教育部補助專家學者出席國際會議報告

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仆刃充
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1 附表六報告人姓名會議期間會議地點會議名稱發表論文題目長庚大學學生出席國際會議報告書王柏文自 2013 年 6 月 8 日填寫日期 : 102 年 06 月 18 日系所及年級學號電子所碩士班二年級 M 至 2013 年 6 月 9 日核定補助日期 102 年 3 月 8 日馬來西亞 ( 中文 ) 2013 年第三屆國際電腦暨通訊元件研討會 ( 英文 ) 2013 the 3rd International Conference on Computer and Communication Devices (ICCCD 2013) ( 中文 ) 利用 0.35μm GaN-on-Si HEMT 製程之高功率及低相位 ( 請附論文全文 ) 雜訊之電壓控制震盪器論文內容摘要 ( 英文 ) High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 μm GaN-on-Si HEMT A low phase noise and high power MMIC VCO using GaN-on-Si is presented. The VCO is based on common source series feedback to generate the negative resistance, using 0.35μm GaN HEMT on silicon substrate technology. The VCO can be tuned, between 3.92 GHz and 4.39 GHz, and has low phase noise, of -119 dbc/hz, at a 1 MHz offset. The output power of the VCO is 14.5 dbm at 4.2 GHz from a 20 V power supply, while the total die size was 1.35 mm 2. 一報告內容請另頁撰寫, 以 A4 標楷 12 橫寫直式列印, 內容包括 : ( 一 ) 參加會議經過 ( 二 ) 與會心得 1. 以獲取專業新知為主, 其他新知, 例如人生經歷等為輔 2. 新知需提示來源 ( 含機構研究者等 ), 若有其他相同觀點之研究團隊亦可一併納入, 以利有興趣者查詢 ( 三 ) 建議 ( 四 ) 攜回資料名稱與內容 ( 五 ) 其他二系所安排口頭心得報告時間 : 年月日 ( 未安排原因 : ) 研發長所長指導教授報告人學生出席國際會議報告書及網路刊載由研發處備存辦理

2 出席國際會議報告書一參加會議經過本次會議於馬來西亞,Jalan Ampang Hilir Kuala Lumpur, Malaysia 舉行, 會議名稱為 2013 IACSIT Malaysia Conferences, 本次會議期間始於 2013 年 06 月 08 日至 2013 年 06 月 09 日止本次會議由單位主辦單位 IACSIT Publication Committees 其中會議包含 2013 the 5th International Conference on Communication Software and Networks (ICCSN 2013) 2013 the 2nd International Conference on Wireless and Optical Communications (ICWOC 2013) 2013 the 3rd International Conference on Computer and Communication Devices (ICCCD 2013) 等共三個不同領域不同應用之會議會議進行期間由各方不同領域之學者專家報告發表其該領域之最新發現及應用, 並論述其目前發展及未來走勢其中 06 月 09 日下午 13:30pm-15:45pm 之會議為本次我們口說發表之場次, 此次發表之研究為 High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 μm GaN-on-Si HEMT 利用 0.35μm GaN-on-Si HEMT 製程之高功率及低相位雜訊之電壓控制震盪器, 如下圖一為此是電路量測結果, 於 4.2GHz 時,VCO Output power 為 14.5dBm 其中包含 2.6dB 量測線斷損耗圖二為此次 4.2 GHz VCO circuit 電路晶片圖

3 圖一. The output power of a 4.2 GHz VCO circuit. 圖二. Chip Image of a 4.2 GHz VCO circuit which uses 0.35μm GaN HEMT on Si-substrate technology.

大家樂於分享自己的研究過程及研究結果, 並且熱於討論不同領域的議題, 於報告結束後, 各個研究人員勇於發問, 對於我的研究內容提出了些許問題,

4 二與會心得 1. 心得此次會議報告內容為 High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 μm GaN-on-Si HEMT, 此電路為本實驗室設計之電路, 為壓控式震盪器, 主要特性為高輸出與低相位雜訊於報告時, 大家樂於分享自己的研究過程及研究結果, 並且熱於討論不同領域的議題, 於報告結束後, 各個研究人員勇於發問, 對於我的研究內容提出了些許問題, 很感謝大家都能專心地聆聽說明, 且能夠了解訴說的講解內容, 令我能深刻地知曉, 即使領域有所不同, 但對於研究及學習的熱忱也應該保持著, 這樣的學習方式, 才能讓我們更多元化, 已不至於固步自封

5 2. 獲取新知 a. Performance Analysis of WAVE Control Channels for public safety services in VANETs Jae-Min Lee 等人, 研究於公共車輛安全, 車輛與車輛間, 使用車用無線網路, 以利安全應用程序交換信息, 於行車間運行高優先級的安全應用程序, 並產生建議的安全訊號根據作者分析的理論, 當高優先級的安全應用程序運行在高度擁擠的車輛間分析表明, 車輛幾十甚至可以互相通信通信, 道路上沒有任何碰撞這意味著安全信息的傳遞機構必須改進所生成的速率和 EDCA 機制需改進於不改變 p 標準的情況下因此作者提出了兩個簡單的機制用來降低傳輸的數據速率和其他的 EDCA 改善有了這些改進, 便可容納百輛由美國 FCC 分配 10MHz 的控制通道 Jae-Min Lee, Min-Soo Woo, and Sung-Gi Min Korea University, Republic of Korea,"Performance Analysis of WAVE Control Channels for public safety services in VANETs",ICCCD 2013 b. Analysis of the Contention Access Period (CAP) model for the IEEE Visible Light Communication A. Musa 等人提出了一個離散時間馬爾可夫鏈模型 (DTMC)CAP 的 IEEE 的行為建模, 獲得了寶貴的見解和內部運作的協議在 IEEE 的 CAP 的

6 貫通性能進行了分析 ns-2 的模擬被用來驗證所提出的模型的準確性提出的模型和 NS-2 仿真結果之間的密切配合因此, 驗證該模型的準確性 A.Musa, M. D. Baba, and M. A. Mansor,Telekom Research & Development, Malaysia,"Analysis of the Contention Access Period (CAP) model for the IEEE Visible Light Communication ",ICCCD2013 c. Secure Communication and VoIP Threats in Next Generation Networks M.Hossein Ahmadzadegan 等人提出 VoIP 服務是在電信領域為下一代網絡 (NGN) 的關鍵問題現今社會裡, 電信運營商提供呼叫等待, 電話會議, 呼叫轉移, 來電顯示和其他基於 NGN 和所有 IP 解決方案的 VoIP 服務於作者敘述中, 決定集中在 NGN VoIP 服務的漏洞類別, 因此他們嘗試的 VoIP 服務的相關問題以確定的漏洞及其分類方法, 當該系統受到威脅, 能明確的得知威脅滲透到這個系統使管理員, 並獲得解決的方法在這個問題上的辯論, 會產生誤導, 而無需各種規格的充分肯定此外, 為了使這些類型的漏洞清晰識別其重要性, 作者將分析 VoIP 所受到的威脅性 M. Hossein Ahmadzadegan, M. Elmusrati, and H. Mohammadi,University of Vaasa, Iran,"Secure Communication and VoIP Threats in Next Generation Networks",ICCCD2013 d. Finite element modeling of copper wire bonding on overhang stacked-die in semiconductor device

7 Pooria Pasbakhsh 等人提出此研究再有限的模型被用來模擬的銅線焊接在疊層芯片應用程序上銅具有更高的硬度, 變形需要更多的力量力的增加, 會產生更大的應力, 特別是在電路小片上的懸伸區域其中模具如果受到大量的應力, 可能會產生裂紋此篇論文主要敘述為懸模具上進行粘接時的應力和變形的模具作者發現, 電路小片的應力和撓曲堆疊芯片的距離增加而增加該研究還確定, 增加的電路小片的厚度, 將導致減少的電路小片的彎曲應力和偏轉 Xin Kai Tam, Pooria Pasbakhsh, Ningqun Guo, Norhazlina Ismail and Kheng Lim Goh,Monash University Sunway Campus, Malaysia "Finite element modeling of copper wire bonding on overhang stacked-die in semiconductor devices ",ICCCD2013 三建議感謝教育部補助碩博士生出席國際研討會, 令學生有此機會參加國際研討會, 藉此能夠了解其他國家學術單位的研究方向, 更對於射頻電路應用及各方領與有更多地體悟, 若國內學術單位與業界能多舉辦些國際研討會議與國際交流, 相信國人能知曉學術上地交流將會讓我們有不一樣的認知, 對研究能更充滿動力四攜回資料名稱與內容參予研討會認證書大會所附之本次會議發表之論文集五其他議程及相關內容如下

NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94

NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz 23 90 CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94/188GHz LC class-b 0.70 0.75 mm 2 pad 1 V 19.6 ma (ƒ