正文目录 1. 集成电路国产化崛起, 半导体材料迎来投资黄金期 国家设计集成电路产业总路线图, 产业基金推动海外并购潮 紫光集团 + 武汉新芯挑起 Memory 大梁, 填补国内空白 紫光 + 武汉新芯巨额投资 Memory... 5

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1 专题 半导体材料行业 报告日期 :2016 年 6 月 30 日 集成电路产业崛起, 半导体材料迎来投资黄金期 半导体材料深度报告 行业公司研究 半导体行业 报告导读 : 杨云执业证书编号 :S : :sunfangfang@stocke.com.cn 随着国内集成电路产业崛起, 半导体材料迎来投资黄金期, 我们梳理了国内 A 股半导体材料相关公司 投资要点 集成电路国产化崛起, 半导体材料迎来投资黄金期 2014 年以来在国家一系列政策密集出台的环境下和在国内市场强劲需求的推动下, 我国内集成电路产业整体逆势增长, 开始迎来发展的加速期 2015 年中国集成电路市场规模增至 亿元, 同比增长 19.7% 在封装领域, 通过海外收购或兼并重组的方式, 长电科技 华天科技 通富微电三家企业已经成为国内封测三大龙头公司 在制造环节, 中芯国际 28 纳米产品的量产 上海华力的投产以及西安三星的产能的逐渐释放,2015 年中国晶圆制造业增速达到了 26.5%, 以及紫光国芯定增 800 亿元和武汉新芯 240 亿美金用于投资存储器, 填补国内 Memory 空白 出于对技术门槛考虑, 国产化进程势必沿着封测 - 制造 - 材料路线传导, 作为集成电路制造和封测的上游, 半导体材料将步入国产化替代正轨, 享受集成电路行业的盛宴 行业评级 半导体材料 [table_research] 报告撰写人 : 杨云 数据支持人 : 孙芳芳 看好 全球半导体材料市场规模达到 434 亿美元, 国产替代空巨大 根据 SEMI 公布显示 :2015 年全球半导体材料市场产值为 434 亿美元, 其中, 台湾为 94.1 亿美元, 连续 6 年蝉联最大市场 总的晶圆制造材料和封装材料分别为 241 亿美元和 193 亿美元, 其中, 前道晶圆材料各种材料占比分别为, 硅片及硅基材占比 32%, 掩膜版占比 14%, 电子气体占比 14%,CMP 材料占比 7%, 光刻胶配套试剂占比 6%, 光刻胶占比 5%, 化学试剂占比 4%, 靶材占比 3% 半导体材料被美日韩等少数国际少数公司垄断, 半导体材料属于整个材料一个细分行业, 半导体材料行业集中度极高 基于半导体技术门槛和壁垒极高, 因此, 国内半导材料企业具有稀缺性 我们保持半导体国产化替代逻辑不变, 随着大陆半导体产能扩产持续来袭,12 寸新增晶圆厂产能到 2020 年将有望翻三倍, 而最为受益的为轻资产半导体上游材料企业, 半导体材料市场空间也将随之翻三倍 A 股半导体材料相关公司整理 证券研究报告 我们梳理了 A 股上市公司中涉及半导体材料领域的相关企业, 包括大硅片领域的上海新阳 + 兴森科技 有研新材 + 晶盛机电 + 中环股份, 高纯试剂领域的上海新阳 ( 已覆盖 ) 兴发集团, 掩膜版领域的菲利华 中芯国际,CMP 领域的鼎龙股份, 光刻胶相关领域的南大光电 飞凯材料 ( 已覆盖 ) 永太科技 强力新材, 电子气体领域的南大光电 启源装备 巨化股份, 靶材相关领域的隆华节能 有研新材, 封装材料相关领域的兴森科技 宏昌电子 风险提示 行业景气度下滑 行业竞争加剧 1/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

2 正文目录 1. 集成电路国产化崛起, 半导体材料迎来投资黄金期 国家设计集成电路产业总路线图, 产业基金推动海外并购潮 紫光集团 + 武汉新芯挑起 Memory 大梁, 填补国内空白 紫光 + 武汉新芯巨额投资 Memory 紫光 + 武汉新芯挑起 Memory 大梁, 填补国内空白 中国集成电路逆势增长, 设计 制造 封测崛起 半导体材料市场空间巨大, 晶圆制造材料和封装材料亟待国产化 半导体材料之一 : 大硅片国产替代从 0 到 半导体材料之二 : 高纯试剂国产替代从小到大 半导体材料之三 : 掩膜版国产替代从晶圆代工厂转向专业制造商 半导体材料之四 :CMP 抛光垫量产在即 半导体材料之五 : 光刻胶逐渐打破海外垄断局面 半导体材料之六 : 电子气体多家上市公司参与, 放量在即 半导体材料之七 : 靶材国产化替代进程有待加速 半导体材料之八 : 封装材料将优先国产替代 A 股半导体材料相关公司整理 图表目录 图 1: 力成为全球第五, 南茂为全球第九半导体封测厂... 7 图 2:Memory 产品分类... 7 图 3:DARM 前三甲占比超过 90%... 8 图 4:NAND Flash 被六家厂商垄断... 8 图 5: 中国存储器芯片市场规模 ( 单位 : 亿美元 )... 9 图 6: 年全球集成电路产业销售额... 9 图 7: 年中国集成电路产业销售额... 9 图 8:2014 年中国集成电路三业情况 图 9:2015 年中国集成电路三业情况 图 10: 年中国集成电路进出口额 图 11: 本土芯片供需对比 图 12: 集成电路产业链流程图以及配套材料 图 13: 全球半导体前道各材料市场比重 图 14: 全球半导体前道材料市场预测 图 15: 全球半导体材料市场销售额 图 16: 各国半导体材料市场销售额 图 17: 全球半导体晶圆制造材料与封装材料市场销售额 /35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

3 图 18: 全球半导体与半导体材料市场销售额 图 19: 中国大陆 12 寸大硅片需求统计及预测 图 20: 全球不同尺寸硅片 图 21: 掩膜版工作原理 图 22: 全球光罩市场规模 图 23:2014 年掩膜版市场分类 图 24:CMP 工艺及材料 图 25:CMP 原理 图 26:CMP 应用技术 图 27:CMP 耗材与设备市场规模 图 28:CMP 材料细分市场占比 图 29: 光刻胶的成分 图 30: 正性光刻胶与负性光刻胶 图 31: 全球光刻胶市场需求规模 图 32:2014 年全球光刻胶下游应用分布 图 33: 国内电子气体竞争格局 图 34: 溅射靶材工作原理 图 35: 高纯溅射靶材产业链 图 36: 高纯溅射靶材产业链 图 37: 我国半导体芯片用溅射靶材市场规模及预测情况 表 1: 国家集成电路产业发展推进纲要 发展目标... 4 表 2: 集成电路产业投资基金海外并购案例... 5 表 3: 紫光国芯定增项目情况... 6 表 4: 大陆 12 寸晶圆厂一览表 表 5: 光刻胶主要应用生产商情况 表 6: 半导体气体分类 表 7: 国内特种气体主要生产企业 表 8: 按照不同的分类方法 表 9: 按照不下游应有领域不同分类 表 10: 全球前 7 大溅射靶材制造商 表 11:A 股半导体材料 A 股相关公司 /35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

4 1. 集成电路国产化崛起, 半导体材料迎来投资黄金期 2014 年以来在国家一系列政策密集出台的环境下和在国内市场强劲需求的推动下, 我国集成电路产业整体逆势增长, 开始迎来发展的加速期 2015 年中国集成电路市场规模增至 亿元, 同比增长 19.7% 集成电路产业是信息技术产业的核心, 是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性 基础性和先导性产业 2014 年为集成电路政策大年,2014 年 6 月, 国家集成电路产业发展推进纲要 简称 纲要 正式发布,2014 年 10 月工信部发布正式设立国家集成电路产业投资基金 在国家产业投资基金 税收支持政策 金融支持等保障措施下, 半导体产业链包括材料 设备 设计 制造 封测等都取得很大的进步和可喜的成绩 在封装领域, 通过海外收购或兼并重组的方式, 长电科技 华天科技 通富微电三家企业已经成为国内封测三大龙头公司, 在国家重大科技 02 专项的支持下, 国内封测企业研发水平再上台阶, 在圆片级封装 (WLP) 硅通孔(TSV) 三维封装等先进封装和测试技术都得到了产业化生产 在制造环节, 中芯国际 28 纳米产品的量产 上海华力的投产以及西安三星的产能的逐渐释放,2015 年中国晶圆制造业增速达到了 26.5%, 以及紫光国芯定增 800 亿元和武汉新芯 240 亿美金用于投资存储器, 填补国内 Memory 空白 出于对技术门槛考虑, 国产化进程势必沿着封测 - 制造 - 材料路线传导, 作为集成电路制造和封测的上游, 半导体材料将步入国产化替代正轨, 享受集成电路行业的盛宴 1.1. 国家设计集成电路产业总路线图, 产业基金推动海外并购潮 2014 年 6 月, 国家集成电路产业发展推进纲要 简称 纲要 正式发布 作为继 2000 年 18 号文 国务院关于 印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知 2011 年 4 号文 国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集 成电路产业发展若干政策的通知 后又一重磅文件, 其被业界视为国家为集成电路产业度身定制, 意在鼓励其做大做 强 纲要 明确了推进集成电路产业发展的四大任务 一是着力发展集成电路设计业 围绕重点领域产业链, 强化 集成电路设计 软件开发 系统集成 内容与服务协同创新 二是加速发展集成电路制造业 抓住技术变革的有利时 机, 突破投融资瓶颈, 持续推动先进生产线建设, 兼顾特色工艺发展 三是提升先进封装测试业发展水平 推动国内 封装测试企业兼并重组, 提高产业集中度 四是突破集成电路关键装备和材料 加强集成电路装备 材料与工艺结合, 加快产业化进程, 增强产业配套能力 表 1: 国家集成电路产业发展推进纲要 发展目标 集成电路产业链 2015 年 2020 年 2030 年 材料与设备 65-45nm 关键设备 进入国际采购体 和 12 英寸硅片投入应用 IC 设计 接近国际一流水平 主要环节达到国际先进水平, IC 制造 32/28nm 量产 16/14nm 量产 一批企业进入国际第一梯队 IC 封测 中高端封装测试收入占比达 30% 以上 技术达到国际领先水平 市场规模 销售超过 3500 亿元 2014 年 10 月, 为了贯彻 国家集成电路产业发展推进纲要, 正式设立国家集成电路产业投资基金, 基金将采取股权投资等多种形式, 重点投资集成电路芯片制造业, 兼顾芯片设计 封装测试 设备和材料等产业, 推动企业提升产能水平和实行兼并重组 规范企业治理, 形成良性自我发展能力 基金实施市场化运作 专业化管理 通过海外收购的方式, 对于实现 国家集成电路产业发展推进纲要 所提出的缩小差距 达到国际先进水平的阶段性发展目标 国家集成电路产业投资基金 ( 简称大基金 ) 设立后, 募集资金超过 1300 亿元, 决策通过十几个投资项目, 有效带动了国内资本对集成电路产业的关注与投入, 已实施项目覆盖了集成电路设计 制造 封装测试 装备 生态建设等各 4/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

5 环节, 基本实现了在产业链的完整布局 长电科技并购星科金朋 通富微电收购 AMD 封测厂 对中芯国际的增资扩 股等项目都得到了大基金的支持 在大基金的带动下, 多个地方政府也设立了地方版的集成电路产业投资基金, 包括 北京市设立 300 亿元集成电路产业基金, 上海市启动 100 亿元的上海武岳峰集成电路信息产业创业投资基金, 四川省 信息安全和集成电路产业投资基金的首期规模约为 100 亿 ~120 亿元等, 总体资金量与大基金相同 芯成半导体 (ISSI) 交割退市, 中国真正意义完成 IC 海外并购第一单 2015 年 3 月 12 日闪胜投资宣布与芯成半 导体达成约束性收购协议, 收购价格每股 美元, 总价格约 亿美元 ;5 月 13 日 Cypress 插入, 表示将 以每股 美元非约束性要约收购芯成半导体 ; 中方与 Cypress 经过多轮出价后, 最终以 23 美元的报价将其排除在 外 ;12 月 7 日在协议约定的时限内完成了各项程序, 芯成半导体成功退市 此前中国集成电路领域完成的并购案, 如 紫光集团对展讯 锐迪科的收购, 以及澜起科技的退市, 并购标的的公司总部和主要业务收入都在中国, 本质上属于 中国公司回归中国资本市场 因此在私有化退市过程中, 只要符合美国证券交易委员会 SEC 的法律法规, 主要牵涉国 的审批并不存在实质性障碍 紫光启动大举入股并购行动, 布局 从芯到云 战略 2015 年 5 月, 紫光与惠普签订股权收购协议, 收购惠普旗 下新华三通信技术有限公司 51% 的股权, 成为该公司的控股股东 2015 年 9 月, 紫光投资 38 亿美元, 持有西部数据 15% 的股份, 成为第一大股东 2015 年 11 月, 紫光集团以 6 亿美元投资入股台湾力成科技股份有限公司, 获得力成 约 25% 的股份, 成为力成最大股东 2015 年 12 月, 紫光分别投入 17 亿美元与 3.7 亿美元入股台湾地区另外两家封装 测试厂矽品和南茂科技, 分别成为这两家封测厂的第一和第二大股东 这是紫光继去年收购展讯 锐迪科之后, 通过 资本整合高科技公司的新举措 表 2: 集成电路产业投资基金海外并购案例 案例分析 被并购方主要业务 收购金额 ( 亿美元 ) 下一步行动 清芯华创并购豪威科技 CMOS Image Sensor 19 并购格科微 思比科 武岳峰资本并购芯成半导体 半导体存储器 6.4 转售同方国芯, 兆亿创新 建广资本并购 NXP RF Power 部门 射频 功率器件 18 转售同方国芯, 华润微电子 以闪胜投资并购芯成半导体 DRAM/SRA 芯片 年 12 月 7 日纳斯达克退市 同方国芯并购西安华芯 DRAM 存储器设计 0.2 收购 76% 股权 长电科技并购星科金朋 半导体封测 7.8 并入长电科技一体化运作 通富微电并购 AMD 苏州和槟城 半导体封测 3.71 收购 85% 股权 紫光集团入股新华三 51% 股权 存储器 25 公司控股股东 紫光集团入股西部数据 15% 股权 存储器解决方案 38 第一大股东 紫光集团入股力成 25% 股权 半导体封测 6 成为最大股东 紫光集团入股南茂 25% 股权 半导体封测 3.68 第二大股东 紫光集团入股矽品 24.9% 半导体封测 3.42 第一大股东 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 1.2. 紫光集团 + 武汉新芯挑起 Memory 大梁, 填补国内空白 紫光 + 武汉新芯巨额投资 Memory 紫光国芯 2015 年 11 月 5 日晚间, 拟以 元 / 股的价格, 发行股份 29.6 亿股, 募集资金高达 800 亿, 一举成为 A 股市场有史以来最大规模再融资, 打造 Memory 王国 公司此次 800 亿定增将主要包括三个项目,1) 存储器工厂项目投资金额达 932 亿元, 其中募投资金投资 600 亿 ;2) 收购台湾力成 25% 股权投资金额 38 亿元, 其中募投资金 37.9 亿元 ;3) 对芯片产业链上下游的公司收购投资金额 162 亿元, 其中募投资金 162 亿元 三个项目合计投资金额高达 1,132 亿元 5/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

6 表 3: 紫光国芯定增项目情况 序号 项目 投资总额 ( 万元 ) 拟投入募集资金净额 ( 亿元 ) 1 存储芯片工厂 9,324, 收购力成科技 25% 股权 379, 对芯片产业链上下游的公司的收购 1,621, 合计 11,325, 资料来源 : 紫光国芯 浙商证券研究所 项目 1: 存储器芯片项目采用领先行业技术水平, 达产后年均利润有望达 87 亿元募集 600 亿元投资的存储器工厂, 工厂实施完成并完全达产后, 预计可新增 12 万片 / 月的存储芯片生产产能 从项目备案至项目建设完成 试运行并完成验收约需 2 年时间 预计项目投产一年后可完全达产, 即至项目建设后第四年生产负荷可达 100% 本项目运营期内年均不含税营业收入为 354 亿元, 预计年均利润总额为 亿元, 税后财务内部收益率为 17.65%, 税后投资回收期 6.28 年 ( 含建设期 2 年 ) 存储器芯片项目采用行业较为领先的行业技术水平 在 NOR Flash 领域, 目前 55nm~58nm 工艺节点的产品已开始大规模商用,45nm 产品也已开始研发 在 NAND Flash 领域, 目前 20/19nm 以上工艺节点是主流的商用制程, 未来主流产品将向 1Y nm 发展 工艺节点由 20/19nm 转向 1Y nm, 能使单颗芯片的面积减少约三分之一, 从而导致芯片价格大幅降低 在芯片封装工艺上,3D 封装和系统级封装 (SiP) 在特定领域已开始迅速发展 项目 2: 入股力成 25% 股权 37.9 亿元认购力成 25% 股权, 力成科技在全球半导体的封装测试服务厂商中居于全球领导地位, 其服务范围涵盖晶圆针测 封装 测试 预烧至成品的全球出货 根据研究机构 Gartner 研究数据显示, 力成科技 2014 年全球市场占有率为 4.9%, 为全球第五大封测厂, 若以台湾厂商而言, 则位居台湾封测厂商营收排名的第三名 力成科技主要客户包括日本东芝 (Toshiba) Micron Intel Sandisk 及 Kingston 等 Memory 厂 项目 3: 对芯片产业链上下游的公司的收购 亿用于收购 ( 参股或控股 ) 核心资产位于芯片产业上下游的公司的股份, 与目标公司在业务方面进行紧密的合作, 以实现多方共赢 2016 年 2 月 25 日, 同方国芯之全资子公司茂业创芯与南茂科技签订了 认股协议书, 拟 万元认购南茂 25% 股权 该部分资金拟以本次非公开发行的募集资金支付 公司尚未与其他收购标的就收购事项 收购方案等达成明确意向南茂科技主要为 IC 设计公司 整合组件制造公司及 IC 晶圆厂提供存储 IC LCD 驱动 IC 及逻辑混合讯号产品的封装测试服务, 上述产品主要应用于计算机 消费性电子产品的储存设备及显示器的终端应用产品 南茂科技 2014 年的合并营业收入为 亿元新台币 (6.96 亿美元 ), 营业收入年增长率为 13.7%, 归属于母公司的净利润为 33.2 亿元新台币, 基本每股收益为 3.86 元 伴随着世界集成电路产业的成长与发展, 集成电路封装产业与其他产业一样, 经历了在国际间不断进行产业转移的历程 集成电路封装产业转移始于 20 世纪 60 年代, 现已从欧美发达国家转移至亚太地区, 目前主要从事半导体封装的国家 ( 或地区 ) 是中国台湾 中国大陆 新加坡 日本和美国 中国台湾地区依靠集成电路封装起家, 在全球集成电路封装行业占据领先地位,2014 年度全球前十大封装公司 ( 专业代工 ) 排名中, 台湾地区的企业占据了 5 席, 其中力成科技名列第五, 南茂科技名列第九 此次紫光国芯通过对台湾力成 南茂收购, 将快速帮助公司在 Memory 封测布局, 未来与 Memory 芯片项目进行配套, 形成 IDM 商业模式 IDM 模式是指企业业务覆盖集成电路的设计 制造 封装和测试的所有环节 6/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

7 图 1: 力成为全球第五, 南茂为全球第九半导体封测厂 资料来源 : 紫光国芯 浙商证券研究所 全球前 10 大封测厂 14 年收入 ( 亿美元 ) 240 亿美金投入国家存储器基地落地武汉新芯 2015 年 3 月 28 日, 总投资 240 亿美元 ( 约 1600 亿元人民币 ) 的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动 将在 5 年内投资 240 亿美元, 预计到 2020 年形成月产能 30 万片的生产规模, 到 2030 年建成每月 100 万片的产能 早在 2006 年, 湖北省 武汉市和东湖高新区投资 100 亿元建设了武汉新芯 12 英寸晶圆制造项目 经过 10 年的发展, 目前武汉新芯已成为我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业 中国光谷则形成以武汉新芯为龙头, 初步形成了涵盖设计 制造 封装等比较完整的产业链, 成为我国重要的集成电路产业聚集区之一 同方国芯 600 投存储器芯片和武汉新芯 240 亿美金建立存储器基地落地,, 将带动集成电路材料 设备 制造 设计 封装等相关产业链发展, 利好集成电路全产业链 紫光 + 武汉新芯挑起 Memory 大梁, 填补国内空白存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失, 可以分为易失性存储器 (Volatile Memory) 和非易失性存储器 (Non-Volatile Memory), 其中 DRAM 与 NANDFlash 分别为这两类存储器的代表 尽管存储芯片种类众多, 但从产值构成来看,DRAM 与 NAND Flash 已经成为存储芯片产业的主要构成部分 根据 IDC 的统计数据,2013 年存储芯片市场规模接近 690 亿美元, 而 DRAM 和 NAND Flash 就占据了约 600 亿美元, 占比超过 85% 图 2:Memory 产品分类 资料来源 : 紫光国芯 浙商证券研究所 7/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

8 2014 年中国市场在 DRAM 与 NAND 的消化量已经高达 亿与 亿, 分别占全球产能 19.2% 与 20.6%, 预计未来几年中国存储芯片市场将长期保持稳定持续增长 此外, 未来几年全球 Memory 市场仍有望保持快速增长 1) 个人电脑与手机等移动终端的需求旺盛, 拉动了 DRAM 产值的大幅增加 2) 智能手机与固态硬盘 (SSD) 将成为 NAND Flash 最大需求 3) 3D NAND Flash 成为存储芯片的重要增长点 根据集邦 TrendForce 旗下存储业务研究部门 DRAMeXchange 的最新统计数字显示, 受到 DRAM 平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响,2015 年第四季全球 DRAM 总产值为 亿美元, 环比衰退 9.1% 三星营收持续称王,SK 海力士拉大与美光集团竞争差距 2015 年第四季度三星 DRAM 全球市场占有率达到 46.4%,SK 海力士占有率为 27.9%, 美光占有率为 18.9%, 前三大龙头合计市场占率达到了 93.2% 全球 NAND Flash 的出货量仅次于 DRAM 内存在 Nand Flash 市场上,2015 年第四季度三星 DRAM 全球市场占有率达到 33.6%, 东芝占有率为 18.6%, 闪迪占有率为 15.8%, 美光占有率 13.9%,SK 海力士占有率 10.1%, 英特尔占有率 8%,NAND Flash 几乎被六家厂商垄断 从 DRAM 与 NAND Flash 全球市场占有率来看, 几乎形成了寡头垄断的格局 主要由于 Memory 领域由于具有极高的技术壁垒和资本壁垒, 并且有很强的规模效应, 规模小 技术根本上的企业很容易被淘汰出局 图 3:DARM 前三甲占比超过 90% 图 4:NAND Flash 被六家厂商垄断 其他, 6.8% 海力士, 10.1% 英特尔, 8.0% 美光, 18.9% 三星, 46.4% 美光, 13.9% 三星, 33.6% 海力士, 27.9% 闪迪, 15.8% 东芝, 18.6% 资料来源 :TrendForce 浙商证券研究所 资料来源 :TrendForce 浙商证券研究所 2014 年国内 Memory 产品市场规模已经超过了 200 亿美元, 并且未来几年仍将保持高速增长,2018 年更是有望达到 430 亿美元 国内如此巨大的市场完全被海外厂商垄断, 导致我们全部需要依靠进口 而对于 Memory 产业, 紫光国芯投资 932 亿建厂和武汉新芯投资 240 亿美金, 仅仅是万里长征第一步, 未来发展国内 Memory 仍任重道远 对于 Memory 产业, 无论是武汉新芯投资 240 亿美金, 或者是此前同方国芯投资 932 亿元建厂仅仅只是万里长征的第一步, 发展国内 Memory 产业仍任重道远 但是国内如此巨大的市场完全被海外厂商垄断, 这一方面导致了我们全部需要依靠进口, 另一方面也对我国信息安全造成了威胁 所以, 随着国家下定决心把半导体产业作为重要发展战略, 大力发展国产 Memory 更是当务之急 8/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

9 图 5: 中国存储器芯片市场规模 ( 单位 : 亿美元 ) 资料来源 : 紫光国芯 浙商证券研究所 1.3. 中国集成电路逆势增长, 设计 制造 封测崛起 全球半导体市场在 2014 年 9.9% 的高速增长后,2015 年全球半导体市场出现下滑, 根据 SIA 公布的最新数据, 2015 年全球半导体市场销售额 3352 亿美元, 同比下降了 0.2% 全球半导体市场下滑的主要原因是 PC 销售下降和智能手机增速放缓, 根据 IDC 统计 2015 年全球 PC 出货量同比下降 10.3% 全球市场研究机构 TrendForce 最新报告显示,2015 年全球智能手机出货量为 亿部, 年增长 10.3%, 低于 2014 年 15.6 个百分点 受到需求不足影响的 2015 年日本和欧洲半导体市场出现了下降的情况 中国集成电路产业继续保持高速增长 受到国内 中国 2025 制造 互联网 + 等新世纪发展战略的带动, 以及外资企业加大在华投资影响,2015 年中国集成电路产业保持高速增长 根据中国半导体行业协会 (CSIA) 统计数据, 2015 年中国集成电路产业销售额为 亿元, 同比增长 19.7% 图 6: 年全球集成电路产业销售额 3400 亿美元 全球集成电路产业销售额 资料来源 :CSIA 浙商证券研究所 图 7: 年中国集成电路产业销售额 亿元 中国集成电路产业销售额 资料来源 :CSIA 浙商证券研究所 集成电路设计业依然保持高速增长,2015 年国内集成电路设计业销售额 1325 亿元, 同比增长 26.5% 其中, 海思半导体有限公司销售额达到 220 亿元, 清华紫光展锐超过 100 亿元, 第一次进入排名的深圳市中兴微电子技术有限公司超过 50 亿元 在智能手机 平板电脑等消费电子产品的驱动下, 以电容式触摸屏控制芯片产品为主的敦泰科技 ( 深圳 ) 有限公司取得了较好成绩, 也首次进入中国集成电路设计十大企业 中芯国际 28 纳米产品的量产 上海华力的投产以及西安三星的产能的逐渐释放,2015 年中国晶圆制造业增速达到了 26.5%, 比 2014 年的增速高出了 8 个百分点, 销售额 亿元 9/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

10 国内封测业近年来发展迅速, 随着长电科技收购星科金朋, 南通富士通收购 AMD 封装工厂等一系列整合, 以及长电科技 通富微电 天水华天与晶圆代工线的战略联盟, 使得国内封测业无论是产业规模还是最新的封装技术都上了一个台阶,2015 年国内封测业销售额为 1384 亿元, 同比增长 10.2% 中国集成电路产业通过一系列政策密集出台 海外并购 国内市场强劲需求等推动下, 集成电路产业设计 制造 封装都上了一个台阶, 产能 技术方面逐渐接近国际巨头先进水平 2014 年中国封装测试增长速度最快, 占集成电路总收入 41.6% 2015 年中国封装测试仍占比第一, 占总集成电路收入的 38.34%; 设计和封装测试迎来快速增长, 分别占比达到 36.71% 24.95% 图 8:2014 年中国集成电路三业情况 图 9:2015 年中国集成电路三业情况 IC 封测业 41.60% IC 设计业 34.70% 封测, 38.34% 设计, 36.71% IC 制造业 23.60% 制造, 24.95% 资料来源 : 浙商证券研究所 资料来源 : 浙商证券研究所 中国集成电路产品进出口平稳增长 根据海关统计,2015 年进口集成电路 亿块, 同比增长 10%; 进口金额 2307 亿美元, 同比增长 6% 出口集成电路 亿块, 同比增长 19.1%; 出口金额 亿美元, 同比增长 13.9% 2015 年进出口逆差 亿美元 图 10: 年中国集成电路进出口额 亿美元 出口 进口 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 中国本土产业供不应求, 中国本土公司的芯片供需存在巨大的缺口 根据 SEMI 统计数据, 在 2011 年, 中国公司 仅能满足本土公司芯片需求的 17%, 预计 2015 年, 仅供需缺口将高达 424 亿美元并持续扩大,2019 年年供需缺口达 到 880 亿美元 10/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

11 图 11: 本土芯片供需对比 本土公司芯片需求十亿美元 本土公司芯片供应 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 1.4. 半导体材料市场空间巨大, 晶圆制造材料和封装材料亟待国产化 半导体材料产业分布广泛, 门类众多 主要包括硅和硅基材 光刻胶 高纯化学试剂 电子气体 靶材 抛光液等 以半导体产业链上下游来分类, 半导体材料可以分为晶圆制造材料和封装材料 在半导体产业持续增长的带动下, 中国半导体材料产业发展的步伐更加稳健 从总体发展状况来看, 产业销售收入已经突破 100 亿元, 且在高端工艺应用中取得突破 国内材料企业产品集中于低端应用环节的局面正在得到改善, 全产业向高端应用迈进成为我国集成电路材料企业的主要努力方向, 半导体材料市场空间巨大 图 12: 集成电路产业链流程图以及配套材料 11/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

12 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 在硅和硅基材料方面,2014 年全球硅晶圆出货量达到 9826MSI, 其中 300mm 硅片出货面积为 6124MSI, 占硅片总量的 62.3%, 比 2013 年增长 16.3%;200mm 硅片出货面积为 2545MSI, 比 2013 年增长 5.3%;150mm 以下小尺寸硅片将会在一段时间内保持相对稳定的市场份额 预计 2014 年和 2015 年全球光刻胶市场将达 亿美元和 亿美元 我国半导体制造用硅材料市场 2013 年的需求约为 83 亿元, 预计 2014 年和 2015 年将分别达到 88 亿元和 104 亿元 在光刻胶产业方面, 预计 2014 年和 2015 年全球光刻胶市场将达 亿美元和 亿美元 随着 12 英寸先进技术节点生产线增多, 多次曝光工艺的应用,193 浸没式光刻胶的需求量将快速增加 中国半导体制造用光刻胶市场预计 2014 年和 2015 年将分别达到 亿元和 亿元 在高纯化学试剂产业方面, 超净高纯试剂包括无机酸类 无机碱类 有机溶剂类和其他类, 用于湿法清洗剂 光刻胶配套试剂 湿法蚀刻剂和掺杂以及芯片铜互连电镀, 是集成电路 分立器件 平板显示 太阳能电池等制造用关键材料 预计 2014 年和 2015 年全球半导体制造用高纯化学试剂市场将达到 26.9 亿美元和 28 亿美元 我国半导体制造用高纯试剂市场规模 2014 年和 2015 年有望增长到 23.5 亿元和 27.4 亿元 在电子气体产业方面, 预计全球半导体用电子气体市场规模 2014 年和 2015 年市场规模分别达到 亿美元和 亿美元, 我国半导体制造用电子气体 2014 和 2015 年将分别达到 27.4 亿元和 32.8 亿元 在 CMP 抛光材料产业方面, 化学机械抛平坦化 (CMP) 是集成电路生产工艺的重要组成部分 随着器件特征尺寸的不断减小, 对 CMP 技术在抛光缺陷, 抛光工艺可控性 一致性等方面提出了更高的要求 CMP 抛光材料包括浅沟槽隔离 多晶硅 二氧化硅介电层 钨 铜 阻挡层用抛光液和抛光垫 (Pad) 和修整盘等 预计 2014 年和 2015 年全球半导体用 CMP 抛光材料总体市场需求将分别达到 亿美元和 亿美元, 我国市场需求有望达到 15.3 亿元和 18.2 亿元 在靶材产业方面, 溅射靶材作为集成电路芯片及器件制造过程中重要的配套材料之一, 主要用于金属化工艺中互连线 阻挡层 通孔 背面金属化层等薄膜的制备 使用的靶材原材料主要有超高纯铝及其合金, 铜 钛 钽 钨 钨钛合金以及镍及合金, 钻 金 银 铂及合金等 预计 2014 年和 2015 年全球半导体制造用靶材市场需求将达到 6.5 亿美元和 6.8 亿美元 ; 国内靶材市场将分别达到 6.41 亿元和 6.91 亿元 图 13: 全球半导体前道各材料市场比重 图 14: 全球半导体前道材料市场预测 其他材料, 13% 硅片及硅基材, 32% Sol, 2% CMP 材料, 7% 掩膜版, 14% 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 靶材, 3% 电子气体, 14% 化学试剂, 4% 光刻胶配套试剂, 6% 光刻胶, 5% 百万美元 E 2016E 硅片及硅基材 掩膜版 光刻胶 光刻胶配套试剂 化学试剂 电子气体 靶材 CMP 材料 其他材料 增长率 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% 0% 国际半导体设备与材料协会 (SEMI) 公布 :2015 年全球半导体材料市场产值为 434 亿美元, 其中, 台湾为 94.1 亿 美元, 连续 6 年蝉联最大市场 ; 而南韩 中国大陆 北美与欧洲都有微幅成长, 日本则出现 6.28% 的衰退幅度 总的 晶圆制造材料和封装材料分别为 241 亿美元和 193 亿美元, 分别比 2014 年衰退 1% 与 2% 12/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

13 图 15: 全球半导体材料市场销售额 图 16: 各国半导体材料市场销售额 % 20% 10% 0% -10% -20% 十亿美元 日本 北美 欧洲 韩国 16% 12% 8% 4% 0% 半导体材料 : 销售额 ( 十亿美元 ) 半导体材料 : 销售额 : 同比 中国台湾 中国大陆 其他地区 中国占全球半导体材料份额 资料来源 :Wind 浙商证券研究所 资料来源 :Wind 浙商证券研究所 图 17: 全球半导体晶圆制造材料与封装材料市场销售额 图 18: 全球半导体与半导体材料市场销售额 十亿美元 半导体材料 : 销售额 : 晶圆制造材料 半导体材料 : 销售额 : 封装材料 十亿美元 半导体 : 销售额 半导体材料 : 销售额 资料来源 :Wind 浙商证券研究所 资料来源 :Wind 浙商证券研究所 2. 半导体材料之一 : 大硅片国产替代从 0 到 1 全球硅片材料生产主要集中在日 美 德三国, 其他还有韩国 马来西亚 芬兰 中国大陆和中国台湾地区 成电路级的单晶硅片市场格局为寡头垄断, 主要由日本厂商垄断, 前两位的信越半导体和 Sumco 占比约为 60%, 前 4 厂商占比超过 90 成 未来随着物联网和智能终端的爆发性增长, 全球硅片仍将维持稳定增长 生产的硅片主要有抛光片 外延片 回收片 SOI 片及非抛光片等 半导体硅片下游用户是晶圆制造厂, 目前中国大陆本土已投产的 12 寸晶圆厂包括中芯国际 上海华力 武汉新芯 无锡海力士 大连英特尔 西安三星 武汉新芯 而厦门联电 合肥力晶 台积电 Global Foundries( 格罗方德 ) 紫光国芯等 12 寸晶圆厂将陆续在 2016 年 2018 年投产, 未来中国 12 寸晶圆厂将达到 11 家, 占全球 12 寸厂总产能将有望超过 10% 市场研究机构 ICInsights 公布了最新的 2016~2020 年全球晶圆产能报告, 显示全球营运中的 12 寸 (300mm) 晶圆厂数量持续成长, 预期在 2016 年可达到 100 座 大陆半导体产能扩产持续来袭,12 寸新增产能未来月产能达 100 万片可期 考虑三星去年刚刚投产的 10 万片产能, 目前国内 12 寸晶圆产能合计为 32.6 万片 / 月 大陆半导体产能扩产狂潮才刚刚拉开序幕, 一方面国内几大晶圆厂快速扩产, 同方国芯 Memory 工厂新增产能 12 万片 / 月, 中芯国际 ( 北京 ) 二期 三期产能增加 ; 另一方面海外大厂纷纷来华建厂, 联电 ( 厦门 ) 和力晶 ( 合肥 ) 分别增加 5 万片 / 月和 4 万片 / 月, 台积电增加 2 万片 / 月, 武汉新芯 30 万 13/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

14 片 / 月,Global Foundries 也将在重庆将现有 8 寸改为 12 寸晶圆厂 我们预计到 2020 年, 国内 12 寸晶圆月产能将达到 100 万片 300mm 硅片也就是 12 英寸硅片, 自 2009 年起成为全球硅圆片需求的主流 ( 大于 50%), 预计 2017 年将占硅片 市场需求大于 75% 的份额 目前 300mm 半导体级的硅片, 国内一个月需求量约 万片, 而目前国内的产量几乎 为零, 这是产业链上最为紧缺的一环 而这一环, 全球日本生产的最多, 日本信越和 SUMCO, 这两家的产能和实际 供应量总和占全球 2/3 以上 300mm 半导体级的大硅片, 不仅是产业链缺失的重要一环, 也是国家安全战略发展的 需要 表 4: 大陆 12 寸晶圆厂一览表 公司 地址 工艺 月产能 ( 万片 ) 产品 状态 华力微 上海 晶圆代工 量产 海力士 无锡 DRAM 量产 英特尔 大连 D NAND Flash 量产,3D NAND Flash 2016 年投产, 满产 3-4 万片 三星 西安 D NAND Flash 扩充产能中至 2016 年年底 10 万片 中芯国际 B1 北京 晶圆代工 量产至 2016 年底满产 中芯国际 B2 北京 晶圆代工 扩充产能中至 2016 年底 1.8 万片满产 3.5 万片 中芯国际 上海 晶圆代工 扩充产能中, 至 2016 年底 2 万片 Fab-8 武汉新芯 武汉 晶圆代工 量产 现有产能合计 32.6 新增 7.6 力晶 合肥 90 4 晶圆代工 2017 年完工 联电 厦门 40/55 5 晶圆代工 2016 年第三季度投产 0.6 万片, 满产 5 万片 台积电 南京 16nm 2 晶圆代工 2018 年下半年完工 Global Foundries 重庆 现有 8 寸 - 晶圆代工 2017 年正式投产 改造 12 寸 武汉新芯 合肥 30 NAND Flash 2020 年投产,2030 年 100 万片 同方国芯 - 12 Memory 2018 年 新增产能合计 达产 总合计 年 资料来源 :DIGITIMES 浙商证券研究所 国内 2013 年 300mm 晶圆月产能接近 25 万片, 对 300mm 硅片的需求量约 30 万片, 按照 国家集成电路产业发展推进纲要 规划目标, 到 2020 年集成电路产业规模将达到 1 万亿元, 平均增长幅度为 20%, 对集成电路硅片的需求可能要大于 20% 的增长幅度, 那么到 2017 年国内对 300mm 集成电路硅片需求量将突破 60 万片, 市场规模达到 50 亿元 ; 到 2020 年将超过 100 万片, 市场规模将超过 83 亿元 14/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

15 图 19: 中国大陆 12 寸大硅片需求统计及预测 图 20: 全球不同尺寸硅片 E 2017E 2018E 2019E 2020E 中国大陆 12 寸大硅片需求量 ( 万片 / 月 ) 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 目前国内 8 英寸和 12 英寸集成电路用各类硅片仍全部依赖进口, 国内大部分半导体硅材料产品以 5 ~6 英寸硅片为主, 与大尺寸硅片市场需求快速增长的要求形成巨大反差, 有研新材 上海新傲科技 浙江金瑞泓科技等公司分别从事 8 寸硅材料产品晶圆生产和外延, 上海新阳将建成 15 万片 / 月 300mm 半导体硅片, 预计 2017 年达产 ; 以及晶盛机电联合北京有色金属研究总院 天津中环筹建大硅片合资公司 届时将突破我国高端硅片空白 上海新阳 ( SZ): 联合硅产业基金 兴森科技成立大硅片公司投资 :2014 年 5 月 21 日, 上海新阳与兴森科技 上海新傲科技股份有限公司 张汝京博士签订 大硅片项目合作投资协议, 拟共同投资设立 上海新昇半导体科技有限公司, 承担 300 毫米半导体硅片项目 该合资公司注册资本为人民币 5 亿元, 总投资需要 18 亿元 2016 年 5 月份, 硅产业基金对合资公司进行增资 2.8 亿元, 成为第一大控股股东, 注册资本增至 7.8 亿元 收益 : 项目达产后, 实现 300mm 半导体硅片产能 15 万片 / 月, 项目投入营运后预计可实现年均销售收入 12.5 亿元, 约可在 6-7 年内回收全部投资金额 预计 2021 年实现三期满产, 达到产能 60 万片 / 月, 实现年销售收入 50 亿 优势 : 集成电路产业基金背书, 张汝京博士为首的技术团队及引进部分关键核心技术, 技术团队来自祖国台湾 韩国 日本 美国四地, 均为半导体硅片行业的一流技术人才, 他们有多年 300mm 和 200mm 大硅片研发与生产实战经验进度 :2016 年底可以建成投产,2017 年可以正式投产 晶盛机电 ( SZ): 联合有研新材 中环股份成立半导体硅材料产业合资公司晶盛机电公司于 2015 年 5 月与北京有色金属研究总院 ( 有研总院 ) 天津中环股份签订战略合作协议, 拟三方合资成立半导体硅材料公司, 合资公司定位为半导体硅材料, 包括直拉硅单晶及抛光片 区熔硅单晶及抛光片 大直径硅环, 以及与产业发展密切相关的 必要的配套原辅材料 晶盛机电可与合资公司共同合作开发 8 英寸以上 ( 含 ) 半导体硅材料设备, 支撑合资公司提高装备国产化 3. 半导体材料之二 : 高纯试剂国产替代从小到大 在高纯化学试剂产业方面, 超净高纯试剂包括无机酸类 无机碱类 有机溶剂类和其他类, 用于湿法清洗剂 光刻胶配套试剂 湿法蚀刻剂和掺杂以及芯片铜互连电镀, 是集成电路 分立器件 平板显示 太阳能电池等制造用关键材料 预计 2014 年和 2015 年全球半导体制造用高纯化学试剂市场将达到 26.9 亿美元和 28 亿美元 我国半导体制造用高纯试剂市场规模 2014 年和 2015 年有望增长到 23.5 亿元和 27.4 亿元 15/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

16 生产超净高纯试剂的企业主要有浙江凯圣氟化学有限公司 多氟多化工股份有限公司 贵州威顿晶磷电子材料有限公司 杭州格林达化学有限公司 湖北兴福电子材料有限公司 江阴江化微电子材料股份有限公司 江阴润玛电子材料股份有限公司 江阴市化学试剂厂有限公司 昆山艾森半导体材料有限公司 上海华谊微电子材料有限公司 上海新阳半导体材料股份有限公司 苏州晶瑞化学有限公司等 在众多工艺化学品企业中, 上海新阳开发的电镀硫酸铜及添加剂在 8 英寸 ~12 英寸铜制程中获得应用 ; 湖北兴福电子材料有限公司磷酸 浙江凯圣氟化学有限公司氢氟酸等也都在 8 英寸 ~12 英寸工艺认证中取得较好效果 上海新阳 ( SZ): 晶圆级化学为 02 专项, 今年收入将保持 100% 增长优势 : 上海新阳先后两次承担国家科技重大专项 极大规模集成电路制造装备及成套工艺 项目, 铜互连电镀液成为中芯国际第一大供应商, 应用于集成电路晶圆制造以及下游先进封装 此外, 公司配套的清洗液也将与晶圆制以及下游封装行业 随着公司下游应有的增长以及国产化替代加速, 今年晶圆级化学品将保持 100% 的增长 兴发集团 ( SH): 电子级磷酸已大规模应用在集成电路等领域优势 : 公司控股子公司兴福电子主要从事电子化学品的生产和销售 其拥有 3 万吨 / 年电子级磷酸生产规模 ( 该项目为公司 2009 年非公开发行股份募投项目 ), 包括面板级和 IC 级两种级别的电子级磷酸 电子级磷酸广泛用于大规模集成电路 膜液晶显示器 (TFT-LCD) 等微电子工业, 主要用于芯片的清洗和蚀刻, 其纯度和洁净度对电子元器件的成品率 电性能及可靠性有很大影响 目前在建 1 万吨 / 年电子级硫酸项目, 预计于 2016 年年底建成投产 2015 年, 兴福电子电子级磷酸产量为 1.55 万吨 销量为 1.68 万吨, 实现营业收入 1.8 亿元, 占公司 2015 年度合并营业收入的 1.45%, 实现净利润 万元 目前兴福电子化学品业务占公司主营业务比例较小 4. 半导体材料之三 : 掩膜版国产替代从晶圆代工厂转向专业制造商 掩膜版 (Photomask) 又称光罩 光掩膜 光刻掩膜版 掩模版等, 是液晶显示器 半导体等制造过程中的图形 底片 转移用的高精密工具 掩膜版用于下游电子元器件制造业批量生产, 是下游电子元器件制造业流程衔接的关键部分, 是下游产品精度和质量的决定因素之一, 是产业链中不可或缺的工具, 具有资本密集 技术密集的特点 图 21: 掩膜版工作原理 资料来源 : 浙商证券研究所 掩膜版的原材料掩膜基板 ( 分为苏打掩膜基板和石英掩膜基板 ) 是制作微细光掩膜图形的感光空白板 通过光刻 制版工艺, 将微米级和纳米级的精细图案刻制于掩膜基板上制作成掩膜版 掩膜版的功能类似于传统照相机的底片, 16/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

17 根据客户所需要的图形, 用光刻机在原材料上刻蚀出相应的图形, 把不需要的金属层和胶层洗去, 即得到产成品 掩膜版对下游行业生产线的作用主要体现为利用掩膜版上已设计好的图案, 通过透光与非透光的方式进行图像复制 掩膜版行业的发展主要受下游平板显示行业 触控行业 半导体行业和电路板行业的发展影响, 与下游终端行业的主流消费电子 ( 手机 平板 可穿戴设备 ) 笔记本电脑 车载电子 网络通信 家用电器 LED 照明 物联网 医疗电子等产品的发展趋势密切相关, 有关专家预计, 未来几年我国掩膜版行将向大尺寸 精细化 全产业链方向发展 在集成电路方面, 目前国际主流先进制造工艺为 28nm 工艺, 占据了约四成的市场份额, 而因特尔 三星和台积电已经分别量产 14nm 工艺的晶圆, 未来集成电路的制造工艺将进一步精细化, 朝 10nm 工艺发展, 这对与之配套的掩膜版提出了更高要求, 线缝精度要求越来越高, 逐步由微米向纳米发展 国际半导体设备与材料协会 (SEMI) 公布 :2015 年全球半导体光罩 (photomask) 销售额为 33 亿美元, 预计可在 2017 年达到 34 亿美元 2014 年光罩市场增长了 3%,2015 年增长了 1% 光罩市场有望在 2016 年和 2017 年, 分别增长 2% 和 3% IC 市场主要驱动因素仍是先进工艺节点 ( 小于 45 纳米 ), 以及亚太地区的半导体制造业的成长 台湾仍是最大的光罩市场, 连续五年排名第一, 并预期在短期之内仍将保持第一名地位 图 22: 全球光罩市场规模 图 23:2014 年掩膜版市场分类 35 中国, 1% 其他, 3% 韩国, 19% 欧洲, 9% 台湾, 28% E 2017E 北美, 21% 日本, 19% 全球光罩市场规模 ( 亿美元 ) 资料来源 :SEMI 浙商证券研究所 资料来源 : 浙商证券研究所 从概念上讲曝光系统的工作原理与相机类似, 通过一系列光学系统将掩膜版上的图形按照 4:1 的比例投影在晶圆上的光刻胶图层上, 从理论上讲, 如果晶圆上的最小线宽要求到 28nm, 掩膜版上的图形最小线宽只要达到 112nm 即可, 与其他制作工艺相比, 掩膜版的制造工艺相对要 容易 了很多 但掩膜版如同投影用的电影胶片的底片一样, 他的技术水平直接影响着光科技树的发展, 特别是随着最小线宽的逐渐缩小, 投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真等问题将越演越烈 目前全球专业的掩膜版厂商包括美国的 Photronics, 台湾的台湾光罩, 日本的 Toppan,Hoya,SK-Electronics 等 而全球主要的晶圆制造厂商都有自己的专业工厂来生产自身需要的掩膜版, 最先进的制成所需的掩膜版技术掌握在国际晶圆厂巨头手中, 随着掩膜版外包的趋势显现, 特别是对于一些 60nm 及 90nm 以上制程的低端产品, 专业的掩膜版制造厂的市场比重逐步提升, 从 2003 年时的 30% 上升至 2014 年的 53% 目前国内的掩膜版厂商非上市公司分为两类 : 第一类是科研院所, 主要有中科院微电子中心, 中国电子科技集团第 13 所 24 所 47 所 55 所等 ; 第二类是专业的掩膜版制造厂商, 主要有无锡华润微电子有限公司掩膜工厂 上海凸版光掩膜有限公司 上市公司为中芯国际和菲利华, 其中, 中心国际为国际代工晶圆厂, 掩膜版的制版能力也处于国际较先进水平 ; 菲利华 ( SZ) 为国内首家获得国际主要半导体设备制造商认证的石英玻璃材料企业 ( 公司生产的半导体用高性 17/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

18 能石英玻璃材料 FLH321 天然石英锭材于 2011 年上半年获得东京电子的认证 ) 同时公司也在积极推进在美国应用材 料 Applied Material 的认证 目前公司生产的光掩模版主要用于 5. 半导体材料之四 :CMP 抛光垫量产在即 化学机械研磨 (CM P) 是将抛光片工件 (W a f e r ) 压向抛光垫, 在抛光垫和工件中间存在抛光液流动的条件下, 利用抛光垫和抛光件的相对运动, 在磨粒的机械磨削及氧化剂的化学腐蚀作用下, 完成对工件表面处理, 并获得光洁的表面 抛光液由磨粒三氧化二铝 (Al2O3) 二氧化硅 (Si O2) 三氧化二铈(C e2o3) 表面活性剂 稳定剂 氧化剂和分散剂等组成 随着器件尺寸不断减小, 对 CM P 技术在抛光缺陷, 抛光工艺可控性 一致性等方面有更高的要求 图 24:CMP 工艺及材料 资料来源 : 鼎龙股份 浙商证券研究所 抛光材料制备技术涉及力学 界面化学 摩擦学 高分子材料学 固体物理和机械工程学等诸多学科领域 一般而言, 抛光过程中有三个技术关键点 : 一是抛光液中的化学成分与材料的表面进行化学反应, 把材料的损伤表面和表面附着的物质通过反应转变成更容易抛光的软化层, 即化学过程 ; 二是抛光垫对材料表面的研磨, 将软化层抛离抛光表面, 并使未反应的材料表面重新暴露出来, 从而保证了材料表面化学作用继续进行, 即物理过程 第三最为关键, 是前面两个过程的平衡, 如果化学腐蚀与机械切削作用不能很好匹配, 将会造成材料表面局部平整度比较差或形成表面损伤层 这些技术关键点均须在抛光垫的设计中加以考虑, 其评价指标繁多, 评价方法及其复杂 抛光垫的研究门槛较高, 只有少量国外机构在持续研究抛光垫的特性, 国内尚无一家企业或科研单位真正掌握该产品的核心技术和工业化生产能力 18/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

19 图 25:CMP 原理 图 26:CMP 应用技术 资料来源 : 鼎龙股份 浙商证券研究所 资料来源 : 鼎龙股份 浙商证券研究所 CMP 技术的出现, 推动了集成电路芯片向微细化 多层化 薄型化 平坦化工艺上的不断前进, 它在芯片体领域的应用十分广泛, 如使层间介质 (ILD) 绝缘体 导体 镶嵌金属 W Al Cu Au, 多晶硅 硅氧化物沟道等实现平坦化 抛光垫的主要作用是 :1 能贮存抛光液, 并把它运送到工件的整个加工区域, 使抛光均匀 ;2 从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物 ( 如抛光碎屑 抛光碎片等 );3 传递材料去除所需的机械载荷 ;4 维持抛光过程所需的机械和化学环境 除抛光垫的力学性能以外, 其表面组织特征, 如微孔形状 孔隙率 沟槽形状等, 可通过影响抛光液流动和分布, 来决定抛光效率和平坦性指标 CMP 耗材与设备市场作为半导体行业中的一个活跃分支, 据 GNC 提供数据,CMP 耗材与设备市场在 2012 年 2013 年价值为 2737 亿日元 2968 亿日元, 预计 2014 年攀升至 3280 亿日元, 达到 33 亿美元, 其中 CMP 材料市场超过 1750 亿日元, 为 17 亿美元, 保持着优于市场的较快增速 图 27:CMP 耗材与设备市场规模 图 28:CMP 材料细分市场占比 GAGR=9.47% CMP 耗材与设备市场规模 ( 亿日元 ) 资料来源 : 公司公告 浙商证券研究所 其他, 4% P-CMP 清洁, 5% 调节器, 9% 抛光液, 49% 抛光垫, 33% 资料来源 :Techcet Group 浙商证券研究所 目前全球 CMP 抛光材料主要供应商是美国陶氏化学 卡博特公司 日本东丽 杜邦化学 台湾三方化学 3M 等 其中陶氏化学占抛光垫市场份额高达 90% 抛光液主要是复配技术, 较抛光垫技术门槛相对低一些, 抛光液行业毛利率为 30% 至 40% 左右水平, 主要厂商包括美国卡博特 日本 Fujimi 等 国内安集微电子的铜 / 铜阻挡层抛光液产品 12 英寸 45nm 及以下技术节点, 产品性能达到国际领先水平 ; 上海新安纳电子科技有限公司开发在抛光液用磨料和存储器抛光液等产品 ; 晶岭电子材料产品包括蓝宝石水晶抛光液, 主要生产 6 英寸芯片抛光液, 且可定制 4 英寸抛光液 深圳市力合材料有限公司开发蓝宝石抛光液产品 鼎龙股份生产 CMP 抛光垫和抛光液 鼎龙股份 ( SZ): CMP 即将投产, 将首次实现国内 CMP 国产替代 19/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

20 投资 :2015 年 3 月份使用超募资金投资 1 亿元转化公司已有的技术成果和快速推动 CMP 产品研发进程, 新建 5000 平米的生产车间 达产后可新增年产 10 万片抛光垫的生产能力 收益 : 项目达产时每年可实现营业收入 40,000 万元, 参考公司目前的产品成本及毛利率水平, 项目达产年度对应的营业成本是 24,000 万元, 毛利是 16,000 万元 初步测算营业利润为 11,600 万元, 税后利润为 9,860 万元 进度 : 项目建设期计划为 1.5 年,2016 年 7 月中旬投产 6. 半导体材料之五 : 光刻胶逐渐打破海外垄断局面 光刻胶又称光致抗蚀剂, 由感光树脂 增感剂 ( 见光谱增感染料 ) 和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体 感光树脂经光照后, 在曝光区能很快地发生光固化反应, 使得这种材料的物理性能, 特别是溶解性 亲合性等发生明显变化 光刻胶利用光化学感应曝光 显影 刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩膜版 (mask) 转移到代加工上的图形转移介质, 其中曝光是通过紫外光 电子束 准分子激光束 X 射线 例子束等曝光源的照射或辐射, 从而使光刻胶的溶解度发生变化 光刻胶主要用于微电子领域的精细线路图形加工, 是微制造领域最为关键的材料 图 29: 光刻胶的成分 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种 - 正性光刻胶 (positive photoresist) 和负性光刻胶 (negat ive photoresist) 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液, 而未曝光部分不溶于显影液, 仍然保留在衬底上, 将与掩膜上相同的图形复制到衬底上 ; 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液, 而未曝光部分溶于显影液, 将与掩膜上相反的图形复制到衬底上 20/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

21 图 30: 正性光刻胶与负性光刻胶 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 光刻胶通常使用在紫外光波段或更小的波长 ( 小于 400 纳米 ) 进行曝光 根据使用的不同波长的曝光光源, 如 KrF (248nm), ArF(193nm) 和 EUV(13.5nm), 相应的光刻胶组分也会有一定的变化 如 248nm 光刻胶常用聚对羟基苯乙烯及其衍生物为光刻胶主体材料,193nm 光刻胶为聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物,EUV 光刻胶常用聚酯衍生物和分子玻璃单组分材料等为主体材料 除主体材料外, 光刻胶一般还会添加光刻胶溶剂, 光致产酸剂, 交联剂或其他添加剂等 光刻胶是 PCB LCD 和半导体等各应用行业的上游材料 2014 年全球光刻胶市场需求为 70.2 亿美元, 同比增长 5.56%; 而就下游细分需求领域而言,2014 年全球 PCB 领域光刻胶需求规模 17.2 亿元美元, 占行业需求总量的 24.50%; LCD 光刻胶需求市场规模为 18.7 亿美元, 占行业需求总量的 26.6%; 半导体光刻胶需求市场规模为 16.9 亿美元, 占行业总需求的 24.10%; 其他光刻胶需求市场规模为 亿美元, 占行业总需求的 24.80% 图 31: 全球光刻胶市场需求规模 图 32:2014 年全球光刻胶下游应用分布 亿美元 PCB 光刻胶 LCD 光刻胶 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 其他, 24.80% LCD 光刻胶, 26.60% 半导体光刻胶, 24.10% PCB 光刻胶, 24.50% 半导体光刻胶 其他 全球光刻胶同比增长 资料来源 : 浙商证券研究所 资料来源 : 浙商证券研究所 光刻胶是 PCB LCD 和半导体等各应用行业的上游材料, 一般相同用途的光刻胶, 由于投资大 市场比下游应用行业小, 行业集中度非常高, 只能有几家企业生存 光刻胶专用化学品具有相似特征, 即品种多 用量小 品质要求高, 投资相对普通化学品大, 行业集中度高 全球的光刻胶厂家主要集中在日本, 日本的企业占据 80% 的全球市场, 主要有 TOK JSR 富士 信越化学和住友化学 美国的陶氏化学 欧洲的 AZEM 和韩国东进世美肯也都是有力的竞争者 21/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

22 中国的光刻胶供应多集中在 PCB 光刻胶 TN/STN-LCD 光刻胶等低端领域, 能够生产半导体光刻胶的厂商目前仅有北京科华和苏州瑞红 国内企业市场份额约 5% 左右, 但是国内光刻胶厂商正逐步向这一领域积极进军, 有望打破国外垄断实现进口替代 根据国内主要光刻胶生产与研发机构制定的中国光刻胶发展线路图推算, 到 2020 年国产光刻胶的市场占有率有望达到 30% 以上, 销售额达到 10 亿美元以上, 是 2014 年产值的 20 倍 光刻胶只占半导体制造前工序材料整个市场价值约 10%, 但它是代表整个半导体产业发展水平的关键核心材料, 具有指标性功能 光刻胶行业在国内起步较晚, 由于光刻胶行业本身具有很高的壁垒, 使得中国厂商很难进入 光刻胶作为集成电路的核心原材料, 随着国内集成电路晶圆制造企业大幅度扩产, 光刻胶也会跟随芯片制造业的发展而快速增长 其中深紫外 KrF(248nm) 和 ArF(193nm) 的光刻胶市场需求量每年将以超过 20% 的速度增长 ;G-I 线胶也将保持稳定增长, 预计市场年增长率在 15% 半导体光刻胶种类繁多, 分类方法也较多 目前市场上已得到实际应用的主要半导体光刻胶, 从曝光波长来分, 可分为 g 线 (436nm) i 线 (365nm) KrF(248nm) 和 ArF(193nm)4 个种类 随着 12 英寸先进技术节点生产线增多, 多次曝光工艺的应用,193 浸没式光刻胶的需求量将快速增加 表 5: 光刻胶主要应用生产商情况应用领域主要品种全球主要生产厂商国内主要生产商 PCB 干膜光刻胶 湿膜光刻胶台湾长兴化学 日本旭化成 日本日立化 等 飞凯材料 光成像阻焊油墨 日本太阳油墨 TAMURA 制作所 欧洲 H 深圳容大感光 广信材 UNGTSUMAN 中国台湾永胜泰 无锡广 料 新东方 信油墨 ( 台资 ) 等 油墨 北京力拓达 LCD 彩色光刻胶及黑色光刻胶 LCD 衬垫料光刻 JSR LG 化学 CHEIL TOYO INK 住 阜阳欣奕华 永太科技 胶 TFT 配线用光刻胶等 友化学 奇美 三菱化学,TOK 新日铁 北旭电子 化学 ADEKA 等 半导体 g 线光刻胶 i 线光刻胶 KrF 光刻胶 ArF 日本合成橡胶 日本住友 东京应化 D 强力新材 苏州瑞红 光刻胶 聚酰亚胺光刻胶 掩模版光刻胶等 OW 等 潍坊星泰 北京科华微 等 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 南大光电 ( SZ): 1.2 亿参股北京科华, 进军半导体光刻胶投资 :2015 年 9 月份, 南大光电出资 4,272 万元受让北京科华原股东持有的科华公司 14.24% 的股份, 之后向北京科华增资人民币 8,000 万元, 增资后合计持有北京科华 31.39% 的股份, 从而以此项投资为契机进入集成电路产业最关键材料之一的光刻胶领域 收益 : 在目前公司 455 吨年产量的基础上, 另外选址建立新的厂房, 新增年产量 1720 吨的光刻胶及配套试剂, 可实现年销售额 1.17 亿元人民币左右 优势 : 北京科华经过十年的产品研发, 已经陆续研制出了一系列高端光刻胶产品 ( 包括 248nm I 线 G 线光刻胶等 ) 还有大批品种或处于客户的测试阶段, 或处于客户的测试准备阶段 北京科华在 02 专项扶持下建成了 248nm 光刻胶研发与测试平台和中试生产线, 产品现已通过中芯国际认证获得商业订单 北京科华与南大光电还将向应用更加广泛的 193nm 光刻胶产品研发推进 集成电路材料国产化的需求将催生一批中国本土光刻胶企业做大做强, 从 22/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

23 中必将产生一家或若干家优秀企业 北京科华作为半导体稀缺上市公司, 借助南大光电和国家资本力量, 强者恒强, 有望与国外的光刻胶企业进行正面竞争, 逐渐增强其在中国乃至全球光刻胶行业中的市场地位 进度 : 预期在 2016 年年末投产,2017 年年初达产 飞凯材料 ( SZ): IPO 投资 3500 吨光刻胶投资 : 公司 IPO 募投 3500t/a 紫外光刻胶, 光刻胶项目投资 7744 万元, 产品类型为湿膜光刻胶, 主要用于制造印刷电路板 (PCB) 制品 公司光刻胶产品已于 2012 年 6 月顺利通过南亚电路板 ( 昆山 ) 有限公司生产线上的测试, 并开始正式供货 收益 : 项目达产后, 按照 4 万元 / 吨计算, 预计未来的收入为 1.4 亿元进度 :2016 年开始陆续投产 永太科技 ( SZ): CF 光刻胶放量在即, 受益下游应用 TFT-LCD 和 AMOLED 投资 :2013 年 12 月份打不增发预案, 公司以以非公开发行 A 股股票的方式投资 1.6 亿元, 建立年产 1500 吨平板显示彩色滤光膜材料 (CF) 光刻胶项目 随着 CF 光刻胶国产化推进, 以及 TFT-LCD 和 AMOLED 技术在内的平板显示产业建设和转型升级, 公司将受益明显 收益 : 本项目达产后年均新增收入 3.04 亿元, 新增净利润 万元, 税后财务内部收益率 19.69%, 税后投资回收期 ( 含建设期 ) 为 5.54 年 优势 : 公司与华星光电签订了技术合作协议 双方拟开展 OLED 和 TFT-LCD 用 CF 色阻 ( 即 平板显示彩色滤光膜材料 (CF) ) 的技术研发工作, 加快研发到量产的产业化进度 进度 : 本项目建设期预计为 1.5 年, 将于第 3 年达产 强力新材 ( SZ): 公司主要从事光刻胶化学品研发 生产和销售及相关贸易业务, 主营产品有 PCB 光刻胶专用化学品 LCD 光刻胶光引发剂 半导体光刻胶光引发剂及其他用途光引发剂 司凭借强大的自主创新能力 厚实的人才储备以及先进的加工制造工艺, 保证产品质量稳定 性能可靠, 是全球 PCB 光刻胶专用化学品的主要供应商之一, 与台湾长兴化学 日本旭化成 日本日立化成等国际知名光刻胶企业建立了长久的合作关系 23/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

24 7. 半导体材料之六 : 电子气体多家上市公司参与, 放量在即 近代电子工业的发展催生了电子化学行业的繁荣, 其中电子特种气体是其中的重要环节 电子特气主要作用包括蚀刻 离子注入 外延生产和化学汽相淀积等, 主要应用于集成电路 太阳能电池和 LED 等的生产, 是现代高科技产业发展的基础材料 目前我国高纯电子气体处于美国 AP 公司 美国普莱克斯公司 德国林德公司 法国液化空气集团等跨国公司的高度垄断中, 其垄断的现状亟需被打破, 发展高纯电子气体, 对我国电子行业具有重要意义 随着集成电路 (IC) 产量 性能及集成度不断提高, 半导体工艺用的各种高纯气体, 种类繁多, 达约 100 多种 这些气体大多是可燃 有毒 腐蚀性气体, 是其他 ; 领域不用的额, 专为半导体生产研究 开发的 特种气体一般分为七类, 即硅系 砷系 磷系 硼系 金属氢化物 卤化物 金属烃化物 在半导体制造工艺中, 还使用清洗用高纯气体 (N 2 H 2 ), 载运 稀释用高纯气体 (Ar He H 2 N 2 CO 2 N 2 O O 2 ) 这些高纯气体, 由于用量大以及供 需方面的不同, 一般和半导体用高纯气体有所区别 表 6: 半导体气体分类 按用途分类 气体种类 掺杂气体砷化氢 (AsH 3 ) 硫化氢 (H 2 S) 锗烷 (GeH 4 ) 硒化氢 (SeH 2 ) 锑化氢 (SbH 3 ) 三氯化砷 (AsCl 3 ) 三氟化砷 (AsF 3 ) 磷化氢 (PH 3 ) 三氯化磷 (PCl 3 ) 乙硼烷 (B 2 H 6 ) 三氟化硼 (BF 3 ) 三氯 化硼 (BCl 3 ) 二甲基碲 (CH 3 ) 2 Te 二乙基碲 (C 2 H 5 ) 2 Te 二甲镉 (CH 3 ) 2 Cd 二乙基镉 (C 2 H 5 ) 2 Cd 外延气体 SiH 4 ( 硅烷 ) SiH 2 C1 2 ( 二氯硅烷 ) SiH 2 C1 3 ( 三氯氢烷 ) SiC1 4 ( 四氯化硅 ) B 2 H 6 BBr 3 ( 三 溴化硼 ) BI 3 ( 碘化硼 ) AsH 3 PH 3 GeH 4 TeH 2 ( 碲化氢 ) (CH 3 ) 3 Al ( 三甲基铝 ) (C 2 H 5 ) 3 A1 ( 三乙基铝 ) (CH 3 ) 3 Sb ( 三甲锑 ) (C 2 H 5 ) 3 Sb ( 三乙基锑 ) (CH 3 ) 3 Ga ( 三甲基镓 ) (C 2 H 5 ) 3 Ga( 三乙基镓 ) (CH 3 ) 3 As( 三甲砷 ) (C 2 H 5 ) 3 As ( 三乙基砷 ) (CH 3 ) 2Hg ( 二甲基汞 ) (C 2 H 5 ) 2 Hg( 二乙基汞 ) (CH 3 ) 3 P ( 三甲基磷 ) (C 2 H 5 ) 3 P ( 三乙基磷 ) ;SnCI 4 ( 四氯化锡 ) GeC1 4 ( 四氯化锗 ) SbCl 5( 五氯化锑 ) A1C1 3 ( 三氯化铝 ) 离子注入气体 AsF 5 ( 五氟化砷 ) PF 5 ( 五氟化磷 ) PH 3 BF 3 BC1 3 SiF 4 ( 四氟化硅 ) SF 6 ( 六氟化硫 ) 发光二极管用气体 AsH 3 PH 3 HC1 ( 氯化氢 ) SeH 2 (CH 3 ) 2 Te ( 二甲碲 ) (C 2 H 5 ) 2 Te( 二乙基碲 ) 气相蚀刻 C1 2( 氯气 ) HC1 HF( 氟化氩 ) HBr( 溴化氢 ) SFe 6 ( 六氟化硫 ) 等离子刻蚀 SiF 4 ( 四氟化硅 ) CC 14 ( 四氯化碳 ) C 3 F 8 ( 八氟丙烷 ) C 2 F 6 ( 六氟乙烷 ) CHF 3 ( 三氟甲烷 ) CCIF 3 ( 三氟氯甲烷 ) O 2 离子束刻蚀 C 3 F 8 CHF 3 CCIF3 CF 4 反应性溅射 O 2 化学气相沉积 (CVD) 用气体 SiH 4 SiH 2 C1 2 SiC1 4 NH 3 NO O 2 载运 稀释气体 Ar He H 2 N 2 CO 2 N 2 O O 2 资料来源 : 简谈半导体制造工艺用高纯气体 浙商证券研究所 硅烷 (SiH 4 ) 气体是电子气体中最重要的品种, 它用作半导体多晶硅 外延膜生成 硅器件纯化膜和聚硅膜 的原料气, 有资料介绍 SiH 4 用量大约以 50 % 的比例增长, 其中用于硅器件约占 58 %, 用于感光磁鼓 30 %, 其余 30 % 左右用于非晶型太阳电池 国外 SiH4 制造工艺大体可分为 : 硅化镁法 ( 小松法 ) 氢化铝锂法 目前国际上 SiH /35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

25 主要制造商为 : 日本小松电子金属公司 三井东亚化学公司 本莊壮化学公司 帝国氧气公司 美国普莱克斯 ( 原 UCC 公司 ) APCI 公司 曼特森公司 液体碳素公司 Solkatronic 化学品公司 ( 已被 AP 收并 ) 硅烷用于控制氧化法低温化学汽相淀积二氧化硅膜, 在管芯上生长这样一层钝化保护膜就能较好地抵御钠离子的沾污和防止管芯受潮 采用控制硅烷与氨的反应化学汽相淀积氮化硅膜, 这种膜更致密, 对钠离子屏蔽效果更佳 中国制造 SiH 4 始于 20 世纪 70 年代, 为满足超纯硅生产的需要, 国内许多 SiHCl 3 生产厂家, 在从事 SiHCl3 SiCl 4 生产的同时也开展了 SiH 4 合成 净化系列研究, 在 SiH 4 合成方面作了大量卓有成效的工作, 建起数家 SiH 4 生产厂, 它们的生产 净化工艺几乎都采用日本小松电子法, 即硅化镁法, 由于受当时的条件所限, 大多数 SiH 4 生产厂家尽管对 SiH 4 的合成作了大量先期工作, 但最终停止生产 目前, 国内只有南京华厦特气公司 浙江大学还在进行 SiH 4 的生产, 受国际 SiH 4 价格的冲击, 再加上生产规模较小, 产品纯度不高或各批量产品纯度不稳定, 因此, 基本上不进行高纯度 SiH 4 的生产, 只是生产纯度相对较低, 价格又比较便宜的工业级 SiH 4, 主要用于硅化玻璃的硅化膜生产工艺, 由于中国硅化玻璃对粗品 SiH 4 需求量较大, 因此, 工业级 SiH 4 目前经济效益不错 磷烷 (PH 3 ) 在半导体制造工艺中被用来作为气相沉积 外延 扩散和离子注入等工序中不可缺少的气体, 化合物半导体 GaP InP 的制备生长, 也需磷烷作 源 料 用磷烷生长的磷硅玻璃纯化膜, 对硅片中杂质有吸着特性而起终端保护作用, 是多晶硅 太阳能电池 砷化镓二极管重要的 N 型掺杂源 在电子气体中 PH 3 的重要性仅次于 SiH 4, PH 3 的毒性 危险性非常大, 因此, PH3 在国际上销售价格较高, 国际上几大气体公司都有超纯 PH3 销售, 其工艺多为单质红磷同 KOH 在 40 ~ 85 下反应合成 PH 3, 生成的 PH 3 经过粗分离除去其中的酸 水 二氧化碳 双磷 (P 2 H 4 ), 然后再进行深度吸附净化 低温精馏等联合工艺生产 5 ~ 6.0 N 高纯 PH 3, 其产品根据用途分为外延级 (6 N) MOCVD 级 (5 ~ 8 N) 电子级 (5 N), 其中的 20 多种金属离子含量达到 10-9 水平 我国 PH 3 研究起步于 六五 期间, 光明院受原化工部资金的支持, 开展 PH 3 的合成 净化 分析等系列研究, 七五 期间我国的南京特气公司 ( 现改为华厦气体公司 ), 也开展此方面的工作, 目前国内 PH3 生产厂家不多, 生产的 PH3 数量也很小, 大部分用户都采用进口的 PH3 用来进行 5 % 的 N 2 -PH 3 配制, 只有少数用户采用国产 PH 3 进行混配 乙硼烷 (B 2 H 6 ) 是气态杂质源, 又是离子注入硼掺杂氧化物扩散的重要掺杂剂, 它也是半导体生长的成膜 外延气的原料 国外基本上采用硼氢盐同三氟化硼乙醚络合物法, 合成的 B 2 H 6 采用吸附 转化的净化工艺 为避免 B 2 H 6 在存放过程中自身聚合的发生, 大多以 Ar He 或 N 2 以不同的浓度稀释气向外出售, 国内现在生产 B 2 H 6 只有 2 ~ 3 家, 生产量小, 产品合成技术已经过关, 但净化和分析方面同国外有一定的差距, 其合成路线各家都有不同 BF3 同乙硼烷 三氯化硼一样, 在半导体制造过程中 BF3 是重要的离子注入气, 它多为 70 g 的小包装, BF3 的纯度对器件的性能影响很大, 国外有两个级别, 一个为外延级 4.5 N, 另一种为电子级纯度为 4 N 目前我国几大芯片生产线使用的 BF3 国内完全可以自行解决, 该品种在纯度上同国外没有多大的区别, 芯片制造商采用 BF3 主要用于离子注入工艺上, 用量也在逐年提升, 并且国产小包装 BF3 包装瓶, 在技术上完全过关 氨气 (NH 3 ): 超纯氨是微电子氮化硅掩蔽膜的主要原材料, 虽然 NH3 在半导体制造工艺中用量不大, 但在光电子领域超纯氨是十分重要的原材料, NH3 的质量好坏直接决定发光二极管 (LED) 的亮度, 它的价格高低左右着 LED 的经济性 氧化亚氮 (N 2 O): 在化学气相沉积 (CVD) 工艺中, 可用于制备掺杂二氧化硅膜, 在某些条件下, N 2 O 可代替高纯 NH 3 用来生产氮化硅掩蔽膜, N 2 O 的 砷烷 (AsH 3 ): 用于半导体工业中外延硅的 N 型掺杂 ; 硅中 N 型扩散 ; 离子注入 ; 生长砷化镓 ( GaAs) 磷砷化镓 ( GaAsP) 以及与 Ⅲ / Ⅴ 族元素形成的化合物半导体 25/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

26 我国电子气体的发展从整体上看, 相对落后于国外同行水平 电子气体其特点是 超纯 超净 超前, 由于它应用于 IC 工艺的各个环节, 有的用量非常小, 但又不能缺少, 同时其本身又多为易燃 易爆 有毒物质, 需要从业人员有极高的业务能力, 又需要非常大的资金投入 目前我国高纯电子气体处于美国 AP 公司 美国普莱克斯公司 德国林德公司 法国液化空气集团等跨国公司的高度垄断中, 其垄断的现状亟需被打破, 发展高纯电子气体, 对我国电子行业具有重要意义 目前高纯特种电子气体的研发与产业化已作为我国极大规模集成电路制造装备及成套工艺的核心部分被列入我国国家科技重大专项, 与大型飞机 载人航天与探月工程等 16 个重大专项一起被列入 国家中长期科学和技术发展规划纲要 ( ) 2015 年全球电子特种气体市场达 74 亿美元, 主要生产供应商是美国气体化工 (APCI) 美国普莱克斯(Praxair) 日本昭和电工 (Showa Denko) 英国 BOC 公司 法国液化空气 (Air Liquid) 日本酸素公司等 2015 年国内市场规模达 85 亿元, 其中应用于半导体电子特气 55.3 亿元 目前全球主要的跨国气体公司均在中国设有生产基地, 国内高纯气体市场几乎被外资企业垄断 图 33: 国内电子气体竞争格局 资料来源 : 浙商证券研究所 表 7: 国内特种气体主要生产企业 企业名称中船重工集团 718 所黎明化工研究设计院华特气体上海正帆北京绿菱中宁硅业首山科技海宁英德赛江苏金宏 代表产品 NF3 CF4 SF6 CHF3 C4F8 ASH3 CHF3 含氟有机气体 SiH4 SiH4 NH3 NH3 26/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

27 大连科利德浙江半导体材料研究所光明化工研究院浙江博瑞电子科技 ( 巨化股份 ) 南大光电启源装备 NH3 SiH4 磷化氢氯乙烷 一氧化碳 硫化氢 Cl2 HCl NF3 NH3 F2 含氯有机气体 35 吨高纯磷烷 15 吨高纯砷烷锗烷 + 砷烷 + 磷烷 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 南大光电 ( SZ): 借助 02 专项 + 多年技术积累, 特气进入业绩释放期投资 : 此项目总投资为 3 亿元人民币, 分多期进行投资建设, 一期投资为 1.28 亿元, 其中自有资金 2,000 万元, 国家和地方配套资金 4,268 万元, 公司拟使用超募资金 6, 万元 公司将通过 3 年的建设 投产及实现销售, 达到年产 35 吨高纯磷烷气体和年产 15 吨高纯砷烷气体的生产规模 产品纯度均达到 6N 标准, 满足集成电路及 LED 等行业需求标准, 同时建成高纯电子材料研发平台, 为公司新的高纯电子材料产品的研发和产业化提供技术保障 收益 : 项目达产后, 预计年销售收入平均为 14,738 万元, 实现净利润 7,744 万元, 投资回收期 4.7 年 ( 包含建设期优势 : 公司依托在高纯电子材料领域的多年研发和产业化优势, 于 2013 年承担了 极大规模集成电路制造装备及成套工艺 ( 简称 02 专项 ) 中的 高纯砷烷 磷烷等特种气体的研发和中试 子课题, 计划将在 3 年内完成高纯磷烷和砷烷气体的研发 中试及实现销售, 实现高纯磷烷和砷烷气体的国产化, 打破国外技术封锁, 满足半导体等行业的需求, 进一步提升我国高纯电子材料的技术水平 进度 : 公司控股子公司全椒南大光电完成了 7 条生产线的建设, 具备了生产 35 吨高纯磷烷 15 吨高纯砷烷等产品的生产能力, 各项技术指标达到了项目要求, 建成的生产线和相应的生产设施通过了安徽省的专家安全生产验收和认证 这些工作为全椒南大光电 2016 年进入规模销售奠定了良好的基础 公司继续积极引进集成电路产业电子材料方面的高级研发人才, 与国内主要的集成电路芯片制造企业密切配合, 研发所需电子材料, 其中已有产品进入上述企业产品线测试, 其它产品正在组织研发中 启源装备 ( SZ): 设立合资公司, 锗烷 + 砷烷 + 磷烷投资 : 本项目总投资人民币 6320 万元, 其中建设投资人民币 5860 万元, 铺底流动资金人民币 460 万元 2012 年 4 月, 公司拟和领先固体电子技术材料有限公司联合其他投资者设立启源 ( 陕西 ) 领先电子材料有限公司, 进行特种气体材料的生产, 公司使用超募资金 400 万美元, 占合资公司比例为 40% 项目达产后, 实现年产 10 吨锗烷 30 吨砷烷 30 吨磷烷的高纯气体生产装臵 收益 : 项目达产后, 预计年销售收入平均为 万元, 年利润总额人民币 4735 万元 优势 : 公司借助上市募集资金, 依托自身管理优势, 结合领先固体电子技术材料有限公司技术优势, 实施特种电子材料建设项目, 将为公司提供新的利润增长点 进度 : 公司 2015 年年报表示, 特种电子气体材料项目正在进行设备的安装调试工作, 未能投产 巨化股份 (600160): 投资多种电子气体, 未来放量可期高纯电子气体项目 ( 一期 ) 投资 : 总投资为 15, 万元, 其中固定资产投资 14, 万元, 建设期利息 304,58 万元, 铺底流动资金 万元 项目达产后, 实现年产 1000 吨高纯氯化氢 500 吨高纯氯气 1000 吨医药级氯化氢 27/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

28 收益 : 项目达产后可实现年均销售收入为 8, 万元, 年均利润总额 5, 万元 优势 : 与公司现有湿电子化学品业务形成品种 规模集聚与协同效应, 培育公司新的利润增长点, 对加快公司电子化学品业务培育, 优化产业结构, 完善产业链, 使公司在电子化学品领域形成国内领先优势具有积极意义 进度 : 本项目建设周期主要分为成立阶段 开工前期准备阶段 施工阶段 投产阶段等四个阶段, 本项目建设周期为 18 个月 用途 : 本项目涉及的高纯电子气体, 广泛应用于集成电路制造 太阳能电池 化合物半导体 液晶显示器 光纤等 其中高纯氯化氢主要用于半导体芯片生产过程中的清洗和外延生长工艺 ; 高纯氯气主要用于液晶平板显示器 光纤和半导体行业, 被用作蚀刻气体和脱水剂 ; 医药级氯化氢产品主要用于医药合成原料 高纯电子气体项目 ( 二期 ) 投资 : 本项目为高纯电子气体项目 ( 二期 ), 总投资为 12, 万元, 其中固定资产投资 10, 万元, 铺底流动资金 2, 万元 项目达产后, 实现年产 200 吨高纯电子级二氧化碳 150 吨高纯电子级氧化亚氮 500 吨高纯电子级含氟气体 200 高纯电子级含氯气体 4000 瓶高纯电子级混合气体 收益 : 本项目达产后可实现年均销售收入 20, 万元, 年均利润总额 4, 万元 优势 : 巨化股份具有开展本项目必需的原料 基础技术 综合配套 产业集聚等优势, 为本项目的顺利实施提供了坚实的基础和保障进度 : 本项目建设周期为 36 个月 用途 : 本项目涉及的高纯二氧化碳主要用于半导体芯片制造中稀释剂及膜沉积的氧源 ; 高纯氧化亚氮主要用于半导体芯片 平板显示器及太阳能等领域的膜沉积的氮源 氧源 ; 高纯含氟气体主要用于集成电路 液晶平板显示行业的蚀刻及清洗 ; 高纯含氯气体主要应用于集成电路 液晶平板显示及太阳能的气相沉积以及高端 CVD 设备的清洗 ; 电子混合气体主要用于集成电路 平板显示 LED 太阳能的沉积 掺杂等 含氟特种气体项目投资 : 本项目为含氟特种气体项目, 总投资为 80, 万元, 其中固定资产投资 75, 万元, 铺底流动资金 5,000 万元 项目达产后, 实现年产 2000 吨电子级三氟化氮 50 吨电子级六氟丁二烯生产规模 收益 : 本项目达产后可实现年均销售收入 42, 万元, 年均利润总额 21, 万元 进度 : 本项目建设周期为 24 个月 用途 : 本项目涉及的高纯三氟化氮用于集成电路 液晶平板显示 太阳能 光纤等行业的清洗及气相沉积设备的清洗 ; 高纯六氟丁二烯主要应用于超大规模集成电路等超高端电子产业的蚀刻 28/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

29 8. 半导体材料之七 : 靶材国产化替代进程有待加速 靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料, 靶材是广泛应用于半导体 磁记录 平面显示 太阳能电池 玻璃 电子 汽车 工模具 装饰等领域的核心材料, 市场前景广阔 据统计,2011 年全球靶材市场容量约为 400 亿元, 市场需求量以每年超过 30% 的速度快速增长 在高端靶材方面, 技术尚被美国 日本 德国等少数国家所垄断 近年来, 我国电子信息产业飞速发展, 集成电路 光盘及显示器生产线均有大量合资或独资企业出现, 我国已逐渐成为了世界上薄膜靶材的最大需求地区之一 迄今为止, 中国 ( 包括台湾 ) 还没有生产靶材的专业大公司, 大量靶材仍从国外进口, 特别是技术含量高的靶材 与此同时, 中国国内微电子 太阳能光伏等高科技产业快速发展, 大陆和台湾的靶材市场需求仍将日益扩大 溅射属于物理气相沉积技术的一种, 是制备电子薄膜材料的主要技术之一, 它利用离子源产生的离子, 在高真空中经过加速聚集, 而形成高速度能的离子束流, 轰击固体表面, 离子和固体表面原子发生动能交换, 使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面, 被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料, 称为溅射靶材 图 34: 溅射靶材工作原理 资料来源 : 浙商证券研究所 溅射靶材主要由靶坯 背板等部分构成, 其中, 靶坯是高速离子束流轰击的目标材料, 属于溅射靶材的核心部分, 在溅射镀膜过程中, 靶坯被离子撞击后, 其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜 ; 由于高纯度金属普遍较软, 而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程, 机台内部为高电压 高真空环境, 因此, 背板主要起到固定溅射靶材的作用, 且需要具备良好的导电 导热性能 表 8: 按照不同的分类方法 序号分类标准产品类别 1 按形状分类长靶 方靶 圆靶 2 按化学成份分类 3 按应用领域分类 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 金属靶材 ( 纯金属铝 钛 铜 钽等 ) 合金靶材( 镍铬合金 镍钴合金等 ) 陶瓷化合物靶材( 氧化物 硅化物 碳化物 硫化物等 ) 半导体芯片靶材 平面显示器靶材 太阳能电池靶材 信息存储靶材 工具改性靶材 电子器件靶材 其他靶材 29/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

30 溅射靶材的应用领域广泛, 由于应用领域的不同, 溅射靶材对金属材料的选择和性能要求存在一定的差异, 具体 情况如下 : 表 9: 按照不下游应有领域不同分类 应用领域 金属材料 主要用途 性能要求 半导体芯片 超高纯度铝 钛 铜 钽等 制备集成电路的关键原材料 技术要求最高 超高纯度金属 高精度尺寸 高集成度 平面显示器高纯度铝 铜 钼等, 掺锡氧化铟 (ITO) 高清晰电视 笔 记本电脑等 技术要求高 高纯度材料 材 料面积大 均匀性程度高 太阳能电池 高纯度铝 铜 钼 铬等,ITO 薄膜太阳能电池 技术要求高 应用范围大 信息存储 铬基 钴基合金等 光驱 光盘等 高储存密度 高传输速度 工具改性 纯金属铬 铬铝合金等 工具 模具等表面强化 性能要求较高 使用寿命延长 电子器件 镍铬合金 铬硅合金等 薄膜电阻 薄膜电容 要求电子器件尺寸小 稳定性好 电阻温度系数小 其他领域 纯金属铬 钛 镍等 装饰镀膜 玻璃镀膜等 技术要求一般, 主要用于装饰 节能等 资料来源 : 互联网 浙商证券研究所 靶材制约着溅镀薄膜的物理 力学性能, 影响镀膜质量, 因而靶材质量评价较为严格, 主要应满足要求 : 1) 杂质 含量低, 纯度高 靶材的纯度影响薄膜的均匀性 2) 高致密度 高致密度靶材具有导电 导热性好 强度高等优点, 使用这种靶材镀膜, 溅射功率小, 成膜速率高, 薄膜不易开裂, 靶材使用寿命长, 而且溅镀薄膜的电阻率低, 透光率高 3) 成分与组织结构均匀 靶材成分均匀是镀膜质量稳定的重要保证 4) 晶粒尺寸细小 靶的晶粒尺寸越细小, 溅镀薄 膜的厚度分布越均匀, 溅射速率越快 目前靶材专利不多, 主要为日本和美国所有 ( 日本最多 ), 欧洲和中国也有一些, 但数量较少 已公示靶材专利主 要集中于保护靶材的制备工艺, 少量专利保护靶材材料设计 ( 且主要集中于添加稀土元素, 改良原有基靶的性能 ) 从 中国目前国情来看, 制备工艺专利仅具有形式上的约束作用, 而很难有实质性的制约 因而, 靶材的生产不会出现无 铅钎料面对的国外专利规避问题 在集成电路制造过程中, 溅射靶材用于制备互连线薄膜和阻挡层薄膜 目前集成电路制造用得最多的互连线材 料是 Al 及 Al 合金, 相应的阻挡层金属是 Ti 或 WTi 世界上主要的集成电路制造用溅射靶材的生产厂家有 :Tosoh SMD, Honeywell, Paxair(MRC), Nikko, Cabot 主 要生产溅射系统的厂家有 :Applied materials, Anelva, Novellus(Varian), Ulvac, MRC 30/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

31 表 10: 全球前 7 大溅射靶材制造商 排名 公司 靶材工厂所在地 1 Johnson Matthey Electronics 美国 日本 韩国 台湾 英国 2 Leybold Materials CmbH 德国 美国 新加坡 3 Tosoh SMD 日本 韩国 美国 4 Japan Energy 日本 美国 5 Material Research Corp 美国 法国 日本 韩国 6 Vacuum Metallurgical Co 日本 7 W. C. Heraeus CmbH 德国 美国 资料来源 : 国内外磁控溅射靶材的现状及发展趋势 浙商证券研究所 国内靶材研发生产的基地目前主要集中在北京和广东地区, 江浙 湖南 河北 江西 甘肃等地也有一些 厂商开展了靶材的研发与生产 由于靶材原料纯度 生产装备和工艺研发技术的限制, 我国靶材制造业还处于初创 期, 国内靶材生产企业基本属于质量和技术门槛较低 采用传统加工方法 依靠价格取胜的低档次溅射靶材生产 者, 或获利有限的代工型加工厂 生产规模小, 品种单一, 技术还不稳定, 迄今为止, 中国 ( 包括台湾 ) 还没有生产靶材的专业大公司, 大量靶材还需从国外进口, 特别是技术含量高和产品纯度高的靶材还不得不依赖 进口 图 35: 高纯溅射靶材产业链 资料来源 : 浙商证券研究所 20 世纪 90 年代以来, 随着消费电子等终端应用市场的飞速发展, 高纯溅射靶材的市场规模日益扩大, 呈现高速增长的势头 据统计,2014 年世界高纯溅射靶材市场的年销售额约 85.7 亿美元 据预测, 未来 5 年, 世界溅射靶材的市场规模将超过 160 亿美元, 高纯溅射靶材市场规模年复合增长率可达到 13% 31/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

32 图 36: 高纯溅射靶材产业链 图 37: 我国半导体芯片用溅射靶材市场规模及预测情况 半导体, 11.6 平板显示器, 13.6 其他, 2 记录媒体, 25.5 单位 : 亿美元 亿元 25% 20% 15% 10% 太阳能电池, 15.2 触摸屏, E 2016E 5% 0% 资料来源 : 浙商证券研究所 资料来源 : 浙商证券研究所 中国集成电路用溅射靶材市场规模 增长率 隆华节能 ( SZ): 首家实现钼靶材量产, 具备高端 TFT-LCD 客户投资 :2014 年 12 月, 公司以 9300 万元全资收购洛阳高新四丰电子材料有限公司, 标志公司进入到新材料领域 四丰电子成立于 2001 年 6 月, 是国内首家实现量产的高端钼靶材生产企业, 主要产品是 TFT-LCD 行业用钼平面溅射靶 四丰电子的核心产品为高纯钼溅射靶材, 高纯钼溅射靶材是钼行业的新兴 高端产品, 要求产品密度大 纯度高 组织均匀且生产工序长, 具有很高的技术含量 收益 : 四丰电子 2015 年度 2016 年度 2017 年度 2018 年度的承诺净利润 ( 净利润以扣除非经常性损益后为准, 以下简称 承诺净利润 ) 分别不低于 1,100 万元 1,900 万元 2,800 万元 3,600 万元 优势 : 四丰电子现拥有年产 120 吨大型钼靶材生产线, 其中 700mm*3000mm 的平面靶材及长度为 2300mm 管形靶材是目前国内尺寸最大钼溅射靶材, 产品已经得到了美国 TOSOH 韩国 COMAT (LG 代表 ) 万达( 台湾友达代表 ) 日本 ADV( 台湾奇美代表 ) 日本爱发科 京东方 飞利浦和华星光电(TCL) 等企业的认证, 台湾群创正在认证中,80% 用于出口 有研新材 ( SH): 8-12 寸集成电路靶材投资 :2014 年 5 月 9 日晚间公告, 有研新材全资子公司有研亿金投资 2 亿元用于建设高纯金属靶材产业化建设项目 新增工艺设备共计 80 台 ( 套 ), 新建建筑面积 13,950 平方米 收益 : 项目建设完成后, 有研亿金将拥有 8-12 英寸集成电路靶材产能 19,700 块 / 年, 新增销售收入 43, 万元 / 年, 新增净利润 5, 万元 / 年 优势 : 有研亿金自主开发了 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材 圆片级先进封装用超高纯铜靶材 公司在国内已经开发了 30 多种金属靶材, 依靠优质的产品和服务赢得了客户的信任, 逐步占领集成电路国内 4~6 英寸线市场, 正在进入 8 英寸线以上市场, 并形成一定的规模化生产 进度 : 本项目建设周期为 27 个月, 预计 2# 生产厂房的建设期为 16 个月, 拟 2015 年 7 月厂房投入使用,2016 年 7 月项目完成试运行 验收,2016 年底项目达产 32/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

33 9. 半导体材料之八 : 封装材料将优先国产替代 半导体封装材料包括高密度多层基板 无铅锡球 Under 厚膜光刻胶 陶瓷管壳 灌封胶 高纯化学试剂 普通化学试剂 IC 载板 环氧树脂等 封装材料相对上游晶圆制造材料总体技术门槛较易, 有望优先国产替代 兴森科技 ( SZ): 国内 IC 载板稀缺标的投资 :2012 年总投资 4 亿元用于建设实施集成电路封装载板建设项目, 定位于以高端集成电路封装载板 (FC 基板 ) 制造为主, 中端集成电路封装载板 (CSP 及 BGA 基板 ) 制造为辅, 涵盖多品种 中小批量快速交付订单及大批量订单的全方位制造服务 收益 :IC 载板年产能 1.2 万平米, 按照单价约 4150 元 / 平米, 合计约 5 亿元销售收入 进度 :2015 年第四季度, 单月产出突破 3000 平方米, 初步实现量产能力 目前全球 IC 载板供给主要集中在日本 中国台湾地区和韩国, 由于 IC 载板行业技术壁垒 资金壁垒 市场壁垒很高, 中国本土 PCB 企业大部分从事中低端常规 PCB 产品的生产, 不具备涉足 IC 载板行业的条件 中国大陆持续旺盛的 IC 载板市场需求与本土 IC 载板稀少的供给之间将长期形成巨大的供需缺口 IC 载板或称 IC 基板, 主要功能是作为载体承载 IC, 并以 IC 载板内部线路连接晶片与印刷电路板 (PCB) 之间的讯号 IC 载板能够保护电路, 固定线路并导散余热, 是封装过程中的关键零件, 占封装成本的 40%, 市场需求超过百亿美金, 随着国内封装产业崛起将带来 IC 在载板国产化机遇 ; 此外, 随着晶圆制造技术的演进, 对于晶圆布线密度 传输速率及讯号干扰等性能提出了更高的需求, 使得对高性能 IC 载板的需求也逐渐增加 宏昌电子 ( SH): 环氧树脂可用于半导体封装投资 :2012 年 IPO 募投月 9980 万美元投资电子用高科技化学品项目 总共年产 8 万吨环氧树脂项目, 包括液态型环氧树脂 吨, 阻燃型环氧树脂 吨, 无卤环氧树脂 1400 吨, 无铅制程专用环氧树脂 2600 吨, 固化剂 3000 吨, 水性环氧树脂 2000 吨, 稀释型环氧树脂 6000 吨 收益 : 项目达产后, 实现年销售收入为 亿元, 年均净利润为 1.20 亿元 该项目预计将公司的总产能提高到 15.3 万吨, 投资收益率为 24.66%, 税前内部收益率为 15.33%, 动态投资回收期 ( 税前 ) 为 5.3 年 投资 : 作为电子工业中不可缺少的绝缘材料, 环氧树脂被用作覆铜板 (CCL) 的基材, 而覆铜板作为印制电路板的基础材料几乎应用于每一种电子产品当中, 为环氧树脂在电子工业耗用量最大的应用领域 ; 其次是用于各种电子零件的封装, 包括传统显像管显示器使用的高压包 电容器及 LED 的封装材料 ; 半导体和集成电路的封装中也大量使用环氧塑封材料 进度 : 预计年内投产 33/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

34 10. A 股半导体材料相关公司整理 我们梳理了 A 股上市公司中涉及半导体材料领域的相关企业, 包括大硅片领域的上海新阳 + 兴森科技 有研新材 + 晶盛机电 + 中环股份, 高纯试剂领域的上海新阳 兴发集团, 掩膜版领域的菲利华 中芯国际,CMP 领域的鼎龙股份, 光刻胶相关领域的南大光电 飞凯材料 永太科技 强力新材, 电子气体领域的南大光电 启源装备 巨化股份, 靶材相关领域的隆华节能 有研新材, 封装材料相关领域的兴森科技 宏昌电子 表 11:A 股半导体材料 A 股相关公司 半导体材料 相关公司 大硅片 上海新阳 ( SZ)+ 兴森科技 ( SZ) 高纯试剂掩膜版 CMP 抛光垫光刻胶电子气体靶材封装材料 晶盛机电 ( SZ)+ 有研新材 ( SH)+ 中环股份 ( SZ) 上海新阳 ( SZ) 兴发集团( SH) 菲利华 ( SZ) 中芯国际(00981.HK) 鼎龙股份 ( SZ) 南大光电 ( SZ) 飞凯材料( SZ) 永太科技( SZ) 强力新材( SZ) 南大光电 ( SZ) 启源装备( SZ) 巨化股份( SH) 隆华节能 ( SZ) 有研新材( SH) 兴森科技 ( SZ) 宏昌电子( SH) 风险提示 行业景气度下行 ; 行业竞争加剧 34/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分

35 股票投资评级说明 以报告日后的 6 个月内, 证券相对于沪深 300 指数的涨跌幅为标准, 定义如下 : 1 买入 : 相对于沪深 300 指数表现 +20% 以上 ; 2 增持 : 相对于沪深 300 指数表现 +10%~+20%; 3 中性 : 相对于沪深 300 指数表现 -10%~+10% 之间波动 ; 4 减持 : 相对于沪深 300 指数表现 -10% 以下 行业的投资评级 : 以报告日后的 6 个月内, 行业指数相对于沪深 300 指数的涨跌幅为标准, 定义如下 : 1 看好 : 行业指数相对于沪深 300 指数表现 +10% 以上 ; 2 中性 : 行业指数相对于沪深 300 指数表现 -10%~+10% 以上 ; 3 看淡 : 行业指数相对于沪深 300 指数表现 -10% 以下 我们在此提醒您, 不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准 我们采用的是相对评级体系, 表示投资的相对比重 建议 : 投资者买入或者卖出证券的决定取决于个人的实际情况, 比如当前的持仓结构以及其他需要考虑的因素 投资者不应仅仅依靠投资评级来推断结论 法律声明及风险提示 本报告由浙商证券股份有限公司 ( 已具备中国证监会批复的证券投资咨询业务资格, 经营许可证编号为 :Z ) 制作 本报告中的信息均来源于我们认为可靠的已公开资料, 但浙商证券股份有限公司及其关联机构 ( 以下统称 本公司 ) 对这些信息的真实性 准确性及完整性不作任何保证, 也不保证所包含的信息和建议不发生任何变更 本公司没有将变更的信息和建议向报告所有接收者进行更新的义务 本报告仅供本公司的客户作参考之用 本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户 本报告仅反映报告作者的出具日的观点和判断, 在任何情况下, 本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议, 投资者应当对本报告中的信息和意见进行独立评估, 并应同时考量各自的投资目的 财务状况和特定需求 对依据或者使用本报告所造成的一切后果, 本公司及 / 或其关联人员均不承担任何法律责任 本公司的交易人员以及其他专业人士可能会依据不同假设和标准 采用不同的分析方法而口头或书面发表与本报告意见及建议不一致的市场评论和 / 或交易观点 本公司没有将此意见及建议向报告所有接收者进行更新的义务 本公司的资产管理部门 自营部门以及其他投资业务部门可能独立做出与本报告中的意见或建议不一致的投资决策 本报告版权均归本公司所有, 未经本公司事先书面授权, 任何机构或个人不得以任何形式复制 发布 传播本报告的全部或部分内容 经授权刊载 转发本报告或者摘要的, 应当注明本报告发布人和发布日期, 并提示使用本报告的风险 未经授权或未按要求刊载 转发本报告的, 应当承担相应的法律责任 本公司将保留向其追究法律责任的权利 浙商证券研究所 上海市浦东南路 1111 号新世纪办公中心 16 层邮政编码 : 电话 :(8621) 传真 :(8621) 浙商证券研究所 : 35/35 请务必阅读正文之后的免责条款部分