|
|
|
- 堪 芒
- 7 years ago
- Views:
Transcription
1 1.31µm VCSEL (2/2) INER013 1
2
3 a MOCVD 2 %InGaAsN SQW photoluminescencepl. 11 b MBE 5.3 %InGaAsN SQW InGaAlAs a InP/InGaAlAsInAlAs/InGaAlAs 35 DBR...13 b InP/InGaAlAs InAlAs/InGaAlAs 35 DBR (I-V) nm VCSEL...13 a VCSEL.14 b VCSEL PL..14 a VCSEL.14 b VCSEL PL.14 a 16 b lasing lasing nm VCSEL 3
4 17 a 1550nm InGaAlAs b 1550nmInGaAlAs probe-station 21 a 30µm 1550nmVCSEL 22 b 30µm 1550nmVCSEL L-I-V 22 4
5 (>0.5%)N-InGaAs MOCVD 1550 nm VCSEL DBR InGaAsAs 1550 nm VCSEL DBR DBR VCSEL InGaAlAs InP/InGaAlAs DBR 10 TiO 2 /SiO 2 DBR F-P (Fabry-Perot) dip 1558 nm lasing 1562nm 1nm 30mW 2KA/cm nm VCSEL Trim 550 KeV VCSEL - - 5
6 In this project, 1550 nm VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) was epitaxy by MOCVD system has been simulated and fabricated using wafer bonding and proton-implanted. The processes and measurement systems of the 1550 nm VCSEL were also been established. Because of the wafer quality of N-InGaAs will degrade when the N content >0.5%, the material of active region in 1550nm is replaced by InGaAlAs, which is lattice matching with InP substrate. By concerning of wafer quality, the wafer consists of bottom-dbr and active region and the wafer only consist of top-dbr were respectively grown. These two wafers were bonded together successfully by wafer bonding. The VCSEL wafer consists of InP/InGaAlAs bottom-dbr, InGaAlAs active region and 10 pairs of TiO 2 /SiO 2 top-dbr was successfully optical pumped by 990nm Ti: sapphire laser. The F-P dip of the VCSEL was about at 1558 nm, the lasing wavelength is 1562 nm and the threshold pumping power is 30mW which is about 2KA/cm 2 of threshold current density. To optimize the opto-electronics characteristics of proton-implanted 1550 nm VCSEL, the energy of implanted was about 550 Kev obtained by the Trim simulator. Additionally, the opto-electronic measurement system of long wavelength was established to measure the L-I-V characteristics, near-field pattern and spectrum of the VCSEL. 6
7 1.55 µm (Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL) 1300nm LED 850nm 1300nm 1550nm 1300nm~1550nm 1300nm~1550nm 1300nm 1550nm 7
8 UCSB,Walter Schottky Inst., NTT Photonics Lab., Alcatel, Noval Crystal Sandial Lab. [1] [4] [5] [10] 850nm 980nm 850nm ( Edge Emitting Laser, EEL) 1300nm 1550nm nm GaAs/InGaAs/A1GaAs 1.55 µm 8
9 1.55µm VCSEL N-InGaAs 1.45µm InGaAsP AlInGaAs MOCVD PL X-raySEMTEM DBR DBR GaAs InP 1. PECVD E-gun TiO 2 /SiO 2 TiO 2 /SiO 2 a-si/sio 2 a-si/mgo 2. AlGaAs/GaAs DBR DBR 9
10 MOCVD spectro- meter n-k analyzer DBR DBR δ- DBR 3. InP InGaAsP AlInGaAs DBR Sb- AlGaAsSb InP InP InP 1. 10
11 nm VCSEL 1550 nm VCSEL (1) VCSEL Bond-Pad (2) 1550nm VCSEL DBR active layer > 10µm DBR crack DBR Fusion Bonded (3) 11
12 1550nm VCSEL DBR 6~7µm (4) 1550nm VCSEL - - L-I-V near-field pattern 12
13 1. N InGaAs N InGaAs N single quantum-wellsqw 210k 1450nm (0.855KeV) 210k sample (b)mbe 5.3 % InGaAsN SQW photoluminescencepl 190k 1500nm 190k > 0.5% [11] 1550nm InGaAlAs (d) Sample D intensity(a.u) K 180K 100K 70K 50K 10K Intensity (a. u.) K 40K 50K 70K 90K 110K 130K 150K 170K 190K photon energy(ev) Wavelength (nm) (a)mocvd 2 %InGaAsN SQW(b)MBE 5.3 %InGaAsN SQW photoluminescencepl 13
14 2. InGaAlAs InP InGaAlAs InGaAlAs InP PL 1520nm Intensity (a.u.) Wavelength InGaAlAs 1520nm 3. DBR InP DBR InP/InGaAlAs ( n = 0.34 )InAlAs/InGaAlAs ( n = 0.3 )InP/InGaAsP ( n = 0.27 ) InP/InGaAlAs InAlAs/InGaAlAs DBR 35 (a) 99% InP/InGaAlAs DBR 寛 (FWHM) 110 nm InAlAs/InGaAlAs DBR FWHM 100 nm (b) DBR InP/InGaAlAs DBR DBR 寛 InP/InGaAlAs DBR 14
15 R signal /R Au (%) InP/InGaAlAs DBRs (a) InAlAs/InGaAlAs DBRs Wavelength (nm) Current(mA) InP/InGaAlAsInAlAs/InGaAlAs 35 DBR (a) (b) I-V (b) InAlAs/InGaAlAs DBRs InP/InGaAlAs DBRs Voltage drop(mv) 4. InP 35 InP/InGaAlAs DBR 2 2λ InGaAlAs 1/2λ InP spacer 10 TiO 2 /SiO 2 DBR DBR InGaAlAs 1/2 λ InP InGaAlAs (SC-MQWs) 1/2 λ InP InP 5/4 λ InGaAlAs 5/4 λ TiO 2 x10 SiO 2 2 λ cavity InP 1/4 λ InGaAlAs 1/4 λ InP substrate x35 15
16 R signal /R Au PL a TiO 2 /SiO 2 DBR VCSEL F-P dip 1558nm b VCSEL PL PL peak 1510nm 54nm (a)(b) DBR PL TiO 2 /SiO 2 DBR a F-P dip 1558nm PL b peak 1558nm 寛 3.3nm b b Q PL 54nm 3.3nm Q 470nm Wavelength(nm) Wavelength(nm) a VCSEL b VCSEL PL R signal /R Au Wavelength(nm) 16 PL intensity (a.u.) PL intensity (a.u.) Wavelength(nm) a VCSEL b VCSEL PL
17 Ti:sapphire laser 990nm InGaAs Detector VCSEL optical pumping a b b VCSEL lasing 30mW 2KA/cm nm 1nm InP/InGaAlAs DBR InGaAlAs VCSEL lasing Spectrometer Ti:sapphire laser λ p = p 990nm isolator F = 150mm F = room temperature sample a nm Measured output power (a.u.) nm Wavelength(nm) Pumping power (mw) 17 λ=1562 nm P th =30 mw Equivalent threshold current density = 2 KA/cm 2 b lasing lasing
18 1. DBR 6 µm 550KeV 480 KeV 480keV Concentration ( A. U.) Energy 450 ev 500 ev 550 ev Depth (µm) 18 P-DBR 1550 nm VCSEL
19 2. (1) VCSEL (life-time) a b (a) 1550nm InGaAlAs P-Type Top DBR InGaAlAs MQW active region Bottom DBR n-inp substrate b1550nmingaalas 19
20 bond-pad 100x100150x x x300µm µm (2) wafer bonding 35 DBR InGaAlAs 34 DBR DBR InP GaAs/AlAs DBR DBR 25 99% 35 InP/InGaAlAs DBR InGaAlAs 25 GaAs/AlAs DBR 600 o C VCSEL GaAs sub. GaAs sub. VCSEL structure MQW InP sub. InP sub. InP sub. InP sub. (3) 20
21 1550 nm VCSEL (a) (ACE)3 (b) (CH3OH)3 (c) (D. I. Water)3 (d) wafer bonding (e) (f) wafer bonding (g) AZ5214E (pattern) (h) Ti/Au (200Å/2000Å) (i) p-metal (j) Au/Ge/Ni/Au (200Å/400Å/140Å/ 2000Å) n-gaas subutrate (k) (RTA) (anneal) (l) 1550nmVCSEL 21
22 DBR 6 µm AZ4620 (m) (n) (4) DBR p-alas/gaas n-inp/ingaalas DBR p-alas/gaas Ti/Au n-inp Au/Ge/Ni/Au nm VCSEL - - (L-I-V) (near-field pattern) (Labview) optical fiber + probe station 22 probe-station
23 (probe-station) VCSEL a 1550nmVCSEL b L-I-V L-I-V lasing (a) Voltage (volt) 4 (b) IV o C Power (uw) Forward current (ma) Leakage current Turn-on 30µm 1550nmVCSEL a bl-i-v 0.00 lasing 1. wafer bonding bonding 2. 4µm p mesa etching 23
24 A. Karim, K. A. Black, P. Abraham, D. Lofgreen, Y. J. Chiu, J. Piprek and J. E. bowers, IEEE Photon. Technol. Lett., 12(11), p.1438(2000) R. Shau, M. Ortsiefer, M. Zigldrum, J. Rosskopf, G. Bohm, F. Kohler, M. C. Amann, Electron. Lett., 36(15), p.1286(2000) Y. Ohiso, R. Iga, K. Kishi, C. Amano, Electron. Lett., 36(1), p.39(2000) J. Boucart, C. Starck, F. Gaborit, A. Plais, F. Brillouet, J. Jacquet, L. Goldstein, C. Fortin, D. Carpentier, P. Salet, F. Brillouet, J. Jacquet, IEEE Photon. Technol. Lett., 11(6), p.629(1999) J. P. Debray, N. Bouche, G. Le Roux, R. Raj and M. Quillec, Electron. Lett., 33(10), p.868(1997) D. I. Babic, K. Streubel, R. P. Mirin, N. M. Margalit, J. E. Bowers, E. L. Hu, D. E. Mars, L. Yang and K. Carey, IEEE Photon. Technol. Lett., 7(11), p.1225(1995) K. Uomi, S. J. B. Yoo, A. Scherer, R. Bhat, N. C. Andreadakis, C. E. Zah, M. A. Koza and T. P. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., 6(3), p.317(1994) O. K. Kwon, B. S. Yoo, J. H. Shin, J. H. Baek and B. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., 6(3), p.317(1994) J. H. Baek, I. H. Choi, B. Lee, W. S. Han and H. K. Cho, Appl. Phys. Lett. 75(11) p.1500(1999) J. Piprek, Y. A. Akulova, D. I. Babic, L. A. Coldren and Bowers, Appl. Phys. Lett. 72(15) p.1814(1998) Fang-I Lai, M. Y. Tsai, Y. H. Chang, J. P. Chu, S. Y. Kuo, H. C. Kuo and S.C. Wang, submitted to Jpn. J. Appl. Phys. 24
國立中山大學學位論文典藏
db/km ps/ km-nm 1.55µm 0.2dB/km 1.3µm 1.55µm 1.3µm [1] 1-1 1.55µm 1.3µm In x Ga 1-x As y P 1-y x y 1.1µm 1.65µm InGaAlAs [2,3] InGaAsP Lattice constant InP 1-2 0.75eV In 0.53 Ga 0.47 As 1.47eV In 0.52
穨技術動態文章.PDF
VCSEL Vertical-Cavity Surface Emitting VCSEL Laser VCSEL VCSEL Edge Emitting Laser VCSEL VCSEL LED EEL VCSEL VCSEL (ma) 100 40 12 (Ohms) 3 6 30 (GHz) > 0.1 1-10 1-10 (db/hz) -120-120 EMI (ma) NA 15 0.5-5
2455 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd
2455 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd http://mops.tse.com.tw (03)419-2969 (03)419-2969 investor@vpec.com.tw peggy@vpec.com.tw 16 (03)419-2969 76 (03)470-6568 16 (03)419-2969 96 B1 Http://www.tsc.com.tw
<4D F736F F F696E74202D208E9197BF362D32288CF68A4A298DC C55F92C789C18D9E2E707074>
1/30 (1) (2) (3) 2/30 (1) 3/30 (1) * * * * * * * 100% (1) /4 4 5/30 (1) 50 nm 10 nm(mfm) 5150% MFM MFM (etc) MFM II-T MFM MFM (etc) 6/30 (1) @2005 MFM 100% MFM2010 7/30 (1) 10nm (2006.6) 2 @ MFM CoFeCT300/3
untitled
林 Dr. Chia-Feng Lin Department of Materials Engineering National Chung Hsing University Phone: 04-22840500#706 E-mail: cflin@dragon.nchu.edu.tw - 1 a-si TFTs Color filter TFT substrate Polarizer Backlight
[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig
![[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig](/thumbs/91/106435555.jpg "[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig")
40 6 2011 6 Vol.40 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun. 2011 808 nm 2000 W 1 1 1 1 2 2 2 2 2 12 (1. 710119 2. 710119) : bar 808 nm bar 100 W 808 nm 20 bar 2 000 W bar LIV bar 808 nm : : TN248.4 TN365
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz 23 90 CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94/188GHz LC class-b 0.70 0.75 mm 2 pad 1 V 19.6 ma (ƒ
無投影片標題
LED 亮度 LED 呂 e-mail: cclu@epistar.com.tw Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency Improve and Cost Down Summary Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency
Microsoft Word _File000004_ docx
Supporting Information Transient and Flexible Photodetectors Shih-Yao Lin,, Golam Haider,,, Yu-Ming Liao, Cheng-Han Chang, Wei-Ju Lin, Chen- You Su, Yi-Rou Liou, Yuan-Fu Huang, Hung-I Lin, Tai-Chun Chung,
國立中山大學學位論文典藏.PDF
InGaAsP Planarized InGaAsP Semiconductor Lasers for Giga-bit Applications 1 1 1.3µm SiO 2 (Benzocyclobutene, BCB) BCB SiO 2 SiO 2 laser die 500µm 300µm mount submound 34mA 1.31V 10.1Ω 76 3dB 1.9G 2 Abstract
TOKAMAK 1.. 3. 4. 1.TOKAMAK ITER----- TOKAMAK 016 D-T 1. MHD ne,te). (ne 3. 4. 5. . 1958 ( 1916 ) 19606 ( 19619) back 1958 1960 1965 -- ack 1958 1960 1965 -- 1967 10 ( 1997. 1997, Light Amplification by
第八章 社会事业发展与边疆和谐稳定
附 件 黑 龙 江 和 内 蒙 古 东 北 部 地 区 沿 边 开 发 开 放 规 划 2013 年 8 月 目 录 前 言.1 第 一 章 开 放 基 础 与 发 展 背 景...2 第 一 节 开 放 合 作 条 件... 2 第 二 节 机 遇 与 挑 战... 3 第 三 节 战 略 意 义... 4 第 二 章 战 略 定 位 与 发 展 目 标...4 第 一 节 指 导 思 想...
LED Mu-Tao Chu Copyright 2012 ITRI
LED Mu-Tao Chu 1 LED LED LED 2 LED LED LED LED100 lm/w LED 2015LED~30% 400LEDLED DOE LED Source: Solid-State Lighting Research and Development: Multi-Year Program Plan, March 2011, DOE LED LED LED OEMODM
<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D20A5FAB971A562BEC9C5E9BB73B57BB35DB3C6A4B6B2D0>
光 電 半 導 體 製 程 設 備 介 紹 電 子 光 子 能 階 升 授 課 老 師 : 林 彥 勝 博 士 夸 克 原 子 核 E-mail: yslin@mail.cna.edu.tw 能 階 降 Content 潔 淨 室 (Cleaning Room) 薄 膜 沈 積 (Thin Film Deposition) 化 學 汽 相 沉 積 法 MOCVD ( Metal Organic Chemical
<4D F736F F F696E74202D AD4955D89BF8FDA8DD790E096BE C835B E707074>
e-trace 132 1617 1872 p32-12 1/71 2/71 . GPS AIST 17 1-12 p32-39 3/71 GPS NMIJGPSGPS time GPS #N 1 GPS #N 2 GPS GPS #N 3 TA TA GPS _ time TA T T GPS _ time T T AB B A B T T T T ( T TB) B A B B A 4/71 16
高功率LED製程技術
率 Reporter: Date: May 11,2006 1 率 LED 率 LED 率 LED 度 論 2 LED 3 LED 4 GaN 率 率 5 Conventional versus Power LED From Lumileds 6 TYNTEK 40 mil Power chip 7 臨 n1 sin 1 = n2 sin 2 n2 2 n1 1 8 Light Extraction
状 态, 使 人 类 社 会 难 以 正 确 认 识 评 级 这 一 信 用 经 济 的 内 在 规 律, 难 以 真 正 总 结 西 方 错 误 评 级 的 教 训, 难 以 让 评 级 有 效 服 务 于 人 类 信 用 经 济 实 践 如 果 我 们 还 不 能 在 信 用 评 级 思 想 领
世 界 需 要 评 级 新 思 想 关 建 中 2015 年 5 月 26 日 2008 年 爆 发 于 美 国 的 全 球 信 用 危 机 证 明 : 信 用 评 级 关 系 人 类 社 会 安 全 发 展, 西 方 错 误 评 级 是 危 机 的 制 造 者, 它 不 能 承 担 世 界 评 级 责 任 于 是, 改 革 国 际 评 级 体 系 成 为 时 代 的 主 流 思 潮 和 向 人 类
72075(BOC A Share)_入cover同back cover.indb
2015 32 3 20142014 2015630 201516 2014 1 2015630 20141231 73,858 85,123 (1) 1,651,951 1,727,805 (2) 126,744 158,224 (3) 396,199 420,059 2,248,752 2,391,211 (1) 2015630 18.5%2014123120.0%5.0%2014 12315.0%
Microsoft PowerPoint - Sens-Tech WCNDT [兼容模式]
![Microsoft PowerPoint - Sens-Tech WCNDT [兼容模式]](/thumbs/89/100680326.jpg "Microsoft PowerPoint - Sens-Tech WCNDT [兼容模式]")
X-ray data acquisition systems for NDT applications 技股份有限公司 先锋科技股份有限公司 科技股份有限公司 先锋科技股份有限公司 www Sens-Tech Ltd UK based company 40 Staff Specialise in detection and data acquisition systems for light and
untitled
Matrix StIM/SIM 020-100467-02 Matrix StIM/SIM 020-100467-02 Matrix StIM/SIM i ii Matrix StIM/SIM Matrix StIM/SIM iii Matrix StIM/SIM 1-1 1 : 1-2 Matrix StIM/SIM 1 : Matrix StIM/SIM 1-3 EM A FM A EM
電器用電量調查說明
電 器 用 電 量 調 查 說 明 電 器 用 電 量 調 查 表 填 寫 須 知 填 寫 電 器 用 電 量 調 查 表 時, 請 按 照 第 一 欄 所 列 的 項 目 提 供 資 訊 或 進 行 運 算 目 標 是 算 出 單 月 用 電 量 有 多 少 瓩 小 時 ( 第 十 二 列 ) 首 先, 算 出 某 項 電 器 平 均 每 日 開 啟 時 數 ( 第 三 列 ), 再 乘 以 30
國 立 屏 東 教 育 大 學 應 用 物 理 系 光 電 暨 材 料 碩 士 班 碩 士 論 文 Study of resistive switching effect in C/ZnO/C structures with different growth temperatures 變 溫 環 境 C/ZnO/C 結 構 之 電 阻 轉 換 特 性 研 究 研 究 生 : 楊 承 鷹 指 導 教
e-beam lithography.ppt
E-beam lithography Lithography! (Alois Senefelder) 1798 Novel nanolithography techniques E-beam FIB SPM Direct writing Low throughput Imprinting Method Feature Size ( mm) UV Photolithography UV 1 Laser
E622_402.indd
1 2 3 4 1 761-192 298 E-mail:t-kaji@ssken.co.jp 2 7-85732 5 E-mail:ishii8794@yonden.co.jp 3 77-862-1 E-mail:chika@ce.tokushima-u.ac.jp 4 77-862-1 E-mail:mizuguch@ce.tokushima-u.ac.jp Key Words : fly ash,
TAITRA SEMI TPVIA ITRI 10 20 7 6 10 21 7 8 10 22 10 24 ~ 9 5 10 24 5 7 10 25 10 6 1. 12 150 2. 3. AD 5 5 / HCPV DSSCBIPV / 1 1. 2. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 2014 5 20 3 3 NT$ 89,000 NT$ 66,000 3 3 NT$ 104,000
= = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) e - + Ar Ar + + 2 e - (1) = = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ i ) (q
CMOS SUPER CCD
2006 7 25 12 12 jiance@mail.whlib.ac.cn www.whlib.ac.cn CMOS SUPER CCD 2006 12 1 1 2 1 Si-LED 1 2006 12 Si-LED Si-LED Er 3+ SiNx LED 1.6% 2 / SOI Silicon-On-Insulator 2005 2 17 Nature Intel 3 Ge-PIN 1310nm
Microsoft Word - KSAE06-S0262.doc
Stereo Vision based Forward Collision Warning and Avoidance System Yunhee LeeByungjoo KimHogi JungPaljoo Yoon Central R&D Center, MANDO Corporation, 413-5, Gomae-Ri, Gibeung-Eub, Youngin-Si, Kyonggi-Do,
OVLFx3C7_Series_A3_bgry-KB.pub
(5 mm) x High brightness with well-defined spatial radiation patterns x U-resistant epoxy lens x Blue, green, red, yellow Product Photo Here Each device in the OLFx3C7 series is a high-intensity LED mounted
Preparation and Characterization of Vinyl Polymers bearing Pregna Groups via ATRP
ATRP 2- - PD-A - - (C-A) (P ATRP PD-A C-A M w/m n
24-2_cover_OK
2 08 Flexible All Solid State Thin Film Li-ion Battery 1 1 2 1 1 2 ( 300Wh/kg) (3.4~3.8 V) ( 1000 cycles) (LiCoO 2 ) (LiPON) (Mica) 26mAhcm -2 mm -1 30 85% LED Abstract With the ever-changing technology,
Microsoft PowerPoint - Ch5 The Bipolar Junction Transistor
O2005: Electronics The Bipolar Junction Transistor (BJT) 張大中 中央大學通訊工程系 dcchang@ce.ncu.edu.tw 中央大學通訊系張大中 Electronics, Neamen 3th Ed. 1 Bipolar Transistor Structures N P 17 10 N D 19 10 N D 15 10 中央大學通訊系張大中
原 子 层 沉 积 法 在 氧 化 亚 铜 薄 膜 上 沉 积 一 种 或 多 种 氧 化 物 ( 氧 化 钛 TiO 2 氧 化 铝 Al 2O 3 及 氧 化 锌 ZnO 等 ), 对 不 同 保 护 膜 改 性 的 氧 化 亚 铜 薄 膜 进 行 结 构 表 征 和 光 催 化 性 能 测 试
P 型 氧 化 亚 铜 光 电 阴 极 的 原 子 层 沉 积 法 改 性 谢 静 文 ( 上 海 交 通 大 学 材 料 科 学 与 工 程 学 院, 上 海 上 海 市 200240) 摘 要 : 氧 化 亚 铜 是 一 种 来 源 广 成 本 低 效 率 高 的 光 驱 动 裂 解 水 制 氢 半 导 体 材 料, 然 而 氧 化 亚 铜 在 水 溶 液 不 稳 定 性 限 制 了 它 的 广
< B9E2BBFAD7DBBACFCDBCB2E1B6A8B8E52DC7E5CEFAB0E6312E706466>
XYR XYR XYR Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn 99 Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn XYR500 XYR500 XYR000 XYR0000-CH XYmm.5 0 5 z 5 mm 5050 0000 0000 mm 00 00 0000 mm 6.5 76 98 8 Kg 6 8 5 XY/μm 0/5 0XYμm 0.5
1 02 Zn-doped Silicon Dioxide Resistance Random Access Memory Resistance Random Access Memory : RRAM RRAM SiO 2 IC SiO 2 SiO 2 S
1 02 Zn-doped Silicon Dioxide Resistance Random Access Memory 1 2 2 2 1 3 4 1 2 3 4 Resistance Random Access Memory : RRAM RRAM SiO 2 IC SiO 2 SiO 2 SiO 2 IC IC Abstract Among the next-generation memory
填 表 须 知 一 本 申 报 书 适 用 于 申 报 安 徽 省 高 层 次 科 技 人 才 团 队 填 写 二 申 报 书 中 有 关 栏 目 需 选 择 填 写 的, 请 按 照 填 写 说 明 如 实 并 准 确 填 写 三 申 报 书 内 容 要 逐 项 填 写, 实 际 内 容 不 发
安 徽 省 高 层 次 科 技 人 才 团 队 申 报 书 项 目 编 号 : 团 队 领 军 人 才 姓 名 : 刘 文 所 从 事 专 业 或 产 业 领 域 : 光 电 子 光 通 信 太 阳 能 光 伏 公 司 拟 注 册 地 : 合 肥 市 高 新 区 单 位 地 址 : 望 江 西 路 5089 号 中 国 科 学 技 术 大 学 先 进 技 术 研 究 院 邮 政 编 码 :200083
強相関伝導系のバルクや薄膜の電子状態
UVSOR 0140130 Outline ARPES ARPES 1 + 9.1110-31 kg Designed by T. Ito m c E v p = m c v (E) 1900 E m v 1 (v), (p), (k) c p m c k m c m f (E) E 1 m f (v), (p), (k) v p m f k m f m f >> m c 4f 4f Ce 3+ :
cm hpa hpa 2 45 N hpa ~ 12 Fig. 1 The observed rainfall distribution of Shanxi
28 3 2010 9 1006-7639 2010-03 - 0332-06 Journal of Arid Meteorology Vol. 28 No. 3 Sept 2010 1 1 2 1 3 1. 046000 2. 030404 3. 034000 2009 11 10 ~ 12 1 10 11 2300 hpa 3500 hpa 41 500 m 2 850 hpa 5FY - 2C
(Electron Spectroscopy) 3-2
III AES...3...7...11...12...14 1....14 2....18 (Depth Profile)...21...25 (Electron Spectroscopy) 3-2 Pierre Auger 1922 1923 30 P. Auger X (Auger ) AES 1. (Auger Effect) ' E L2,3 K L 1 (EK E ) L1 X ( XPS
T K mm mm Q345B 600 mm 200 mm 50 mm 600 mm 300 mm 50 mm 2 K ~ 0. 3 mm 13 ~ 15 mm Q345B 25
23 4 2018 8 Vol. 23 No. 4 JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Aug. 2018 Q345B 1 " 1 2 2 2 1. 150040 2. 200125 Q345B 536. 47 MPa 281 HV Q345B DOI 10. 15938 /j. jhust. 2018. 04. 021 TG444
94 (( )) 1 2 3 4 5 7 9 11 12 13 14 17 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 34 ( ) () (/ ) (/ ) (/ 100) 256 5,034 209,647 710,954 360,925 350,029 4,047.66 3.39 103.11 256 5,034 214,574 717,811 363,149
壹 基 本 資 料 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 主 持 人 : 李 嗣 涔 校 長 計 畫 期 間 ( 全 程 ):98 年 1 月 1 日 至 102 年 12 月 31 日 計 畫 目 前 執 行 :98 年 1 月 1 日 至 101 年 6 月 98 年 度
政 府 科 技 計 畫 成 果 效 益 報 告 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 期 程 期 中 暨 結 案 前 一 年 成 果 效 益 報 告 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 主 管 機 關 : 行 政 院 國 家 科 學 委 員 會 執 行 單 位 : 能 源 局 交 通 部 運 研 所 國 科 會 標 檢 局 原 能 會 技 術 處 教 育 部 地 調 所 內 政
(1) 64 15 2062 50 8 818 60 41606 63 8305 53 3 11201 38 10 216C 2012815 2012815 2012815 2012815 2012815 201464 200211 20128 20128 20128 20128 20146 4 2
(1) 51 41 49 6 6 7 161 4 27 338 2012815 2012815 2012815 200712 20093 20086 211 (1) 64 15 2062 50 8 818 60 41606 63 8305 53 3 11201 38 10 216C 2012815 2012815 2012815 2012815 2012815 201464 200211 20128
114 鄭國雄 陳俊宏 臺北捷運的新材料 新工法與新技術 累積四分之一世紀的若干標竿分享 一 前言 臺北都會區大眾捷運系統目前已完工通車的路網包括文山內湖線 淡水線 中和線 新店線 南港線 板橋線 土城線 小南門線 南港線東延段 新莊線及蘆洲線等 長度 約 120 公里 計 104 座車站 平常每日
捷運技術半年刊 第 48 期 113 臺北捷運的新材料 新工法與新技術 累積四分之一世紀的若干標竿分享 鄭國雄 1 陳俊宏 2 摘要 臺北捷運系統自開始規劃至今已長達 25 年 從木柵線 85 年 3 月通車及 86 年淡水線之分 段通車 至目前 120 公里之通車路線 提供民眾享受快速 便捷之現代大眾運輸方式之交通生 活 回想過去 捷運工程為一具技術密集 資金密集性 為規模龐大且複雜之系統工程 當初
w w w.chromaate.com Chroma H-S I-V (MPPT) /61500/ Chroma I-V
Power Electronics Testings www.chromaate.com Turnkey Test & Automation Solution Provider w w w.chromaate.com Chroma 1. 62000H-S I-V (MPPT) 2. 66200 3. 6500/61500/61800 61800 4. 63800 4 5 9 3 Chroma I-V
Microsoft Word - 联盟通讯第1期-20090714.doc
[ 本 期 热 点 ] 市 委 书 记 刘 淇 市 长 郭 金 龙 为 首 都 新 能 源 产 业 技 术 联 盟 成 立 揭 牌 2009 年 6 月 12 日 下 午, 代 表 着 新 能 源 产 业 技 术 整 体 水 平 的 六 大 产 业 技 术 联 盟 齐 聚 一 堂, 首 都 新 能 源 产 业 技 术 联 盟 宣 告 成 立 联 盟 的 成 立, 标 志 着 首 都 新 能 源 产
, GC/MS ph GC/MS I
S00017052 O O , GC/MS ph GC/MS I Abstract Drug abuse is a serious issue throughout the world. Amphetamine-type stimulants (ATS) are substances frequently used by drug abusers. There are significant needs
ESR OH COOH Tg 1. 2. 3. CF 4 C 2 F 6 H F 1. OH COOH CO NH 2 2. 3. TiO 2 /Ti
98-04-11 87 3 21 25 Plasma 10 Torr ESR OH COOH Tg 1. 2. 3. CF 4 C 2 F 6 H F 1. OH COOH CO NH 2 2. 3. TiO 2 /Ti 16.5% ( : / :(02)2341-7251 2422) 8 ( ) " xxxx " " chamber chamber slit valve ------------------------------------------------------
释 义 在 本 转 让 说 明 书 中, 除 非 文 中 另 有 所 指, 下 列 词 语 具 有 如 下 含 义 : 我 国 / 中 国 指 中 华 人 民 共 和 国 公 司 本 公 司 转 让 方 本 产 品 指 指 临 沂 市 经 济 区 经 开 小 额 贷 款 股 份 有 限 公 司 鲁
鲁 金 小 贷 临 沂 经 开 2015 年 第 一 期 小 额 贷 款 资 产 收 益 权 产 品 (21 号 ) 转 让 说 明 书 转 让 方 : 临 沂 市 经 济 区 经 开 小 额 贷 款 股 份 有 限 公 司 承 销 商 : 山 东 恒 裕 股 权 投 资 基 金 管 理 有 限 公 司 二 〇 一 五 年 月 日 释 义 在 本 转 让 说 明 书 中, 除 非 文 中 另 有 所
新 疆 交 通 建 设 集 团 股 份 有 限 公 司 首 次 公 开 发 行 股 票 辅 导 工 作 进 展 报 告 新 疆 交 通 建 设 集 团 股 份 有 限 公 司 ( 以 下 简 称 新 疆 交 建 发 行 人 或 公 司 ) 拟 申 请 首 次 公 开 发 行 股 票 并 上 市, 公
长 江 证 券 承 销 保 荐 有 限 公 司 关 于 新 疆 交 通 建 设 集 团 股 份 有 限 公 司 首 次 公 开 发 行 股 票 辅 导 工 作 进 展 报 告 (2015 年 7 月 01 日 至 2015 年 9 月 30 日 ) 辅 导 机 构 新 疆 交 通 建 设 集 团 股 份 有 限 公 司 首 次 公 开 发 行 股 票 辅 导 工 作 进 展 报 告 新 疆 交 通
() () ( ) (%) 193, , , , () (http//newmops.tse.com.tw) (02)
3339 TEKCORE CO., LTD ( ) () 1. 2. 300,000 3. 0% 4. 5 90~95 5. 100% 6. () ( 96 6 29 0960031687 31 1 ) 1. 2. 3. 6,000,000 ~12,000,000 4. 60,000,000 ~120,000,000 5. (1) 267 15% 85% 28 1 3 (2) (3) 6. 85%
1 305 4 1840 100 1 1831 4 1840 Abraham 1836 1895 1 / 4 1867 200 196O 8 30 No. Name Wave Length (nm) Mode P(ulsed) C(ontinuous) Output Power (MOP) Medical Indications Solid Laser 1. Rubin 694.3 P * Surgery: 2 Nd-YAG 1064 P/C
39 No. Name Wave Length (nm) Mode P(ulsed) C(ontinuous) Output Power (MOP) Medical Indications Solid Laser 1. Rubin 694.3 P * Surgery: 2 Nd-YAG 1064 P/C 1-100W Surgery: Gas Laser 3 HeNe 632.8 C 1-20mW
INTRODUCTION
EV BUS PROJECT INTRODUCTION / 1-8, Hibikino, Wakamatsu-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka, 808-0135 Japan TEL. (+81)93(691)1177 FAX.(+81)93(695)3499 http://www.price-management.jp/ http://www.pmj-china.com/
スライド 1
2017 X 2017 3 7 1/28 1. 2. 1 XAFS Li 2 X img. 3. 2/28 IEA/ ETP Energy Technology Perspectives 2012 HV PHV 3/28 4/28 HV PHV EV FCV 10000 W/ 8000 6000 4000 2000 15 10 0 20 1000 10 100 1000 10000 Wh/ 5/28
理化视窗19期内文.indd
首 语 在 送 别 2012 年 迈 进 2013 年 之 际, 谨 代 表 所 领 导 班 子 向 兢 兢 业 业 辛 勤 耕 耘 的 全 所 职 工, 向 为 研 究 所 发 展 做 出 重 要 贡 献 的 离 退 休 老 同 志, 向 潜 心 钻 研 刻 苦 学 习 的 研 究 生 致 以 节 日 的 问 候 和 诚 挚 的 谢 意! 感 谢 大 家 过 去 一 年 在 各 自 的 工 作 岗
目 录 第 一 部 分 前 言...1 第 二 部 分 释 义...3 第 三 部 分 基 金 的 基 本 情 况...9 第 四 部 分 基 金 份 额 的 发 售...12 第 五 部 分 基 金 备 案...14 第 六 部 分 基 金 份 额 的 申 购 与 赎 回...15 第 七 部 分
新 华 基 金 管 理 有 限 公 司 新 华 阿 里 一 号 保 本 混 合 型 证 券 投 资 基 金 基 金 管 理 人 : 新 华 基 金 管 理 有 限 公 司 基 金 托 管 人 : 平 安 银 行 股 份 有 限 公 司 二 零 一 四 年 二 月 目 录 第 一 部 分 前 言...1 第 二 部 分 释 义...3 第 三 部 分 基 金 的 基 本 情 况...9 第 四 部 分
Microsoft PowerPoint _代工實例-1
4302 動態光散射儀 (Dynamic Light Scattering) 代工實例與結果解析 生醫暨非破壞性分析團隊 2016.10 updated Which Size to Measure? Diameter Many techniques make the useful and convenient assumption that every particle is a sphere. The
股票代码：600401 股票简称： 海润光伏
股 票 代 码 :600401 股 票 简 称 : 海 润 光 伏 海 润 光 伏 科 技 股 份 有 限 公 司 2014 年 第 二 次 临 时 股 东 大 会 会 议 资 料 二 一 四 年 二 月 十 日 目 录 一 海 润 光 伏 科 技 股 份 有 限 公 司 2014 年 第 二 次 临 时 股 东 大 会 会 议 须 知 二 海 润 光 伏 科 技 股 份 有 限 公 司 2014
. Land Patterns for Reflow Soldering.Recommended Reflow Soldering Conditions (For Lead Free) TYPE PID0703 PID0704 PID1204 PID1205 PID1207 PID1209 L(mm
.Features: 1.Magnetic Shielded surface mount inductor with high current rating. 2.Low resistance to keep power loss minimum..applications: Excellent for power line DC-DC conversion applications used in
¹ º ¼» ½ ¹º»¼½
¹ º ¹ º ¹ º ¼» ½ ¹º»¼½ » ¼ ½ ¾ ¹ º ¹º»¼½¾ ¹ º» ¼ ½ ¹ ¾ À Á º» ¼ ½ ¾ À Á ¹ º» ¼ ½ ¾ ¹ º» ¼ ½ ¾ ¹ º» ¼ ¹º»¼½¾ ÀÁ ¾ À Á ¹º»¼½ ¹ º» ¼ ½ » ¹ º ¼ ½ ¾ ¹ º» ¼ ½ ¾ ¹ º» ¼ ½ ¾ À ¹º»¼½¾ À ¹ º» ¼ ½ ¾ À Á ¹ º» ¼ ½
¹ º"»»¹º
¹ " º"»" ¼ " ½ " ¹ º» / ¼ ½ ¹ º"»»¹º ¹ " º"»" ¼ ½ ¹ º 1» ¼ ½ ¹ º»" ¼ " ½ " ¼½º»¹ ¹ º"» ¼ " ¹ º 1» ¼ ¹ º» ¼ ½ " ¾ " " À Á Â" À" ¹ º» ¼ ½ ¾ À Á   ¹ " º»" ¼ " ½ " ¾ " À Á "»¼½¹º¾ ÀÁ ¹ º» " ¼ " ½ " ¾ " "»¼½¾
Microsoft PowerPoint - pmoon_ NYUSH_UG
Physics of Moiré Pattern in Atomic Scale Pilkyung Moon New York University Shanghai Physics Solid State Physics Atomic species Periodicity of atoms determine material properties Period of atoms Material
Microsoft Word - 96年度年報970611.doc
股 票 代 號 :3627 華 信 光 電 科 技 股 份 有 限 公 司 Arima Lasers Corporation 九 十 六 年 度 年 報 查 詢 本 報 網 址 : 公 開 資 訊 觀 測 站 http://newmops.tse.com.tw 中 華 民 國 九 十 七 年 五 月 二 十 日 刊 印 一 本 公 司 發 言 人 發 言 人 : 邱 建 嘉 職 稱 : 處 長 電
<4D6963726F736F667420576F7264202D20CCABB1A3CAD9A3A832303133A3A9313937BAC5B8BDBCFE3836CAC0BCCDD0D0C8CBC9EDD2E2CDE2C9CBBAA6B1A3CFD5A3A843BFEEA3A9CCF5BFEE2E646F63>
中 国 太 平 洋 人 寿 保 险 股 份 有 限 公 司 世 纪 行 人 身 意 外 伤 害 保 险 (C 款 ) 条 款 太 平 洋 人 寿 [2013] 意 外 伤 害 保 险 062 号 阅 读 指 引 本... 阅 读 指 引 有 助 于 理 解 条 款, 对 本 合 同 内 容 的 解 释 以 条 款 为 准 您 拥 有 的 重 要 权 益 本 合 同 提 供 的 保 障 在 保 险 责
山 东 省 重 点 行 业 技 术 发 展 白 皮 书 ( 二 ) 山 东 省 经 济 和 信 息 化 委 员 会 2016 年 7 月 前 言 推 进 供 给 侧 结 构 性 改 革, 必 须 牢 固 树 立 创 新 发 展 理 念 面 对 经 济 发 展 新 常 态 和 新 一 轮 全 球 产 业 变 革, 全 省 工 业 战 线 主 动 响 应 国 家 战 略, 积 极 调 整 发 展 思
11 : 1341,( r) g { t ( r) exp [i ( t - ) ]} - ( r) 5 { t ( r) exp [i ( t - ) ]} 5 t =, (7) = n ( r) (5) (4), 5 a 5 t ( r) exp [i ( t - ) ] + 5 a 5 ( -
![11 : 1341,( r) g { t ( r) exp [i ( t - ) ]} - ( r) 5 { t ( r) exp [i ( t - ) ]} 5 t =, (7) = n ( r) (5) (4), 5 a 5 t ( r) exp [i ( t - ) ] + 5 a 5 ( -](/thumbs/92/111048182.jpg "11 : 1341,( r) g { t ( r) exp [i ( t - ) ]} - ( r) 5 { t ( r) exp [i ( t - ) ]} 5 t =, (7) = n ( r) (5) (4), 5 a 5 t ( r) exp [i ( t - ) ] + 5 a 5 ( -")
11 11 : 5339 () 111345 ACTA OPTICA SIN ICA Vol.,No. 11 November, 3 (, 371) : ;,,, : ; ; : TN53 : A 1,, [13 ] [4 1973, ], g E( r, t) = 5 E( r, t), 1974 5 t + 5 P ( r, t) 5 t, (1) Marcuse [5 ], P ( r, t)
( ) - 2 -
( ) 1 = 300VA 1.5 2 = 2A 1.5 3 3mA - 1 - ( ) - 2 - 1 2 3 4 5-3 - 1) ( ) 2) 3) 4) 5) 1) F F (1) F (2) F - 4 - 192 2) 9 9 9 193 3) 6 7 8 6 A 000F 4) 4 5 E 4 5 E 1) (LED ) 2) (LED ) 3) 4) 8 1) 2) - 5 - 3)
《中国科学》A、E、G与F小开本版式设计
E 2005, 35(3): 225~241 225 * (, 200062;, 200050;, 200062;, 200032).. 200....,..,,, 5~8 a [1].,.,, 30~50 a. 20 70,. 6. 180, 24,.,, 2004-04-17, 2004-12-09 * 973 ( : G2000067207-2) ( : 98Jc14015) 226 E 35,.,..,.,,,
<4D6963726F736F667420576F7264202D20BDADCEF7B5E7D7D32D32303134B8FAD7D9B1A8B8E62D30373137>
大 公 信 用 评 级 报 告 声 明 为 便 于 报 告 使 用 人 正 确 理 解 和 使 用 大 公 国 际 资 信 评 估 有 限 公 司 ( 以 下 简 称 大 公 ) 出 具 的 本 信 用 评 级 报 告 ( 以 下 简 称 本 报 告 ), 兹 声 明 如 下 : 一 大 公 及 其 评 级 分 析 师 评 审 人 员 与 发 债 主 体 之 间, 除 因 本 次 评 级 事 项 构
untitled
1-1 1. 2. 3. 1. 2. (1) 1-1 RLC 1-2 1-3 2 (2) PVC EMT (3) (4) 1-1 1-2 1-3 3. (1) (2) (3) 3 (4) (5) (6) 1-4 (7) (8) (9) (10) (11) 1-4 1-5 4 4. (1) 1-5 (2) (3) (4) (5) (6) 5. (1) 1-6 (2) (3) (4) (NFB) (5)
(Microsoft PowerPoint - 07_2_20_SP8\203\217\201[\203N\203V\203\207\203b\203v\217\254\227\321\220\263\230a.ppt)
SPring-8 2007/07/20 < > 3-D 3D http://sp-mac4.pse.tut.ac.jp/ 3D 3D + ( ) 3D ( ) CT voel (tiff) (2000piel 2000piel) 1312slice 8bit = 4.88 Gbte (2000piel 2000piel) 1312slice 16bit = 9.78 Gbte 8 bit =1 bte=
Tokyo Tech Template
2.4GHz CMOS PA,,, 2010/07/21 Contents 1 Introduction 2 PA (Power Amplifier) 2.4GHz : WiMAX, WLAN, Bluetooth Introduction 3 Capacitive cross-coupling Self-biased cascode Schematic 4 Out V DD 2 : 1 V DD
國立中山大學學位論文典藏.pdf
Single Mode Buried Polymer Waveguides on Silicon Substrate ?????? (SiO 2 ) (Single mode buried polymer waveguides) BPM CAD (trench) (Benezocy-clobutene, BCB) (guiding layer) SiO 2 (bottom cladding layer)
Outline Speech Signals Processing Dual-Tone Multifrequency Signal Detection 云南大学滇池学院课程 : 数字信号处理 Applications of Digital Signal Processing 2
CHAPTER 10 Applications of Digital Signal Processing Wang Weilian wlwang@ynu.edu.cn School of Information Science and Technology Yunnan University Outline Speech Signals Processing Dual-Tone Multifrequency
國立中山大學學位論文典藏.PDF
國 立 中 山 大 學 物 理 學 系 研 究 所 碩 士 論 文 Zn1-x-yLixSnyO 薄 膜 成 長 與 物 性 之 研 究 Study of Zn1-x-yLixSnyO thin films by growth and physics properties 研 究 生 : 楊 恭 尚 撰 指 導 教 授 : 周 雄 博 士 中 華 民 國 九 十 九 年 七 月 致 謝 本 來 對
第一章
課 程 名 稱 : 光 纖 傳 輸 實 務 與 實 習 1. 課 程 概 述 : 光 纖 傳 輸 實 務 與 實 習 為 隔 年 開 授 之 課 程, 此 高 等 課 程 實 習 項 目 之 內 容 較 具 彈 性, 以 教 導 學 生 如 何 使 用 設 計 工 具 與 發 揮 設 計 能 力 為 目 標 新 編 了 光 纖 光 放 大 器 模 擬 設 計 實 習 教 材, 包 含 摻 鉺 光 纖
HPC
HPC 2003.10.14 Ghz CPU Intel Pentium 4: 3.2G Intel Itanium: 1.5G AMD Athlon XP: 2.2G AMD Operton: 2.0G IBM PowerPC 970: 2.0G IBM Power 4+: 1.7G Sun UltraSparc III: 1.2G GHz Pentium 4: 800Mhz 64bit 6.4GB
2004/11/17 「光化学の基礎概念と実験技術６」
25//7 http://www.laser.chem.es.osaa-u.ac.jp/ miyasaa@chem.es.osaa-u.ac.jp 2 C-H (4. ev) 29 nm fs psps nsns Internal conversion Intersystem crossing s s f r f f i isc 4 5 Donor Accepter A - D 6 Point-dipole
NANO COMMUNICATION 23 No. 2-3D IC 29 6T SRAM, ReRAM, sense amplifiers, analog amplifiers and gas sensors was integrated to confirm the superiority in
5 28-3D IC Low-Cost and TSV-free Monolithic 3D-IC with Heterogeneous Integration of Logic, Memory and Sensor Analogy Circuitry for Internet of Things 綉 3D IC (MOSFET) 40 50% 3D IC 3D IC IO(ultra-wide-IO)
GC-APPI-MasCom
GC-APPI Interface MasCom Technologies Founded in January 1991 as MasCom Analysengeräte Service GmbH Office at Sophie-Germain-Str. 4, 281 Bremen, Germany 18 Employees 6 Electronic engineers 4 Precision
臨床及基礎醫學之應用
1 E- / Find data bases to fit a research question Find research questions to fit existing data sets 2 / 3 efficacy safety utilization marketing potential market 4 5 IC 6 / 7 , 8 Therapeutic efficacy /
The theme of the conference
2014 全 国 光 电 技 术 与 系 统 学 术 会 议 一 主 办 单 位 : 中 国 光 学 学 会 光 电 技 术 专 业 委 员 会 中 国 仪 器 仪 表 学 会 光 机 电 技 术 与 系 统 集 成 分 会 中 国 仪 器 仪 表 学 会 图 像 科 学 与 工 程 分 会 二 承 办 单 位 : 南 京 大 学 光 通 信 工 程 研 究 中 心 江 苏 省 光 通 信 系 统
致 谢 开 始 这 篇 致 谢 的 时 候, 以 为 这 是 最 轻 松 最 愉 快 的 部 分, 而 此 时 心 头 却 充 满 了 沉 甸 甸 的 回 忆 和 感 恩, 一 时 间 竟 无 从 下 笔 虽 然 这 远 不 是 一 篇 完 美 的 论 文, 但 完 成 这 篇 论 文 要 感 谢
中 国 科 学 技 术 大 学 博 士 学 位 论 文 论 文 课 题 : 一 个 新 型 简 易 电 子 直 线 加 速 器 的 关 键 技 术 研 究 学 生 姓 名 : 导 师 姓 名 : 单 位 名 称 : 专 业 名 称 : 研 究 方 向 : 完 成 时 间 : 谢 家 麟 院 士 王 相 綦 教 授 国 家 同 步 辐 射 实 验 室 核 技 术 及 应 用 加 速 器 物 理 2006
y 1 = 槡 P 1 1h T 1 1f 1 s 1 + 槡 P 1 2g T 1 2 interference 2f 2 s y 2 = 槡 P 2 2h T 2 2f 2 s 2 + 槡 P 2 1g T 2 1 interference 1f 1 s + n n
37 1 Vol 37 No 1 2013 1 Journal of Jiangxi Normal UniversityNatural Science Jan 2013 1000-5862201301-0037-05 MISO 郭荣新, 袁继昌 361021 2 RVQ 2 MISO 3 TN 911 7 A 0 MIMO 2 MISO 3 MIMOnetwork MIMO 3GPP LTE-A 2
11 : 1345,,. Feuillebois [6]. Richard Mochel [7]. Tabakova [8],.,..,. Hindmarsh [9],,,,,. Wang [10],, (80 µm),.,. Isao [11]. Ismail Salinas [12],. Kaw
![11 : 1345,,. Feuillebois [6]. Richard Mochel [7]. Tabakova [8],.,..,. Hindmarsh [9],,,,,. Wang [10],, (80 µm),.,. Isao [11]. Ismail Salinas [12],. Kaw](/thumbs/93/114003806.jpg "11 : 1345,,. Feuillebois [6]. Richard Mochel [7]. Tabakova [8],.,..,. Hindmarsh [9],,,,,. Wang [10],, (80 µm),.,. Isao [11]. Ismail Salinas [12],. Kaw")
1344 E 2006, 36(11): 1344~1354 * ** (, 100022).,.,.,.,....,,,,,,,.,.,.,,,.,. Hayashi [1] :., [2] [3~5],,.,,.,. : 2006-03-22; : 2006-06-17 * ( : 50376001) ( : G2005CB724201) **, E-mail: liuzhl@bjut.edu.cn
邏輯分析儀的概念與原理-展示版
PC Base Standalone LA-100 Q&A - - - - - - - SCOPE - - LA - - ( Embedded ) ( Skew ) - Data In External CLK Internal CLK Display Buffer ASIC CPU Memory Trigger Level - - Clock BUS Timing State - ( Timing
786 36, : ( GaA s),, ( 10-14 s ) -,, 2 2 :,,,, ( Si)(Cr: GaA s) (Fe: InP),, 3, : (1) ; (2) ; (3), P ( t) E THz 92 P ( t) 9 2 t 3 20 90, :,, ( ) ( ZeTe
36 Vol. 36, Supp lement 2006 9 LASER & INFRARED Sep tember, 2006 : 100125078 (2006) 20785207,,, (, 100037) : : ; ; ; : O434. 3; O456 : A The Theory and Some Applications of Terahertz Radiation L I Fu2li,
SB 綱 領 : (1) 消 防 服 務 管 制 人 員 : 就 年 度 需 要 特 別 留 意 的 事 項 中, 當 局 提 到 年 度 內, 消 防 處 會 啟 用 啟 德 新 建 並 設 有 救 護 設 施 的 消 防 局, 請 告 知 有 關
SB233 4865 綱 領 : (3) 救 護 服 務 管 制 人 員 : 處 方 表 示, 在 2013-14 年 度 會 啟 用 救 護 信 息 宣 傳 車, 以 繼 續 加 強 宣 傳 教 育 市 民 適 當 地 使 用 緊 急 救 護 服 務, 其 詳 情 及 為 何? 提 問 人 : 陳 家 洛 議 員 救 護 信 息 宣 傳 車 於 2013 年 年 初 投 入 服 務, 消 防 處
<4D6963726F736F667420576F7264202D20B2C4C1CFBFC6BCBCBCF2B1A82DB5DACEE5C6DA2E646F6378>
材 料 科 技 简 报 2016 年 第 3 期 电 子 版 材 料 科 技 简 报 编 辑 部 2016 年 6 月 本 期 目 录 材 料 热 点 关 注 祛 皱 黑 科 技 第 二 层 皮 肤 大 面 积 钙 钛 矿 太 阳 能 电 池 认 证 光 电 转 化 效 率 接 近 20% 强 关 联 钙 钛 矿 燃 料 电 池 材 料 发 展 前 沿 BiVO 4 前 景 广 阔 的 太 阳 能
