半导体产业一周观察华夏幸福产业研究院第 127 期 2018 年 12 月 24 日一周观察简评 : 本周, 媒体透漏韩国在推进一项十年投资超 7000 亿元的 IC 制造集群打造计划, 这无疑将对 IC 制造的世界格局造成重大影响, 特别是存储芯片领域另外, 中国第三代半导体材料制备和国产

Size: px

Start display at page:

Download "半导体产业一周观察华夏幸福产业研究院第 127 期 2018 年 12 月 24 日一周观察简评 : 本周, 媒体透漏韩国在推进一项十年投资超 7000 亿元的 IC 制造集群打造计划, 这无疑将对 IC 制造的世界格局造成重大影响, 特别是存储芯片领域另外, 中国第三代半导体材料制备和国产"

改功
5 years ago
Views:

1 半导体产业一周观察华夏幸福产业研究院第 127 期 2018 年 12 月 24 日一周观察简评 : 本周, 媒体透漏韩国在推进一项十年投资超 7000 亿元的 IC 制造集群打造计划, 这无疑将对 IC 制造的世界格局造成重大影响, 特别是存储芯片领域另外, 中国第三代半导体材料制备和国产刻蚀机再传喜讯, 耐威科技子公司聚能晶源成功研制 8 英寸硅基氮化镓外延晶圆, 中微半导体的 5 纳米刻蚀机通过台积电验证将用于首条 5 纳米制程生产线市场聚焦年斥资约 7300 亿元, 韩国力推大型 IC 制造集群计划近日, 根据韩国媒体 BusinessKorea 报道, 为强化韩国半导体实力, 韩国政府正在推出一项大型的半导体制造集群计划该项计划将由 4 家大型半导体制造商, 以及大约 50 家的上下游零组件或设备生产厂商联合执行, 预计 10 年内将投入金额约 120 兆韩元 ( 约人民币 7334 亿元 ) 其中, 韩国存储器大厂 SK 海力士将投资兴建一座新的半导体工厂韩国官员表示, SK 海力士此举将可以整合附近的半导体零件和设备供应商, 强化其整体半导体制造生态对此,SK 海力士表示, 正与政府讨论确认新制造工厂所在地技术热点 2. 耐威科技子公司聚能晶源成功研制 8 英寸硅基氮化镓外延晶圆, 有待量产 2018 年, 耐威科技先后投资设立了聚能晶源青岛聚能创芯微电子有限公司, 依托专业团队优势, 联合产业资源, 积极布局并把握下一代功率与微波电子领域的市场机遇聚能晶源自成立以来先后攻克了 GaN 与 Si 材料之间晶格失配大尺寸外延应力控制高耐压 GaN 外延生长等技术难关, 成功研制了达到全球业界领先水平的 8 英寸硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延晶圆该型外延晶圆在实现了 650V/700V 高耐压能力的同时, 保持了材料的高晶体质量高均匀性与高可靠性, 可以完全满足高压功率电子器件的应用需求耐威科技表示, 在采用国际严苛判据标准的情况下, 聚能晶源研制的外延晶圆在材料机械电学耐压耐高温寿命等方面具有性能优势, 能够保障相关材料与技术在 5G 通讯云计算 1

2 快充电源无线充电等领域得到安全可靠的应用产新君观点 : 第三代半导体氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料, 在击穿电场本征载流子浓度抗辐照能力方面都明显优于 Si GaAs 等传统半导体材料同时, GaN 在载流子迁移率饱和载流子浓度等方面也较 Si 优异, 因此更适用于制备具有高功率密度高速度高效率的功率与微波电子器件, 在 5G 通讯云计算快充电源无线充电等领域具有广泛的应用前景同时, 将 GaN 外延生长在硅衬底之上, 可以有效地结合 GaN 材料的高性能以及成熟 Si 晶圆的大尺寸低成本优势基于先进的 GaN-on-Si 技术, 可以在实现高性能 GaN 器件的同时将器件制造成本控制在与传统 Si 基器件相当的程度因此,GaN-on-Si 技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术 3. 抢占物联网商机, 高通发布 9205 LTE 基带芯片该产品是一款专为低功耗和广域网络 (LPWAN) 等研发的物联网芯片组, 未来将可广泛的应用在多数的物联网设备上 9205 LTE 在一个芯片组中支持全球多模 LTE 通讯类别, 其中包含了包括 M1(eMTC) 和 NB2(NB-IoT) 以及 2G/E-GPRS 连接等此外, 该基带芯片还包含 Arm Cortex A7 提供的应用处理能力, 主频高达 800MHz, 支援 Thread X 和 Ali OS Things 高通表示, 这样整合的应用处理器避免了对外部微控制器的需求, 以提高成本效率和设备安全性另外,9205 LTE 基带芯片还包括地理定位功能, 可以通过 GPS 北斗 Glonass 和 Galileo 进行定位, 还能通过高通的 Trusted Execution Environment 提高硬件级别的安全性, 还支持云服务因此, 该款基带芯片将可用于广域网络设备和应用程序, 包括可穿戴设备资产跟踪器健康监视器安全系统智慧城市传感器和智慧电表高通预计, 内置 9205 LTE 基带芯片的产品将在 2019 年正式上市 4. 中微半导体 5 纳米刻蚀机通过台积电验证日前新闻报道, 中微半导体自主研制的 5 纳米等离子体刻蚀机经台积电验证, 性能优良, 将用于全球首条 5 纳米制程生产线产新君观点 : 在晶圆制造众多环节中, 薄膜沉积光刻和刻蚀是三个核心环节, 三种设备合计可占晶圆制造生产线设备投资总额的 50% 70%, 其中刻蚀技术高低直接决定了芯片制程的大小, 并且在成本上仅次于光刻在目前全球可量产的最先进晶圆制造 7 纳米生产线上, 中微半导体是被验证合格实现销售的全球五大刻蚀设备供应商之一, 与泛林应用材料东京电子日立 4 家美日企业为 7 纳米芯片生产线供应刻蚀机 5. 上海新昇大硅片通过中芯国际认证上海新昇成立于 2014 年, 由上海新 2

3 阳兴森科技张汝京博士技术团队及新傲科技发起, 项目占地 150 亩, 总投资 68 亿元, 一期总投资 22 亿元目前国家集成电路产业基金旗下上海硅产业投资有限公司为第一大股东 ( 持股 62.82%), 上海新阳为第二大股东 ( 持股 27.56%) 上海新昇项目于 2015 年 7 月正式动工, 自 2017 年第二季度开始有挡片空片陪片等测试片的销售, 并向中芯国际上海华力微武汉新芯等晶圆制造企业提供正片进行认证 2018 年一季度末, 上海新昇 300mm 硅片正片通过上海华力微的认证并开始销售此次通过中芯国际认证, 表明其产品良率纯度等指标达到了要求但中芯国际是否向其采购还需考虑各方面因素, 比如产能是否可保证持续供应等据了解, 上海新昇目前月产能 10 万片, 预计 2020 年底前将实现月产能 30 万片, 最终将达到 100 万片的产能规模企业动态 6. 英特尔 FPGA 中国创新中心落户重庆西永微电园据了解, 英特尔 FPGA 中国创新中心是英特尔在亚太区域内唯一聚焦 FPGA 技术与生态的创新中心, 也是全球最大的聚焦 FPGA 技术与生态的创新中心, 其致力于推动 FPGA 在云计算智慧城市人工智能智能制造金融科技 5G 通信等领域的广泛应用及前沿创新英特尔 FPGA 中国创新中心在重庆西永微电园落户, 对国内 FPGA 的生态建设将产生积极作用继落户之后, 它将为国内 FPGA 研发人员及创新企业提供先进的开发测试及验证的端到端平台, 打造集 FPGA 培训认证产业孵化应用展示及空间活动为一体的综合性专业创新孵化加速中心 7. 终结 14nm 产能不足危机, 英特尔宣布扩建三座晶圆厂产能近日, 英特尔宣布扩建美国俄勒冈州以及以色列爱尔兰的晶圆厂产能, 未来将大大缓解供应不足的问题, 将供应时间缩短 60% 以上 8. 台积电 3 纳米厂环评过关根据 12 月 19 日台湾地区环保署所召开的环评大会决议, 晶圆代工龙头台积电预计斥资新台币 6,000 亿元, 于南科兴建 3 纳米厂的计划, 在经济部能源局水利署以及台电挂保障, 在供电与供水都将无虞的情况下, 环评委员已决议通过南科园区环境差异变更计划台积电总裁魏哲家此前在供应链论坛上表示,3 纳米将成为带领推动台湾半导体产业继续成长的动能环评通过后, 台积电将在 2020 年开始建造 3 纳米厂,2021 年安装, 之后经过预估 18 个月的认证, 在 2022 年底到 2023 年初开始量产 9. 国微技术 EDA 项目获 4 亿元资助在国家及地方大力发展集成电路产业的大环境下,EDA 作为必备的设计工具软件亦受到了关注, 日前视密卡及 mpos 设 3

4 备供应商国微技术公告称, 全资子公司国微深圳已获批国家重大科技专项, 专项子课题芯片设计全流程 EDA 系统开发与应用项目已获立项为此, 国微深圳将获该项目资助共计约 4 亿元人民币, 其中 50% 由中央财政经费资助其余 50% 由深圳市政府资金支持国微集团将以布局布线工具为核心, 重点开发布局布线时序分析物理验证和功耗分析等工具, 着力开发硬件仿真加速器门级仿真逻辑综合和形式验证等工具, 最终形成数字电路芯片设计全流程 EDA 工具平台 ; 其亦将面向国产高端芯片 ( 服务器 CPU FPGA 等 ) 高性能低功耗需求, 开发其他特色工具区域合作 10. 单晶硅抛光片项目将落户福建漳州近日, 漳州高新区和福建一轮善淳科技发展有限公司就 8/12 寸集成电路用单晶硅抛光片外延片项目的合作达成一致意见, 并现场签订框架协议福建一轮善淳是河南汇力远见光电科技有限公司和善淳 ( 厦门 ) 资产管理有限公司合资成立的高科技公司早前, 该公司在漳州高新区投资了一个半导体级别 IC 领域单晶硅拉棒量产示范厂项目, 该项目产品可全部返销日本半导体企业, 有望填补国产半导体长晶设备 12 英寸单晶硅棒量产等多项行业空白 8/12 英寸集成电路用单晶硅抛光片外延片项目是早期单晶硅项目的下游延伸项目投资并购 11. 思科拟 6.6 亿美元收购光学芯片制造商 Luxtera 12 月 18 日, 思科官方宣布, 拟以 6.6 亿美元的现金和股权奖励收购 Luxtera Luxtera 成立于 2001 年, 其开发的硅光子技术将光子编码信息转换入光纤直接传输到半导体中, 极大地加快了数据传输速度该技术受到不少企业的青睐, 媒体引援消息人士言论称, 在这场收购交易竞标中, 思科击败了包括英特尔和 Broadcom 在内的其他公司思科认为,Luxtera 使用硅光子技术构建用于网络规模和企业数据中心服务提供商细分市场和其他客户的集成光学功能, 其技术设计和制造创新显著提高了芯片规模和性能, 同时降低了成本思科计划将 Luxtera 的技术整合到网络产品组合中, 涵盖企业数据中心和服务提供商市场具体的, 思科与 Luxtera 在 100 千兆以太网 (GbE)/400GbE 光学芯片和工艺技术方面的结合, 将使客户能够构建针对性能可靠性和成本进行优化的面向未来的网络此外,Luxtera 与思科光收发器产品组合的集成将扩大思科提供的 100GbE 和 400GbE 光纤产品 4

5 12. 江丰电子拟投建溅射靶材及溅射设备关键部件产业化项目公告显示, 江丰电子与惠州仲恺高新区东江高新科技产业园管理委员会于 2018 年 12 月 18 日在惠州签订了项目投资意向书, 拟约定公司在东江科技园内投资建设溅射靶材及溅射设备关键部件产业化项目项目选址位于惠州仲恺 ( 国家级 ) 高新技术产业开发区内, 面积约 2.5 万平方米溅射靶材是超大规模集成电路制造的必需原材料, 江丰电子专业从事超大规模集成电路芯片制造用超高纯金属材料及溅射靶材的研发生产和销售,2017 年 6 月上市注 : 本期信息来源为腾讯一线台湾经济日报 TechNews 科技新报全球半导体观察等 ( 产新智库整理分析责任编辑 : 王方林 ) 5

第卷第期年月半导体学报! " # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% )

第卷第期年月半导体学报! # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% ) 第卷第期年月!"# $%&'%' $!&'#%#$1/#1 $'! /18103 2?/03101?/18103 /3 0,?/0301.13 )*+!!! '!,!! -.&' $!'! 4%%&1)/1(7%&)03(%)%&,%*(1&0)%$-0*,%30)17*1*)0(+1(1+&1*+*),)1; &113(%44(10&.0701&0-&00*/)%;()1%-1+%&0)0*1*)%