HeaderTable_User 18!! 18!! 18!! 18!! 18!! 18!! 18!! 19!! 19!! 810267106 1013244114 1361147007 1726549013 HeaderTable_Industry 13020500 看好 investratingchange.sa me 173833581 电子行业 内存接口芯片行业科创板公司 : 澜起科技 报告起因 6 月 13 日, 在第十一届陆家嘴论坛上举行了科创板开板仪式, 为科创板开板的领导有中共中央政治局委员 国务院副总理刘鹤, 中共中央政治局委员 上海市委书记李强, 中国证监会主席易会满, 上海市市长应勇, 这体现了国家对科创板的高度重视 电子行业科创公司众多, 是科创板重点关注和大力支持的行业, 多公司备受关注, 其中便包括了澜起科技, 澜起也于 6 月 13 日下午过会 本报告将详细阐述内存接口芯片行业的发展情况并分析行业竞争格局 行业评级看好中性看淡 ( 维持 ) 国家 / 地区中国 /A 股行业电子报告发布日期 2019 年 06 月 14 日行业表现电子沪深 300 14% 0% -14% 深度报告 核心观点 内存接口芯片是 CPU 存取内存数据的必由通路 : 内存接口芯片是内存模组的核心器件, 作用主要是提升内存数据访问的速度和稳定性, 以匹配 CPU 日益提高的运行速度和性能 内存接口芯片伴随内存标准的发展依次走过了 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 时代, 性能逐渐提高 DDR5 预计将于 2019 年推出, 与 DDR4 相比, 工作电压更低 (1.1V), 且传输有效性和可靠性再次得以提升, 可轻松实现 4800MT/s 的高运行速率, 是 DDR4 最高速率的 1.5 倍 内存接口芯片市场规模有望稳步增长, 竞争格局稳定 : 从 DDR2 到 DDR5, 服务器 DIMM 数量和单个 DIMM 的容量均逐渐增加, 单个内存模组的使用的内存接口芯片数量也逐渐增加 DDR4 LRDIMM 时代使用的内存接口芯片数量从 DDR3 的 1 个增加到 10 个, 到 DDR5 将继续增加到 11 个 2016 年内存接口芯片市场规模约为 2.8 亿美元, 到 18 年增加到约 5.5 亿美金, 三年 CAGR 高达 40% 未来, 云计算和大数据的快速增长将带来数据中心巨大需求, 内存接口芯片市场规模有望持续提升 内存接口芯片认证过程严格, 厂商想要进入主流市场需通过严格的认证, 需通过 CPU 厂商 内存供应商如三星 美光等及服务器厂商的认证, 只有三轮认证通过后才能获得合格的内存接口芯片供应商资格, 这其中以 CPU 厂商的认证最为关键 技术难度和应用环境决定了内存接口芯片行业市场集中度高, 全球仅约 3 家厂商, 其中 IDT 和澜起合计占据超过 90% 的市场份额 -28% -43% 资料来源 :WIND 证券分析师蒯剑 021-63325888*8514 kuaijian@orientsec.com.cn 执业证书编号 :S0860514050005 王芳 021-63325888*6068 wangfang1@orientsec.com.cn 执业证书编号 :S0860516100001 马天翼 021-63325888*6115 matianyi@orientsec.com.cn 执业证书编号 :S0860518090001 联系人杨旭 021-63325888-6073 yangxu@orientsec.com.cn 行业 证券研究报告 投资建议与投资标的 建议关注内存接口芯片行业, 该行业竞争格局较为稳定且寡头垄断, 市场规 模有望随云计算和大数据的快速增长而增长 风险提示 内存接口芯片市场发展不及预期的风险 相关报告 5G 基站上游迎电子企业参与良机 2019-06-05 科创板首批受理 9 家企业, 半导体独占 3 东方证券股份有限公司经相关主管机关核准具备证券投资咨询业务资格, 据此开展发布证券研究报告业务 东方证券股份有限公司及其关联机构在法律许可的范围内正在或将要与本研究报告所分析的企业发展业务关系 因此, 投资者应当考虑到本公司可能存在对报告的客观性产生影响的利益冲突, 不应视本证券研究报告为作出投资决策的唯一因素 席 2019-03-25
目录 内存接口芯片是 CPU 存取内存数据的必由通路... 4 内存接口芯片市场规模有望稳步增长, 竞争格局稳定... 7 投资建议... 12 风险提示... 12 2
图表目录 图 1: 内存接口芯片是 CPU 存取内存数据的必由通路... 4 图 2: 内存接口芯片封装在内存条中, 用于数据中心等领域... 4 图 3:DDR2 时代 1 个内存模组中使用 1 个 AMB 芯片... 4 图 4:DDR3 时代 1 个内存模组使用 1 个缓冲器芯片 (RCD/MB)... 5 图 5:DDR4 时代一个内存模组使用 9 个 DB+1 个 RCD... 6 图 6: 美光将于 2019 年开始量产 DDR5 DRAM... 6 图 7:DDR5 时代一个内存模组使用 10 个 DB+1 个 RCD... 6 图 12: 从 DDR2-DDR5, 单个内存模组使用的内存接口芯片数量不断增加... 7 图 13: 从 DDR3-DDR5, 内存模组容量和价值量不断增加... 7 图 14: 全球内存接口芯片市场规模 ( 亿美元 )... 8 图 15:18-20 年中国 X86 服务器出货量将持续增长 ( 台 )... 8 图 8:Intel 在全球服务器 CPU 的市占率高达 95%... 9 图 9: 全球 DRAM 市场被前三家垄断... 9 图 10: 内存接口芯片市场集中度高... 9 图 11: 澜起科技采用 fabless 模式... 9 图 16: 澜起发展历程... 10 图 17: 澜起科技内存接口产品覆盖 DDR2-DDR5... 11 图 18: 澜起科技营收构成情况... 11 3
内存接口芯片是 CPU 存取内存数据的必由通路 内存接口芯片是内存模组 ( 又称内存条 ) 的核心器件, 是 CPU 存取内存数据的必由通路, 作用主要是提升内存数据访问的速度和稳定性, 以匹配 CPU 日益提高的运行速度和性能 内存接口芯片按功能可分为寄存缓冲器 (RCD) 数据缓冲器(DB) 和内存缓冲器 (MB) 三类 其中, RCD 用于存储缓冲来自内存控制器的地址 / 命令 / 控制信号, 作用是进行数据传输的控制和分配,DB 用于存储来自内存控制器或内存的数据信号,MB 同时具备 RCD 和 DB 功能, 可由单颗芯片 ( 高级内存缓冲器 AMB 或 MB) 实现, 也可由 RCD 和 DB 套片实现 搭载不同数量 RCD DB 和 MB 构成了不同内存接口协议 (DDR) 标准下的 DRAM 模组 图 1: 内存接口芯片是 CPU 存取内存数据的必由通路 图 2: 内存接口芯片封装在内存条中, 用于数据中心等领域 数据来源 : 电子技术设计 东方证券研究所 数据来源 : 互联网 东方证券研究所 根据 JEDEC( 固态技术协会 ) 标准, 内存接口芯片依次走过了 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 时代, 性能逐渐提高 DDR2 即第 2 代双倍速率 SDRAM 内存标准, 早在 1998 年开始研究, 在 2003 年通过 LEDEC 规格标准化,2006 年开始普及 DDR2 在时钟上升或下降沿同时进行数据传输, 支持 4 位数据内存预读取能力 在 DDR2 时代,AMB( 高级内存缓冲器 ) 是 FBDIMM( 全缓冲双直插内存模组 ) 架构的关键芯片 FBDIMM 的意义在于通过高速 串行和点对点接口与内存控制器和其他 FBDIMM 通信, 有效解决了传统并行内存架构存在的速度与容量难以兼顾的问题, 带来服务器和高性能计算机性能的飞跃, 但 AMB 功耗高的问题 DDR2 时代 1 个内存模组中使用 1 个 AMB 芯片 图 3:DDR2 时代 1 个内存模组中使用 1 个 AMB 芯片 4
数据来源 : 澜起科技官网 东方证券研究所 DDR3 即第 3 代双倍速率 SDRAM 内存标准, 于 2002 年开始开发,2009 年底三星正式推出当时全球单颗密度最大的 DDR3 芯片, 标志着行业进入 DDR3 时代 与 DDR2 相比,DDR3 支持 8 位数据内存预读取能力, 即内存预读取能力提高了两倍, 且使用电压更低, 更为节能 DDR3 时代 1 个内存模组使用 1 个缓冲器芯片 (RCD/MB) 图 4:DDR3 时代 1 个内存模组使用 1 个缓冲器芯片 (RCD/MB) 数据来源 : 澜起科技官网 东方证券研究所 DDR4 即第 4 代双倍速率 SDRAM 内存标准, 于 2014 年年底 2015 年年初推出 与 DDR3 和 DDR2 相比,DDR4 的传输速率和数据可靠性进一步提升, 可实现 8n-bit 内存预读取, 最高可实现 32 位, 且采用 1.2V 工作电压, 更为节能 DDR4 时代一个内存模组使用 9 个 DB+1 个 RCD 5
图 5:DDR4 时代一个内存模组使用 9 个 DB+1 个 RCD 数据来源 : 澜起科技官网 东方证券研究所 DDR5 即第五代双倍速率 SDRAM 内存标准, 美光预计将于 2019 年推出 与 DDR4 相比,DDR5 工作电压更低 (1.1V), 且传输有效性和可靠性再次得以提升, 可轻松实现 4800MT/s 的高运行速率, 是 DDR4 最高速率的 1.5 倍 DDR5 将满足高端云计算和高速存储的需求 DDR5 时代一个内存模组使用 10 个 DB+1 个 RCD 图 6: 美光将于 2019 年开始量产 DDR5 DRAM 数据来源 : 美光 东方证券研究所 图 7:DDR5 时代一个内存模组使用 10 个 DB+1 个 RCD 6
数据来源 : 澜起科技官网 东方证券研究所 内存接口芯片市场规模有望稳步增长, 竞争格局稳定 从 DDR2 到 DDR5, 服务器 DIMM 数量和单个 DIMM 的容量均逐渐增加, 单个内存模组的使用的内存接口芯片数量也逐渐增加 DDR4 LRDIMM 时代使用的内存接口芯片数量从 DDR3 的 1 个增加到 10 个, 到 DDR5 将继续增加到 11 个 图 8: 从 DDR2-DDR5, 单个内存模组使用的内存接口芯片数量不断增加 接口协议标准 内存模组 内存接口芯片 数量 / 个 DDR2 FBDIMM AMB 1 DDR3 RDIMM RCD 1 LRDIMM MB 1 DDR4 LRDIMM DB RCD 9 1 RDIMM RCD 1 DDR5 LRDIMM DB RCD 10 1 RDIMM RCD 1 数据来源 : 互联网 澜起科技官网 东方证券研究所 图 9: 从 DDR3-DDR5, 内存模组容量和价值量不断增加 7
数据来源 : 美光 东方证券研究所 2016 年内存接口芯片市场规模约为 2.8 亿美元, 到 18 年增加到约 5.5 亿美元, 三年 CAGR 高达 40% 未来, 云计算和大数据的快速增长将带来数据中心巨大需求, 内存接口芯片市场规模有望持 续提升 图 10: 全球内存接口芯片市场规模 ( 亿美元 ) 图 11:18-20 年中国 X86 服务器出货量将持续增长 ( 台 ) 数据来源 : 澜起招股书 东方证券研究所 数据来源 :IDC 东方证券研究所 内存接口芯片认证过程严格 内存接口芯片是 CPU 和内存之间通信的桥梁, 内存接口芯片厂商想要进入主流市场需通过严格的认证, 首先需通过 CPU 厂商 Intel 等认证, 然后需通过内存供应商如三星 美光等认证, 最后还需通过服务器厂商的认证 只有三轮认证通过后才能获得合格的内存接口芯片供应商资格, 这其中以 CPU 厂商的认证最为关键 此外,CPU 市场和存储器市场均为高度集中的市场, 这也增加了认证的难度 内存接口芯片集中度高, 全球仅约 3 家厂商, 其中 IDT 和澜起合计占据超过 90% 的市场份额 全球服务器 服务器用 CPU 市场和 DRAM 市场均高度集中,Intel 占据 CPU 95% 市场, 三星 美光 8
和海力士占据大半 DRAM 市场, 这决定了内存接口芯片行业也将是高度集中的行业 采用 Intel 服务器平台的厂商也只能使用通过 Intel 认证的产品,DDR4 时代通过 Intel 内存接口芯片认证的公司仅有澜起 IDT 和 Inphi 三家, 其中澜起是第一个获得认证的厂商 DDR5 对内存接口芯片的要求提升, 行业壁垒提升 图 12:Intel 在全球服务器 CPU 的市占率高达 95% 图 13: 全球 DRAM 市场被前三家垄断 数据来源 : 澜起科技 东方证券研究所 数据来源 :techspot.com 东方证券研究所 图 14: 内存接口芯片市场集中度高 数据来源 : 互联网 澜起科技 东方证券研究所 行业内的公司多采用 Fabless 模式 以澜起科技为例, 公司采用 Fabless 模式, 代工厂主要是台积 电 中芯国际等, 封测厂主要是星科金朋 矽品, 公司产品直接销售给存储器模组制造商, 包括三 星 海力士和美光等, 以及全球领先 DRAM 模组供应商金士顿 (Kingston) Ramaxel 和 Unigen 图 15: 澜起科技采用 fabless 模式 9
数据来源 : 澜起科技 东方证券研究所 IDT 于 1980 年在美国成立, 是全球传感器 互联和无线电源等模拟混合信号产品领先供应商, 核心技术包括 RF 高性能定时 存储接口 实时互联 光互联 无线电源和智能传感器 公司内存接口芯片占公司营收比重约为 30%, 实现全产品覆盖 Rambus 成立于 1990 年, 总部位于美国, 从成立之初便致力于高端存储产品的研发 澜起科技成立于 2004 年, 第一款机顶盒解决方案于 05 年推出, 从 06 年开始, 公司针对云计算市场推出存储器接口解决方案, 最初聚焦为供应 Intel 的 FBDIMM 产品, 同年推出业界最低功耗 AMB 07 至 09 三年间, 公司收到三星的第一个 AMB 订单和世界最大互联网公司的 DDR3 订单 10 年公司开始出货机顶盒 SoC 产品 11 年, 公司收购了摩托罗拉杭州中心, 营收超过 5000 万美元并开始盈利, 产品上将重心转移至 LRDIMM 13 年, 公司提供了两款存储器解决方案以用于 RDIMM 的缓冲寄存器以及 LRDIMM 的存储缓冲器 14 年, 公司退市并私有化, 同时发布支持 Intel 新一代 Xeon ES-2600 V3 系列处理器的内存接口套片 17 年, 公司推出津逮 CPU 转让消费电子芯片 图 16: 澜起发展历程 数据来源 : 招股书 东方证券研究所 10
澜起内存接口芯片 18 年占营收比例 99.5%, 全球市占率 46%, 覆盖 DDR2-DDR4 内存接口协议标准产品, 是全球唯一在 DDR3 和 DDR4 两代内存全缓冲解决方案商上得到 Intel 认证的厂商, 并已推出符合 DDR5 标准的 RDIMM RCD LRDIMM RCD LRDIMM DB 产品 目前, 公司已踏上科创板征程, 并已于 6 月 13 日顺利过会 图 17: 澜起科技内存接口产品覆盖 DDR2-DDR5 数据来源 : 澜起科技 东方证券研究所 澜起内存接口芯片毛利率高, 且从公司披露的数据可见,2016-2018 年公司该产品毛利率分别为 63% 66% 和 71%, 呈逐年提高趋势 内存接口芯片在某一代产品的生命周期里, 单价遵循电子 产业的规律会有所下降, 但技术的进步会带来新产品售价的提升, 从而推动公司毛利率的上升 图 18: 澜起科技营收构成情况 11
数据来源 :wind 招股书 东方证券研究所 投资建议 建议关注内存接口芯片行业, 该行业竞争格局较为稳定且寡头垄断, 市场规模有望随云计算和大数 据的快速增长而增长 风险提示 内存接口芯片市场发展不及预期的风险 : 若 DDR5 推进速度不及预期或云服务和大数据的增长不 及预期, 则内存接口芯片市场发展可能不及预期 12
分析师申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明 : 分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该证 券或发行人的看法和判断 ; 分析师薪酬的任何组成部分无论是在过去 现在及将来, 均与其在本研 究报告中所表述的具体建议或观点无任何直接或间接的关系 投资评级和相关定义 报告发布日后的 12 个月内的公司的涨跌幅相对同期的上证指数 / 深证成指的涨跌幅为基准 ; 公司投资评级的量化标准买入 : 相对强于市场基准指数收益率 15% 以上 ; 增持 : 相对强于市场基准指数收益率 5%~15%; 中性 : 相对于市场基准指数收益率在 -5%~+5% 之间波动 ; 减持 : 相对弱于市场基准指数收益率在 -5% 以下 未评级 由于在报告发出之时该股票不在本公司研究覆盖范围内, 分析师基于当时对该股 票的研究状况, 未给予投资评级相关信息 暂停评级 根据监管制度及本公司相关规定, 研究报告发布之时该投资对象可能与本公司存在潜在的利益冲突情形 ; 亦或是研究报告发布当时该股票的价值和价格分析存在重大不确定性, 缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确投资评级 ; 分析师在上述情况下暂停对该股票给予投资评级等信息, 投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该股票的投资评级 盈利预测及目标价格等信息不再有效 行业投资评级的量化标准 : 看好 : 相对强于市场基准指数收益率 5% 以上 ; 中性 : 相对于市场基准指数收益率在 -5%~+5% 之间波动 ; 看淡 : 相对于市场基准指数收益率在 -5% 以下 未评级 : 由于在报告发出之时该行业不在本公司研究覆盖范围内, 分析师基于当时对该行业的研究状况, 未给予投资评级等相关信息 暂停评级 : 由于研究报告发布当时该行业的投资价值分析存在重大不确定性, 缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确行业投资评级 ; 分析师在上述情况下暂停对该行业给予投资评级信息, 投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该行业的投资评级信息不再有效
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