 进行了研究, 但是对 YCu 共掺杂协同效应的本质还有待进一步研究. 到目前为止, 从理论上对 YCu 共掺杂 ZnO 光电性质进行计算和分析的研究尚未见报道. 研究 ZnO 薄膜的光吸收和光透射特性对制备 ZnO 基光电子设备和透明电极材料有重要价值. 因此, 本文采用基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理对 Y 掺杂 ZnO Cu 掺杂 ZnO 和 YCu 共掺杂 ZnO 的 32 原子超胞体系进行了几何结构优化计算, 研究和比较了掺杂前后 ZnO 的电子结构和光学性质, 希望为实验提供一定的理论支撑. 其晶胞由 O 的六角密堆积和 Zn 的六角密堆积在 c 轴方向反向嵌套而成, ZnO 晶格常数的实验值为 a= b= nm, c= nm, c/a=1.602, α=β=90, γ= 120. 计算中我们建立了包含 32 个原子的的 ZnO 超晶胞. 掺杂方式是 Y Cu 原子替换 ZnO 超胞中的 Zn 原子, 单掺杂时形成浓度为 6.25%( 原子分数 ) 的掺杂 ZnO 结构. 在计算之前首先对不同元素掺杂的 ZnO 进行几何优化, 共掺杂 ZnO 超晶胞模型如图 1 所示, 此时形成浓度为 12.5%(w) 的共掺杂 ZnO 结构, 其中选取了 Y 和 Cu 的三种配位进行了对比计算, 分别为近邻 (1) 次近邻 (2) 及远邻 (3), 分别标记为 Cu 1 Cu 2 和 Cu 计算方法本文的计算采用基于密度泛函理论 CASTEP 软件包完成, 对电子能带结构的计算采用平面波赝势法, 其中在处理电子间相互作用的交换关联能时采用广义梯度近似 (GGA) 的 PBE 泛函, 20 选取 Zn O Y Cu 原子的价电子组态分别为 : 3d 10 4s 2 2s 2 2p 4 4s 2 4p 6 4d 1 5s 2 3d 10 4s 1. 在计算中选取的平面波截断能为 E cut=400 ev, 布里渊区的积分采用的 MonkhorstPack 特殊 K 点对全布里渊区求和, 能量计算都在倒易空间中进行. 自洽场计算中, 体系能量的收敛精度为 ev atom 1, 作用在每个原子上的受力不大于 0.03 ev nm 1, 内应力收敛精度为 0.05 GPa, 原子最大位移收敛标准为 nm, 程序对四个参数同时进行优化, 结构优化完成的标志是四个参数均达到或优于收敛标准, 计算结果令人满意. 3 结果与讨论 3.1 晶体结构及稳定性分析 19 的 2 理论模型和计算方法 2.1 理论模型理想 ZnO 为六方纤锌矿结构, 空间群为 P6 3mc, 图 1 Fig.1 YCu 共掺杂 ZnO(2 2 2) 超晶胞模型 Model of YCu codoped ZnO supercell

3 1304 Acta Phys. Chim. Sin Vol.31 表 1 给出了掺杂前后 ZnO 超晶胞几何结构优化后的计算结果. 本征 ZnO 超胞在优化后晶格常数 a 21 和 c 分别为和 nm, 与何静芳等计算结果相符. 在引入杂质原子后, Y 单掺入 ZnO 时晶胞参数和晶胞体积都略有增大, 而 Cu 单掺入 ZnO 时晶胞参数和晶胞体积较之于本征 ZnO 略小, 在 YCu 共掺杂 ZnO 时, 晶胞参数和晶胞体积都比本征时略大, 处于 Y 和 Cu 单掺时两者之间, 与实验得到结 18 果一致, 掺杂前后晶胞参数和晶胞体积的变化主要是由于 Y 3+ Zn 2+ 和 Cu 2+ 三者之间的离子半径不同 (0.09 nm>0.074 nm>0.073 nm). 表 2 为优化后 ZnO 各原子间的重叠集居数, 其中部分数据已取平均值. 由表 2 可知, 对于本征 ZnO, Zn 原子和 O 原子之间为包含离子键成分的共价键. 掺杂后体系的电荷进行了重新分配, 掺杂原子对周围原子的成键影响很大. 同时, 从表 2 可以看出, 对整个超晶胞求平均后掺杂体系的 Zn O 键的重叠数变化不大. 由于晶体的各向异性, Y 和 Cu 替换 Zn 后与周围的 O 发生作用, 在不同方向上成键的强弱不同. 掺杂体系中, Y O 键和 Cu O 键与 Zn O 键相比, 在平行于 c 轴的方向上, 集居数变小, 成键的共价性减弱, 离子性增强, 在垂直于 c 轴的方向上, 集居数稍有增加, 成键的共价性增强. 与单掺杂体系相比, YCu 共掺杂后, Cu 原子的集居数变得更表 1 本征和掺杂 ZnO 超晶胞优化后的晶格常数 Table 1 Optimized lattice constants of intrinsic and doped ZnO supercell Configuration Zn16O16 Zn15YO16 Zn15CuO16 Zn14YCu 1 O16 Zn14YCu 2 O16 Zn14YCu 3 O16 a/nm c/nm c/a Cu 1,2,3 represent the position of copper in the codoping system, respectively. V/cm 小, 其中 YCu 3 配位时 Cu 原子的集居数最小, Y 原子周围的集居数增大, 说明 Y 的掺入减小了 Cu 周围的电子云密度, 对 Cu 离子具有氧化作用, 在共掺体系中将出现 Cu + 与 Cu 2+ 两种价态的 Cu 离子. 3.2 能带结构和态密度分析图 2 为计算所得本征及 Y Cu 单原子掺杂和 Y Cu 共掺 ZnO 的能带结构图. 为了更加直观, 图中只给出了费米能级 (0 ev 处为费米能级 ) 附近 (4 4 ev) 的能带结构. 如图 2(a) 所示, 本征 ZnO 为直接带隙半导体, 计算所得带隙值为 ev, 与前面的理 15 论计算结果一致, 但比实验值 (3.37 ev) 1 明显偏低. 这主要是由于广义梯度近似 (GGA) 不能准确地计算出体系的带隙值, 而对于本文而言则是由于 Zn 3d 态的能量被过高估计, 使得其与 O 2p 态之间的相互作用增强, 价带带宽增大, 因此带隙偏低, 但是这并不影响我们对于 ZnO 电子结构及相关性质的理论分析. 从图 2 中可以看出, Y Cu 掺杂后导带部分的结构比较相似, 与本征 ZnO 相比导带变化趋于平缓. 从图 2(b) 中可以看出, 与未掺杂 ZnO 相比, 掺入 Y 后, 体系的费米能级 E F 上移进入导带内, 增加了导带电子浓度, 带隙略微减小, 属于 n 型掺杂. 从图 2(c) 可以看出, 体系在掺入 Cu 后, 价带和导带均下移, 且在禁带中引入了杂质能带, 费米能级远离价带, 靠近导带, 穿过杂质能级且相对靠上, 属于 n 型掺杂. 图 2 (d, e, f) 给出了三种配位下 YCu 共掺时的能带图, 可以看出三种配位共掺入体系时部分杂质能级与导带相连, 而相比于 YCu 1 配位, YCu 2 和 YCu 3 两种配位下杂质能级与导带相连部分更广, 三种配位掺杂下都使得费米能级处的能带结构更加丰富, 这是由于相对于单掺杂时, 共掺杂的协同效应使 Y 离子和 Cu 离子有更多的价态, 费米能级进入导带, 半导体发生简并呈现出金属性. 图 3 为计算所得本征及 Y Cu 单原子掺杂和 Y Cu 共掺 ZnO 的总态密度 (TDOS) 图和分波态密度 (PDOS) 图. 从图 3(a) 中可以看出, 本征 ZnO 的导带 Model Zn O( c) Zn O( c) Cu O( c) Cu O( c) Y O( c) Y O( c) Table 2 Zn16O 表 2 优化后本征和掺杂 ZnO 各原子间的 Mulliken 重叠集居数 Mulliken bound populations of intrinsic and doped ZnO after optimization Zn15YO Zn15CuO Zn14YCu 1 O Zn14YCu 2 O Zn14YCu 3 O

4 No.7 袁俊辉等 : YCu 共掺杂 ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 1305 图 2 本征和掺杂 ZnO 的能带结构 Fig.2 Energy band structures of intrinsic and doped ZnO (a) intrinsic ZnO, (b) Ydoped, (c) Cudoped, (d) YCu 1, (e) YCu 2, and (f) YCu 3 codoped ZnO. The horizontal dash line represents the Fermi energy level. 部分主要是由 Zn 4s 态提供, 6 0 ev 的价带由 Zn 3d 态和 O 2p 态轨道杂化形成, 且在 1816 ev 处存在由 O 2s 态形成的孤立能带. 从图 3(b) 中可以看出, 单掺杂 Y 时, 较之于本征 ZnO, 在 ev 和 ev 处增加了由 Y 4p 态电子形成的能带, 同时, 导带部分 Y 4d 态电子的引入而变为 Y 4d 态电子和 O 2p 态电子及 Zn 4s 态电子轨道杂化形成. 单掺杂 Cu 时, 一部分 Cu 3d 态与 O 2p 态和 Zn 3d 态共同构成价带, 增加了价带的电子态密度, 另一部分 Cu 3d 态在禁带中形成杂质能级, 有助于 Fig.3 图 3 (a) 本征 ZnO, (b) Y 掺杂 ZnO, (c) Cu 掺杂 ZnO, (d) YCu 1, (e)ycu 2 和 (f) YCu 3 共掺杂 ZnO 的总态密度 (DOS) 图和分波 DOS 图 Total density of states (DOSs) and partial DOSs of (a) intrinsic ZnO, (b) Ydoped, (c) Cudoped, (d) YCu 1, (e) YCu 2, and (f) YCu 3 codoped ZnO The Fermi level is set to zero.

5 1306 Acta Phys. Chim. Sin Vol.31 电子从价带到导带的跃迁, 增加了 ZnO 的电导率. 图 3(d, e, f) 为三种配位下 YCu 共掺 ZnO 时的态密度图, 可以看到在费米能级附近依然存在着杂质能带且强度有所不同, 且由于 Y 4d 态和 Y 4p 态及 Cu 3d 态的作用, 这将会影响到体系中电子在各量子态之间的跃迁. 此处由于 Y 的 s 轨道电子态密度对 ZnO 晶体的价带与导带都只有很小的贡献, 并且只在更深能级处 (<40 ev) 有作用, 所以在此处可忽略不计. 通过以上分析, 过渡金属 Y Cu 替换 Zn 掺杂 ZnO 后的能带数目增多, 并且其 d 态电子对 ZnO 掺杂结构的性质起着主要作用. 3.3 光学性质在线性响应范围内, 固体的宏观光学响应函数通常由光的复介电函数 ε(ω) 描述 : ε(ω)=ε 1(ω)+iε 2(ω) (1) 其中, ε 1=n 2 k 2, ε 2=2nk (n 为反射系数, k 为消光系数 ) 分别是介电函数的实部和虚部, ω 是频率. 介电函数的虚部 ε 2(ω) 是与光学吸收直接相关的, 它可以根据电子跃迁的选择定则, 由占据态的电子波函数之间的矩阵元计算得到. 根据 KramersKronig 色散关系和直接跃迁概率的定义可以推导出晶体介电函数的实部 ε 1 虚部 ε 2 吸收系数 α(ω) 反射系数 R(ω) 和能量损失谱 L(ω) 等. 在这里直接给出结果 : 22 α(ω) = 2ω[ (ε 12 (ω) + ε 22 (ω)) 1/2 ε 1 (ω)] 1/2 (2) R(ω) = ε 1 (ω) + jε 2 (ω) 1/2 1 ε 1 (ω) + jε 2 (ω) 1/2 + 1 ( ) ( ) (3) 因为密度泛函理论计算得到的带隙通常比实验值小, 所以在计算光学性质时可用剪刀算符对带隙进行较正, 以便与实验结果相比较. 剪刀算符取 ZnO 禁带宽度的实验值 (E g=3.37 ev) 与 ZnO 禁带宽度的计算值 (E g=0.763 ev) 之差 (2.607 ev). 垂直入射光的极化方向为 (100) 方向. 图 4 为本征 ZnO 及各掺杂 ZnO 的介电函数虚部. 本征 ZnO 的虚部 ε 2 有三个主要的峰, 分别出现在 ev, 与前面计算得到的结果 ( ev) 21 十分接近. 由对 ZnO 的能带结构和分态密度分析可知, 第一个峰主要是由价带顶的 O 2p 态电子与导带底附近的 Zn 4s 态之间的光学跃迁引起, 第二个峰主要是由 Zn 3d 态和 O 2p 态电子之间的跃迁引起, 第三个峰则是由价带中 Zn 3d 态和 O 2s 态之间的跃迁所致. 23 Y 和 Cu 单掺杂后, 都主要存在三个峰, 前者分别位于 ev 附近, 后者则是图 4 本征及掺杂 ZnO 的介电函数虚部 Fig.4 Imaginary part of dielectric function of intrinsic and doped ZnO 在 ev 附近. 同时在掺杂体系中, 4.3 ev 处的峰消失, 2.8 和 9.6 ev 处的峰增强, 特别是在共掺时, 2.8 ev 处的峰值有了很大幅度的增加, 其中 Y Cu 1 和 YCu 2 两种配位下增大幅度相近, YCu 3 配位下增幅在三者中最大, 主要是由于相比于前两种配位, YCu 3 配位时 Cu 原子具有更强的离子性, 使得 Cu 3d 态电子与导带底附近 O 2p 态电子之间的跃迁增强, 这与之前的重叠集居数分析结果相符. 从图 4 可以看出, 掺杂对光学性质的影响主要集中在能量较低的区域, 而能量较高的部分则受到的影响较小, 当能量大于 6 ev 后变化趋势基本一致, 这主要是归因于 Zn 和 O 之间的光学跃迁, 包括 O 2p 态和 Zn 3d 态或者 O 孤立的 2s 态和 Zn 3d 态之间的跃迁, 这可以从图 3 中的分态密度图看出. 图 5 为本征及各掺杂 ZnO 的吸收谱, 其中图 5 (b) 为计算所得 nm 的波长吸收谱. 从图 5(a) 中可以看出, 在 Y 掺杂 ZnO 后, 体系的吸收边出现蓝移, 且在高能部分出现吸收峰, 使得 ZnO 在紫外 24 区域的吸收增强, 与实验得到的结果相符. 而当 Cu 单掺入 ZnO 后, 体系的吸收峰则出现明显的红移, 使得 ZnO 近紫外区域的吸收边向长波方向移动, 这主要是由于掺杂后半导体薄膜载流子浓度的增加所致. 25 从图 5(b) 中可以看出, 在 Cu 单掺入 ZnO 后会使得体系在 nm 波段的吸收增强, 而在 YCu 共掺后, 体系的吸收谱的形态总体上没变, 但是在 nm 的吸收峰有明显增强且轻微的向 18 短波段移动, 这与实验得到的结果相符. 图 6 为本征和各掺杂 ZnO 的反射谱. 从图 6 中可以看出, Y 单掺 ZnO 时, 体系的反射率与本征态相比在低能方向上略有增强, 但在高能方向上则低于

6 No.7 袁俊辉等 : YCu 共掺杂 ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 1307 图 5 本征及掺杂 ZnO 的吸收谱 Fig.5 Absorption spectra of intrinsic and doped ZnO 图 6 本征及掺杂 ZnO 的反射谱 Fig.6 Reflectivity spectra of intrinsic and doped ZnO 本征态. 在 Cu 单掺杂时, 体系的反射率在低能方向上明显增强, 且在 YCu 共掺时更强, 在可见光和近紫外区域增加尤为明显. 根据能量守恒, 当光子经过物体时, 能量分为三部分, 一部分被吸收, 一部分被反射, 剩下的光子会透射出物体. 通过计算发现 YCu 共掺 ZnO 后吸收系数和反射率都增加, 所以 ZnO 的透射率下降. 实验中已发现, ZnO 薄膜在紫外和可见光区域的吸收随 Cu 掺杂量的增加而增大, 18 计算结果与实验结果相一致. 4 结论本文采用第一性原理平面波赝势法计算了 Y Cu 和 YCu 共掺 ZnO 的能带结构和光学性质, 讨论了掺杂过度金属元素 Y 和 Cu 对 ZnO 体系的能带结构和光学性质的影响. 计算结果表明, 掺杂减弱了 ZnO 中平行于 c 轴方向的共价键, 增强了 ZnO 中垂直于 c 轴方向的共价键. 与 Cu 单掺杂体系相比, Y Cu 共掺杂 ZnO 的 Cu 原子的集居数变得更少, 表明 Y 的掺入对 Cu 离子具有氧化作用, 共掺杂体系中将出现 Cu + 和 Cu 2+ 两种价态的 Cu 离子 ; 在 ZnO 中, 单掺 Y 和 Cu 都会提高 ZnO 中载流子浓度, 进一步提高 ZnO 的导电性. 光学计算则表明, 在 YCu 共掺杂 ZnO 体系中, 由于 Y 离子的引入, 不仅增强了体系在紫外区域的吸收, 而且使得 Cu 3d 态电子分离为两部分, 从而费米能级处 Cu 3d 态电子密度大幅度增加, 使得共掺体系对可见光和近紫外区域的光子能量吸收大幅增加, 因此 YCu 共掺杂 ZnO 可以用于制作光电感应器件, 在工业生产中具有广阔的应用前景. References (1) Ryu, Y. R.; Zhu, S.; Budai, J. D.; Chandrasekhar, H. R.; Miceli, P. F.; White, H. W. J. Appl. Phys. 2000, 88, 201. doi: / (2) Zhou, Z.; Komori, T.; Ayukawa, T.; Yukawa, H.; Morinaga, M.; Koizumi, A.; Takeda, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, doi: / (3) Lang, J.; Han, Q.; Yang, J.; Li, C. J. Appl. Phys. 2010, 107, doi: / (4) Tang, Z. K.; Wong, G. K. L.; Yu, P. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, doi: / (5) Shen, L.; Wu, R. Q.; Pan, H.; Peng, G. W.; Yang, M.; Sha, Z. D.; Feng, Y. P. Phys. Rev. B 2008, 78, doi: / PhysRevB (6) Perkins, C. L.; Lee, S. H.; Li, X. N.; Asher, S. E.; Coutts, T. J. J. Appl. Phys. 2005, 97, doi: / (7) Xia. C. H.; Zhou, M.; Han, X. Y.; Yin, P. F. Mater. Rev. 2011, 25, 11. (8) Zhang, F. C.; Zhang, W. H.; Dong, J. T.; Zhang, Z. Y. Acta Phys. Chim. Sin. 2011, 27 (10), [ 张富春, 张威虎, 董军堂, 张志勇. 物理化学学报, 2011, 27 (10), 2326.] doi: / PKU.WHXB (9) Li, H. L.; Zhang, Z.; Lu, Y. B.; Huang, J. Z.; Zhang, Y.; Liu, R. X. Acta Phys. Sin. 2013, 62, [ 李泓霖, 张仲, 吕英波, 黄金昭, 张英, 刘如喜. 物理学报, 2013, 62, ] (10) Yu, C. L.; Yang, K.; Yu, J. C.; Peng, P.; Cao, F. F.; Li, X.; Zhou, X. C. Acta Phys. Chim. Sin. 2011, 27 (2), 505. [ 余长林, 杨

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<D2BDC1C6BDA1BFB5CDB6C8DAD7CAB8DFB7E5C2DBCCB3B2CEBBE1C3FBB5A52E786C7378> 参会人员名单 Last Name 姓名公司 Tel Fax Bai 柏煜康复之家 8610 8761 4189 8610 8761 4189 Bai 白威久禧道和股权投资管理 ( 天津 ) 有限公司 8610 6506 7108 8610 6506 7108 Bao 包景明通用技术集团投资管理有限公司 8610