CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块初步资料特点 : 低导通电阻低电容耐雪崩能力强更高的系统效率高温应用高频率工作适合并联无卤, 符合 RoHS 规定应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动功率逆变器 & DC/DC 变换器太阳能

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针灭宓
4 years ago
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- 源极间电压最大值 -10/+25 V VGSop 栅极 - 源极间电压建议驱动值 -5/+20 V ID ID(pluse) 连续漏极电流漏极脉冲电流 VGS=20V,TC=25 480 A

1 CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块初步资料特点 : 低导通电阻低电容耐雪崩能力强更高的系统效率高温应用高频率工作适合并联无卤, 符合 RoHS 规定应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动功率逆变器 & DC/DC 变换器太阳能 / 风能最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax 栅极 - 源极间电压最大值 -10/+25 V VGSop 栅极 - 源极间电压建议驱动值 -5/+20 V ID ID(pluse) 连续漏极电流漏极脉冲电流 VGS=20V,TC= A VGS=20V,TC= A Pulse width tp=us Repetition rate limited by Tjmax,Tc=25 0 A PD 最大功耗 Tc=25,Tj= W

2 MOSFET 的电学特性 (TC=25 除非有规定 ) 符号描述测试条件最小值典型值最大值单位 V(BR)DSS 漏极 - 源极间击穿电压 VGS=0V, IDS = A 1 V VGS(th) 阈值电压 VDS = 10 V, ID = 0 ma V IDSS 漏极 - 源极间漏电流 VDS = 1.2 kv, VGS = 0V 0 μa VDS = 1.2 kv, VGS = 0V, TJ = C 0 μa IGSS 栅极 - 源极间漏电流 VGS = 20 V, VDS = 0V na RDS(on) Ciss 导通电阻输入电容 VGS = 20 V, IDS = A 4.7 VGS = 20 V, IDS = A, TJ = C VGS=0V, VDS=800V Coss 输出电容 1.2 f =1MHz, VAC=25mV Crss 转移电容 mω nf RG(int) 内部寄生电阻 f = 1MHz, VAC = 25 mv 0.12 Ω QGS 栅极 - 源极间电荷 VDD= 800 V, VGS = -5V/+20V, QGD 栅极 - 漏极间电荷 528 ID= 240A, QG 栅极总电荷 1830 Eon Eoff 开通损耗关断损耗 VDD = 600 V, VGS = -5V/+20V, ID = A, RGon = 2.5 Ω, di/dt=4206a/μs, 感性负载 VDD = 600 V, VGS = -5V/+20V, ID = A, RGoff = 2.5 Ω, du/dt=7173v/μs, 感性负载 546 nc 9.6 mj 8.4 mj td(on) 开通延迟时间 85 ns tr 上升时间 VDD = 600V, VGS = -5/+20V, 57 ns td(off) 关断延迟时间 ID = A, RGon = RGoff = 2.5 Ω, 感性负载, 238 ns 备注 : 依据 IEC 定义 tf 下降时间 62 ns RG 内部电阻 0.78 Ω RθJCM MOSFET 的结壳热阻 /W 续流 SiC 肖特基二极管的最大值 (TC=25 ) VRRM 可重复的最大尖峰电压 1 V IF 二极管连续正向电流 8 A Page 2 REV. 01

3 IFM 二极管最大正向电流待定 A 续流 SiC 肖特基二极管的电学特性 (TC=25 除非有规定 ) 符号描述测试条件最小值典型值最大值单位 VFM 正向压降 IF=A TJ= TJ= 2.20 V trr 反向恢复时间 TJ= TJ= 99 ns Irr Qrr 反向恢复峰值电流反向恢复电荷 IF=A, -dif/dt=2394a/μs(tj= ), VR=600V, VGS = -5V TJ=25 78 TJ= 69 TJ= TJ= 4.8 A µc Erec 反向恢复损耗 TJ= TJ= 1.6 mj RθJC 二极管的结壳热阻 /W 模块符号描述最小值典型值最大值单位 Viso 绝缘电压 ( 所有端子短接 ) f =Hz, 1minute 4.0 kv 模块底板材质内部绝缘材质铜氮化铝 LsCE 模块寄生电感 14 nh TJ 最大结温 175 TJOP 最大工作结温范围 Tstg 储存温度 CTI 相对电痕指数 RθCS 壳到散热器热阻 ( 涂有导热硅脂 ) 0.03 /W M 功率端子螺丝 :M N m M 底板安装螺丝 :M N m G 重量 g Page 3 REV. 01

4 IF(A) VGS=20V TJ=25 TJ= VDS(V) TJ= VGS=10V VGS=12V VGS=14V VGS=16V VGS=18V VGS=20V VDS(V) Fig.1 MOSFET 输出特性 ( 典型 ) Fig.2 MOSFET 输出特性 ( 典型 ) VDS=20V TJ=25 TJ= TJ=25 TJ= VGS(V) VF(V) Fig.3 MOSFET 转移特性 ( 典型 ) Fig.4 二极管正向压降特性 ( 典型 ) Page 4 REV. 01

5 ZthJC(k/W) ZthJC(k/W) E(mJ) E(mJ) VDD=600V,VGS= -5/+20V, RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm TJ= Eon Eoff Erec VDD=600V,VGS= -5/+20V ID=A,TJ= Eon Eoff Erec RG(ohm) Fig.5 电流与损耗的关系 ( 典型 ) Fig.6 驱动电阻与损耗的关系 ( 典型 ) ZthJC:Mosfet ZthJC:Diode E-5 1E-4 1E time(s) Fig.7 瞬态热阻 (MOSFET) E-5 1E-4 1E time(s) Fig.8 瞬态热阻 (DIODE) Page 5 REV. 01

6 Load Current(A) 3 Duty Cycle:%, TJ=,TC=80, RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm VGS= -5/+20V 1 10 Frequency(kHz) Fig.9 开关频率与负载电流关系 ( 典型 ) Duty Cycle:% TJ=,f=10kHz RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm VGS= -5/+20V TC( ) Fig.10 额定电流与壳温的关系 Page 6 REV. 01

7 电路拓扑结构封装外形图 ( 单位 : mm): Page 7 REV. 01

8 日期版本号备注 08/07/ 初次发布声明本文件中的信息被认为是准确可靠的但是, 对于此类信息的准确性或完整性,Cengol 不作任何明示或暗示的陈述或保证, 且对使用此类信息的后果不承担任何责任变更权 Cengol 保留随时更改本文件中发布信息的权利, 包括但不限于规范和产品说明, 恕不另行通知本文件取代并代替本文件出版前提供的所有信息 Page 8 REV. 01

N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830

N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830 特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:

CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能

CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块初步资料特点 : 低导通电阻低电容耐雪崩能力强更高的系统效率高温应用高频率工作适合并联无卤, 符合 RoHS 规定应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动功率逆变器 & DC/DC 变换器太阳能