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- 天诉 孔
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1 为客户提供高可靠性的新一代 MOSFETs (CoolMOS OptiMOS) Super-Semi SJ-MOSFET & Super-Gate-Trench MOSFET Introduction - 上海超致半导体 Shanghai Super Semiconductor Company Limited version
2 超致半导体公司简介 超致半导体有限公司公司成立于 2013 年初 超致半导体是一家专注于高端高压功率半导体 ( 高压超结 MOS IGBT low Vf 肖特基 中低压 Opti-MOS) 的集成电路产品设计公司 超致半导体是国内首家成功开发出多层外延工艺的超结 MOS 公司, 完全替代国外品牌的超结 MOS 公司技术团队主要来源于德国 日本等知名功率器件公司, 以及国内著名芯片制造公司 超致一直致力于高性能, 低功耗功率器件, 为用户提供更稳定, 更具有性价比的功率器件产品
3 超致半导体公司介绍 公司主体分为两个部分 : 芯片设计中心 --- 负责芯片电路设计, 工艺开发 芯片测试及应用中心 --- 主要负责芯片测试, 应用测试 位于中国 硅谷 之称的上海张江高科园区 位于上海嘉定
4 Super-Junction MOSFET Structure Schematic cross-section of a standard power MOSFET versus a Super-junction MOSFET 特殊的超结结构让高压超结 MOS 内阻在同样面积情况下降低到 VDMOS 的 1/3-1/5
5 SJ-MOSFET Process Multi-EPI 英飞凌 仙童 ST 超致 Deep-Trench 华虹 ( 新洁能 龙腾 芯派等 30 多家 ) 国际主流的超结 MOS 都用英飞凌的多层外延工艺制造, 该工艺的超结 MOS 和深槽的超结 MOS 相比特点 : 产品应用可靠性要好,EMI 容易通过 超致是国内首家成功研制出多层外延工艺的 CoolMOS 厂家
6 超致半导体的超结 MOS 特点 超致 SJ-MOSFET 第一代产品, 性能可靠性接近英飞凌 C3, 动态特性接近 C6 能够完全替代英飞凌 C3 或 C6 产品 高效比较高的轻载, 满载效率, 超低的导通内阻,Qg 有效的降低导通 开关损耗 低温升较低的功耗, 有效的降低电源整体的工作温度, 延长电源的使用寿命 高稳定性比较强的 EAS 能力, 对电源抗冲击能力提供有效保障, 平面型制造工艺, 使得芯片内部缺陷远远低于低成本沟槽工艺产品, 高温稳定性大大提高 易用性超致的 SJ-MOSFET 在使用过程中简单, 易用, 驱动电流需求很小, 对新一代高速开关电源提供有力的支持 型号齐全超致 SJ-MOSFET 拥有比较全的型号, 电压等级覆盖 500V,600V,650V,700V,800V,9 00V; 电流等级从 2A,5A,7A,10A,11A,15A,20A,47A; 等全系列产品 后续还会开发更高电压 1000V,1200V, 更大电流 77A 等级产品 应用范围广超致产品应用范围从消费类到工业类都有广泛的应用, 例如 LED 照明, 各种小功率充电器, 中功率充电器, 大功率充电桩, 通信电源, 工业电源
7 Rdson Comparison VDMOSFET & SJ-MOSFET Super-Semi 第一代产品相对传统的 VDMOS 相同芯片面积降低 70% 左右的导通内阻 Super-Semi 第二代产品相对第一代导通内阻还会有 30% 的降低 20 RDson*AA Comparison % reduction % reduction VDMOST SS***N60S SS*60R***S2 Note: AA=Active Area
8 Good DC/AC parameter consistency Product IGSS IGSS VTH BVDSS IDSS RDON VFSD CISS COSS CRSS RG ID=10.0A Vds=10V,Vgs=0V,f=200kHZ (pf) SSF20N60S VGS=30.0V VGS=-30.0V ID=250uA ID=250uA VDS=610V VGS=10.0V IS=20.0A 1MHz E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E 漏电小 MOS 管寄生电容
9 DC and AC parameter competed with Infineon (20N60 sample) 20A Samples Test Comparison Infineon Super Semi IPP60R190E6 SPP20N60C3 SSF20N60S Parameter Symbol Conditions Value Value Value Unit Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS V GS =0V, I D =250μA V Gate threshold voltage V GS(th) I D =250μA, V GS =V DS V Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS =10V, I D =1A Ω Input capacitance C iss Output capacitance C oss V GS =0V, V DS =50V, f=1mhz pf Reverse transfer capacitance C rss Gate to source charge Q gs Gate to drain charge Q gd V DD =480V, I D =20A, V GS =10V nc Gate charge total Q g Avalanche current I AS V DD =50V, V GS =10V, L=10.5mH 7.4A 16A 14A A Reverse recovery time t rr ns Reverse recovery charge Q rr V R =480V, I F =20A, di F /dt=100a/μs μc Peak reverse recovery current I rrm A 较低的寄生电容 比较短的 Trr 低的 Qg 减少开关损耗
10 SPP11N60CFD is the best on Diode recovery wave. With less energy loss in Half-bridge and Full-bridge. Soft Recovery Diode Super-Semi SJMOSFET 寄生二极管恢复具有软恢复特性. 适合快速开关, 比如 :LLC, 半桥, 全桥应用 Infineon IPA65R600E6 Super-Semi SSF07N60S Infineon SPP11N60CFD Super-Semi SSF07N60S wave of Body Diode same as Infineon IPA65R600E6. Soft and fast, Trr=270ns. Irrm: SSF07N60S< IPA65R600E6
11 Why MOSFETs Temperature Lower? 导通损耗计算 开关损耗计算 Rdson 比 VDMOS 小, P cond 导通损耗小 寄生电容开关速度比 VDMOS 快, 开关损耗小 总功耗 = 导通损耗 + 开关损耗 所以 SJ-MOS 的温升比 VDMOS 低很多
12 More Advantages in application SJ-MOSFET 拥有较小结电容, 低导通内阻, 所以可以适应更高速的开关电源, 提高电源效率, 降低系统成本, 电源小型化 1, 提高开关频率, 有效缩小电感或变压器尺寸及成本 2, 导通内阻小有效降低系统发热 3, 变压器缩小以及 MOS 小型化封装, 直接带来 PCB 缩小, 散热器体积缩小甚至去掉, 包括电源外壳缩小 4, 电源更小型化, 更容易被客户接受 所有以上给客户带来整体 BOM 成本降低, 电源效率提升 尤其是便携式产品, 能满足客户对小型化 轻薄化 低温升等苛刻要求
13 Application Case 90W LED 电源 -SuperSemi SJ-MOSFET 应用案例 PFC+PWM Type MOSFET Vin I in Vout Iout Pin Pf Efficiency PFC PWM V A V A W % % Condition1 FQP18N50V2 FDPF15N Condition2 FQP18N50V2 FDPF15N Condition3 SSF10N60S FDPF15N Condition4 SSF10N60S FDPF15N Condition5 SSF10N60S SSF10N60S Condition6 SSF10N60S SSF10N60S 绿色型号为超致型号 SSF10N60S 整体对比结果, 将仙童的 15N65 更换为我司的 10N60 后效率明显提升
14 New Rule of Energy Star 6.0 New Energy Star 6.0 released at Out PUT Energy Star 5.0 Energy Star 6.0 Improve 10W 76.6% 81.9% 5.3% 20W 81.0% 85.5% 4.5% 30W 83.5% 87.0% 3.5% 40W 85.3% 87.5% 2.2%
15 EMI Comparison VDMOS & Super-Semi SJ-MOS 1 垂直辐射 传统 VDMOS(7N60) Super-Semi SJ-MOS(SSF07N60S)
16 EMI Comparison VDMOS & Super-Semi SJ-MOS 2 水平辐射 传统 VDMOS(7N60) Super-Semi SJ-MOS(SSF07N60S)
17 Application PFC Stage : Server PC Silver box LCD & PDP TV Lighting Adapter PWM Stage: Server PC Silver box Lighting Adapter Topologies: -TTF -Fly-back -ITTF -LLC Resonant Half-bridge/Ful-lbridge
18 More Applications Motor Control Lighting Electric Tools Solar and Wind energy Air condition UPS Supercharger
19 CoolMOS 产品清单 -500V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) Product Type Package RDS (on) RDS(on) VDS (min) Polarity ID Ptot Idpuls VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Cres Typ (max) QG (max) (max) (max) (max) (min) mohm pf SSF50R140S TO-220F 500.0V N A 40.0W 90.0A 4.5V 2.5V SSP50R140S TO-220P 500.0V N A 248.0W 90.0A 4.5V 2.5V SSB50R140S TO V N A 248.0W 90.0A 4.5V 2.5V SSW50R140S TO V N A 248.0W 90.0A 4.5V 2.5V SSA50R140S TO-3P 500.0V N A 248.0W 90.0A 4.5V 2.5V SSI50R140S TO V N A 248.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSF50R240S TO-220F 500.0V N A 34.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSP50R240S TO-220P 500.0V N A 180.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSB50R240S TO V N A 180.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSW50R240S TO V N A 180.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSA50R240S TO-3P 500.0V N A 180.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSI50R240S TO V N A 180.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSF50R330S TO-220F 500.0V N A 35.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSP50R330S TO-220P 500.0V N A 150.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSB50R330S TO V N A 150.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSW50R330S TO V N A 150.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSA50R330S TO-3P 500.0V N A 150.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSI50R330S TO V N A 150.0W 44.0A 4.5V 2.5V SSF50R550S TO-220F 500.0V N A 28.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSP50R550S TO-220P 500.0V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SST50R550S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSU50R550S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSB50R550S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V
20 CoolMOS 产品清单 -600V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) Product Type Package VDS (min) Polarity RDS (on) RDS(on)(m ID Idpuls VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Cres Typ ax) Ptot (max) QG (max) (max) (max) (min) mohm pf SSF20N60S TO-220F 600.0V N A 34.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSP20N60S TO-220P 600.0V N A 151.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSB20N60S TO V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSW20N60S TO V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSA20N60S TO-3P 600.0V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSI20N60S TO V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSF15N60S TO-220F 600.0V N A 34.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSP15N60S TO-220P 600.0V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSB15N60S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSW15N60S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSA15N60S TO-3P 600.0V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSI15N60S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSF11N60S TO-220F 600.0V N A 33.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSP11N60S TO-220P 600.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSB11N60S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSW11N60S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSA11N60S TO-3P 600.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSI11N60S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSF10N60S TO-220F 600.0V N A 30.0W 30.0A 4.5V 2.5V SSP10N60S TO-220P 600.0V N A 96.0W 30.0A 4.5V 2.5V SST10N60S TO V N A 30.0W 30.0A 4.5V 2.5V SSB10N60S TO V N A 96.0W 30.0A 4.5V 2.5V SSF07N60S TO-220F 600.0V N A 28.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSP07N60S TO-220P 600.0V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SST07N60S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSU07N60S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSB07N60S TO V N A 83.0W 19.0A 4.5V 2.5V SSF60R850S TO-220F 600.0V N A 24.0W 15.0A 4.5V 2.5V SSP60R850S TO V N A 33.0W 15.0A 4.5V 2.5V SST60R850S TO V N A 24.0W 15.0A 4.5V 2.5V SSU60R850S TO V N A 24.0W 15.0A 4.5V 2.5V SST60R2K3S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V SSU60R2K3S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V SSW47N60S TO V N A 300.0W 80A 4.5V 2.5V SSA47N60S TO-3P 600.0V N A 300.0W 80A 4.5V 2.5V SSW47N60SFD TO V N A 300.0W 80A 4.5V 2.5V SSA47N60SFD TO-3P 600.0V N A 300.0W 80A 4.5V 2.5V
21 CoolMOS 产品清单 -650V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) Product Type Package VDS (min) Polarity RDS (on) RDS(on)(m ID Idpuls VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Cres Typ ax) Ptot (max) QG (max) (max) (max) (min) mohm pf SSF65R190S TO-220F 650.0V N A 151.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSP65R190S TO-220P 650.0V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSB65R190S TO V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSI65R190S TO V N A 208.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSW65R190S TO V N A 151.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSA65R190S TO-3P 650.0V N A 151.0W 60.0A 4.5V 2.5V SSF65R300S TO-220F 650.0V N A 34.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSP65R300S TO-220P 650.0V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSB65R300S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSW65R300S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSA65R300S TO-3P 650.0V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSI65R300S TO V N A 156.0W 45.0A 4.5V 2.5V SSF65R420S TO-220F 650.0V N A 33.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSP65R420S TO-220P 650.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSB65R420S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSW65R420S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSA65R420S TO-3P 650.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSI65R420S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSF65R500S TO-220F 650.0V N A 33.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSP65R500S TO-220P 650.0V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSB65R500S TO V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSF65R700S TO-220F 650.0V N A 28.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSP65R700S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SST65R700S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSU65R700S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSB65R700S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSW65R075S TO V N A 300.0W 140.0A 4.5V 2.5V SSF65R950S TO-220F 650.0V N A 60.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSP65R950S TO V N A 33.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST65R950S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSU65R950S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST65R2K3S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V SSU65R2K3S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V
22 CoolMOS 产品清单 -700V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) Product Type Package VDS (min) Polarity RDS (on) RDS(on)( ID Idpuls VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Cres Typ max) Ptot (max) QG (max) (max) (max) (min) mohm pf SSF70R210S TO-220F 700.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSP70R210S TO-220P 700.0V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSB70R210S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSI70R210S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSW70R210S TO V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSA70R210S TO-3P 700.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSF70R340S TO-220F 700.0V N A 34.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSP70R340S TO-220P 700.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSB70R340S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSW70R340S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSA70R340S TO-3P 700.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSI70R340S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSF70R450S TO-220F 700.0V N A 33.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSP70R450S TO-220P 700.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSB70R450S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSW70R450S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSA70R450S TO-3P 700.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSI70R450S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSF70R600S TO-220F 700.0V N A 33.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSP70R600S TO-220P 700.0V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSB70R600S TO V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSF70R750S TO-220F 700.0V N A 28.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSP70R750S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SST70R750S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSU70R750S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSB70R750S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSW70R080S TO V N A 300.0W 140.0A 4.5V 2.5V SSF70R1K1S TO-220F 700.0V N A 60.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSP70R1K1S TO V N A 33.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST70R1K1S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSU70R1K1S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST70R2K4S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V SSU70R2K4S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V
23 CoolMOS 产品清单 -800V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) Product Type Package VDS (min) Polarity RDS (on) RDS(on)(m ID Idpuls VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Cres Typ ax) Ptot (max) QG (max) (max) (max) (min) mohm pf SSF80R240S TO-220F 800.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSP80R240S TO-220P 800.0V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSB80R240S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSI80R240S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSW80R240S TO V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSA80R240S TO-3P 800.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSF80R380S TO-220F 800.0V N A 34.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSP80R380S TO-220P 800.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSB80R380S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSW80R380S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSA80R380S TO-3P 800.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSI80R380S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSF80R500S TO-220F 800.0V N A 33.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSP80R500S TO-220P 800.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSB80R500S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSW80R500S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSA80R500S TO-3P 800.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSI80R500S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSF80R600S TO-220F 800.0V N A 33.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSP80R600S TO-220P 800.0V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSB80R600S TO V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSF80R850S TO-220F 800.0V N A 28.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSP80R850S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SST80R850S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSU80R850S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSB80R850S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSW80R090S TO V N A 300.0W 140.0A 4.5V 2.5V SSF80R1K3S TO-220F 800.0V N A 60.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSP80R1K3S TO V N A 33.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST80R1K3S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSU80R1K3S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST80R2K5S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V SSU80R2K5S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V
24 CoolMOS 产品清单 -900V SuperSemi N-Channel MOSFETs: SJ-MOSFET (>500V) RDS (on) RDS(on)(m ID Idpuls Product Type Package VDS (min) Polarity Typ ax) Ptot (max) (max) (max) mohm VGS(th) (max) VGS(th) (min) QG Ciss Coss Cres pf SSF90R270S TO-220F 900.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSP90R270S TO-220P 900.0V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSB90R270S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSI90R270S TO V N A 208.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSW90R270S TO V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSA90R270S TO-3P 900.0V N A 151.0W 54.0A 4.5V 2.5V SSF90R420S TO-220F 900.0V N A 34.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSP90R420S TO-220P 900.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSB90R420S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSW90R420S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSA90R420S TO-3P 900.0V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSI90R420S TO V N A 156.0W 42.0A 4.5V 2.5V SSF90R580S TO-220F 900.0V N A 33.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSP90R580S TO-220P 900.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSB90R580S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSW90R580S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSA90R580S TO-3P 900.0V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSI90R580S TO V N A 125.0W 33.0A 4.5V 2.5V SSF90R750S TO-220F 900.0V N A 33.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSP90R750S TO-220P 900.0V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSB90R750S TO V N A 96.0W 27.0A 4.5V 2.5V SSF90R950S TO-220F 900.0V N A 28.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSP90R950S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SST90R950S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSU90R950S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSB90R950S TO V N A 83.0W 17.0A 4.5V 2.5V SSA90R100S TO-3P 900.0V N A 300.0W 140.0A 4.5V 2.5V SSW90R100S TO V N A 300.0W 140.0A 4.5V 2.5V SSF90R1K5S TO-220F 900.0V N A 60.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSP90R1K5S TO V N A 33.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST90R1K5S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SSU90R1K5S TO V N A 24.0W 18.0A 4.5V 2.5V SST90R2K7S TO V N A 24.0W 5.0A 4.5V 2.5V V N
25 Super-Semi MOSFET series naming S S F 65 R 600 S Super Semi W [TO-247] I[I²-PAK] F[TO-220 FP] P[TO-220] B[TO-263] S[TO-251 SL] U[TO-251] T[TO-252-2] Super-Junction Rds(on) Class R for Rds(on) Voltage Class 65x10
26 Super-Semi MOSFET series naming Super S S F 20 N 60 S Super-Junction Voltage Class60x10 N-Chanel Current Class Semi W [TO-247] I[I²-PAK] F[TO-220 FP] P[TO-220] B[TO-263] S[TO-251 SL] U[TO-251] T[TO-252-2]
27 Super-Gate MOSFET Super-Gate MOSFET Introduction
28 Super-Gate-Trench MOSFET Planner MOS SingleTrench MOS Super-GateTrench MOS Planner Single Trench Super-Gate Trench R jfet 100% 0 R Channel 30% 0 Cell Density 30%-50% 10% Rdson 30% 20%-40% Cress 10% 90%
29 Super-Gate-Trench MOSFET Super-Gate-Trench MOSFET 优点 : 更高的电流密度 更高的抗干扰能力 更好的 EMI 通过能力 更高的电源转换效率 更低的温升 更低的开关损耗 更长的使用寿命 SGP100N04L SGP100N08H Equivalent Circuit
30 Super-Gate MOSFET applications 超致半导体开发的 Super-Gate MOSFET 主要类型有 : 100V 8mr 6mr 4mr ----5V 9V 12V 输出 60V 5.5mr 12mr----5V 9V 输出 (2017Q1 量产 ) 主要应用方向 : 手机快充, 同步整理方案, 提高电源效率, 提高输出稳定性 适配主控芯片 : PI Iwatt 常见输出方案 : 5V/3A;9V/2A;12/2A; 多 USB 输出 QC2.0/QC3.0
31 2. 同步整流 MOS 不同品牌产品对比 SUPER SEMI-SGO060N06 VIN=230Vac/50HZ VOUT=FULL LOAD C1=VGS (MAX=1.1V) Close Peak Voltage(More lower than Vth=1.7V) AXS-AX4262E VIN=230Vac/50HZ VOUT=FULL LOAD C1=VGS (MAX=1.6V) Close Peak Voltage(Close to Vth=1.7V)
32 3. 不同品牌 MOS 效率与 VGS 尖峰对比 Vgs 尖峰越高, 接近 Vth, MOS 关会出现误开启, 从而造成芯片功耗增加, 严重的烧毁 MOS GOOD 超致 052 TO-251 和 AO6244 属于 β=cgs/cgd>50 PDS6904 和 AO4262E 属于 β =Cgs/Cgd<50 OK NG
33 Product Type SGO4606T SGO4946T Super-Gate MOSFET list 2017Q1 中低压 MOSFET 清单 RDS Typ (max) Package VDS (min) Polarity ID VGS(th) VGS(th) Ciss Coss Crss (max) (max) (min) mohm nc pf SOP V N A 3.0V 1.0V V P A -3.0V -1.0V SOP V N A 3.0V 1.0V V N A 3.0V 1.0V SGP060N09T TO-220P 60.0V N A 4.0V 2.0V SGW060N09T TO V N A 4.0V 2.0V SGP060N15T TO-220P 60.0V N A 4.0V 2.0V SGP100N04H TO-220P 100.0V N A 3.8V 2.2V SGP100N06H TO-220P 100.0V N A 4.3V 2.1V SGO100N08L SOP V N A 2.3V 1.4V SGP100N08L TO-220P 100.0V N A 2.3V 1.4V SGP100N08H TO-220P 100.0V N A 4V 2.2V SGP100N09T TO-220P 100.0V N A 3.8V 2.2V SGT080N05L TO V N A 3.0V 1.0V SGP080N07H TO V N A 4.0V 2.0V SGP080N09H TO V N A 4.0V 2.0V SGO080N05L SOP V N A 3.0V 1.0V SGO080N07L SOP V N A 3.0V 1.0V SGO080N09L SOP V N A 3.0V 1.0V SOP V N 10A 3.0V 1.0V
34 Thank you!
N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830
特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:
Infineon Total Solution in LCD-TV Power Supply.ppt
/ tim.hu@infineon.com / / demoboard Page 2 / / demoboard Page 3 Page 4 24V 12V/18V/30V 5V 400V 5V/12V/18V/30V 5V
untitled
0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655
PDFￗﾪﾻﾻￆ
TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac
< B9E2BBFAD7DBBACFCDBCB2E1B6A8B8E52DC7E5CEFAB0E6312E706466>
XYR XYR XYR Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn 99 Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn XYR500 XYR500 XYR000 XYR0000-CH XYmm.5 0 5 z 5 mm 5050 0000 0000 mm 00 00 0000 mm 6.5 76 98 8 Kg 6 8 5 XY/μm 0/5 0XYμm 0.5
Microsoft Word - LD5515_5V1.5A-DB-01 Demo Board Manual
Subject LD5515 Demo Board Model Name (5V/1.5A) Key Features Built-In Pump Express TM Operation Flyback topology with PSR Control Constant Voltage Constant Current High Efficiency with QR Operation (Meet
Microsoft Word - 100年年報 _1-4_.doc
股 票 代 號 :2342 一 百 年 度 年 報 中 華 民 國 一 一 年 四 月 三 十 日 刊 印 年 報 查 詢 網 址 :http://newmops.tse.com.tw http://www.mosel.com.tw 一 發 言 人 姓 名 職 稱 聯 絡 電 話 及 電 子 郵 件 信 箱 : 本 公 司 發 言 人 姓 名 : 周 崇 勳 職 稱 : 副 總 經 理 電 話 :(03)
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc
Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
ESD.xls
Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)
Tokyo Tech Template
2.4GHz CMOS PA,,, 2010/07/21 Contents 1 Introduction 2 PA (Power Amplifier) 2.4GHz : WiMAX, WLAN, Bluetooth Introduction 3 Capacitive cross-coupling Self-biased cascode Schematic 4 Out V DD 2 : 1 V DD
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
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TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO., LTD. 12 3 A 10,000 1.00 2007 4 6 362,663,687 36 / 2007 3 19 1-1-2 1 2007 2007 26 0.35 60,960 3 2006 19,302.82 34.11% 87% CRT CRT LCD 59.63% 43.19% 2006 12 31 112,002,579.75
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Macroblock 6~36 1A - (PWM) - (PWM) 1,024 3 LED 350mA12V 97% Hysteretic PFM 0.3Ω (UVLO)(Start-Up)(OCP) (TP) LED 6 PCB Mini Small Outline Package GMS : MSOP-8L-118mil Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27
GH1220 Hall Switch
Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic
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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply
CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能
CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes. IC Description The iml88 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowi
iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes iml88 0V C 8W T Tube EVM pplication Notes Table of Content. IC Description.... Features.... Package and Pin Diagrams.... pplication Circuit.... PCB Layout
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FT838D 5V2A 设计报告 Description Symbol Min Type Max Unit Comment Input Voltage Vin 90 / 264 Vac Input Frequency Fline 47 50/60 63 Hz No-load Input Power (@230Vac) Active Mode Efficiency Pst / / 150 mw η /
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt
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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
5991-1117CHCN.indd
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DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG20N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
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DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
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MOSFET Application 92. Jian Yi Rd. Chung-Ho Dist., New Taipei City, Taiwan, R.O.C. E-mail: webmaster@cet-mos.com TEL:886-2-2222-9138 FAX:886-2-2222-3833 Applications Adapter DC Fan Power Tool SPS Lin-Ion
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3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011. All rights reserved. Page 2 AC 3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011. All rights reserved. Page 3 3/22/2011 Copyright Infineon Technologies 2011.
Chroma 61500/ bit / RMS RMS VA ()61500 DSP THD /61508/61507/61609/61608/ (61500 ) Chroma STEP PULSE : LISTLIST 100 AC DC
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TONE RINGER
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Dimmable LED Driver with iw3614 (Input 180~264Vac Output 40V700mA) Design Purpose and Feature (AC input 180~264Vac,Output 40V700mA 12 LEDs_ iw3614) Isolated ac-dc offline Input 230Vac, Output 12 LEDs 700mA
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<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>
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. Land Patterns for Reflow Soldering.Recommended Reflow Soldering Conditions (For Lead Free) TYPE PID0703 PID0704 PID1204 PID1205 PID1207 PID1209 L(mm
.Features: 1.Magnetic Shielded surface mount inductor with high current rating. 2.Low resistance to keep power loss minimum..applications: Excellent for power line DC-DC conversion applications used in
a) Rating and Characteristics Disk Type 05D *Rated Rated Peak Varistor Clamping Typ. cap. Series Part No. Rated Voltage Energy Rated Power Current(8 2
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0755 85286856 0755 82484849 路 4.5V ~5.5V 流 @VDD=5.0V, Microsoft Word - Annu104年報.doc
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PHT6N6T THERMAL RESISTANCES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT R th j-sp From junction to solder point Mounted on any PCB 1 15 K/W R th j-amb
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OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...
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风华高科 PS 系列功率电感 PS SERIES SMD POWER INDUCTORS 特征 FEATURES: 大电流 ; igh s aturation current 屏蔽结构 ; Magnetic shielded 适合于表面贴装, 适合于回流焊 SMT type, suitable for solder reflow. 应用 APPLICATIONS 1. 移动通信, 笔记本电脑 ; Portable
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FDP027N08B N 沟 道 PowerTrench MOSFET 80 V 223 A 2.7 m 特 性 R DS(on) = 2.2 m ( Typ.) @ = 0 V, I D = 00 A 低 FOM R DS(on) * Q G 低 反 向 恢 复 电 荷, Q rr =2 nc 软 反 向 恢 复 体 二 极 管 可 实 现 高 效 同 步 整 流 快 速 开 关 速 度 00%
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EDM12864-GR 1 24 1. ----------------------------------------------------3 2. ----------------------------------------------------3 3. ----------------------------------------------------3 4. -------------------------------------------------------6
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26 (Battery Sizing & Discharge Analysis) - 1. 2. 3. ETAP PowerStation IEEE 485 26-1 ETAP PowerStation 4.7 IEEE 485 ETAP PowerStation 26-2 ETAP PowerStation 4.7 26.1 (Study Toolbar) / (Run Battery Sizing
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The power behind competitiveness Ultron NTUPS www.deltagreentech.com.cn Ultron NT ii 1 : ---------------------------------------------------------1 2 : --------------------------------------------------------------------4
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http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 1 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 2 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999
History Universal Universal 1958Universal 1984Magnetek Magnetek Lighting Group Universal Technologies Lighting Energy Savin
220240V ELECTRONIC BALLAST History 1967 1947Universal Universal 1958Universal 1984Magnetek 1997 2001Magnetek Lighting Group Universal Technologies Lighting 1999 2002Energy Saving Incorporation P.2 Company
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Wire Wound SMD Power Inductors SWRH-B Series Operating Temperature: -25 ~+105 (Including self-heating) FEATURES Various high power inductors are superior to be high saturation Suitable for surface mounting
质量体系认证证书 ＩＳ Ｏ９００ ０认证证书 国军标体系认证证书 企业文化 企业愿景 创新型 节能 绿色 高可靠性电子产品 品牌服务商 宗 旨 创新改变人生 发展造就个人 企业 社会的共赢 使 命 以开拓思维谋求创新 以创新求发展 以发展提升员工 股东价值 提高顾客 竞争力 履行社会责任 企业精神 以开拓创新谋发展 以持续改进促完善 以价值增值为己任 以共赢互进为目标 创新 改进 发展 思维创新 技术创新
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small, speedy, safe Eextremely modular Up to 64 modules per bus de Quick reaction time: up to 20 µs A new Member of the Cube Family Murrelektronik s modular I/O system expands the field-tested Cube family
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(HighSpeedBoardDesign) (HIGHSPEEDBOARDDESIGN) 1 1 3 1.1 3 1.1.1 3 1.1.2 vs 4 1.1.3 5 1.1.4 8 1.2 9 1.2.1 9 1.2.2 vs 1 1.3 1 1.3.1 11 1.3.1.1 11 1.3.1.2 12 1.3.1.3 12 1.3.1.4 12 1.3.1.5 12 2. 2.1 14 2.1.1
BA 2002, 3 IPCS WWW.EASTCATO.COM - - - - - -1-3 -15 - - - - - - WWW.EASTCATO.COM BA 1 2 3 4 20% DC12V A-1 WWW.EASTCATO.COM ok A-2 WWW.EASTCATO.COM RS232 RS485 EC-NET : B-1 WWW.EASTCATO.COM EC-NET 14 I/O
技术参数 Technical Data 额定电压 / 频率 Voltage/Frequency AC220V/50Hz AC110V/60Hz 功率 Power 70W 70W 空载流量 Free flowing 7.0L/M 7.0L/M 最大压力 Max. pressure 2.4Bar 2.4
膜片式气泵 Diaphragm Pumps for Gas DA70AC 系列 (Series DA70AC) 特点 Features 无油润滑 Oil-Free 耐腐蚀性 Corrosionresistant 免维护 Maintenance Free 低噪音低振动 Low noise level&vibration 可以任何方向安装 Can be mounted in any plane 应用 Typical
<4D6963726F736F667420576F7264202D20312D3120D5D0B9C9CBB5C3F7CAE9A3A8C9EAB1A8B8E5A3A92E646F63>
本 次 股 票 发 行 后 拟 在 创 业 板 市 场 上 市, 该 市 场 具 有 较 高 的 投 资 风 险 创 业 板 公 司 具 有 业 绩 不 稳 定 经 营 风 险 高 退 市 风 险 大 等 特 点, 投 资 者 面 临 较 大 的 市 场 风 险 投 资 者 应 充 分 了 解 创 业 板 市 场 的 投 资 风 险 及 本 公 司 所 披 露 的 风 险 因 素, 审 慎 作 出
全汉不间断电源 全汉集团始于 1993 Began in 1993 UPS
全汉不间断电源 全汉集团始于 1993 Began in 1993 UPS 专业卓越共赢 Professional excellence and win-win 目录 about company 1 1-3k 2 6-10k 3 RM 1-3k 4 RM 6-10k 5 RT 1-3K 6 RT 6-10K 7 3/1 10-30K 8 3/3 10-30K 9 3/3 40-200K 10 Mplus
αlpha-do1000 / αlpha-do1000 / EUTECH Eutech Eutech Eutech Instruments Pte Ltd Eutech Eutech Instruments (S) Pte Ltd Blk 55 Ayer Rajah Cresce
EUTECH INSTRUMENTS αlpha-do1000 / Dissolved Oxygen Controller αlpha DO1000 MEAS 8.08 mg/l 25.0 o C ATC ALARM CAL REL A REL B REL A ENTER ESC AUTO MANU REL B 68X242101 09/98 1 αlpha-do1000 / αlpha-do1000
昂宝电子LED驱动方案介绍.ppt
55 639666 0755-29473986 83011898 83218846 0755-29473996 82861919 2007 IC MICROWELL MOSFET 1 2)1300X MOSFET 3ST Fairchild MOSFET 2 1 MOSFET 6 2 11 8 3FAE 5 FAE FAE LED LED OB3390MP SOT23-5 1-5W LED (PSR)
OVLFx3C7_Series_A3_bgry-KB.pub
(5 mm) x High brightness with well-defined spatial radiation patterns x U-resistant epoxy lens x Blue, green, red, yellow Product Photo Here Each device in the OLFx3C7 series is a high-intensity LED mounted
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SSC9502S PRELIMINARY APPLICATION NOTE Ver. 0.1 SSC9502S Application Note (Ver. 0.1) Sanken Electric Co., Ltd http://www.sanken-ele.co.jp Page.1 SSC9502S PRELIMINARY APPLICATION NOTE Ver. 0.1 / / / / /
Microsoft Word - P SDFL series.DOC
片式铁氧体电感 SDFL 系列 Chip Ferrite Inductor SDFL Series Operating Temp. : -40 ~ +85 特征 迭层独石结构 高度可靠性 体积小 良好的磁屏蔽, 无交叉耦合 无引线结构, 适合表面安装 良好的可焊性和耐焊性 适合于流焊和回流焊用途 可用来抑制电子设备中的电磁干扰, 广泛的运用于通讯 视频 / 音频 计算机 遥控器等领域 FEATURES
untitled
2013/08/23 Page1 26 Ver.1.2 2013/08/23 Page2 26 Ver.1.2 2013/08/23 Page3 26 Ver.1.2 -JO8 DIM EN 5 GND GND -FA6 SOT23-6 6 SEN SW VIN 4 DIM 3 2 1 -GG5 VIN SEN GND DIM 5 SW 1 SOT89-5 4 3 2 TO-252 -HE5 VIN
Microsoft PowerPoint - Ch5 The Bipolar Junction Transistor
O2005: Electronics The Bipolar Junction Transistor (BJT) 張大中 中央大學通訊工程系 dcchang@ce.ncu.edu.tw 中央大學通訊系張大中 Electronics, Neamen 3th Ed. 1 Bipolar Transistor Structures N P 17 10 N D 19 10 N D 15 10 中央大學通訊系張大中
SOT-223: 1 GND 2 Vout 3 Vin 1 Adj. 2 Vout 3 Vin BL CX 1.8 V SOT-223 BL CX 2.5 V SOT-223 BL CX 2.85 V SOT-223 BL CX 3.3 V SOT-2
1A BL1117 1.8V 2.5V 2.85V 1A 3.3V 5V 1.2V BL1117 1A Vout 1.8V,2.5V,2.85V,3.3V,5V ±1 15V 1.25V~13.8V 0.2 BL1117 0.4 BL1117-50 140 TA -50 ~140 1% BL1117 SOT-223,TO- 252,TO-220 LCD LCD TV DVD ADSL BL1117-XX
DCR (Max.) CKST uH/M 0.1±20% CKST uH/M 0.22±20% CKST uH/M 0.47±20% CKST uH/M 0
B E FEATURES 特性 1.Shielded construction 屏蔽罩结构 2.High current rating up to DC 65Amp 高电流范围可到 64A 3.High frequency rang up to 5MHz 宽频范围可到 5MHz 4.Very low DC resistance 低值电流 5.Low noise 低损耗 6.ROHS compliant
SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
s
s PLC (IEC) : PLC EMC EMC EMC PLC MC AS : 2 . 4 1. 2. 5 1. 2. EMC 3.. 14 1. 2.. 16. SINUMERIK SIMODRIVE 17 1. 2. 3.. PLC 23 1. S7-200 PLC 2. S7-200 3. S7-200 (TP/OP/MP) 4.. 30 1. 2. 3 . 1. 1.3 n 2 : 2
Microsoft Word - ML63S_8.doc
Series DC-DC Converter Application ower Source of ortable roducts almtops ortable Cameras and Video Recorders Wireless mouse and keyboard Ordering Information Features Small number of external components:
History 97 97Universal Universal 98Universal 98Magnetek Magnetek ighting Group Universal Technologies ighting Energy Saving Incorporation
00V EECTROIC BAAST History 97 97Universal Universal 98Universal 98Magnetek 997 00Magnetek ighting Group Universal Technologies ighting 999 00Energy Saving Incorporation P. Company Profile Universal ighting
MODEL 62000H SERIES 5KW / 10KW / 15KW 0 ~ 375A 0 ~ 1000V/2000V( ) : 200/220Vac, 380/400Vac, 440/480Vac 3U/15KW / & 150KW / ( 10 ms ~ 99 hours)
MODEL 62000H SERIES 5KW / 10KW / 15KW 0 ~ 375A 0 ~ 1000V/2000V( ) : 200/220Vac, 380/400Vac, 440/480Vac 3U/15KW / &150KW / ( 10 ms ~ 99 hours) 10 100 / PROGRAMMABLE DC POWER SUPPLY MODEL 62000H SERIES USB
KL DSC DEMO 使用说明
:0755-82556825 83239613 : (0755)83239613 : http://www.kingbirdnet.com EMAIL Good989@163.com 1 1 KB3000 DTU... 3 1.1... 3 1.2... 3 1.3... 3 1.4... 3 2... 4 2.1 GSM/GPRS... 4 2.2... 4 2.3... 5 2.4... 6 2.5...
BL8530 PFM DC/DC Vin=1 BL8530 PFM DC/DC 3.3V 200mA 0.8V 200mA Vin=1.8V Vout=3.3V 0.8V Iout=1mA I q<5.5ua 2.5V 6.0V (0.1V BL ) ± 2 BL8530 ± 100
PFM DC/DC Vin=1 PFM DC/DC 3.3V 200mA 0.8V 200mA Vout=3.3V 0.8V Iout=1mA I q
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Quantum AMP NETCONNECT 1 2 ATM TSB 95 TIA/EIA 568-A-5 TIA/EIA 568-B Cat 5e / Cat 6 50 / 125m m 3 TSB95 100Ω Cat5 TIA/EIA 568A-5 100Ω Cat5e TIA/EIA 568B 100 Ω Cat6 ISO/IEC 11801 PDAM-3 PDAM-3 Class D (Cat
Microsoft PowerPoint - SMPS Solutions with On-Bright Power IC [兼容模式]
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SMPS Solutions with On-Bright Power IC Energy Star and CEC for EPS EPS: Single Voltage External AC-DC and AC-AC Power Supplies Energy Star 比 CEC 和 The Federal Standard 要严格 能效标准 : AC input 115/230V, 25%
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3 /Integrated Circuits Fuji Electric offers a lineup of AC/DC and DC/DC power supply control ICs that support a variety of power circuits. These highly efficient, lownoise products with low standby power