4 26 Silver Interconnect Technology Intel 22 Fin FET Abstract In view of commercial electronic product requirements, the integration circuit (IC
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7 Ag SiO 2 TiW Sample Orientation As-dep 400 o C 600 o C Random Ag/SiO 2 {200} + {511} {111} Random Ag/W-Ti {200} + {511} {111} Grain Boundary InterfaceScattering ALD 2002 M. Hauder 2005 R. Emling [12,13] µω-cm 5.25 µω-cm % R. Emling 20% 4.2 µω-cm Si [1] ITRS, 2011 [2] C. Zhao et al., Failure Mechanisms of PVD Ta and ALD TaN Barrier Layers for Cu Contact Applications, Microelectronic Engineering, v.84, pp , [3] Mike Mayberry, Peering through the Technology Scaling Fog, Symp. of VLSI, [4] M. Hauder et al., Scaling Properties and Electromigration Resistance of Sputtered Ag Metallization lines, Appl. Phys. Lett., v.78, pp , [5] B. S. Haran et al., 22 nm Technology Compatible Fully Functional 0.1 µm 2 6T-SRAM Cell, Proc. of IEDM, [6] O. Akhavan et al., Thickness Dependence on Thermal Stability of Sputtered Ag Nanolayer on Ti/Si(100), Applied Surface Science, v.254, pp , [7] L. Gao et al., Thermal Stability of Titanium Nitride Diffusion Barrier Flms for Advanced Silver Interconnects, Microelectronic Engineering, v.76, pp , 2004.
8 NANO COMMUNICATION 20 No.1 33 [8] S. K. Bhagat et al., Texture Formation in Ag Thin Flms: Effect of W-Ti Diffusion Barriers, J. Appl. Phys., v.104, pp , [9] Daniel Adams et al., Effectiveness of Reactive Sputterdeposited Ta-N films as Diffusion Barriers for Ag Metallization, J. Vac. Sci. Technol. B 22(5), pp , [10] Antti Niskanen et al., Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition of Silver Thin Films Using Phosphine- Adducted Silver Carboxylates, Chem. Vap. Deposition, v.13, pp , [11] Maarit Kariniemi et al., Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Silver Thin Films, Chem. Mater., v.23, pp , [12] M. Hauder et al., Chemical mechanical polishing of silver damascene structures, Microelectronic Engineering, v.64, pp , [13] R. Emling et al., Deposition and CMP of Sub 100 nm Silver Damascene Lines, Microelectronic Engineering, v82, pp , 2005.
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