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1 LED Mu-Tao Chu 1

2 LED LED LED 2

3 LED LED LED LED100 lm/w LED 2015LED~30% 400LEDLED DOE LED Source: Solid-State Lighting Research and Development: Multi-Year Program Plan, March 2011, DOE LED LED LED OEMODM LED LED LED 2012LED LED 3

4 LED 208 lm/w (350 ma) 132 lm/w (350 ma) Cree Nichia Osram (2010) Epistar 163 lm/w (350 ma) 249 lm/w (20 ma) 130 lm/w (350 ma) 142 lm/w (350 ma) 120 lm/w (350 ma) 150 lm/w (350 ma) 160 lm/w 2700K) 120 lm/w (350 ma) 110 lm/w 2700K) Move to : Epistar Source : McKinsey lm/W 130lm/W2015~200lm/W DOE DOE2-3 4

5 LED : droop : binning yield ( ) : : : : : droop LED($/lm),, (lm/w). 5

6 LED 6

7 : LEDGaNSi 8 GaN on Si GaN on Si 8 SiPorous SiNC buffer layerlt AlN interlayer AlGaN graded layerstraingan LED 8 MOCVD The The cost cost of of 8 Si 8 Si will will be be 1/10 1/10 of of sapphire s sapphire is is the the most most efficient efficient process process size size for for LED LED equipment. equipment. + + SixNyCz layer as strain released nucleation layer nano-rods as strain released layer patterned Si substrate (current result: crack free 4.2 um GaN on 2 patterned Si ) 7

8 MOCVD Color Binning Cold wall outlet Osram Opto, white LEDs has 120 bins showerhead wafer wafer holder LED binning problem: -Flow field -Heat field outlet Defect gettering center Catalyst assist process Pre-strained InGaN/GaN layer Polarization-matched AlGaInN quantum barriers 8

9 -LED -LED -LED arrayacled LED( )LED TV(VLC) ACLED (VLC) HMD LED -LED array: TV (3D) Dice Projection Sony CrystalLED TV 9

10 Dice projection Dice projector: Emissive Imager (-LED) + Projection Lens (direct projection) Regular projector: Illumination + optics + passive imager + projection lens Pixel of RGB -LED array for dice projector Dice : microled chip Dice 3M V.S LED array (>40 lm/w)(~ 1cm 3 ) 10

11 A19 LED : X X = 0.95 X 0.92 X 0.9 = 0.78 k=3~4w/mk 60W 100g 调 热 LED Product Weight (g) Light Distribution Angle Luminous (lm) Wattage (W) CRI CCT (K) P-Company E-Company ITRI 100 >

12 Thin-Film LED Motivation N-electrode MQW mirror 3 2 carrier substrate 1 Key Factors: 1. Improving Thermal Resistance 2. Maintaining the Mirror Structure 3. Reducing the Area of Top metal Shielding 12

13 Thin-Film LED (TFP) : EQE CCT Low Profile TFP wire-bond TFP Improved thermal droop 30 Improved light extraction mil TFP 25 TFP with wire TFP without wire Intensity(a.u.) mil faceup LED Intensity (a.u.) Current(mA) Current(mA) Due to shortest thermal path design, in 14-mil device size, TFP has higher saturation current of 800mA than conventional face-up LED of 250mA. With no light-shading electrode design, TFP has higher luminous intensity than TFP with conventional wire-bond structure. This is owing to more Copyright uniform 2012 current ITRI spreading and higher light extraction. 13

14 : CS/PCRICCT 2011 CRI>80 CCT K C/P LED Muti chips+ic+ LED: *2$/Klm *No Binning *No PWM Dimming * LED: *CS() *(Unified Vision) sensor sensor ++ database+ LED *LED *LED NBI *LED 14

15 : (1) LED / / LED LED LED LED () () UV () () (2) LED (3) LED (4) LED 15

16 LED / / UV / / / / / / 16

17 GaN on Si LEDLED LED LEDLED LEDLEDLED LED100 (750CO 2 ) LED 17

18 Thank You 18

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