MCU产品规格书

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涕局璩
5 years ago
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1 2A 600V N 沟道增强型场效应管描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3. 栅极 2. 漏极 3. 源极 3 TO-252-2L 2 3 TO-25D-3L 特点 2A,600V,R DS(on)( 典型值 )=3.7Ω@V GS =0V 低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了 dv/dt 能力 TO-25J-3L TO-26-3L TO-26F-3L TO-220F-3L 命名规则士兰 F-Cell 工艺 VDMOS 产品标识额定电流标识, 采用 -2 位数字 ; 例如 :4 代表 4A,0 代表 0A, 08 代表 0.8A 沟道极性标识,N 代表 N 沟道 SVF XNEXXC X 封装外形标识例如 :N:TO-26; NF:TO-26F; M:TO-25D; MJ:TO-25J; F:TO-220F; D:TO-252; 版本额定耐压值, 采用 2 位数字例如 :60 表示 600V,65 表示 650V 特殊功能规格标识, 通常省略例如 :E 表示内置了 ESD 保护结构产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装形式 60CN TO-26-3L 60CN 无铅料管 60CN TO-26-3L 60CN 无铅袋装 60CNF TO-26F-3L 60CNF 无铅料管 60CM TO-25D-3L 60C 无卤料管 60CMJ TO-25J-3L 60C 无卤料管 60CF TO-220F-3L 60CF 无铅料管 60CD TO-252-2L 60CD 无卤料管 60CDTR TO-252-2L 60CD 无卤编带 http: // 共 0 页第页

2 极限参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数范围参数名称符号 60CN 60CNF 60CM/D 60CMJ 60CF 单位漏源电压 V DS 600 V 栅源电压 V GS ±30 V 漏极电流 T C=25 C I D 2.0 T C=00 C.3 漏极脉冲电流 I DM 8.0 A 耗散功率 (T C=25 C) - 大于 25 C 每摄氏度减少 P D W W/ C 单脉冲雪崩能量 ( 注 ) E AS 5 mj 工作结温范围 T J -55~+50 C 贮存温度范围 T stg -55~+50 C 热阻特性 A 典型值参数名称符号单位 60CN 60CNF 60CM/D 60CMJ 60CF 芯片对管壳热阻 R θjc C/W 芯片对环境的热阻 R θja C/W 电性参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压 B VDSS V GS=0V, I D=250µA V 漏源漏电流 I DSS V DS=600V,V GS=0V µa 栅源漏电流 I GSS V GS=±30V,V DS=0V ±00 na 栅极开启电压 V GS(th) V GS= V DS,I D=250µA V 导通电阻 R DS(on) V GS=0V,I D=.0A Ω 输入电容 C iss 输出电容 C oss V DS=25V,V GS=0V, f=.0mhz 反向传输电容 C rss 开启延迟时间 t d(on) V DD=300V,I D=2.0A, R G=25Ω 开启上升时间 t r 关断延迟时间 t d(off) ( 注 2,3) 关断下降时间 t f 栅极电荷量 Q g V DS=480V,I D=2.0A,V GS=0V 栅极 - 源极电荷量 Q gs ( 注 2,3) 栅极 - 漏极电荷量 Q gd pf ns nc http: // 共 0 页第 2 页

3 源 - 漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流 I S MOS 管中源极漏极构成的反偏源极脉冲电流 I SM P-N 结 A 源 - 漏二极管压降 V SD I S=2.0A,V GS=0V V 反向恢复时间 T rr I S=2.0A,V GS=0V, ns 反向恢复电荷 Q rr di F/dt=00A/µS µc. L=30mH,I AS=2.52A,V DD=00V,R G=25Ω, 开始温度 T J=25 C; 2. 脉冲测试 : 脉冲宽度 300μs, 占空比 2%; 3. 基本上不受工作温度的影响典型特性曲线漏极电流 ID(A) 0 0. VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=0V VGS=5V 图. 输出特性漏极电流 ID(A) C 25 C 50 C 图 2. 传输特性.250µS 脉冲测试 2.TC=25 C 漏源电压 V DS (V) µS 脉冲测试 2.V DS=50V 栅源电压 V GS (V) 8 图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流和栅极电压图 4. 体二极管正向压降 vs. 漏极电流温度 00 漏源导通电阻 RDS(on)(Ω) VGS=0V VGS=20V T J=25 C 反向漏极电流 IDR(A) 0-55 C 25 C 50 C.250µS 脉冲测试 2.VGS=0V 漏极电流 I D (A) 源漏电压 V SD (V) http: // 共 0 页第 3 页

4 典型特性曲线 ( 续 ) 电容 (pf) Ciss Coss Crss 图 5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd. VGS=0V 2. f=mhz 栅源电压 VGS(V) V DS=480V V DS=300V V DS=20V 图 6. 电荷量特性 ID=2.0A 漏源电压 V DS (V) 总栅极电荷 Qg(nC) 漏源击穿电压 ( 标准化 ) BVDSS 图 7. 击穿电压 vs. 温度特性. V GS=0V 2. I D=250µA 漏源导通电阻 ( 标准化 ) RDS(on) 图 8. 导通电阻 vs. 温度特性. V GS=0V 2. I D=.0A 结温 T J ( C) 结温 T J ( C) 图 9-. 最大安全工作区域 (60CN) 图 9-2. 最大安全工作区域 (60CNF) 此区域工作受限于 RDS(ON) 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 漏极电流 - ID(A) 0 0 DC ms 0ms 00µs 漏极电流 - ID(A) 0 0 DC ms 0ms 00µs TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 漏源电压 - V DS (V) TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 漏源电压 - V DS (V) http: // 共 0 页第 4 页

5 典型特性曲线 ( 续 ) 图 9-3. 最大安全工作区域 (60CM/D) 图 9-4. 最大安全工作区域 (60CMJ) 此区域工作受限于 RDS(ON) 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 漏源电压 - V DS (V) TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 漏源电压 - V DS (V) 0 2 图 9-5. 最大安全工作区域 (60CF) 2.0 图 0. 最大漏电流 vs. 壳温此区域工作受限于 RDS(ON) 0.5 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs 漏极电流 - ID (A) TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 漏源电压 - V DS (V) 壳温 T C ( C) http: // 共 0 页第 5 页

6 典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图 2V 200nF 50KΩ 300nF 与待测器件参数一致 VDS VGS 0V Qg Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量开关时间测试电路及波形图 VGS VDS RL VDD VDS 90% 0V RG 待测器件 0% VGS td(on) tr ton td(off) tf toff EAS 测试电路及波形图 VDS L BVDSS EAS = 2 LI AS 2 BVDSS BVDSS - VDD ID IAS RG 0V tp 待测器件 VDD VDD ID(t) VDS(t) tp Time http: // 共 0 页第 6 页

7 封装外形图 TO-26-3L 2.7± ~8.2.0~.5 φ3.± ~0.30.0± ~ ±0.0.27± ± TYP 2.29TYP 0.45~0.60 TO-26F-3L 3.20± ± ± φ3.05±0.0.00± ± ± ± ± ± ±0.0 http: // 共 0 页第 7 页

8 封装外形图 ( 续 ) TO-25D-3L 6.60± ~ ~ ± ± ± ~ REF 2.286± ± BSC TO-25J-3L 6.35~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ TYP 0.56~ ~ ~.4 http: // 共 0 页第 8 页

9 封装外形图 ( 续 ) TO-220F-3L 3.30± ±0.30 Φ3.20± ± ± ± ± ± ± MAX 9.80± ± TYPE 0.50±0.5 TO-252-2L 6.60± ± ~ ~0.65 Eject pin(note) 0.0± ~ ± ± TYP 0.76± REF.4~ ~0.65 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况 http: // 共 0 页第 9 页

10 声明 : 士兰保留说明书的更改权, 恕不另行通知! 客户在下单前应获取最新版本资料, 并验证相关信息是否完整和最新任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能, 买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施, 以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! 产品提升永无止境, 我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品! 产品名称 : 60CN/NF/M/MJ/F/D 文档类型 : 说明书版权 : 杭州士兰微电子股份有限公司公司主页 : http: // 版本 :.0 作者 : 殷资修改记录 :. 正式发布版本 http: // 共 0 页第 0 页

TONE RINGER

TONE RINGER 4A 700V N 沟道增强型场效应管描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动特点 4A,700V,R