LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HT647PL 封装 :H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器 引脚连接 3. 订购信息 型号封装描述封装名称 HT647PL Earless flanged balanced LDMOST ceramic package;4 leads H2110S-4L HT647PL-S 如有其他封装需求如气密封装, 请联系我们 --- Technical Data 1 / 8
4. 典型性能 HT647PL200W 射频功率晶体管可应用于 1.8-600MHz 频率范围内各类雷达 通信和 ISM 应用 表 1. 典型射频性能 测试条件 :28V 漏极电压,200mA 静态电流, 基于华太功放电路测试 测试条件频率 (MHz) P1dB(W) P1dB 效率 (%) 线性增益 (db) 100us 脉宽 10% 占空比脉冲信号,AB 类 0 200 65 24.8 连续波信号,AB 类 0 190 65 24.6 5. 极限参数 表 2. 极限参数参数 符号 值 单位 漏源电压 VDSS -0.5,+65 V 栅源电压 VGS -5.0,+10 V 温度存储 Tstg -55 to +1 工作结温 TJ - to +225 6. 热性能 表 3. 热性能 参数符号条件典型值单位 热阻 ( 管芯至封装法兰 ) R θjc 封装管脚温度 :80 输出功率 :200W 0.4 /W 7. 电学特性 Technical Data 2 / 8
表 4. 电学特性 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 击穿电压 开启电压 漏极漏电电流 栅极漏电电流 导通电阻 V(BR)DSS VGS(th) VGS=0V; ID=108uA VDS= VGS; ID=108uA 65 - - V - 1.5 - V IDSS VDS=65V; VGS=0V - - 10 ua IGSS VDS=0V; VGS= 5V - - 1 ua RDS(on) VGS=10V; ID=5mA - 100 - mω 表 5. ESD 特性 HBM ( 参考 JESD22--A114) 测试方法 等级 1B MM ( 参考 EIA/JESD22--A115) A CDM ( 参考 JESD22--C101) III 表 6. 负载失配测试 ( 基于华太 PA 测试板 ) 测试条件 VSWR=10:1 at all Phase Angles Pulsed:, IDQ=200mA, f=0mhz, Pout=200W Peak(20W Avg.), 100usec Pulse Width, 10% Duty. 测试结果 晶体管性能无衰减 8. 参考设计 Technical Data 3 / 8
8.10MHz 窄带测试电路设计版图 表 7. HT647PL0MHz 测试电路元件清单 Part Description Part Number Manufacturer C1, C2, C11, C12, C13, C16 100pF Chip Capacitors ATC100B101JT0XT ATC C3 39pF Chip Capacitor ATC100B390JT0XT ATC C4, C7, C9 100pF Chip Capacitors GRM1885C1H101JA01D TDK C5, C8, C10 10nF Chip Capacitors GR321AD72E103KW01D Murata C6, C15, C18 10uF Chip Capacitors Arbitrary Arbitrary C14, C17 1000pF Chip Capacitors ATC100B102JT0XT ATC C19, C20 470uF, V Electrolytic Capacitors Electrolytic Capacitors Arbitrary R1, R2 Ohm, 0805 1/4W Chip Resistors Arbitrary Arbitrary R3 1KOhm, Wire Resistors Arbitrary Arbitrary Coax1 Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Coax2,3 25Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Coax4,5,6 25Ohm SR Coax, 1 mm Arbitrary Arbitrary Q1 LDMOS transistor HT647PL Kunshan Huatai Electronics Ltd. PCB mil,ε r = 3. RF 35 Taconic 0MHz 窄带典型性能 Technical Data 4 / 8
Gain(dB) Drain Efficiency (%) Gain(dB) Drain Efficiency (%) 图 1,2. 脉冲波典型性能 测试条件 :28V 漏极电压,200mA 静态电流,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试电路 Pout VS. Pin Gain and Eff VS. Pout 55 25.0 70 22.5 Gain 60 45 35 IDQ=200mA f=0mhz Pulsed 15 20 25 35 Pin(dBm) 20.0 17.5 15.0 12.5 IDQ=200mA f=0mhz Pulsed 10.0 42 44 46 48 52 54 Eff 20 10 图 1 图 2 图 3,4. 连续波典型性能 测试条件 :28V 漏极电压,200mA 静态电流, 连续波信号, 基于华太 PA 测试电路 Pout VS. Pin Gain and Eff VS. Pout 55 25.0 70 22.5 Gain 60 45 35 IDQ=200mA f=0mhz 15 20 25 35 Pin(dBm) 20.0 17.5 15.0 12.5 IDQ=200mA f=0mhz 10.0 42 44 46 48 52 54 Eff 20 10 图 3 图 4 Technical Data 5 / 8
8.2 100-512MHz 宽带测试电路设计版图 表 8. HT647PL 100-512MHz 宽带测试电路元件清单 Part Description Part Number Manufacturer C1, C2, C3 56pF Chip Capacitor ATC100B560JT0XT ATC C4, C7, C9 100pF Chip Capacitors GRM1885C1H101JA01D TDK C5, C8, C10 10nF Chip Capacitors GR321AD72E103KW01D Murata C6 10uF Chip Capacitors Arbitrary Arbitrary C11 3pF Chip Capacitors ATC100B3R0JT0XT ATC C12, C13, C16, 100pF Chip Capacitors ATC100B101JT0XT ATC C14, C15, C17 1000pF Chip Capacitors ATC100B102JT0XT ATC C18 10uF Chip Capacitors 22201C106MAT2A AVX C19 470uF, V Electrolytic Capacitors Electrolytic Capacitors Arbitrary L1, L2 Air core inductors, 1mm E, ID 3mm, 1 turn N.A. N.A. R1, R2 Ohm, 0805 1/4W Chip Resistors Arbitrary Arbitrary R3 1KOhm, Wire Resistors Arbitrary Arbitrary E2, E3 #43 Multi-Aperture Core 284002 Fair-Rite E1, E4, E5, E6, E7 #61Multi-Aperture Core 2861000202 Fair-Rite Coax1,7 Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Coax3,4,5,6 25Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Q1 LDMOS transistor HT647PL Kunshan Huatai Electronics Ltd. PCB mil,ε r = 3. RF 35 Taconic Technical Data 6 / 8
Drain Efficiency (%) Ids(A) Gain(dB) Drain Efficiency (%) 100-512MHz 宽带典型性能 图 5,6. 连续波典型性能 测试条件 :28V 漏极电压,800mA 静态电流, 连续波信号, 基于华太 PA 测试电路 Pout VS. Pin Gain and Eff VS. Pout 55 35 80 45 IDQ=800mA 25 20 Gain 60 35 100MHz 0MHz 512MHz 10 15 20 25 35 Pin(dBm) 15 10 5 IDQ=800mA 0 35 45 55 Eff 100MHz 0MHz 512MHz 20 图 5 图 6 图 7. 连续波输出 49.0dBm 典型性能 测试条件 :28V 漏极电压,800mA 静态电流, 固定连续波输出 49.0dBm, 基于华太 PA 测试电路 Eff and IdsVS. Freq 70 6.0 65 60 Eff 5.5 5.0 55 45 IDQ=800mA Pout=49.0dBm 100 200 0 0 0 Ids Frequency(MHz) 4.5 4.0 3.5 3.0 图 7 Technical Data 7 / 8
9. 封装尺寸 Technical Data 8 / 8