HTN7G27S010P

HT647PL

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 RoHS 规范 HT647PL HT647PLB HT647PL 封装 : H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备

HTN7G27S010P

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HT647PL 封装 :H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器

Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc

Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR

Microsoft Word - HTN7G21P160H_V1.0.docx

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管 为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限 提供 VBW 改善外接引脚 为适应预失真系统的优化设计 方便功放设计的内匹配设计 增强鲁棒性设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HTN7G21P160H 封装 :H2110S-6L 2. 产品应用 GSM EDGE CDMA W-CDMA TD-SDMA

TONE RINGER

4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R

Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V

VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000

MCU产品规格书

2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.

Microsoft Word - V1_2010513_王翔会计习题课二.docx

2015 注 册 会 计 师 会 计 习 题 班 二 王 翔 肆 大 会 计 高 级 培 训 师 第 二 章 金 融 资 产 1.A 公 司 于 2013 年 1 月 2 日 从 证 券 市 场 上 购 入 B 公 司 于 2013 年 1 月 1 日 发 行 的 债 券, 该 债 券 3 年 期, 票 面 年 利 率 为 4.5%, 到 期 日 为 2016 年 1 月 1 日, 到 期 日 一

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

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0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655

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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt

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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply

N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830

特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:

<4D F736F F D20B2CECAFDB7FBBAC5BBE3D7DC2E646F63>

Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV) Average

Specification of the 13.56MHz RFID card reader/writer

Specification of the 13.56MHz RFID card reader/writer 3.1 RFID RFID card...4 3.2 13.56MHz RFID 13.56MHz RFID card reader/writer...4 4.1...4 4.2...7 4.3...7 4.4...7 4.5...8 4.6...8 4.7...9 4.8...9 4.9...9

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Macroblock 6~36 1A - (PWM) - (PWM) 1,024 3 LED 350mA12V 97% Hysteretic PFM 0.3Ω (UVLO)(Start-Up)(OCP) (TP) LED 6 PCB Mini Small Outline Package GMS : MSOP-8L-118mil Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27

Slide 1

egan FET 昂首阔步前进 采用氮化镓场效应晶体管 (egan FET) 的 无线电源传送解决方案 宜普电源转换公司 www.epc-co.com.cn 1 议题 无线电源拓扑概述 每种拓扑所取得的无线电源结果 总结 www.epc-co.com.cn 2 概述 输出功率 < 30 W 松散耦合 根据 A4WP 标准的 6.78 MHz(ISM 频带 ) 探讨不同的拓扑 : D 类放大器 ( 电流及电压模式

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TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac

穨series019-IA.PDF

1971 7 6 1993 3 8 1993 2 17 1992 2 5 1991 2 3 1 2 1972 2 217 1972 1 270 1987 113 1988 296 1989 132 1990 12 30 1990 8 2 1992 2 7 1986 3 1 1960 28 1960 31 1945 1950 1987 17 1972 1 1 1972 1 39 1972 2 301

Microsoft Word - P SDV series.DOC

片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4 5 6 7 38 ( ) VS 3 100 ( ) MM MM ! 1 2003 VS . MM MM MM MM MM MM MM CS MM CS MM MM ! ? % Y O [ ] Y O [ ] [ ] [ ] MM MM

<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>

台湾合泰 HOLTEK 型号品牌封装说明 HT7022A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7022A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7027A-1#-SOT89

input commom-mode range) output swing (open loop gain) (GBW) ( phase margin) (gain margin)

OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...

Microsoft Word - 深圳2016年9月27-29日ESD工程师培训通知-盖章.doc

工 业 和 信 息 化 部 ESD 工 程 师 职 业 技 术 培 训 通 知 电 鉴 站 字 2016 008 号 一 培 训 背 景 在 经 济 的 全 球 化, 中 国 制 造 业 2025, 互 联 网 + 行 动 计 划, 以 及 促 进 工 业 和 信 息 化 的 两 化 深 度 融 合, 加 快 从 制 造 业 大 国 向 制 造 强 国 转 变, 电 子 信 息 技 术 产 业 发

股份有限公司

公 司 代 码 :603678 公 司 简 称 : 火 炬 电 子 福 建 火 炬 电 子 科 技 股 份 有 限 公 司 2014 年 年 度 报 告 重 要 提 示 一 本 公 司 董 事 会 监 事 会 及 董 事 监 事 高 级 管 理 人 员 保 证 年 度 报 告 内 容 的 真 实 准 确 完 整, 不 存 在 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 重 大 遗 漏, 并 承 担 个

6

Microsoft Word - 参数符号汇总 doc

Diode 普通二极管 (Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC blocking voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS reverse voltage 反向电压有效值 I O Average rectified

iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes. IC Description The iml88 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowi

iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes iml88 0V C 8W T Tube EVM pplication Notes Table of Content. IC Description.... Features.... Package and Pin Diagrams.... pplication Circuit.... PCB Layout

2

1 > > > > 2003/12/03 2 3 1984 1992 1996 1997 1998 2002 1984 1988 4 1993 1997 2003 10 68 5 6 2002 7 1987 1997 1998 8 2001 12 1979 1980 1987 1989 1991 1996 2001 2001 12 2002 10 1995 1997 < > 9 1998 10 2001

XT1861

同步升压 DC-DC 变换器 产品概述 XT1861 系列产品是一款低功耗高效率 低纹波 工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 XT1861 系列产品仅需要 3 个外部元器, 即可完成低输入的电池电压输入 用途 1~3 个干电池的电子设备 数码相机 电子词典 ED 手电筒 ED 灯 血压计 MP3 遥控玩具 无线耳机 无线鼠标键盘 医疗器械 防丢器 汽车防盗器 充电器 VCR PD 等手持电子设备

FM1935X智能非接触读写器芯片

FM33A0xx MCU 2017. 05 2.0 1 (http://www.fmsh.com/) 2.0 2 ... 3 1... 4 1.1... 4 1.2... 4 1.3... 5 1.3.1... 5 1.3.2... 5 1.4... 8 1.4.1 LQFP100... 8 1.4.2 LQFP80... 9 1.4.3... 9 2... 15 2.1 LQFP100... 15

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip

DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,

Microsoft Word - 1HF12序.doc

每 天 早 晨 水 果 日 報 的 頭 條, 總 有 瘋 狂 的 肥 皂 劇 在 現 實 社 會 中 上 演 著, 諸 如 友 寄 隆 輝 毆 打 計 程 車 司 機 案 014 貪 瀆 案 黑 暗 騎 士 掃 射 案 ( 美 國 ) 李 宗 瑞 淫 照 外 洩 案 等, 太 多 太 多 不 可 思 議 的 刑 事 個 案 都 活 生 生 地 搬 上 現 實 世 界 演 出 而 這 也 說 明 了

Microsoft Word - 讀報看科普─人體篇_橫_.doc

教 學 緣 起 在 引 領 學 生 進 行 讀 報 心 得 分 享 與 批 判 思 考 時, 發 現 學 生 普 遍 對 科 學 知 識 性 文 章 興 趣 缺 缺 ; 再 者, 近 年, 國 小 高 年 級 課 本 選 讀 科 普 文 章, 但 學 生 學 習 往 往 不 得 其 所, 無 法 融 入 課 文 中 因 此, 教 學 者 從 國 語 日 報 中 選 了 一 些 較 貼 近 生 活 的

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年 报 食 用 油 可 期 稳 定 改 善 稳 定 有 余, 油 脂 将 继 续 表 现 库 存 压 力 和 高 价 值 化 价 区 的 对 抗 性 投 资 机 会 更 多 是 油 脂 内 部 结 构 以 及 其 对 粕 类 相 对 强 弱 的 变 动 同 时 有 菜 籽 油 和 棕 榈 油 的 改 善 可 预 期 相 较 于 其 它 大 多 数 商 品 的 表 现, 油 脂 系 在 2015 年

席 远 杨 一 人 了, 正 当 她 开 枪 时 却 发 现 子 弹 没 了 该 死, 只 能 赤 手 空 拳 了 洛 水 云 与 席 远 杨 交 起 手 来, 洛 水 云 出 手 招 招 致 命 想 那 席 远 杨 也 不 是 泛 泛 之 辈, 很 快 掌 握 了 洛 水 云 出 招 路 数 看

美 人 洛 水 云 / 作 者 : 慕 橙 子 第 一 卷 第 一 章 : 惨 死 睁 开 双 眼, 洛 水 云 马 上 闭 上, 再 睁 开, 又 闭 上 如 此 反 复 几 次 之 后, 洛 水 云 确 认 自 己 不 是 在 做 梦, 她 是 真 实 的 躺 在 床 上 这 究 竟 是 怎 么 回 事, 她 不 是 死 了 么? 是 谁 救 了 她 么? 如 果 她 被 救, 那 席 远 杨

Microsoft Word - 2B802內文.doc

行 政 法 導 讀 001 行 政 法 導 讀 大 綱 序 言 壹 行 政 法 解 題 思 維 貳 行 政 法 選 擇 題 概 覽 參 行 政 法 常 考 爭 點 一 考 題 趨 勢 二 行 政 法 考 試 上 所 關 心 的 重 點 序 言 一 行 政 法 並 不 難 行 政 法 科 目 考 題 內 容 可 以 說 是 包 羅 萬 象, 考 生 要 能 夠 精 確 掌 握 實 務 上 各 種 領

東區校園中法治教育種子師資教學研習營

1 錄 錄 2 3 年 律 立 蓮 理 理 行 年 例 理 念 念 力 說 參 念 律 說 老 律 不 律 念 參 參 兩 力 參 兩 4 行 年 蓮 行 兩 見 參 律 行 說 論 兩 行 狀 參 參 蓮 蘭 列 律 年 律 理 律 年 參 行 行 兩 行 行 參 聯 參 聯 行 行 理 來 5 列 利 律 論 例 老 老 狀 老 老 了 利 老 索 老 行 不 老 錄 6 老 尿 例 律 留 量

閱 讀 素 材 V.S 分 組 方 式 的 差 異 化 教 學 工 具 表 班 級 :( ) 閱 讀 素 材 V.S 分 組 方 式 獨 立 閱 讀 夥 伴 閱 讀 ( 同 質 性 ) 夥 伴 閱 讀 ( 異 質 性 ) 友 善 陪 伴 虛 心 受 教 國 語 日 報 新 聞 生 活 文 藝 兒 童

差 異 化 教 學 在 老 梅 103 年 12 月 差 異 化 教 學 是 老 師 對 於 學 習 者 需 求 的 回 應, 這 句 話 雖 然 動 人, 但 要 瞭 解 每 個 學 生 不 同 的 需 求 並 予 以 回 應, 則 在 教 學 上 需 要 不 斷 的 嘗 試 觀 察 與 調 整, 老 師 不 僅 需 要 高 度 的 專 業 敏 銳 的 觀 察 十 足 的 創 意 等 等, 更 重

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2012/13 2012/13 Agilent 2012/13 (www.agilent.com/ find/mta) ,, 60 : PXI 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 2012/13 1 1 2 2 3 6 4 20 5 32 36 38 44 48 6 52 7 56 8 63 66 69 9 72 10 82 11 87

入 学 考 试 重 点 考 查 学 生 的 基 础 专 业 知 识 基 本 实 验 操 作 技 能 独 立 思 考 和 动 手 能 力 笔 试 和 面 试 的 试 题 都 有 足 够 的 难 度, 以 利 择 优 录 取 新 录 取 的 研 究 生 第 一 次 见 面, 池 先 生 会 作 一 次

严 师 慈 母 池 际 尚 院 士 培 养 研 究 生 记 实 叶 德 隆 叶 德 隆, 男,1936 年 12 月 初 生 中 国 地 质 大 学 ( 武 汉 ) 地 球 科 学 学 院 教 授 1960 年 北 京 地 质 学 院 岩 石 矿 物 学 专 业 毕 业 并 留 校 任 教,1962 年 北 京 地 质 学 院 研 究 生 毕 业 主 要 从 事 岩 浆 岩 岩 石 学 晶 体 光

HXJ9005技术资料

概 述 一 款 双 通 道 桥 接 的 音 频 功 率 放 大 器, 在 5V 电 源 电 压 4Ω 负 载 时, 可 提 供 3.5W 的 功 率 具 有 低 功 耗 关 断 模 式 和 过 温 保 护 功 能 在 电 路 启 动 时, 具 有 缓 冲 及 防 抖 动 功 能 此 外, 当 接 立 体 耳 机 时, 芯 片 可 以 单 终 端 工 作 模 式 驱 动 立 体 耳 机 具 有 外 部

014315 市 立 永 平 高 中 無 填 報 無 填 報 (02)22319670 014322 市 立 樹 林 高 中 已 填 報 已 填 報 (02)86852011 014326 市 立 明 德 高 中 已 填 報 (02)26723302 014332 市 立 秀 峰 高 中 已 填 報

加 總 - 人 數 每 位 填 報 人 只 能 填 一 種 學 制 欄 標 籤 列 標 籤 高 級 中 學 進 修 學 校 010301 國 立 華 僑 高 級 中 等 學 校 無 填 報 已 填 報 (02)29684131 011301 私 立 淡 江 高 中 無 填 報 已 填 報 (02)26203850 011302 私 立 康 橋 高 中 已 填 報 (02)22166000 011306

2. 禁 止 母 乳 代 用 品 之 促 銷 活 動, 以 及 不 得 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴 認 證 說 明 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴, 並 在 婦 產 科 門 診 兒 科 門 診 產

104 年 母 嬰 親 善 醫 療 院 所 認 證 基 準 及 評 分 說 明 ( 調 整 對 照 表 ) 認 證 說 明 措 施 一 : 明 訂 及 公 告 明 確 的 支 持 哺 餵 母 乳 政 策 (8 分 ) ( 一 ) 醫 療 院 所 成 立 母 嬰 親 善 推 動 委 員 會, 由 副 院 長 級 以 上 人 員 擔 任 主 任 委 員, 並 定 期 召 開 會 議, 評 估 醫 療 院

xueshu004.doc

CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能

CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax

人 間 菩 提 Part 1 人 間 菩 提 Part 2 清 涼 菩 提 正 覺 ------------------ 10 修 行 ------------------ 13 清 心 ------------------ 16 發 願 ------------------ 18 自 重 ----

人 間 菩 提 Part 1 人 間 菩 提 Part 2 清 涼 菩 提 正 覺 ------------------ 10 修 行 ------------------ 13 清 心 ------------------ 16 發 願 ------------------ 18 自 重 ------------------- 20 習 氣 ------------------ 22 清 淨 心

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5 55 75 91 5 6 1 2 3 4 5 7 8 1 2 3 4 5 9 10 1 2 3 4 5 6 7 11 12 1 2 3 13 14 1 2 3 15 16 1 2 17 18 1 2 3 19 20 1 2 21 22 1 2 3 23 24 1 2 3 25 26 1 2 3 4 5 27 28 1 3 2 4 5 6 7 8 9 29 30 31 32 1 2 3 4 33

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Part 1 2 3 4 5 6 7 Part 2 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 Part 3 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67

DataNet_Solution2.ai

ourtec FOURIERTECHNOLOGIES DataNet 24 / 7 创新的 监控解决方案 DataNet ZigBee DataNet ZigBee 2.4 GHz 65,000 4 20 ma, 0 1 V,, 2, NTC, J 2.4 GHz API www.fourtec.com DataNet 解决方案智能的无线数据记录网络 DataNet 6 DataNet / DataNet

Series Rated Voltage (V) (pf) TDK - MIDDLE-HIGH VOLTAGE CERAMIC CAPACITORS Dimension (D*T)/ CC16 50 (1H) 100 +/-5% length)*l(lead CC165PH1H101J1A 2.6*

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