半导体激光频标与激光稳频技术 (一) 陈徐宗 北京大学信息科学技术学院 电子学系 量子电子研究所

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1 半导体激光频标与激光稳频技术 ( 一 ) 陈徐宗 北京大学信息科学技术学院电子学系量子电子研究所

2 课程安排 第一章半导体激光器的基本特性 1.1 前言 1.2 半导体激光器的产生激光的简单原理 1.3 半导体激光器的结构和封装 1.4 半导体激光器的调谐特性 1.5 半导体激光器的阈值流和功率输出特性 第二章外延腔半导体激光器压窄线宽以及频率调谐的原理 2.1 外延腔半导体激光器压窄线宽的原理 2.2 外延腔半导体激光器频率调谐的原理 第三章饱和吸收光谱技术 3.1 饱和吸收光谱的基本原理 3.2 饱和吸收光谱的实验介绍

3 第四章半导体激光稳频的基本原理 4.1 稳频的基本原理 4.2 一次, 三次谐波稳频的理论分析 4.3 半导体激光稳频的基本电路分析 4.4 微分曲线与频率稳定性测量 第五章光电探测的基本原理与技术 5.1 光电管的基本特性 5.2 光电探测器的基本电路第六章光电子实验的几种器件与光路 6.1 旋光器与光隔离器 6.2 声光调制器及其应用 6.3 电光调制器及其应用 6.4 几种典型光路

4 第一章 半导体激光器的基本特性 1.1 前言 自 1962 年第一支半导体激光管问世以来, 半导体激光器有了很大的发展 二十世纪 70 年代末, 随着半导体激光介质制作工艺的改进和完善, 半导体激光器的性能得到了很大的提高 半导体激光稳频是半导体激光的一种重要技术, 它不但可用于长度的精密测量, 而且在激光通讯 原子钟 纳米计测 三维精密控制以及原子 分子结构的精密测量和能态的标定 物理基本常数的精密测量等方面有着广泛的应用

5 半导体激光器的优点与缺点 优点 : (1) 体积小 (2) 高效率 (3) 结构简单 (4) 价格便宜 (5) 可调谐 缺点 : (1) 输出功率 ( 大多数小于 1W) (2) 跳模 (3) 线宽太宽 (50MHz) (4) 频率漂移 (1GHz/ 小时 )

6 什么样的半导体激光是一个好的激光 (1) 高输出功率 (3-200mW) (2) 单横模 (3) 单纵模 (4) 窄线宽 ( 小于 100KHz) (5) 大调谐 ( 大于 10THz) (6) 高频率稳定性 ( 优于 )

7 半导体激光器

8 半导体激光电源

9 可调谐半导体激光器的应用需求

10 外腔半导体激光器

11 电磁波震荡器 低频震荡器 :LC 震荡器准确度与稳定度 10-3 高频震荡器 : 石英震荡器准确度与稳定度 10-6 微波震荡器 : 原子钟准确度与稳定度 光频震荡器 : 激光频标准确度 与稳定度 10-18

12 激光器设计 电子技术 (1) 稳频电路 饱和吸收光谱 (1) 超精细跃迁谱线的观察 (2) 谱线甄别 (3) 高 S/N (2) 高精密电流源 (3) 低温漂温度控制器 (4)PZT 控制器

13 1.2 半导体激光器产生激光的简单 原理 h E g

14 1.3 半导体激光器的结构和封装

15 半导体激光光束的输出示意图

16 C 型 G 型 H 型封装

17 G 封装激光管

18 G 封装激光管结构示意图

19 半导体激光器及其温度 电流控制器

20 Spectroscopy of laser diode (a) (b) Laser diode with (red) and without (blue) external grating feedback. The (a) graph shows an FP diode, the (b) an AR diode.

21 DFB 半导体激光器

22 波长 /nm DFB 半导体激光特性研究 #LD DFB-1 波长随电流变化曲线 电流 /ma 系列 1 温度 T=32 摄氏度, 电流从 57mA 到 80mA 波长的变化曲线, 电调率 :796MHz/mA

23 波长 (nm) 波长与温度关系曲线 #LD DFB-1 的波长温度曲线 温度 (V) 系列 1 电流为 mA, 温度从 12 摄氏度到 35 摄氏度, 波长的变化曲线, 温调率约为 :24MH/mK

24 1.4 半导体激光器的调谐特性 激光波长 : c ( T) M ( T) 2n( T) L / M 纵模级数 : M int{ 2n( T) L / P ( T)} 折射率 : n( T) n 0 PT 禁带能宽 : Eg( T) Eg( O) 0T / h( T ) 2 中心频率 : ( T) P PO (0) 2 0 T / h( T ) ( T) c 2( n0 PT ) L/int{2L / C)( n0 PT )( P(0) 0T / h( T )} 2

25 半导体激光频率和温度的关系 温调率 : F t de dt

26 半导体激光频率和工作电流的关系

27 激光的阈值电流和功率输出特性 ( Gd )2L R1 R2I (,0) e I2L e ( G )2L R R G th 1 2L ln 1 R R 1 2 G J J th 1 1 ln 2L 1 R R 1 2

28 SDL-5420 型半导体激光输出功率和 工作电流的关系 其阈值电流为 35mA

29 第二章外延腔半导体激光器的线宽 压窄以及频率调谐原理

30 2.1 外延腔半导体激光的压窄线宽 原理 h( P c 2 ) c [ L /( c)] x ' ( 1 a 2 ) /[1 xcos( 0 R 2 2 K ( 1 a ) 1/ 2d / c )] 2d 0 2 ( ) 2

31 几点讨论 定义线宽压窄系数 : D 1 [1 xcos( 0 R )] 2 1 无外腔反馈 : x 0, D1 2 相位匹配 : 2 0 R 2m, D (1 x) F F I 电调率 : ' I D 温调率 : F ' T F T D

32 FOX 型外腔半导体激光特性 激光纵模条件 :L>> 半导体介质腔长 L 2 m 外腔腔长与激光频率的关系 L 2m 0

33 2.2 Littrow 结构等外延腔半导体激光器的频率调谐的原理

34 两种外腔反馈半导体激光器

35 Littrow 型外腔半导体激光器的光栅调节

36 Littrow 结构激光器示意图 d sin m 0 级 -1 级 0 级 θ θ 入射光 激光器 +1 级

37 光栅的色散与激光管内腔模及增益 的关系 d sin ( ctg ) 0

38 Littrow 结构半导体激光器 q r t() 原理示意图 L() R r=2dsin q=2l()/[q+t()/d] q-1 q r q+1 不出现跳模条件 F()=q-r -/2 F() /2

39 F()=q - r Littrow 结构理想模型 F()=2L()/[q + t()/d] - 2dsin L0 Z L()= -Yr[sin/cos] - Zr[sin/cos -1] + L0(cos0/cos) t()=1/cos Y {Yr[1- cos( - 0)]+(L0- Zr)sin( - 0)} R(Yr,Zr) 理想模型 F()=2d[L0 + t()sin0] {cos0sin( - 0)(Yrtg0 - L0) + Zrsin0[1- cos( - 0)]} 对任意, 若 F()=0 Zr =0,Yrtg - L0 =0 转动点的选取如上图

40 几种典型误差情况 L0 L0 Z Z Y R(Yr,Zr) 1: 理想模型 Y R(Yr,Zr+) 2:Z 向偏差 L0 L0 Z Z Y R(Yr+,Zr) 3:Y 向偏差 Y R(Yr,Zr) 4: 光栅偏差

41 外腔半导体激光头的组装

42 电源面板的操作 (1) 先开总电源 ; (2) 开激光控温 ; (3) 开激光电流 ;

43 外腔半导体激光头的组装 俯仰调节螺栓 2 M3 固定螺丝 3 PZT 调节螺栓

44 操作步骤 激光束准直 : 横平竖直 ;2 米内平行 ; 激光经过光栅反馈的初调 ; 激光阈值电流与反馈的关系 ; 激光经过光栅反馈的细调 ; 观察闪耀 ; 阈值电流降低 观察纵模, 随 PZT 有变化, 随电流变化不敏感

45 注意事项 激光头打开顶盖进行调试时, 一定 要戴好防静电手腕带!

46 SDL-5420 型半导体激光输出功率和 工作电流的关系 其阈值电流为 35mA

47 Littrow 型外延腔半导体激光器光器

48 闪耀光栅的干涉和衍射

49 Littman 型外延腔半导体激光器

50 Littman 结构半导体激光器 Laser P(Px,Py) θ 0 q φ r Lf θ 0 Turning mirror φ Lp Diffraction grating Lt X r=d(sin0 + sinφ ) q=2/n[lf + Lt(φ )] Y 原理示意图 理想情况下 : P 点在 Y 轴上, 有 Lt(φ )=Lpsinφ 当满足 dsinθ 0=2/N Lf 时, 有 dsinφ =2/N Lt(φ ) 即 : r = q

51 Littman 激光器跳模及误差计算 不出现跳模条件 F()=q-r -/2 F() /2 当反射镜转轴有误差时 : q-1 r q q+1 r = d(sin0 + sinφ ) q = 2/N [ Lf + Lt(φ )] P(Px+x,Py+ y) X = 2/N [ Lf + Lpsinφ Y - sin(0 - φ )y-cos(0 - φ )x ]

52 误差计算

53 ( 四 ) 光电管的基本特性 光导型 (PC) 与光压 (PV) 型

54 光电管特性 上升时间 (Tr): 当输入光信号为阶梯形时, 光电管的输出反应时间, 上升时间 =10% 峰值至 90% 峰值所用时间 量子效率 (QE): 入射光穿过硅晶体后产生的电子 - 空穴对数与入射光子数的百分比, 量子效率是测量光电转换效率的基本参量, 它与响应率的关系为 :QE=124%R/(m) 灵敏度 (Sensitivity): 是测量光电管对光的灵敏度主要参数, 它定义为光电流与入射光强的比, 表示为 :R=I( 安培 )/P( 瓦 ), 对于硅光电管其最大响应度在 850nm 到 950nm, 峰值响应度为 :0.5 安培 / 瓦 图 2 为光电管响应度随入射光波长的关系

55 结电容 (Cj): 类似于平板电容, 其电容值与反向偏置电压成反比, 与光电管作用面积成正比 由于耗尽层激活区类似平板电容, 对于一定的偏置电压 V, 结电容为 : s o AJ C J ( V V ) 2 s o bi 其中 :s 为电极化率,0 为真空介电常数,Vbi 为 P-N 结电压,: 基片电阻,μ: 基片中主载流子的迁移率 由公式 (2) 可知, 偏置电压越高, 结电容越小 图 3 表示了结电容与偏置电压的关系 暗电流 (Id): 在黑暗状态, 光电管工作在反向偏置状态时的漏电流 它主要由四部分组成 :1) 扩散电流 ;2) 复合电流 ;3) 表面电流 ;4) 雪崩电流 暗电流与温度 反向偏置电压以及作用面积成正比 当没有光照时, 光电管加上偏置电压后, 其暗电流为 : I d I sat exp qv / kt 1

56 图 3 光电管的结电容与反向偏置电压的关系

57 图 4 光电管特性曲线, (1) 接运放加反向偏置, (2) 接运放无反向偏置,(3) 无运放加反向偏置, (4) 无运放, 无反向偏置

58 图 5 光电管的 PV 模式推荐电路, 运放差分端必须 与电源隔离

59 图 6 高精密弱光光电探测器的电路图, 前级为高精 密运放, 后级带直流偏置调节

60 图 7 对应与图 6 高精密弱光光电探测器的 PCB 版图, 其中 OPA111 运放 2 3 腿隔离接地是降低噪声的关键

61 图 9 光电管的 PC 模式电路, 该电路适合高码率信号探测

62

63

64 光隔离器基本原理

65 光隔离器原理

66 激光线宽测量

67 激光线宽测量

68 激光二次移频 两次移频

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