HTN7G27S010P

HT647PL

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 RoHS 规范 HT647PL HT647PLB HT647PL 封装 : H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备

HTN7G27S010P

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 1.8 至 0MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 为适应高 VSWR 应用的增强型鲁棒性设计 最高工作 VDD 可达 50V 适用于 28V 至 50V 范围内供电电压, 方便不同功率等级功放设计 优异的功率线性度 优异的热稳定性 内部集成的增强 ESD 设计 符合 RoHS 规范 HTH7G06P500H 封装 :H2110S-4L

Microsoft Word - HTN7G21P160H_V1.0.docx

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管 为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限 提供 VBW 改善外接引脚 为适应预失真系统的优化设计 方便功放设计的内匹配设计 增强鲁棒性设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HTN7G21P160H 封装 :H2110S-6L 2. 产品应用 GSM EDGE CDMA W-CDMA TD-SDMA

Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc

Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR

N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830

特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:

CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能

CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax

Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V

VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000

TONE RINGER

4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R

untitled

0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655

Specification of the 13.56MHz RFID card reader/writer

Specification of the 13.56MHz RFID card reader/writer 3.1 RFID RFID card...4 3.2 13.56MHz RFID 13.56MHz RFID card reader/writer...4 4.1...4 4.2...7 4.3...7 4.4...7 4.5...8 4.6...8 4.7...9 4.8...9 4.9...9

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip

DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG20N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,

Microsoft Word - V1_2010513_王翔会计习题课二.docx

2015 注 册 会 计 师 会 计 习 题 班 二 王 翔 肆 大 会 计 高 级 培 训 师 第 二 章 金 融 资 产 1.A 公 司 于 2013 年 1 月 2 日 从 证 券 市 场 上 购 入 B 公 司 于 2013 年 1 月 1 日 发 行 的 债 券, 该 债 券 3 年 期, 票 面 年 利 率 为 4.5%, 到 期 日 为 2016 年 1 月 1 日, 到 期 日 一

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip

DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,

MCU产品规格书

2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.

Tokyo Tech Template

2.4GHz CMOS PA,,, 2010/07/21 Contents 1 Introduction 2 PA (Power Amplifier) 2.4GHz : WiMAX, WLAN, Bluetooth Introduction 3 Capacitive cross-coupling Self-biased cascode Schematic 4 Out V DD 2 : 1 V DD

< D CA48B8689EF8E9197BF938C8EC E706466>

2007 1 GaN Copyright 2007, Toshiba Corporation. 2 GaN ( SSPA 1 3 ECM ECM I max V max -V knee P out I max (V max -V knee ) HPMHigh High Power Mirowave FCS V knee Vmax 4 6 GaAs SiGe II-VI ZnSe,ZnS, CdS III-V

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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100

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TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac

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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

ESD.xls

Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt

股份有限公司

公 司 代 码 :603678 公 司 简 称 : 火 炬 电 子 福 建 火 炬 电 子 科 技 股 份 有 限 公 司 2014 年 年 度 报 告 重 要 提 示 一 本 公 司 董 事 会 监 事 会 及 董 事 监 事 高 级 管 理 人 员 保 证 年 度 报 告 内 容 的 真 实 准 确 完 整, 不 存 在 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 重 大 遗 漏, 并 承 担 个

untitled

2012/13 2012/13 Agilent 2012/13 (www.agilent.com/ find/mta) ,, 60 : PXI 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 2012/13 1 1 2 2 3 6 4 20 5 32 36 38 44 48 6 52 7 56 8 63 66 69 9 72 10 82 11 87

Slide 1

egan FET 昂首阔步前进 采用氮化镓场效应晶体管 (egan FET) 的 无线电源传送解决方案 宜普电源转换公司 www.epc-co.com.cn 1 议题 无线电源拓扑概述 每种拓扑所取得的无线电源结果 总结 www.epc-co.com.cn 2 概述 输出功率 < 30 W 松散耦合 根据 A4WP 标准的 6.78 MHz(ISM 频带 ) 探讨不同的拓扑 : D 类放大器 ( 电流及电压模式

Microsoft Word - P SDV series.DOC

片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (

DataNet_Solution2.ai

ourtec FOURIERTECHNOLOGIES DataNet 24 / 7 创新的 监控解决方案 DataNet ZigBee DataNet ZigBee 2.4 GHz 65,000 4 20 ma, 0 1 V,, 2, NTC, J 2.4 GHz API www.fourtec.com DataNet 解决方案智能的无线数据记录网络 DataNet 6 DataNet / DataNet

iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes. IC Description The iml88 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowi

iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes iml88 0V C 8W T Tube EVM pplication Notes Table of Content. IC Description.... Features.... Package and Pin Diagrams.... pplication Circuit.... PCB Layout

Series Rated Voltage (V) (pf) TDK - MIDDLE-HIGH VOLTAGE CERAMIC CAPACITORS Dimension (D*T)/ CC16 50 (1H) 100 +/-5% length)*l(lead CC165PH1H101J1A 2.6*

TDK - MLCC Series Rated Voltage (V) (pf) Dimension (L*W) (mm) C1005 6.3(0J) 1uF +80%, -20% 1.0*0.5 C1005Y5V0J105ZT C1005 16(1C) 100nF +80%, -20% 1.0*0.5 C1005Y5V1C104ZT C1005 50(1H) 22pF +/-5% 1.0*0.5

1971 7 6 1993 3 8 1993 2 17 1992 2 5 1991 2 3 1 2 1972 2 217 1972 1 270 1987 113 1988 296 1989 132 1990 12 30 1990 8 2 1992 2 7 1986 3 1 1960 28 1960 31 1945 1950 1987 17 1972 1 1 1972 1 39 1972 2 301

穨series019-IA.PDF

新世紀領導人才培育營－初階研習營檢討會議程表

出 國 報 告 ( 出 國 類 別 : 交 流 參 訪 ) 赴 大 陸 武 漢 大 學 交 流 參 訪 出 國 報 告 書 服 務 機 關 : 國 立 中 央 大 學 地 球 科 學 院 姓 名 職 稱 : 朱 延 祥 院 長 派 赴 國 家 : 中 國 大 陸 出 國 期 間 : 民 國 104 年 5 月 2 日 到 5 月 8 日 報 告 日 期 : 民 國 104 年 5 月 14 日 i

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4 5 6 7 38 ( ) VS 3 100 ( ) MM MM ! 1 2003 VS . MM MM MM MM MM MM MM CS MM CS MM MM ! ? % Y O [ ] Y O [ ] [ ] [ ] MM MM

昂宝电子LED驱动方案介绍.ppt

55 639666 0755-29473986 83011898 83218846 0755-29473996 82861919 2007 IC MICROWELL MOSFET 1 2)1300X MOSFET 3ST Fairchild MOSFET 2 1 MOSFET 6 2 11 8 3FAE 5 FAE FAE LED LED OB3390MP SOT23-5 1-5W LED (PSR)

untitled

Macroblock 6~36 1A - (PWM) - (PWM) 1,024 3 LED 350mA12V 97% Hysteretic PFM 0.3Ω (UVLO)(Start-Up)(OCP) (TP) LED 6 PCB Mini Small Outline Package GMS : MSOP-8L-118mil Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27

XT1861

同步升压 DC-DC 变换器 产品概述 XT1861 系列产品是一款低功耗高效率 低纹波 工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 XT1861 系列产品仅需要 3 个外部元器, 即可完成低输入的电池电压输入 用途 1~3 个干电池的电子设备 数码相机 电子词典 ED 手电筒 ED 灯 血压计 MP3 遥控玩具 无线耳机 无线鼠标键盘 医疗器械 防丢器 汽车防盗器 充电器 VCR PD 等手持电子设备

Microsoft Word - 深圳2016年9月27-29日ESD工程师培训通知-盖章.doc

工 业 和 信 息 化 部 ESD 工 程 师 职 业 技 术 培 训 通 知 电 鉴 站 字 2016 008 号 一 培 训 背 景 在 经 济 的 全 球 化, 中 国 制 造 业 2025, 互 联 网 + 行 动 计 划, 以 及 促 进 工 业 和 信 息 化 的 两 化 深 度 融 合, 加 快 从 制 造 业 大 国 向 制 造 强 国 转 变, 电 子 信 息 技 术 产 业 发

SM7022C AC/DC PWM 功率开关 v1.6 SM7022C 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 集成高压启动电路 集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽 VDD 工作电压范围 电流模式 PWM 控制方式 内置过温 过流

特点 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽 工作电压范围 电流模式 PWM 控制方式 内置过温 过流 过压 欠压等保护功能 兼容 VIPer22 管脚 ( 不需要修改电路走线及变压器 ) 封装形式 :DIP8 概述 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片, 集成高压启动电路和高压功率管,

6

2

1 > > > > 2003/12/03 2 3 1984 1992 1996 1997 1998 2002 1984 1988 4 1993 1997 2003 10 68 5 6 2002 7 1987 1997 1998 8 2001 12 1979 1980 1987 1989 1991 1996 2001 2001 12 2002 10 1995 1997 < > 9 1998 10 2001

数据表 / Datasheet F4-23MR12W1M1_B11

EasyPACK 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyPACK modulewithcoolsic TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter

港澳四天三夜双人游行程及说明

汽 车 (GPS) 卫 星 定 位 终 端 设 备 数 据 维 护 手 册 V1.0 A24 型 ( 车 载 DVD 升 级 车 联 网 套 件 ) 佛 山 市 阿 普 思 通 讯 技 术 有 限 公 司 专 注 车 联 网 及 汽 车 微 电 子 - 1 - 更 新 列 表 日 期 版 本 号 内 容 负 责 人 备 注 2013.10.6 V1.0 建 档 - 2 - 安 装 和 使 用 之 前,

数据表 / Datasheet FF11MR12W1M1_B11

EasyDUAL 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter

iml v C / 0W EVM - pplication Notes. IC Description The iml8683 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowin

iml8683-220v C / 0W EVM - pplication Notes iml8683 220V C 0W EVM pplication Notes Table of Content. IC Description... 2 2. Features... 2 3. Package and Pin Diagrams... 2 4. pplication Circuit... 3 5. PCB

SOT-223: 1 GND 2 Vout 3 Vin 1 Adj. 2 Vout 3 Vin BL CX 1.8 V SOT-223 BL CX 2.5 V SOT-223 BL CX 2.85 V SOT-223 BL CX 3.3 V SOT-2

1A BL1117 1.8V 2.5V 2.85V 1A 3.3V 5V 1.2V BL1117 1A Vout 1.8V,2.5V,2.85V,3.3V,5V ±1 15V 1.25V~13.8V 0.2 BL1117 0.4 BL1117-50 140 TA -50 ~140 1% BL1117 SOT-223,TO- 252,TO-220 LCD LCD TV DVD ADSL BL1117-XX

iml v C / 4W Down-Light EVM - pplication Notes. IC Description The iml8683 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the cur

iml8683-220v C / 4W Down-Light EVM - pplication Notes iml8683 220V C 4W Down Light EVM pplication Notes Table of Content. IC Description... 2 2. Features... 2 3. Package and Pin Diagrams... 2 4. pplication

1996 1997 GJB-151 1998 1999 2001 2002 220AC TEMPEST TEMPEST / / 1.dV/dt di/dt 2. NEMP ESD V -- - +++ - +++ - - - + V V V G PCB PCB / / IEC CISPR CISPR Pub. IEC TC77 IEC CENELEC EN FCC DOD FCC Part,

input commom-mode range) output swing (open loop gain) (GBW) ( phase margin) (gain margin)

OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...

目錄第十期.doc

( ) ISSN 1609-8765 APEC WTO WTO WTO 921 M1A2 WTO WTO APEC APEC 4 5 10 in * ? 90.11.09

<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>

台湾合泰 HOLTEK 型号品牌封装说明 HT7022A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7022A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7027A-1#-SOT89

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Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV) Average

閱 讀 素 材 V.S 分 組 方 式 的 差 異 化 教 學 工 具 表 班 級 :( ) 閱 讀 素 材 V.S 分 組 方 式 獨 立 閱 讀 夥 伴 閱 讀 ( 同 質 性 ) 夥 伴 閱 讀 ( 異 質 性 ) 友 善 陪 伴 虛 心 受 教 國 語 日 報 新 聞 生 活 文 藝 兒 童

差 異 化 教 學 在 老 梅 103 年 12 月 差 異 化 教 學 是 老 師 對 於 學 習 者 需 求 的 回 應, 這 句 話 雖 然 動 人, 但 要 瞭 解 每 個 學 生 不 同 的 需 求 並 予 以 回 應, 則 在 教 學 上 需 要 不 斷 的 嘗 試 觀 察 與 調 整, 老 師 不 僅 需 要 高 度 的 專 業 敏 銳 的 觀 察 十 足 的 創 意 等 等, 更 重

Microsoft Word - 1HF12序.doc

每 天 早 晨 水 果 日 報 的 頭 條, 總 有 瘋 狂 的 肥 皂 劇 在 現 實 社 會 中 上 演 著, 諸 如 友 寄 隆 輝 毆 打 計 程 車 司 機 案 014 貪 瀆 案 黑 暗 騎 士 掃 射 案 ( 美 國 ) 李 宗 瑞 淫 照 外 洩 案 等, 太 多 太 多 不 可 思 議 的 刑 事 個 案 都 活 生 生 地 搬 上 現 實 世 界 演 出 而 這 也 說 明 了

Microsoft Word - 讀報看科普─人體篇_橫_.doc

教 學 緣 起 在 引 領 學 生 進 行 讀 報 心 得 分 享 與 批 判 思 考 時, 發 現 學 生 普 遍 對 科 學 知 識 性 文 章 興 趣 缺 缺 ; 再 者, 近 年, 國 小 高 年 級 課 本 選 讀 科 普 文 章, 但 學 生 學 習 往 往 不 得 其 所, 無 法 融 入 課 文 中 因 此, 教 學 者 從 國 語 日 報 中 選 了 一 些 較 貼 近 生 活 的

Microsoft Word - 2B802內文.doc

行 政 法 導 讀 001 行 政 法 導 讀 大 綱 序 言 壹 行 政 法 解 題 思 維 貳 行 政 法 選 擇 題 概 覽 參 行 政 法 常 考 爭 點 一 考 題 趨 勢 二 行 政 法 考 試 上 所 關 心 的 重 點 序 言 一 行 政 法 並 不 難 行 政 法 科 目 考 題 內 容 可 以 說 是 包 羅 萬 象, 考 生 要 能 夠 精 確 掌 握 實 務 上 各 種 領

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年 报 食 用 油 可 期 稳 定 改 善 稳 定 有 余, 油 脂 将 继 续 表 现 库 存 压 力 和 高 价 值 化 价 区 的 对 抗 性 投 资 机 会 更 多 是 油 脂 内 部 结 构 以 及 其 对 粕 类 相 对 强 弱 的 变 动 同 时 有 菜 籽 油 和 棕 榈 油 的 改 善 可 预 期 相 较 于 其 它 大 多 数 商 品 的 表 现, 油 脂 系 在 2015 年

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FM1935X智能非接触读写器芯片

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A 60GHz 16Gb/s 16QAM Low-Power Direct-Conversion Transceiver Using Capacitive Cross-Coupling Neutralization in 65nm CMOS Hiroki Asada, Keigo Bunsen, Kota Matsushita, Rui Murakami, Qinghong Bu, Ahmed Musa,

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Part 1 2 3 4 5 6 7 Part 2 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 Part 3 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67

Microsoft Word - ML63S_8.doc

Series DC-DC Converter Application ower Source of ortable roducts almtops ortable Cameras and Video Recorders Wireless mouse and keyboard Ordering Information Features Small number of external components:

LED 显示屏驱动 IC2011V1.1 SM16125 概述 SM16125 是专为 LED 显示屏设计的驱动芯片, 内建 CMOS 位移寄存器与锁存功能, 可以将串行的输入数据转换成并行输出数据格式 SM16125 提供 16 个电流源, 可以在每个输出端口提供 3 45mA 的恒定电流, 大小

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Subject LD5515 Demo Board Model Name (5V/1.5A) Key Features Built-In Pump Express TM Operation Flyback topology with PSR Control Constant Voltage Constant Current High Efficiency with QR Operation (Meet

入 学 考 试 重 点 考 查 学 生 的 基 础 专 业 知 识 基 本 实 验 操 作 技 能 独 立 思 考 和 动 手 能 力 笔 试 和 面 试 的 试 题 都 有 足 够 的 难 度, 以 利 择 优 录 取 新 录 取 的 研 究 生 第 一 次 见 面, 池 先 生 会 作 一 次

严 师 慈 母 池 际 尚 院 士 培 养 研 究 生 记 实 叶 德 隆 叶 德 隆, 男,1936 年 12 月 初 生 中 国 地 质 大 学 ( 武 汉 ) 地 球 科 学 学 院 教 授 1960 年 北 京 地 质 学 院 岩 石 矿 物 学 专 业 毕 业 并 留 校 任 教,1962 年 北 京 地 质 学 院 研 究 生 毕 业 主 要 从 事 岩 浆 岩 岩 石 学 晶 体 光

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014315 市 立 永 平 高 中 無 填 報 無 填 報 (02)22319670 014322 市 立 樹 林 高 中 已 填 報 已 填 報 (02)86852011 014326 市 立 明 德 高 中 已 填 報 (02)26723302 014332 市 立 秀 峰 高 中 已 填 報

加 總 - 人 數 每 位 填 報 人 只 能 填 一 種 學 制 欄 標 籤 列 標 籤 高 級 中 學 進 修 學 校 010301 國 立 華 僑 高 級 中 等 學 校 無 填 報 已 填 報 (02)29684131 011301 私 立 淡 江 高 中 無 填 報 已 填 報 (02)26203850 011302 私 立 康 橋 高 中 已 填 報 (02)22166000 011306

2. 禁 止 母 乳 代 用 品 之 促 銷 活 動, 以 及 不 得 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴 認 證 說 明 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴, 並 在 婦 產 科 門 診 兒 科 門 診 產

104 年 母 嬰 親 善 醫 療 院 所 認 證 基 準 及 評 分 說 明 ( 調 整 對 照 表 ) 認 證 說 明 措 施 一 : 明 訂 及 公 告 明 確 的 支 持 哺 餵 母 乳 政 策 (8 分 ) ( 一 ) 醫 療 院 所 成 立 母 嬰 親 善 推 動 委 員 會, 由 副 院 長 級 以 上 人 員 擔 任 主 任 委 員, 並 定 期 召 開 會 議, 評 估 醫 療 院

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Technology & Application ACT30 IC ACT30 Series IC discrete controller and its application 中图分类号 :TM57 文献标识码 :B 文章编号 :1606-7517(2009)05-8-103 ACT30 IC RCC Ring ing Choke Converter 1 1 RCC RCC BVceo ACT30

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一 九 八 八 年 创 刊 回 忆 与 研 究 第 十 六 辑 上 海 市 新 四 军 历 史 研 究 会 浙 东 浙 南 分 会 编 二 O 一 三 年 十 二 月 1 ( 封 面 折 页 字 ) 编 委 会 顾 问 丁 公 量 丁 柯 吴 文 达 汪 志 荣 戚 南 强 李 国 经 主 编 陈 晓 光 副 主 编 葛 奇 忠 方 思 朋 编 委 ( 按 姓 氏 笔 画 为 序 ) 方 思 朋 王

萧山中学课程建设方案.doc

- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - 2 2 4 4 4 2 2 4 4 4 4 4 5 5 4 4 4 4 5 5 4 4 4 4 5 5 3 3 3 3 4(2) 4(2) 4(2) 4(2) 4 4 4 4 3 3 3 3 3 3 4 4 4 4 4(2) 4(2) 4(2) 4(2) 2 2 2 2 4 4 4 4 2 2 2 2 2

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九 评 共 产 党 大 纪 元 系 列 社 论 2004 年 11 月 http://dajiyuan.com http://epochtimes.com 目 录 公 告 大 纪 元 发 表 系 列 社 论 九 评 共 产 党... 4 九 评 之 一 评 共 产 党 是 什 么... 4 前 言...5 一. 以 暴 力 恐 怖 夺 取 和 维 持 政 权... 5 二. 以 谎 言 为 暴 力

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日 本 位 于 亚 洲 东 部, 太 平 洋 西 北 角, 是 我 国 东 方 的 一 个 岛 国 在 洪 积 世 ( 注 1) 的 大 部 分 时 期 内, 日 本 与 大 陆 相 连 大 约 在 洪 积 世 晚 期 至 冲 积 世 ( 注 2) 初 期, 日 本 各 地 发 生 海 进, 出 现

前 言 日 本 是 我 们 的 邻 国 文 献 可 考 的 两 国 关 系, 至 少 已 有 21 个 世 纪 古 代 日 本 文 化 的 发 展 晚 于 中 国, 而 日 本 民 族 却 能 在 固 有 文 化 的 基 础 上 对 外 国 文 化 采 取 选 择 吸 收 和 创 新 的 态 度, 形 成 自 己 独 特 的 文 化 封 建 末 期, 中 国 和 日 本 同 受 西 方 列 强 的

2深化教育教学改革、创新人才培养模式

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九 评 共 产 党 大 纪 元 系 列 社 论 2004 年 11 月 http://dajiyuan.com http://epochtimes.com 目 录 公 告 大 纪 元 发 表 系 列 社 论 九 评 共 产 党... 4 九 评 之 一 评 共 产 党 是 什 么... 5 前 言... 5 一. 以 暴 力 恐 怖 夺 取 和 维 持 政 权... 5 二. 以 谎 言 为 暴 力

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附 件 :.014 年 实 习 生 进 出 实 习 单 位 用 车 方 案 南 京 医 科 大 学 014 年 6 月 实 习 学 生 进 出 实 习 单 位 用 车 计 划 教 务 处 编 014 年 6 月 5 日 实 习 上 下 点 表 格 解 释 和 相 关 纪 律 要 求 : 1 表 格 中 所 有 名 词 都 为 简 称, 包 括 医 院 名 称 四 年 级 五 年 级 各 专 业 名

3 基 金 杠 杆 从 分 级 基 金 的 概 念, 我 们 知 道 了 分 级 基 金 的 A 份 额 是 每 年 获 得 固 定 收 益 的 稳 健 份 额,B 份 额 是 具 有 杠 杆 效 应 的 激 进 份 额 分 级 基 金 中 的 杠 杆 一 般 有 三 类 : 份 额 杠 杆 =(A

分 级 基 金 入 门 1 概 述 分 级 基 金 是 指 通 过 对 基 金 收 益 分 配 的 安 排, 将 基 金 份 额 分 成 预 期 收 益 与 风 险 不 同 的 两 类 或 多 类 份 额, 并 将 其 中 一 类 份 额 或 多 类 份 额 上 市 进 行 交 易 的 结 构 化 证 券 投 资 基 金 通 常 所 谈 到 的 分 级 基 金 是 将 母 基 金 产 品 ( 可 以

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許 清 龍 老 師 試 題 評 析 國 文 試 題 評 析 / 命 中 事 實 100 學 年 度 私 醫 聯 招 的 國 文 科 考 題, 有 上 課 的 同 學 應 該 發 出 會 心 一 笑, 甚 至 狂 笑, 因 為 老 師 的 命 中 率 實 在 太 高 了 除 了 基 本 的 字 音 字 形 字 義 成 語 的 題 型 外, 時 序 的 題 型 考 了 干 支 判 別 題 目 完 全 可

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航天电器 SAM 系列射频同轴连接器 机械和电气基准面 a b c 头部配合尺寸 m n l k 机械和电气基准面 d e f p q r g s t i h j u w 尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值 a 3.30 h p 1/4-36UNS-2A b

SAM 系列射频同轴连接器 航天电器 特点简介 SMA 射频同轴连接器具有体积小 频带宽 机械电气性能优越 可靠性高等优点, 是应用最广泛的射频电连接器 广泛用于微波通讯 航天航海 武器系统及微波测量设备等领域 技术特性 温度范围 -65 ~ +165 绝缘电阻 5000MΩ 特性阻抗 50Ω 介质耐压 1000V 频率范围 配软电缆 0 ~ 12.4GHz 中心导体 0.003Ω 接触电阻配半刚

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