國立中山大學學位論文典藏
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![db/km ps/ km-nm 1.55µm 0.2dB/km 1.3µm 1.55µm 1.3µm [1] 1-1 1.55µm 1.3µm In x Ga 1-x As y P 1-y x y 1.1µm 1.](/docs-images/93/114391282/images/1-0.jpg "65µm InGaAlAs [2,3] InGaAsP Lattice constant InP 1-2 0.75eV In 0.53 Ga 0.47 As 1.47eV In 0.52 Al 0.")
1 db/km ps/ km-nm 1.55µm 0.2dB/km 1.3µm 1.55µm 1.3µm [1] µm 1.3µm In x Ga 1-x As y P 1-y x y 1.1µm 1.65µm InGaAlAs [2,3] InGaAsP Lattice constant InP eV In 0.53 Ga 0.47 As 1.47eV In 0.52 Al 0.48 As [4] 9
2 InGaAsP InGaAlAs near field far field FP [5-7] 10
3 near field intensity distribution E y x far field distribution [1] f + ( θ ) = R( r ) g( θ ){ Ey( x) ( ikoxsin θ ) dx } exp 1.1 R( r) = k 0 exp i exp ( ik 0r) 2πr π g ( θ) Huygen s obliquity factor far field angle r propagation distance ( θ ) cosθ g = 1.3 neff + cosθ far field intensity distribution If = f ( θ ) 2 normalized far field intensity distribution è o 0 o If If ( θ ) ( 0) = f f ( θ ) ( 0) ( θ ) ( 0) 2 ( x) exp( dxik 0x θ ) Ey g sin 2 = g + E ( x) 2 y dx 2 (1.4) full width of half maximum FWHM [8,9] 11
4 Spot size converter laser SSC Laser [10-14] 12
5 1-1 [1] 13
6 1-2 [1] 14
7 1-3 [4] 1-4 [14] 15
8 1-5 [14] µm GaAs 1.3µm 1.55µm InP LP-MOVPE 1.55µm InGaAlAs/InP InGaAsP/InP 16
9 Spot size converter laser SSC laser µm 1.55µm InGaAsP InGaAlAs [15] InGaAlAs offsets E c / E g =0.75 InGaAsP offsets E c / E g =0.4 InGaAlAs 17
10 InGaAlAs Optical confinement factor InGaAlAs Mentalorganic chemical vapor deposition MOCVD InGaAlAs InP InGaAlAs As InGaAsP As P InGaAsP InGaAlAs InGaAlAs bonding regrowth [15-17] InGaAsP Active region Cladding layer Double heterostructure DH 18
11 Multi-quantum well Strain-compensation Auger recombination Strain Separate-confinement heterostructure SCH Cladding layer Guard layer 19
12 µm 4µm 2.5µm 1µm 2-3 InGaAlAs 2-1 W S W S W S near field far field S 0.1µm W W S=0µm 20
13 S=0µm S=0.1µm W 0.7µm S=0.1µm µm 17 o 32 o µm 19 o 31 o µm 14 o 31 o µm 16 o 27 o 2-3 S=0µm S=0.1µm 21
14 S=0µm W=0.7µm S=0.1µm W=0.7µm InGaAsP T=0µm W=0.7µm T=0.2µm W=0.7µm T=0.3µm W=0.7µm T InGaAlAs 22
15 2-1 InGaAlAs Layer Material Thickness Doping Wavelength Index 32 InGaAs 0.2µm P , GRIN P-Q 50nm P P-InP 1.2µm P(1e18) InAlAs 50nm P(1e18) GRIN Al-Q 50nm P Guard layer ---- P S 26 GRIN Al-Q 50nm P In.524 Ga.056 Al.42 As ---- P W 24 In.524 Ga.056 Al.42 As 0.1µm I GRIN Al-Q 80nm I Barrier 7 9.3nm I Wells 6 8.4nm I GRIN Al-Q 80nm I In.524 Ga.056 Al.42 As 0.1µm I W 7 In.524 Ga.056 Al.42 As ---- N(1e18) GRIN Al-Q 50nm N Guard layer ---- N S 4 GRIN Al-Q 50nm N InAlAs 50nm N(1e18) GRIN Al-Q 10nm N InP (buffer) 0.5µm N(1e18) InP (100) ~350µm N Barrier In.4426 Ga.405 Al.1524 As Well In.73 Ga.18 Al.09 As Guard layer In.4426 Ga.405 Al.1524 As 23
16 2-2 InGaAsP Layer Material Thickness Doping Wavelength 29 InGaAs 0.2µm P GRIN P-Q 50nm P ~ InP 0.6µm P Guard layer 1 0.2µm P Guard layer P 1.1 T 24 InP ---- P 1.05 W 23 InP 0.1µm I SCH µm I SCH µm I 1.25 Barrier µm I 1.25 Wells µm I SCH2 0.05µm I SCH1 0.04µm I InP 0.1µm I 1.05 W 4 InP ---- N Guard layer N 1.1 T 2 Guard layer 1 0.2µm N InP (buffer) 0.6µm N 0 InP (100) ~350µm N + Barrier In.75 Ga.25 As.55 P.45 Well In.58 Ga.42 As.90 P.10 Guard layer 1 In.85 Ga.15 As.33 P.67 Guard layer 2 In.75 Ga.25 As.55 P.45 SCH 1 In.85 Ga.15 As.33 P.67 SCH 2 In.75 Ga.25 As.55 P.45 24
17 W W Substrate S S 2-1 InGaAlAs W W Substrate T T 2-2 InGaAsP 25
18 2.5 µm 2.5 µm 200 µm 250 µm 50 µm 300 µm 150 µm 50 µm 1µm 4µm 2-3 1
19 θ (degree) θ θ W (µm) 2-4 S=0µm InGaAlAs µm 2.5-4µm W θ θ θ (degree) W (µm) 2-5 S=0.1µm InGaAlAs µm 2.5-4µm W 2
20 θ (degree) θ θ W (µm) 2-6 S=0µm InGaAlAs µm 2.5-4µm W θ (degree) θ θ W (µm) 2-7 S=0.1µm InGaAlAs µm 2.5-4µm W 3
21 θ (degree) θ θ W (µm) 2-8 S=0µm InGaAlAs µm 2.5-1µm W θ (degree) θ θ W (µm) 2-9 S=0.1µm InGaAlAs µm 2.5-1µm W 4
22 θ (degree) θ θ W (µm) 2-10 S=0µm InGaAlAs µm 2.5-1µm W θ (degree) θ θ W (µm) 2-11 S=0.1µm InGaAlAs µm 2.5-1µm W 5
23 2-3 InGaAlAs µm 2.5-4µm S=0µm W=0.7µm µm 2.5-4µm µm 2.5-1µm µm 2.5-1µm 18 o 19 o 17 o 17 o 26 o 27 o 26 o 26 o µm 2.5-4µm S=0.1µm W=0.7µm µm 2.5-4µm µm 2.5-1µm µm 2.5-1µm 17 o 14 o 19 o 16 o 32 o 31 o 31 o 27 o 3-1 Board-area laser 6
24 1 3-1 a b 1. Spinner 2. HMDS 4500rpm AZ5214E 4500 rpm C c 1. Alignment Shipley µm 14 7
25 p 1. HCl H 2 O Ti 500 / Pt 750 / Au 4000 RTA 8
26 3-1 d µm 3-1 e f InGaAs InP 1. InGaAs H 2 SO 4 H 2 O 2 H 2 O InP 2. InP HCl H 3 PO InP InGaAs g 350µm 100µm 1. 3µm 100µm 9
27 n 3-1 h 1. HCl H 2 O Ti 500 / Pt 750 / Au Rapid thermal annealing RTA 425 C
28 (a) (b) 100 µm (c) (d)
29 (e) (f) (g) (h)
30 ( weakly index-guided ) ( strongly index-guided ) (1) 3-2(a) (2) 3-2(b) (SiO 2 ) Plasma enhancement chemical vapor deposition PECVD 250 SiH 4 N 2 O
31 (3) 3-2(c) 4500rpm 40 (4) 3-2(d) 10 (trench) (5) 3-2(e) Reaction ion etching RIE CF 4 (6) 3-2(f) (7) 3-2(g) Reaction ion etching RIE (CH 4 ) (H 2 ) (Ar) (8) 3-2(h) =
32 (a) (b) 250 o C 2 PR (c) 10µm (d) 3-2 (a) (b) (c) (d) 15
33 (e) (f) (g) (h) 3-2 (e) (f) (g) (h) 16
34 3-2-2 p 1µm 4µm p (self-alignment) (1) 3-3(a) (2) 3-3(b) (3) (4) 3-3(c) 17
35 (5) 3-3(d) 10µm (6) 3-3(e) (7) 3-3(f) (trench) (mask) (8) 3-3(g) p (9) 3-3(h) 18
36 250 o C (a) SiO o C SiO 2 PR (b) PR (c) 10µm (d) 3-3 (a) (b) (c) (d) 19
37 (e) (f) (g) SiO 2 (h) 3-3 (e) (f) (g) (h) 20
38 3-2-3 p (1) (2) p (3) (InGaAs) = (4) p / / (Ti/Pt/Au 500 /750 /4000 ) (Rapid thermal anneal RTA) (5) (lift-off) p (acetone) 21
39 3-2-4 Laser (1) (lamping) (polishing) 100µm (2) n / / (Ti/Pt/Au 500 /750 /4000 ) (3) (4) ( ) (5) (bar) (scriber) (cleaver) 4-1 InGaAlAs InGaAsP 22
40 100µm L-I curve I-V curve TE cooler 25 L-I curve I-V curve
41 4-2 InGaAlAs/InP InGaAlAs Photo-luminescence Cladding layer 1.55µm 4-5 Zn MOCVD 24
42 4-3 InGaAsP/InP InGaAlAs/InP InGaAsP/InP T=0µm T=0.2µm T=0.2µm T=0µm 1600mA T=0µm 1800mA T=0.2µm 100µm T=0µm µm 20mA 30mW 200mA 25
43 µm 2.5-1µm - 18 o 28 o µm 2.5-4µm 20 o 26 o 26
44 4-1 [4] 27
45 Current (A) µm 600 µm 900 µm 1200 µm Voltage (V) 4-2 InGaAlAs S=0µm Current (A) µm 600 µm 900 µm 1200 µm Voltage (V) 4-3 InGaAlAs S=0.1µm 28
46 Current (A) µm 300 µm 300 µm 300 µm Voltage (V) 4-4 InGaAlAs S=0.2µm 4-5 InGaAlAs PL 29
47 40 35 Power(mW) Current(mA) 4-6 T=0µm InGaAsP Power(mW) Current(mA) 4-7 T=0.2µm InGaAsP 30
48 Power(mW) Current(mA) 4-8 T=0µm InGaAsP µm 2.5-1µm Power(mW) Current(mA) 4-9 T=0µm InGaAsP µm 2.5-4µm 31
49 Power(mW) Current(mA) 4-10 T=0.2µm InGaAsP µm 2.5-1µm power(mw) Current(mA) 4-11 T=0.2µm InGaAsP µm 2.5-4µm 32
50 Power (mw) Current (ma) 4-12 T=0.3µm InGaAsP µm 2.5-1µm Power (mw) Current (ma) 4-13 T=0.3µm InGaAsP µm 2.5-4µm 33
51 1.2 intensity (normalized) θ θ 18 o 28 o θ (degree) 4-14 T=0µm InGaAsP µm 2.5-1µm 1.2 intensity (normalized) θ θ 20 o 26 o θ (degree) 4-15 T=0µm InGaAsP µm 2.5-4µm 34
52 InGaAlAs InGaAsP InGaAlAs 16 o 27 o InGaAsP 18 o 26 o 30 o 40 o W T=0µm 2.5-1µm µm 23mA 18 o 28 o T=0µm 2.5-4µm µm 22mA 20 o 26 o T=0.2µm 2.5-1µm 35
53 µm 178mA T=0.2µm 2.5-4µm µm 182mA T=0.3µm 2.5-1µm µm 60mA T=0.3µm 2.5-4µm µm 162mA [1] Govind P. Agrawal, Niloy K. Dutta, Semiconductor Lasers, Van Nostrand Reinhold, [2] A. Kasukawa, R. Bhat, C. E. Zah, M. A. Koza, and T. P. Lee, Very low threshold current density 1.5µm GaInAs/AlGaInAs graded-index separate-confinement-heterostructure strained quantum well laser diode grown by MOCVD, Appl. Phys. Lett., vol. 59, pp , [3] M. L. Xu, G. L. Tan, J. M. Xu, M. Irikawa, H. Shimizu, T. Fukushima, Y. Hirayama, and R. S. Mand, Ultra-high differential 36
54 gain in GaInAs-AlGaInAs quantum wells experiment and modeling, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 7, , [4] [5] I. Moerman, M. D`Hondt, W. Vanderbauwhede, P. Van Daele, P. Demeester, and W. Hunziker, InGaAsP/InP strained MQW laser with integrated modesize converter using the shadow masked growth technique, Electron. Lett., vol. 31, pp , [6] T.Brenner, W. Hunziker, M. Smit, M. Bachmann, G. Guekos, and H. Melchior, Vertical InP/InGaAsP tapers for low-loss optical fiber-waveguide coupling, Electron. Lett., vol. 28, no. 22, pp , [7] G. Muller, B. Stegmuller, H. Westermeier, and G. Wenger, Tapered In/InGaAsP waveguide structure for efficient fiber-chip coupling, Electron. Lett., vol. 25, pp , [8] K. Kasaya, Y. Hando, M. Okamoto, O. Mitomi, and M. Nagamuma, Monolithically integrated DBR Lasers with simple tapered waveguide for low loss fiber coupling, Electron. Lett., vol. 29, no. 23, pp , [9] J.N.Walpole, Semiconductor amplifiers and lasers with tapered gain regions, Opt. Quantum Electron., vol. 28, pp ,
55 [10] G. R. Hadley, Design of tapered waveguides for improved output coupling, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 5, pp , [11] D. E. Bossi, W. D. Goodhue, M. C. Finn, K. Rauschenbach, J. W. Bales, and R. H. Rediker, Reduced-confinement antennas for GaAlAs integrated optical waveguides, Appl. Phys. Lett., vol. 56, no. 5, pp , [12] E. Colas, A. Shahar, and W. J. Tomlinson, Diffusion-enhanced epitaxial growth of thickness-modulated low-loss rib waveguide on patterned GaAs substrates, Appl. Phys. Lett., vol. 56, no. 10, pp , [13] R. J. Deri, C. Caneau, E. Colas, L. M. Schiavone, N. C. Andradakis, G. H. Song, and E. C. M. Pennings, Integrated optical mode-size tapers by selective organometallic chemical vapor deposition of InGaAsP/InP, Appl. Phys. Lett., vol. 61, no. 8, pp , [14] Ingrid Moerman, Peter P. Van Daele, and Piet M. Demeester, A Review on fabrication technologies for the Monolithic Integration of Tapers with III-V Semiconductor Devices, IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., vol. 3, no. 6, pp , [15] M. Alloven and M. Quillec, Interest in AlGaInAs on InP for optoelectronic applications, IEE Proceedings-J, vol. 139, no. 2, pp. 38
56 , [16] E. V. K. Rao, P. Ossart, H. Thibierge, M. Quillec, and P. Bradshaw, Enhancement of group III atom interdiffusion by non-dopant oxygen implant in InGaAs-InAlAs MQW, Appl. Phys. Lett., vol. 57, pp , [17] M. Alloven, M. Quillec, M. Blez, and C. Kazmierski, MBE growth index AlGaInAs MQW lasers on InP, J. Crys. Growth, vol. 111, pp ,
1.31µm VCSEL (2/2) 932001INER013 1 1.2 4 5 6 7 8... 12...23 2 a MOCVD 2 %InGaAsN SQW photoluminescencepl. 11 b MBE 5.3 %InGaAsN SQW........ 11 InGaAlAs...... 12 a InP/InGaAlAsInAlAs/InGaAlAs 35 DBR...13
國立中山大學學位論文典藏.PDF
InGaAsP Planarized InGaAsP Semiconductor Lasers for Giga-bit Applications 1 1 1.3µm SiO 2 (Benzocyclobutene, BCB) BCB SiO 2 SiO 2 laser die 500µm 300µm mount submound 34mA 1.31V 10.1Ω 76 3dB 1.9G 2 Abstract
[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig
![[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig](/thumbs/91/106435555.jpg "[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig")
40 6 2011 6 Vol.40 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun. 2011 808 nm 2000 W 1 1 1 1 2 2 2 2 2 12 (1. 710119 2. 710119) : bar 808 nm bar 100 W 808 nm 20 bar 2 000 W bar LIV bar 808 nm : : TN248.4 TN365
穨技術動態文章.PDF
VCSEL Vertical-Cavity Surface Emitting VCSEL Laser VCSEL VCSEL Edge Emitting Laser VCSEL VCSEL LED EEL VCSEL VCSEL (ma) 100 40 12 (Ohms) 3 6 30 (GHz) > 0.1 1-10 1-10 (db/hz) -120-120 EMI (ma) NA 15 0.5-5
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Single Mode Buried Polymer Waveguides on Silicon Substrate ?????? (SiO 2 ) (Single mode buried polymer waveguides) BPM CAD (trench) (Benezocy-clobutene, BCB) (guiding layer) SiO 2 (bottom cladding layer)
無投影片標題
LED 亮度 LED 呂 e-mail: cclu@epistar.com.tw Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency Improve and Cost Down Summary Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency
= = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) e - + Ar Ar + + 2 e - (1) = = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ i ) (q
高功率LED製程技術
率 Reporter: Date: May 11,2006 1 率 LED 率 LED 率 LED 度 論 2 LED 3 LED 4 GaN 率 率 5 Conventional versus Power LED From Lumileds 6 TYNTEK 40 mil Power chip 7 臨 n1 sin 1 = n2 sin 2 n2 2 n1 1 8 Light Extraction
<4D F736F F F696E74202D208E9197BF362D32288CF68A4A298DC C55F92C789C18D9E2E707074>
1/30 (1) (2) (3) 2/30 (1) 3/30 (1) * * * * * * * 100% (1) /4 4 5/30 (1) 50 nm 10 nm(mfm) 5150% MFM MFM (etc) MFM II-T MFM MFM (etc) 6/30 (1) @2005 MFM 100% MFM2010 7/30 (1) 10nm (2006.6) 2 @ MFM CoFeCT300/3
引言
常 壓 電 漿 原 理 技 術 與 應 用 1. 徐 逸 明 經 理 馗 鼎 奈 米 科 技 股 份 有 限 公 司 2. 游 閔 盛 研 發 工 程 師 馗 鼎 奈 米 科 技 股 份 有 限 公 司 3. 郭 有 斌 高 級 工 程 師 台 灣 凸 版 國 際 彩 光 股 份 有 限 公 司 4. 黃 傑 博 士 班 研 究 生 國 立 成 功 大 學 化 學 工 程 系 5. 洪 昭 南 教
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz 23 90 CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94/188GHz LC class-b 0.70 0.75 mm 2 pad 1 V 19.6 ma (ƒ
No. Name Wave Length (nm) Mode P(ulsed) C(ontinuous) Output Power (MOP) Medical Indications Solid Laser 1. Rubin 694.3 P * Surgery: 2 Nd-YAG 1064 P/C
39 No. Name Wave Length (nm) Mode P(ulsed) C(ontinuous) Output Power (MOP) Medical Indications Solid Laser 1. Rubin 694.3 P * Surgery: 2 Nd-YAG 1064 P/C 1-100W Surgery: Gas Laser 3 HeNe 632.8 C 1-20mW
<4D F736F F F696E74202D AD4955D89BF8FDA8DD790E096BE C835B E707074>
e-trace 132 1617 1872 p32-12 1/71 2/71 . GPS AIST 17 1-12 p32-39 3/71 GPS NMIJGPSGPS time GPS #N 1 GPS #N 2 GPS GPS #N 3 TA TA GPS _ time TA T T GPS _ time T T AB B A B T T T T ( T TB) B A B B A 4/71 16
NANO COMMUNICATION 23 No. 2-3D IC 29 6T SRAM, ReRAM, sense amplifiers, analog amplifiers and gas sensors was integrated to confirm the superiority in
5 28-3D IC Low-Cost and TSV-free Monolithic 3D-IC with Heterogeneous Integration of Logic, Memory and Sensor Analogy Circuitry for Internet of Things 綉 3D IC (MOSFET) 40 50% 3D IC 3D IC IO(ultra-wide-IO)
2010年度山东省精品课程申报表
2011 年 度 山 东 省 精 品 课 程 申 报 表 ( 本 科 ) 推 荐 单 位 烟 台 大 学 所 属 学 校 否 ( 是 否 部 属 ) 课 程 名 称 电 磁 学 课 程 类 型 理 论 课 ( 不 含 实 践 ) 理 论 课 ( 含 实 践 ) 实 验 ( 践 ) 课 所 属 一 级 学 科 名 称 所 属 二 级 学 科 名 称 课 程 负 责 人 (07) 理 学 (0702)
<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D20A5FAB971A562BEC9C5E9BB73B57BB35DB3C6A4B6B2D0>
光 電 半 導 體 製 程 設 備 介 紹 電 子 光 子 能 階 升 授 課 老 師 : 林 彥 勝 博 士 夸 克 原 子 核 E-mail: yslin@mail.cna.edu.tw 能 階 降 Content 潔 淨 室 (Cleaning Room) 薄 膜 沈 積 (Thin Film Deposition) 化 學 汽 相 沉 積 法 MOCVD ( Metal Organic Chemical
11 : 1341,( r) g { t ( r) exp [i ( t - ) ]} - ( r) 5 { t ( r) exp [i ( t - ) ]} 5 t =, (7) = n ( r) (5) (4), 5 a 5 t ( r) exp [i ( t - ) ] + 5 a 5 ( -
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11 11 : 5339 () 111345 ACTA OPTICA SIN ICA Vol.,No. 11 November, 3 (, 371) : ;,,, : ; ; : TN53 : A 1,, [13 ] [4 1973, ], g E( r, t) = 5 E( r, t), 1974 5 t + 5 P ( r, t) 5 t, (1) Marcuse [5 ], P ( r, t)
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林 Dr. Chia-Feng Lin Department of Materials Engineering National Chung Hsing University Phone: 04-22840500#706 E-mail: cflin@dragon.nchu.edu.tw - 1 a-si TFTs Color filter TFT substrate Polarizer Backlight
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4 020 Application Trend and Fabrication Introduction of 3D Integrated Circuits Through Silicon Vias Technology Abstract The three-dimensional integrated circuits through silicon vias (3D IC TSV) technology
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第 37 卷 摇 216 年 5 月 第 5 期 发 摇 光 摇 学 摇 报 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol 郾 37 No 郾 5 May, 216 文 章 编 号 : 1 鄄 732(216)5 鄄 556 鄄 5 射 频 等 离 子 硫 钝 化 GaAs(1) 的 表 面 特 性 许 留 洋, 高 摇 * 欣, 袁 绪 泽, 夏 晓 宇, 曹 曦 文,
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Physics of Moiré Pattern in Atomic Scale Pilkyung Moon New York University Shanghai Physics Solid State Physics Atomic species Periodicity of atoms determine material properties Period of atoms Material
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集成光电子器件及设计 第 5 章新型耦合器件与原 理 II: 器件与结构 主讲教师 : 戴道锌教授 Email: dxdai@zju.edu.cn Tel: 15168345057 浙江大学光电系 1 Outline Structures and devices for coupling Butt coupling; Vertical coupling; Evanescent coupling; Mode
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E 2005, 35(3): 225~241 225 * (, 200062;, 200050;, 200062;, 200032).. 200....,..,,, 5~8 a [1].,.,, 30~50 a. 20 70,. 6. 180, 24,.,, 2004-04-17, 2004-12-09 * 973 ( : G2000067207-2) ( : 98Jc14015) 226 E 35,.,..,.,,,
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股票简称：士兰微 股票代码：600460
股 票 简 称 : 士 兰 微 股 票 代 码 :600460 杭 州 士 兰 微 电 子 股 份 Hangzhou Silan Microelectronics Co.,Ltd. ( 住 所 : 浙 江 省 杭 州 市 黄 姑 山 路 4 号 ) 开 发 行 债 券 保 荐 机 构 ( 主 承 销 商 ) ( 住 所 : 上 海 市 中 山 南 路 318 号 东 方 国 际 金 融 广 场 2
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光 电 复 合 光 缆 应 用 分 析 技 段 玉 圃 中 国 移 动 通 信 集 团 设 计 院 有 限 公 司 重 庆 分 公 司 重 庆 401147 摘 要 在 通 信 工 程 建 设 中 ( 特 别 是 基 站 建 设 ), 市 电 引 入 困 难 市 电 引 入 投 资 过 大 市 电 电 压 不 稳 及 经 常 停 电 等 各 种 因 素, 一 直 是 较 难 解 决 的 问 题 本
1 ( CIP) /,. :, ISBN X753 CIP ( 2005 ) : : : : /
( 50474050) ( 20040533011) 1 ( CIP) /,. :, 2005. 12 ISBN 7-81105-260-1............. X753 CIP ( 2005 ) 151885 : : 410083 : 0731-8876770 : 0731-8710482 880 1230 1 /32 11. 25 277 2006 3 1 2006 3 1 ISBN 7-81105-260-1
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http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 1 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 2 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999
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本 次 股 票 发 行 后 拟 在 创 业 板 市 场 上 市, 该 市 场 具 有 较 高 的 投 资 风 险 创 业 板 公 司 具 有 业 绩 不 稳 定 经 营 风 险 高 退 市 风 险 大 等 特 点, 投 资 者 面 临 较 大 的 市 场 风 险 投 资 者 应 充 分 了 解 创 业 板 市 场 的 投 资 风 险 及 本 公 司 所 披 露 的 风 险 因 素, 审 慎 作 出
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承認書 APPROVAL SHEET 廠商 : 客戶 : 麗智電子 ( 昆山 ) 有限公司 核準審核制作核準審核簽收 公 司 章 公 司 章 Liz Electronics (Kunshan) Co., LTD No. 989, Hanpu Road Kunshan City Jiangsu Province China Tel:0086-0512-57780531 Fax:0086-0512-57789581
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国 家 级 实 验 示 范 中 心 申 请 书 推 荐 单 位 : 山 东 省 教 育 厅 学 校 名 称 : 青 岛 大 学 中 心 名 称 : 中 心 网 址 : 物 理 实 验 中 心 http://phylab.qdu.edu.cn/ 中 心 联 系 电 话 : 0532-85955977 中 心 通 讯 地 址 : 申 报 日 期 : 青 岛 市 宁 夏 路 308 号 2008 年 7
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566 Global Solar CIGS 613 1415 1623 64II 33 34 48 28 26 ............................................................. 1...................................................... 6..............................................
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32 3 2011 3 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol. 32 No. 3 Mar. 2011 1000-7032 2011 03-0227-05 CdS 221116 TEOS - CdS XRD - CdS 5. 1 nm CdS CdS 0. 5% CdS - O482. 31 PACS 78. 55. -m PACC 7855 A DOI 10. 3788
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32 1 Vol. 32, No. 1 2014 2 PROGRESS IN ASTRONOMY Feb., 2014 doi: 10.3969/j.issn.1000-8349.2014.01.07 VLBI 1,2 1,2 (1. 200030 2. 200030) VLBI (Digital Baseband Convertor DBBC) CDAS (Chinese VLBI Data Acquisition
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26 12 2005 12 CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 26 No. 12 Dec.,2005 3 1,2,g 1,2 1,2 3 (1, 100876) (2, 100876) (3, 100083) :..,,,,,. : ; ; ; PACC : 0365 ; 2110D ; 7280 E : O469 : A : 025324177 (2005)
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3 5 018 10 Vol. 3 No. 5 JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Oct. 018 150080 Matlab /Simulink DOI 10. 15938 /j. jhust. 018. 05. 011 TM35 A 100-683 018 05-006- 06 Stator Harmonic Optimal
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32 2 2014 4 Journal of Arid Meteorology Vol. 32 No. 2 Apr 2014. 08. 03 J. 2014 32 2256-262 LU Guirong WANG Wen YU Huaizhenget al. The Influence of Damrey Typhoon on 08. 03 Rainstorm Process in Rizhao of
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37 5 2018 9 GeologicalScienceandTechnologyInformation Vol.37 No.5 Sep. 2018 doi:10.19509/j.cnki.dzkq.2018.0506. [J].,2018,37(5):49-53. ( ) 300459) : PL 10 30% : ; ; ; :P618.13 :A :1000-7849(2018)05-0049-05
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電 子 構 裝 結 構 分 析 徐 祥 禎 ( 義 守 大 學 機 械 與 自 動 化 工 程 學 系 副 教 授 ) 前 言 電 子 構 裝 (Electronic Packaging), 主 要 是 利 用 固 定 接 著 技 術, 將 積 體 電 路 (Integrated Circuit, IC) 晶 片 固 定 在 承 載 襯 墊 (Die Pad) 上, 並 利 用 細 微 連 接 技
穨光纖與光纜.PDF
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以低溫電漿技術處理空氣污染物現況評析
mbchang@ncuen.ncu.edu.tw 03-4227151 4227151-46634663 300 Introduction of Plasmas 2 600~800 200~400 (< () ) ~ ~ ~ ~ ~ ~~~ 1. 1. 2. 2. 3 ( ) >> ( ) 4 v.s. 100 % 10-4 ~ 10-1 % 1 10-6 ~ 10-2 torr * (Tg) >
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第 1 部 分 目 錄 第 1 部 分 計 畫 執 行 成 果 摘 要 Ⅰ 頁 次
經 濟 部 經 濟 部 工 業 局 102 年 度 專 案 計 畫 期 末 執 行 成 果 報 告 計 畫 名 稱 : 推 動 半 導 體 製 程 設 備 暨 零 組 件 躍 升 計 畫 契 約 編 號 :10231101004 執 行 期 間 : 全 程 : 自 99 年 01 月 25 日 至 102 年 12 月 20 日 止 本 年 度 : 自 102 年 01 月 01 日 至 102 年
國立中山大學學位論文典藏.PDF
AlGaN/GaN Transport Studies of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Quantum Well at Low Temperature and High Magnetic Field 1 2 ω * c = eb/ m θ Bcosθ 3 4 5 τ ω c hω c k B T δρ = T, B xx 2π E
; 3/2, Buck-Boost, 3 Buck-Boost DC-DC ; Y, Fig. 1 1 BBMC The topology of three phase-three phase BBMC 3 BBMC (Study on the control strategy of
26 2 2009 2 Control Theory & Applications Vol. 26 No. 2 Feb. 2009 : 1000 8152(2009)02 0203 06 Buck-Boost 1,2, 3, 2, 4, 1 (1., 411201; 2., 410083; 3., 411105; 4., 410004) :, Buck-Boost,.,,. :,,,, : Buck-Boost
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ICS 13.120 K 09 GB 4706.1 2005/IEC 60335-1:2004(Ed4.1) 1 Household and similar electrical appliances- Safety General requirements IEC60335-1 2004 Ed4.1,IDT 2005-08-26 2006-08-01 IEC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
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上 海 浦 东 新 区 2011 年 度 第 一 期 张 江 科 技 型 中 小 企 业 集 合 票 据 募 集 说 明 书 组 织 协 调 人 : 上 海 市 张 江 高 科 技 园 区 管 理 委 员 会 注 册 总 金 额 : 70,000 万 元 人 民 币 本 期 发 行 金 额 : 70,000 万 元 人 民 币 本 期 发 行 期 限 : 3 年 担 保 方 式 : 上 海 市 再
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第 36 卷 第 8 期 核 技 术 Vol. 36, No.8 2013 年 8 月 NUCLEAR TECHNIQUES August 2013 基 于 切 伦 科 夫 原 理 的 光 纤 束 损 探 测 系 统 研 制 刘 畅 1,2 冷 用 斌 1 俞 路 阳 1 周 伟 民 1( 中 国 科 学 院 上 海 应 用 物 理 研 究 所 嘉 定 园 区 上 海 201800) 2( 中 国
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钟 山 县 宏 源 矿 业 有 限 公 司 金 盘 地 铅 锌 银 矿 环 境 影 响 报 告 书 公 示 稿 中 国 有 色 桂 林 矿 产 地 质 研 究 院 有 限 公 司 二 零 一 五 年 八 月 目 录 前 言...1 1 建 设 项 目 的 特 点... 1 2 环 境 影 响 评 价 的 工 作 过 程... 1 3 关 注 的 主 要 环 境 问 题... 2 4 环 境 影 响
786 36, : ( GaA s),, ( 10-14 s ) -,, 2 2 :,,,, ( Si)(Cr: GaA s) (Fe: InP),, 3, : (1) ; (2) ; (3), P ( t) E THz 92 P ( t) 9 2 t 3 20 90, :,, ( ) ( ZeTe
36 Vol. 36, Supp lement 2006 9 LASER & INFRARED Sep tember, 2006 : 100125078 (2006) 20785207,,, (, 100037) : : ; ; ; : O434. 3; O456 : A The Theory and Some Applications of Terahertz Radiation L I Fu2li,