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- 阳疋 讷殷富察
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1 公司及充电桩芯片产品介绍 苏州有限公司
2 公司简介 成立于 2008 年, 注册资本 3520 万元, 专注半导体器件技术创新, 拥有多项功率半导体核心专利, 核心产品为中低高压功率器件 拥有世界一流的技术研发团队, 其原创半浮栅技术曾发表于国际顶级杂志 Science 致力于自主知识产权的半导体器件技术的研发和产业化, 是 长三角集成电路设计与制造协同创新中心 的核心成员单位 公司已有 50 多项发明专利, 包括 3 个美国专利, 有多项自主知识产权的国际原创核心器件技术 公司总部 : 苏州 研发分部 : 上海 分销及技术支持 : 深圳, 上海, 苏州, 台北, 首尔, 纽约
3 公司创办人 王鵬飛,Peng-Fei Wang , Dr.- Ing. from TU-Munich, Germany (summa cum laude) , Invented and fabricated complementary Tunnel FET (a promising device technology which will be applied in the future CPU and MCU) , at Infineon. Invented Infineon s 65nm and 58nm U-shape device and FinFET based DRAM. Realized mass production. 2008, start up Oriental Semiconductor, invented Semifloating Gate Transistor, soft-switching trench superjunction MOSFET structure, and SFG power MOSFET. 2015, Bring Semi-floating gate transistor to production Currently, Invited professor of Fudan University Yi Gong, in Infineon Technologies R. Lu
4 合作伙伴 复旦大学微电子学院成立于 2013 年 4 月, 是由原 微电子研究院 信息学院微电子学系 和 985 微纳电子科技创新平台 合并而成, 也是复旦大学积极响应 国家急需, 世界一流 号召, 发展工科 先行先试 的首个改革试点单位, 是直属于学校领导的教学科研实体单位 复旦大学微电子学院拥有 专用集成电路与系统 国家重点实验室, 具备国际一流的软硬件设计环境 学院承担着推动国家集成电路产业技术创新 抓住不放 实现跨越 的发展重任, 以科学前沿和重大需求来驱动基础研究 先导研究和应用研究的有机衔接, 着眼于培养国际一流的集成电路高级技术人才, 解决集成电路领域国家重大需求和学科前沿问题, 努力建设成为国际先进水平的集成电路人才培养与科研相结合的平台 东微和复旦同为长三角集成电路协同创新中心成员单位, 双方在器件研发, 电路设计及系统应用开发方面有深度合作, 双方于 2013 年联合发表了首个半浮栅器件的 科学 杂志论文 上海华虹宏力半导体制造有限公司, 由原上海华虹 NEC 电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成, 是世界领先的 8 英寸纯晶圆代工厂 华虹宏力在上海张江和金桥共有 3 条 8 英寸集成电路生产线, 月产能达 13.2 万片 公司总部位于中国上海, 在中国台湾地区 日本 北美和欧洲等地均提供销售与技术支持 华虹宏力共有三座 8 英寸晶圆厂, 洁净室面积达 35,000 平方米, 厂区面积约 42 万平方米, 具备充足的发展空间 华虹宏力还有一座 12 英寸规格厂房, 目前租赁给上海华力微电子有限公司, 华虹宏力是其主要投资方之一 华虹宏力先后通过了 ISO9001 质量管理体系 ISO14001 环境管理体系 OHSAS18001 职业健康安全管理体系 ISO27001 信息安全管理体系 ISO/TS16949 汽车业管理体系 QC 有害物质过程管理体系认证, 获得 Sony Green Partner 证书, 并于 2013 年获得由 APQO( 亚太质量组织 ) 授予的全球卓越绩效奖最高级别 World Class 奖项 华虹宏力由此具有更卓越的产品品质和更高的信息安全性 天水华天科技股份有限公司成立于 2003 年 12 月 25 日,2007 年 11 月 20 日在深圳证券交易所挂牌上市交易 股票简称 : 华天科技 ; 股票代码 : 目前, 企业总股本 万股, 注册资本 万元 企业主要从事半导体集成电路封装测试业务, 封装测试产品有 12 大系列 200 多个品种, 集成电路年封装能力达到 100 亿块 企业的集成电路年封装能力和销售收入均位列我国同行业上市公司第二位 公司拥有稳定的客户群体和强大的销售网络, 通过多年的合作, 公司得到了客户的广泛信赖, 为公司发展提供了有力的市场保证, 降低了市场风险 企业建有强大的销售网络, 通过近几年的快速发展, 目前已形成了以天水为基地, 华天科技 ( 西安 ) 和华天科技 ( 昆山 ) 为前沿的集成电路产业发展布局 企业的发展目标是在进一步扩大 提升现有集成电路生产规模与水平的同时, 大力发展先进封装业务, 把华天建设成世界知名的封装测试企业, 打造中国封装测试行业的第一品牌 研发伙伴制造伙伴封装伙伴
5 功率器件 东微开发了特有的器件技术, 实现器件的低特征导通电阻 高密度及高可靠性 多项性能指标超过国外一流品牌 专有技术 : 1.Green-MOS 技术 :500V -800V, 使用了超级结技术并改善了动态性能 2.SFG-MOS 技术 : V, NMOS,Rdson(sp) 为竞争对手的 40% 3. HD-MOS 技术 : 20-40V, N/P MOS,Rdson(sp) 为竞争对手的 80% 5
6 新一代高压超级结技术 :GreenMOS 技术 Emax is reduced by charge balancing w d p High concentration, VDMOS Lower concentration depth Charge balance, GMOS Rdson = 2BV*p/μ n ε s E c 2 GreenMOS 技术的优点 : 1. 高软度深槽超级结技术 : 专利技术解决深槽超级结的 EMI 问题, 在 EMI 得到解决的同时不损失效率 ; 2. 漏电流 (Idss) 更小, 耐压 (BV) 一致性更高 ; 3. 栅电荷 (Qg) 更小, 栅极驱动电路要求低 意味着驱动 IC 中的功率管面积可以大幅缩小, 驱动芯片面积可大幅缩小, 成本竞争力增强, Cgd 电容小, 开关速度快, 开关损耗小, 可用于高端 350kHz 电源系统 首创高软度深槽超级结技术 6
7 技术优点 1: 高软度 低 EMI 传统多层外延超级结技术 传统深槽型超级结技术 GreenMOS- 新型软沟槽超级结技术 缺点 : 成本高优点 : 开关软 缺点 : 开关硬优点 : 成本低 成本低开关软 传统深槽超级结 Id abrupt change 东微新一代高软度深槽超级结 Soft switching Id out of control oscillation Smooth waveform 技术突破 :GreenMOS 是世界上首次实现高软度沟槽超级结芯片 高压开关过程中的漏极电流更加平滑, 波形更软, 过冲小,EMI 改善
8 EMI 性能超过普通超级结技术, 接近 VDMOS Novel technology: EMI suppression by soft trench-sjmos technology (patented) 4A VDMOS DIP,pass EMI 2A traditional SJ MOS SOP,EMI fail OS 2A GreenMOS SOP, pass EMI With proper integrated gate resistance, device design, and integration process modification, EMI is improved with only minor efficiency loss. Soft switching is realized for the first time in trench- SJMOS by applying our patented technologies.
9 技术优势 2: 东微 GMOS 的 Idss 小, 耐压 BV 等性能一致性高 9 东微器件 competitor IDSS1 BVDSS@250uA GMOS competitor 更低的漏电 GMOS 更好的耐压一致性东微有专利工艺流程与芯片设计, 获得了更好的耐压一致性和更小的漏电流典型 GreenMOS Wafer map 超高良率可以保证极高的可靠性 M M M M M M M M M M M M M M S S M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M S M M M M M M M M M P P P P P P P P M M M M M M M M M M S M M M M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M M M M S M M M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M M M S M M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M M S M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M S M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M S M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M S M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M S M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P 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P P P P P P P P P P P P M M M M S S M M M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M S S S M M M M M P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P P M M M M M S S S M M M M M P P P P F P F P P P P P P P P P P P P P P F P P P P P P M M M M M M S S S M M M M M M F F P F P P F P P P P F F P P F P P P P P P M M M M M M M S S S M M M M M M M F F P P P F F F P P F F F P P M M M M M M M M S S S S S M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M M S S S M M M M M M M M M M M M M M M M S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S 多款芯片月出货 > 10kk 包括国外客户生产稳定, 品质可靠
10 技术优势 3: 极低的寄生电容 parameters unit conditions GreenMOS Infineon Coolmos C6 Competitor B OSG65R900F XXX65R900 XXX65R900 V(BR)DSS V VGS =0V, ID =250μA VGS(th) V ID =250μA, VGS =VDS RDS(on) Ω VGS =10V, ID =2A Ciss VGS =0V, VDS =50V, Coss pf f=1mhz Crss Qg VDD =480V, ID =5A, VGS Qgs nc =10V Qgd trr ns VR =300V, IF=5A, dif Qrr μc /dt=100a/μs Irrm A 栅电荷 (Qg) 小, 栅极驱动电路要求低, 意味着驱动 IC 中的功率管面积可以大幅缩小, 驱 动芯片面积可大幅缩小, 成本竞争力增强 ; 2. Cgd 电容小, 开关速度快, 开关损耗小 ; 3. Coss 电容小, 降低了器件源漏两端寄生电容的充放电导致的功耗, 系统效率得到提升 ; 4. Ciss 电容小, 栅极驱动功耗降低, 系统效率得到提升 10
11 极低的寄生电容 : 超低动态损耗 OSG60R580A: Vds=300V, Rg=100ohm C6: Vds=300V, Rg=25ohm Vgs Vgs Ids Ids 与国外知名品牌相比, 东微 GreenMOS 米勒平台更短, 动态损耗低, 栅极震荡小 去除了无用的米勒平台尾部, 降低功耗
12 Capacitance and Qg vs GaN HEMT 300mohm 600V GreenMOS 300mohm 600V GaN GreenMOS s capacitance is only 2x of GaN HEMT
13 4. 高可靠性 高可靠性 高良率 0/ hour HTRB HTGB 0/ hour HTRB HTGB 13
14 现有产品及规划 500V/550V/600V/650V/700V superjunction MOSFET (GreenMOS mass production); 1A (3.5ohm) 2A (2.0ohm) 3A (1.5ohm) 4A (1.0 ohm) 5A (0.8 ohm) 8A (0.5 ohm) 11A (0.33 ohm) 15A (0.23 ohm) 20A (0.15 ohm) 40A (90 mohm) 60A (60 mohm) 78A (36 mohm) 80A (30 mohm) 开发中 用于充电桩 通讯电源 服务器电源
15 案例 : 充电桩应用 Operating frequency:80-300khz 在 20KW 大功率开发板上进行了大量实验验证 1. Higher frequency reduces the weight of charger 2. Low Qg enables low switching loss and enhances efficiency 复旦大学研制大功率开发板 15
16 快恢复 78A 充电桩芯片系统应用 稳定应用于多种控制策略 ( 上图为三电平波形,800V 母线电压稳定工作 ), 发热量极小
17 普通恢复系列充电桩大功率超级结芯片 OSG65R042H OSG60R040H 优异的电学特性 : 1. Rdson 接近 32 mohm(650v) 及 27mohm(600V), 2. EAS 超过 5000 mj
18 超低 Qg 技术 : 更容易被驱动 78A GreenMOS OSG65R042H OSG65R042H 指标国际领先 ( 东微专利技术 ) 1. 15A VDMOS 所需的驱动电流即可驱动 78A GreenMOS 2. 超低 Qg 技术, 动态损耗降低为对手 ( 英飞凌 ST 东芝 ) 的 60%
19 快速恢复体二极管系列产品 性能测试比较 东微 65R041HZ 英飞凌 65R041CFD 东芝 65R041W5 Trr (ns) BV (V) Rdson (mohm) Qg (nc) FOM (ohm*nc) Fairchild 65R041F 测试比较结果 : 1. 导通电阻基本一致 2. 东微 Qg 及 Qgd 最小, 动态损耗降低 40%, 系统效率可以提升 0.2% 3. 东微 FOM 值最优 综合性能 : 东微 / 英飞凌 > 东芝 > Fairchild
20 极低的 FOM 值 :2Mhz 开关频率! Vg Vds Ids GreenMOS 具有极低的 FOM (R dson *Q g ), 性能接近氮化镓 GaN HEMT 器件. AC-DC 工作频率达到 2MHz, 适用于高密度高效率电源系统 11A GMOS@2MHz 频率下的波形 1. 世界上首次直接对米勒平台进行了优化, 去掉了无用的米勒平台尾部 ; 2. 使用高软度超级结专利技术, 开关速度加快, 同时确保很好的 EMI 性能 ; 3. 适合更高频率操作, 电感重量与成本可以大幅降低!
21 Thank you!
22 评测 700V 1K4 效率高于英飞凌 700V 0.95 ohm 芯片,EMI 同一水平 现已大批量出口至国际大厂 ( 手机 top-3 brand)
23 评测 东微 东芝 英飞凌
24 评测
25 评测
26 评测 評價結果細部 -2 [Qg] V G =10V OS STMirco ROHM V G =0V
CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能
CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax
N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830
特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:
PowerPoint 프레젠테이션
为客户提供高可靠性的新一代 MOSFETs (CoolMOS OptiMOS) Super-Semi SJ-MOSFET & Super-Gate-Trench MOSFET Introduction - 上海超致半导体 Shanghai Super Semiconductor Company Limited. 2017 version 超致半导体公司简介 超致半导体有限公司公司成立于 2013 年初
TONE RINGER
4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R
江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip
DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
Slide 1
egan FET 昂首阔步前进 采用氮化镓场效应晶体管 (egan FET) 的 无线电源传送解决方案 宜普电源转换公司 www.epc-co.com.cn 1 议题 无线电源拓扑概述 每种拓扑所取得的无线电源结果 总结 www.epc-co.com.cn 2 概述 输出功率 < 30 W 松散耦合 根据 A4WP 标准的 6.78 MHz(ISM 频带 ) 探讨不同的拓扑 : D 类放大器 ( 电流及电压模式
江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip
DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG20N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc
Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
Microsoft Word - 100年年報 _1-4_.doc
股 票 代 號 :2342 一 百 年 度 年 報 中 華 民 國 一 一 年 四 月 三 十 日 刊 印 年 報 查 詢 網 址 :http://newmops.tse.com.tw http://www.mosel.com.tw 一 發 言 人 姓 名 職 稱 聯 絡 電 話 及 電 子 郵 件 信 箱 : 本 公 司 發 言 人 姓 名 : 周 崇 勳 職 稱 : 副 總 經 理 電 話 :(03)
<4D F736F F F696E74202D20CBD5D6DDBCAAD4B6B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBFAAB9D8B5E7D4B4C6F7BCFEBDE9C9DC >
苏州吉远电子科技有限公司 Suzhou Jiyuan Electronic & Technology Co., Ltd 产品介绍 Products Presentation 目录内容 Contents Of The Directory 公司简介 Company Profile 公司产品概况 Products of the Jiyuan 代理产品线 Agent Products Line AC-DC
Microsoft Word - Annu104年報.doc
股 票 代 號 :5425 台 灣 半 導 體 股 份 有 限 公 司 TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD 一 四 年 度 年 報 ANNUAL REPORT 2015 刊 印 日 期 : 中 華 民 國 一 五 年 四 月 十 五 日 查 詢 年 報 網 址 :mops.twse.com.tw 一 發 言 人 姓 名 職 稱 及 聯 絡 電 話 : 發 言 人 : 姓 名
Infineon Total Solution in LCD-TV Power Supply.ppt
/ tim.hu@infineon.com / / demoboard Page 2 / / demoboard Page 3 Page 4 24V 12V/18V/30V 5V 400V 5V/12V/18V/30V 5V
MCU产品规格书
2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.
untitled
0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655
质量体系认证证书 ＩＳ Ｏ９００ ０认证证书 国军标体系认证证书 企业文化 企业愿景 创新型 节能 绿色 高可靠性电子产品 品牌服务商 宗 旨 创新改变人生 发展造就个人 企业 社会的共赢 使 命 以开拓思维谋求创新 以创新求发展 以发展提升员工 股东价值 提高顾客 竞争力 履行社会责任 企业精神 以开拓创新谋发展 以持续改进促完善 以价值增值为己任 以共赢互进为目标 创新 改进 发展 思维创新 技术创新
Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000
HTN7G27S010P
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HT647PL 封装 :H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器
Microsoft PowerPoint - 太阳能微型逆变器解决方案-Final.PPT
3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011. All rights reserved. Page 2 AC 3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011. All rights reserved. Page 3 3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011.
Microsoft Word - P SDV series.DOC
片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
第 卷 第 期 年 月 半 导 体 学 报! " # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% )
第 卷 第 期 年 月!"# $%&'%' $!&'#%#$1/#1 $'! /18103 2?/03101?/18103 /3 0,?/0301.13 )*+!!! '!,!! -.&' $!'! 4%%&1)/1(7%&)03(%)%&,%*(1&0)%$-0*,%30)17*1*)0(+1(1+&1*+*),)1; &113(%44(10&.0701&0-&00*/)%;()1%-1+%&0)0*1*)%
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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply
Microsoft Word - 第二次香港培?班新?稿_reduced_
香 港 委 员 会 成 功 培 养 首 100 位 GBL Manager 2011 年 11 月 6 日, 由 中 国 城 市 科 学 研 究 会 城 科 会 绿 色 建 筑 与 节 能 专 业 委 员 会 城 科 会 绿 色 建 筑 研 究 中 心 和 中 国 绿 色 建 筑 与 节 能 ( 香 港 ) 委 员 会 共 同 举 办 的 第 二 期 绿 色 建 筑 宣 贯 培 训 香 港 特 区
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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
<4D6963726F736F667420576F7264202D20D6D0BDA8C8FDBED6B9C9B7DDA3A8BBA6A3A932303132C4EAB6C8C9E7BBE1D4F0C8CEB1A8B8E6>
中 建 三 局 建 设 工 程 股 份 有 限 公 司 ( 沪 ) 2012 年 度 社 会 责 任 报 告 目 录 一 公 开 陈 述 5 二 企 业 简 介 7 三 主 要 参 数 9 四 报 告 分 类 内 容 10 ( 一 ) 提 高 素 质 保 护 权 益, 全 面 履 行 员 工 责 任 10 1 通 过 理 论 学 习, 加 强 社 会 主 义 核 心 价 值 体 系 建 设 10 (1)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
(Microsoft Word - 11\244T\246\342\277\337\260l\302\334.doc)
赤 川 次 郎 作 品 集 11 三 色 貓 追 蹤 序 曲 那 是 一 隻 凶 猛 的 野 狗 加 上 饑 餓, 正 在 虎 視 眈 眈 地 注 視 孩 子 嘴 裏 啃 著 的 香 腸, 準 備 突 然 猛 撲 上 去 孩 子 還 不 滿 三 歲, 不 曉 得 若 想 躲 開 那 隻 身 體 比 自 己 大 的 惡 犬 一 擊, 最 好 是 把 香 腸 扔 掉, 但 他 反 而 緊 握 在 手 開
GH1220 Hall Switch
Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic
罗姆的电源模块
可简单构成24V/15V/12V/5V电源 罗姆的电源模块 无需电路设计 罗姆半导体集团 省电 无需热设计 节省空间 IoT() AC/DC 1 / 1 1 18kWh/ 8kWh/ 1,440/ 5.5W 5.0W 12.5W 5.0W LDO DC/DC 0 20 40 60 80 10 (%) LOAD REGULATION(DC/DC Only) LDO 10 LDO 50 DC/DC BP5293-50
编制说明 报告简介 上海华虹宏力半导体有限公司 2015 年度社会责任报告阐述了公司 2015 年内容履 行企业社会责任所秉持的原则及推行的工作 包括重要利益相关方所关注的有关经济 环境及社会的可持续发展议题 编写依据 本社会责任报告以香港联合交易所有限公司刊发的 环境 社会及管治报告指引 以及全球
华虹宏力 2015 年度社会责任报告 目录 编制说明... 2 芯 的梦想... 3 责任专题 智汇创新 引 芯 发展... 6 一 公司概况... 10 1.1 公司简介...10 1.2 社会责任管理体系... 11 二 为股东创造 新 利润... 17 2.1 经济责任...17 2.2 公司治理...17 2.3 合规与风险...18 三 为客户创造 芯 梦想... 22 3.1 产品质量与创新...
昂宝电子LED驱动方案介绍.ppt
55 639666 0755-29473986 83011898 83218846 0755-29473996 82861919 2007 IC MICROWELL MOSFET 1 2)1300X MOSFET 3ST Fairchild MOSFET 2 1 MOSFET 6 2 11 8 3FAE 5 FAE FAE LED LED OB3390MP SOT23-5 1-5W LED (PSR)
资质文件.cdr
我们的服务 您的安全 建峰特纺五金制造有限公司 - 资质文件 营业执照 6 组织机构代码证 7 我们的服务 您的安全 建峰特纺五金制造有限公司 - 资质文件 国税登记证 8 地税登记证 9 我们的服务 您的安全 建峰特纺五金制造有限公司 - 资质文件 三 质量体系认证及其他认证资料 1 高新技术企业认定证书 2 ISO9001 2000质量管理体系认证 3 计量保证体系确认合格证书 4 ISO14001
<39392DB0B7AB4FC2F9A4EBA55A2D312E706466>
編 輯 手 札 有健保 未來會更好 灣共有368個鄉鎮市區 其中有19個離島鄉 包括澎湖 蘭嶼 金門 馬祖等地 台 區 而如何將醫療服務送到離島地區 需要政府和民間共同來努力 健保局從88 年11月起 全面實施 山地離島地區醫療給付效益提昇計畫 Integrated Delivery System, IDS 民眾滿意度達9成以上 本期 IDS計畫 離島居民就醫好安心 內容敘述離島 地區推動IDS實況
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100
untitled
Macroblock 6~36 1A - (PWM) - (PWM) 1,024 3 LED 350mA12V 97% Hysteretic PFM 0.3Ω (UVLO)(Start-Up)(OCP) (TP) LED 6 PCB Mini Small Outline Package GMS : MSOP-8L-118mil Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27
Microsoft PowerPoint - Wayon SJ-MOSFET-Presentation for Bigbit - 哰勷盋
CYG WAYON SJ-MOS 快充应用 上海长园维安微电子有限公司郭建军 内容摘要 关于长园维安 长园维安 SJ-MOSFET 的优势 ; SJ-MOSFET 开关过程分析 ( 结合 EMI); SJ-MOSFET 应用几个小建议 Q&A 长园集团概况 CYG (长园集团 ): 股票代码: 600525 SH 长园集团是1986年由中科院创立的国 家级高新技术企业 专业从事电动汽车 相关产业 智能工厂装备及解决方案
ESD.xls
Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)
PDFￗﾪﾻﾻￆ
TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
Microsoft Word - Understanding MOSFET Datasheet.doc
深入理解 MOSFET 规格书 /datasheet 作为一个电源方面的工程师 技术人员, 相信大家对 MOSFET 都不会陌生 本论坛中, 关于 MOSFET 的帖子也应有尽有 :MOSFET 结构特点 / 工作原理 MOSFET 驱动技术 MOSFET 选型 MOSFET 损耗计算等, 论坛各大版主 大侠们都发表过各种牛贴, 我也不敢在这些方面再多说些什么了 工程师们要选用某个型号的 MOSFET,
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!! Noise Suppression by EMIFILr Application Guide Application Manual Cat.No.C35C !! 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY........................ YYYYYYYYYYYYYYYYYYYY........................
上海华虹宏力半导体制造有限公司 - Shanghai Huahong Grace Semiconductor
Certificate of Registration 质量管理体系 IATF 16949:2016 兹证明 : 中国上海中国 ( 上海 ) 自由贸易试验区哈雷路 288 号邮编 : Huahong Grace Semiconductor No. 288 Halei Road () Pilot Free Trade Zone 并运行符合 IATF 16949:2016 要求的质量管理体系, 认证范围如下
公 司 年 度 大 事 记 2014 年 5 月, 收 购 张 家 港 凯 思 半 导 体 有 限 公 司 2014 年 7 月, 新 厂 房 及 生 产 线 投 入 使 用, 开 始 实 施 自 主 生 产 2014 年 9 月, 协 昌 公 司 完 成 股 份 改 制, 召 开 创 立 大 会
协 昌 科 技 NEEQ :831954 江 苏 协 昌 电 子 科 技 股 份 有 限 公 司 JIANGSU XIECHANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD 年 度 报 告 2014 第 1 页, 共 122 页 公 司 年 度 大 事 记 2014 年 5 月, 收 购 张 家 港 凯 思 半 导 体 有 限 公 司 2014 年 7 月, 新 厂 房 及 生 产
东南大学硕士学位论文 LCD 显示中灰度控制机理的研究及电路实现姓名 : 曹志香申请学位级别 : 硕士专业 : 微电子学与固体电子学指导教师 : 孙大有 20040327 LCD 显示中灰度控制机理的研究及电路实现 作者 : 曹志香 学位授予单位 : 东南大学 相似文献 (1 条 ) 1.
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广 州 民 营 科 技 园 小 额 建 设 工 程 企 业 库 建 库 公 告 根 据 中 共 广 州 市 纪 委 等 六 部 门 关 于 印 发 广 州 市 小 额 建 设 工 程 交 易 管 理 办 法 的 通 知 ( 穗 纪 字 2013 33 号 ) 等 有 关 文 件 规 定, 为 加 强 园 区 小 额 工 程 项 目 建 设 管 理, 维 护 建 设 市 场 的 正 常 秩 序, 简
EMI LOOPS FILTERING EMI ferrite noise suppressors
(HighSpeedBoardDesign) (HIGHSPEEDBOARDDESIGN) 1 1 3 1.1 3 1.1.1 3 1.1.2 vs 4 1.1.3 5 1.1.4 8 1.2 9 1.2.1 9 1.2.2 vs 1 1.3 1 1.3.1 11 1.3.1.1 11 1.3.1.2 12 1.3.1.3 12 1.3.1.4 12 1.3.1.5 12 2. 2.1 14 2.1.1
Microsoft Word - SDWL-C series.doc
绕线片式陶瓷电感 SDWL-C 系列 Wire Wound Chip Ceramic Inductor-SDWL-C Series Operating Temp. : -40 ~ +125 特征 小尺寸, 可表面贴装 陶瓷材料具有高 Q 值 高 高精度 高可靠性用途 通讯设备的高频线路 移动电话如 GSM/CDMA/PDC 等制式 蓝牙, 无线网 FEATURES Small chip suitable
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz 23 90 CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94/188GHz LC class-b 0.70 0.75 mm 2 pad 1 V 19.6 ma (ƒ
Microsoft PowerPoint - SMPS Solutions with On-Bright Power IC [兼容模式]
![Microsoft PowerPoint - SMPS Solutions with On-Bright Power IC [兼容模式]](/thumbs/97/131350893.jpg "Microsoft PowerPoint - SMPS Solutions with On-Bright Power IC [兼容模式]")
SMPS Solutions with On-Bright Power IC Energy Star and CEC for EPS EPS: Single Voltage External AC-DC and AC-AC Power Supplies Energy Star 比 CEC 和 The Federal Standard 要严格 能效标准 : AC input 115/230V, 25%
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hrsday, gst, of heet ate: ev ocment mber ize itle anana ro.,, lace & close to I I I I I I I I M M M M Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Y Q Q Q Q Q Y Q Q Q Q Q Q Q Q M Q J Q Q Q Q Q Q M Q Q Y Q Q# Q Q# Q Q# Q J Q# QM
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Microsoft Word - 台灣半導體102年報.doc
股 票 代 號 :5425 台 灣 半 導 體 股 份 有 限 公 司 TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD 一 二 年 度 年 報 ANNUAL REPORT 2013 刊 印 日 期 : 中 華 民 國 一 三 年 四 月 二 十 日 查 詢 年 報 網 址 :mops.twse.com.tw 一 發 言 人 姓 名 職 稱 及 聯 絡 電 話 : 發 言 人 : 姓 名
Microsoft Word - AN-978 _part1_.doc
AN978 MOS ( ) MOS MGD MOS MGD MGD BUCK SD P MOSFET 1. MOSFET IGBT 1 1 1 10~15V 2 3 1 MOS MGDs MOSFET IGBT 2 IR2110 1 ( MOSFET ) 2 , MOSFET "",,., 3 2 HEX-2 25ns 17ns HEXFET (V CC =15V, 9) HEX-3 HEX-4 HEX-5
Microsoft Word - HTN7G21P160H_V1.0.docx
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管 为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限 提供 VBW 改善外接引脚 为适应预失真系统的优化设计 方便功放设计的内匹配设计 增强鲁棒性设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HTN7G21P160H 封装 :H2110S-6L 2. 产品应用 GSM EDGE CDMA W-CDMA TD-SDMA
数据表 / Datasheet F4-23MR12W1M1_B11
EasyPACK 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyPACK modulewithcoolsic TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter
附件1：
2013 年 增 列 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 申 请 表 硕 士 专 业 学 位 类 别 ( 工 程 领 域 ): 工 程 ( 集 成 电 路 工 程 ) 申 报 单 位 名 称 : 南 开 大 学 国 务 院 学 位 委 员 会 办 公 室 制 表 2013 年 12 月 18 日 填 一 申 请 增 列 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 论 证 报 告 集 成 电 路 产 业 是
Microsoft Word - LD5515_5V1.5A-DB-01 Demo Board Manual
Subject LD5515 Demo Board Model Name (5V/1.5A) Key Features Built-In Pump Express TM Operation Flyback topology with PSR Control Constant Voltage Constant Current High Efficiency with QR Operation (Meet
RF & MICROWAVE COMPONENTS
MICROOT MICROWAVE CO., LTD. RF & MICROWAVE COMPONENTS WWW.MIC-ROOT.COM Catalogue 1. ABOUT MICROOT...3 2. Broadband 90/180deg Hybrid and Coupler...4 3. Broadband Power Divider... 13 4. Filter... 20 5. RF
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TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO., LTD. 12 3 A 10,000 1.00 2007 4 6 362,663,687 36 / 2007 3 19 1-1-2 1 2007 2007 26 0.35 60,960 3 2006 19,302.82 34.11% 87% CRT CRT LCD 59.63% 43.19% 2006 12 31 112,002,579.75
01 02 04 07 11 14 16 4
台灣積體電路製造股份有限公司 民國九十七年 營運報告 台積公司股票在台灣證券交易所 TWSE 掛牌上市 股票代號為 2330 台積公司股票的美國存託憑證 ADR 以TSM為代號 在美國紐約證券交易所 NYSE 掛牌上市 01 02 04 07 11 14 16 4 成 為 全 球 最 先 進 及 最 大 的 專 業 積 體 電 路 技 術 及 製 造 服 務 業 者, 並 且 與 我 們 無 晶 圓
時脈樹設計原則
時 脈 樹 設 計 原 則 在 高 效 能 應 用 中, 例 如 通 訊 無 線 基 礎 設 施 伺 服 器 廣 播 視 訊 以 及 測 試 和 測 量 裝 置, 當 系 統 整 合 更 多 功 能 並 需 要 提 高 效 能 水 準 時, 硬 體 設 計 就 變 得 日 益 複 雜, 這 種 趨 勢 進 一 步 影 響 到 為 系 統 提 供 參 考 時 序 的 電 路 板 設 計 階 段 (board-level)
数据表 / Datasheet FF11MR12W1M1_B11
EasyDUAL 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter
DCR (Max.) CKST uH/M 0.1±20% CKST uH/M 0.22±20% CKST uH/M 0.47±20% CKST uH/M 0
B E FEATURES 特性 1.Shielded construction 屏蔽罩结构 2.High current rating up to DC 65Amp 高电流范围可到 64A 3.High frequency rang up to 5MHz 宽频范围可到 5MHz 4.Very low DC resistance 低值电流 5.Low noise 低损耗 6.ROHS compliant
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食 品 质 量 与 安 全 监 管 专 业 教 学 团 队 建 设 方 案 一 现 有 基 础 食 品 质 量 与 安 全 监 管 专 业 教 学 团 队 是 一 支 朝 气 蓬 勃 的 团 队, 一 直 以 来 始 终 坚 持 职 业 教 育 的 方 向, 紧 跟 职 业 教 育 前 沿, 注 重 文 化 传 承 和 理 念 创 新, 现 已 成 为 广 东 省 重 点 专 业 团 队 广 东 省
input commom-mode range) output swing (open loop gain) (GBW) ( phase margin) (gain margin)
OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...
第十五号 上市公司变更募集资金投资项目公告
证 券 代 码 :600885 证 券 简 称 : 宏 发 股 份 公 告 编 号 : 临 2016-014 宏 发 科 技 股 份 有 限 公 司 关 于 变 更 部 分 募 集 资 金 投 资 项 目 的 公 告 本 公 司 董 事 会 及 全 体 董 事 保 证 本 公 告 内 容 不 存 在 任 何 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 者 重 大 遗 漏, 并 对 其 内 容 的 真 实
(02)2809-4742 (02)2809-4742 27 28 (02)2809-4742 85 3 (02)3343-3300 156 12 (02
3475 http://mops.tse.com.tw http://www.ic-fortune.com (02)2809-4742 denis.lee@ic-fortune.com (02)2809-4742 nanhui.lee@ic-fortune.com 27 28 (02)2809-4742 85 3 (02)3343-3300 http://www.fhs.com.tw 156 12
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Tianshui Huatian Technology Co., Ltd. 14 1012 16 1 2 500 2006 7 21 1 2 500 2006 7 21 1 2 300 2006 7 21 3 12 1 2 1 16 1 2 500 2006 7 21 1 2 500 2006 7 21 1 2 300 2006 7 21 3 12 1 2 2 2006 12 31 103,333,261.89
History Universal Universal 1958Universal 1984Magnetek Magnetek Lighting Group Universal Technologies Lighting Energy Savin
220240V ELECTRONIC BALLAST History 1967 1947Universal Universal 1958Universal 1984Magnetek 1997 2001Magnetek Lighting Group Universal Technologies Lighting 1999 2002Energy Saving Incorporation P.2 Company
Microsoft PowerPoint - 20100304 台南一中-99高中宣導簡報
國 立 臺 灣 科 技 大 學 您 也 許 不 知 道 的 台 科 大 國 立 台 南 一 中 2010/3/4 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 主講 機械系教授兼全校不分系系主任 王朝正 三年17班 民國67年 畢業 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 您
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第十四屆南區大專院校電子電機相關科系盃賽
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24 1 Vol.24 No.1 94 2008 1 Transactions of the CSAE Jan. 2008 2008 1 100094 2 100035 3 100081 4 100081 5 100101 GIS ( ) 65.12 16.82 13.74 15.27 11.07 t/(hm 2 a) 10.93% 41.43% 46.93% 65.4%. Bi Jiye, Zhu
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柳 州 化 工 股 份 有 限 公 司 2013 年 度 内 部 控 制 自 我 评 价 报 告 柳 州 化 工 股 份 有 限 公 司 全 体 股 东 : 根 据 企 业 内 部 控 制 基 本 规 范 及 其 配 套 指 引 的 规 定 和 其 他 内 部 控 制 监 管 要 求 ( 以 下 简 称 企 业 内 部 控 制 规 范 体 系 ), 结 合 本 公 司 ( 以 下 简 称 公 司 )
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序 号 奖 项 题 号 赛 区 组 别 参 赛 队 学 校 学 生 学 生 学 生 1 NEC 电 子 杯 C 四 川 本 科 电 子 科 技 大 学 沈 军 袁 德 生 陈 虹 佐 2 E 安 徽 本 科 安 徽 大 学 鲁 海 涛 高 阳 谢 巧 云 3 4 G 安 徽 安 徽 安 徽 机 电 职 业 技 术 学 院 沈 涛 安 徽 机 电 职 业 技 术 学 院 龙 锐 张 兴 苗 王 海 卫
62 互 動 性 裝 置 藝 術 對 幼 保 系 學 生 壓 力 情 緒 療 癒 影 響 之 案 例 探 究 62 壹 緒 論 一 研 究 背 景 與 動 機 根 據 財 團 法 人 董 氏 基 金 會 於 2008 年 1 對 大 學 生 主 觀 壓 力 來 源 與 憂 鬱 情 緒 相 關 性 研
幼 兒 教 保 研 究 期 刊 2015 第 15 期 61 互 動 性 裝 置 藝 術 對 幼 保 系 學 生 壓 力 情 緒 療 癒 影 響 之 案 例 探 究 陳 麗 媜 李 依 儒 陳 麗 安 盧 奕 帆 鍾 羽 芃 明 新 科 技 大 學 幼 兒 保 育 系 摘 要 現 今 大 學 生 因 面 臨 各 種 壓 力 而 經 常 產 生 憂 鬱 的 情 緒 適 當 的 壓 力 紓 解 及 良
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微 生 物 学 通 报 Microbiology China tongbao@im.ac.cn DEC 20, 2011, 8(12): 184 1847 2011 by Institute of Microbiology, CAS 高 校 教 改 纵 横 基 于 建 构 主 义 学 习 理 论 的 微 生 物 学 实 验 课 程 教 学 新 模 式 何 颖 廖 国 建 谢 建 平 * ( 西 南
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流 路 5. 3 路 來便 流 流 路 路 路 00V DC V DC /0A 來 5. 流 5. 3 了 路 路 離 路 路 不 離 濾 路 流 流 參 路不 路 離 不 路 3 路 率 路 3 路 來 路 說 5 率 路 濾 路 路 離 路 路 路 5.. 3 5.3 濾 流 ( V in ) 濾 LC 濾 路 濾 流 流 5. L Vin i L C V 5.. 濾 漣 率 來 率 兩 T S
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Adaptive Playout Scheduling Using Time-scale Modification Yi Liang, Nikolaus Färber Bernd Girod, Balaji Prabhakar Outline QoS concerns and tradeoffs Jitter adaptation as a playout scheduling scheme Packet
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本 次 股 票 发 行 后 拟 在 创 业 板 市 场 上 市, 该 市 场 具 有 较 高 的 投 资 风 险 创 业 板 公 司 具 有 业 绩 不 稳 定 经 营 风 险 高 退 市 风 险 大 等 特 点, 投 资 者 面 临 较 大 的 市 场 风 险 投 资 者 应 充 分 了 解 创 业 板 市 场 的 投 资 风 险 及 本 公 司 所 披 露 的 风 险 因 素, 审 慎 作 出
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上 市 股 票 代 碼 :3042 TXC CORPORATION Annual Report 2008 台 灣 晶 技 ( 股 ) 公 司 九 十 七 年 度 年 報 Think of Frequency, Think of TXC. 公 開 資 訊 觀 測 站 網 址 :http://mops.tse.com.tw 本 公 司 年 報 查 詢 網 址 :http://www.txccorp.com
团 学 要 闻 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 3 月 17 日, 我 校 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 在 行 政 办 公 楼 五 楼 会 议 室 举 行, 校 团 委 委 员 各 院 ( 系 ) 团 委 书 记 校 学 生
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