LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 1.8 至 0MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 为适应高 VSWR 应用的增强型鲁棒性设计 最高工作 VDD 可达 50V 适用于 28V 至 50V 范围内供电电压, 方便不同功率等级功放设计 优异的功率线性度 优异的热稳定性 内部集成的增强 ESD 设计 符合 RoHS 规范 HTH7G06P500H 封装 :H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器 引脚连接 3. 订购信息 型号封装描述封装名称 HTH7G06P500H Earless flanged balanced LDMOST ceramic package;4 leads H2110S-4L Technical Data 1 / 7
4. 典型性能 HTH7G06P500H 500W 射频功率晶体管可应用于 1.8-0MHz 频率范围内各类通信 广播 雷达以 及 ISM 应用 测试条件 :50V 漏极电压,200mA 静态电流,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试板 表 1. 典型射频性能频率 (MHz) 线性增益 (db) P3dB P3dB(W) 效率 (%) 400 23.64 57.71 590.83 435 24.61 57.70 588 59.84 470 25.03 57.71 590 58.06 5. 极限参数 表 2. 极限参数参数 符号 值 单位 漏源电压 V DSS -0.5 to +105 V 栅源电压 V GS -5 to +10 V 温度存储 T stg -55 to +150 最大工作结温 T J +225 6. 热性能 表 3. 热性能 参数符号条件典型值单位 热阻 ( 管芯至封装法兰 ) R θjc 法兰温度,500W 峰值功率,100us 脉宽,20% 占空比信号,f=400MHz,,IDQ=200mA 0.2 /W Technical Data 2 / 7
7. 电学特性 表 4. 电学特性 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 击穿电压 V (BR)DSS V GS=0V; I D=332uA 开启电压 漏极漏电电流 栅极漏电电流 V GS(th) S I GSS V DS= V GS; I D=332uA V DS=100V; V GS=0V V DS=0V; V GS= 5V 105 - - V 1.2 2 2.8 V - - 10 ua - - 1 ua 表 5. ESD 特性 测试方法 等级 HBM ( 参考 JESD22--A114) 1B MM ( 参考 EIA/JESD22--A115) A CDM ( 参考 JESD22--C101) III 表 6. 负载失配测试 ( 基于华太 Demo PA 测试板 ) 测试条件 VSWR=65:1 at all Phase Angles Pulsed: V DD=50V, I DQ=200mA, f=435mhz, Pout=588W Peak(118W Avg.), 200usec Pulse Width, 20% Duty. 测试结果 晶体管性能无衰减 Technical Data 3 / 7
8. 参考设计 图 1. 400-470MHz 测试电路设计版图 表 7. HTH7G06P500H 400-470MHz 测试电路元件清单 Part Description Part Number Manufacturer C1, C2, C11, C13, C15, C16, C17 5pF Chip Capacitors ATC100B561JT500XT ATC C3 20pF Chip Capacitor ATC100B200JT500XT ATC C4, C7, C9 470pF Chip Capacitors GRM1885C1H471JA01D TDK C5, C8, C10 10nF Chip Capacitors GR321AD72E103KW01D Murata C6 10uF Chip Capacitors Arbitrary Arbitrary C12, C14, C18 100nF Chip Capacitors GR332QD72E104KW01L Murata C19 10uF Chip Capacitors 22201C106MAT2A AVX C20 2200uF, 63V Electrolytic Capacitors ECA-1JHG222 Panasonic C21 10pF Chip Capacitor ATC100B100JT500XT ATC C22 12pF Chip Capacitor ATC100B120JT500XT ATC E1, E2, E3 #43 Multi-Aperture Core 2843000302 Fair-Rite L1, L2 Air core inductors, 1mm ECW, ID 3mm, 1 turn N.A. N.A. R1, R2 50Ohm, 0805 1/4W Chip Resistors Arbitrary Arbitrary R3 1KOhm, Wire Resistors Arbitrary Arbitrary Coax1,6 50Ohm SR Coax,,80mm Arbitrary Arbitrary Coax2,3,4,5, 25Ohm SR Coax,,1 mm Arbitrary Arbitrary Q1 LDMOS transistor HTH7G06P500H Kunshan Huatai Electronics Ltd. PCB 30mil, εr = 3.50 RF 35 Taconic Technical Data 4 / 7
图 2. 输出功率和漏极电流 vs 输入功率 路 测试条件 :50V 漏极电压,200mA 静态电流,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试电 56 IDQ=200mA 400MHz 435MHz 470MHz 3.0 2.5 52 48 2.0 1.5 1.0 (A) 44 0.5 40 20 24 28 32 36 P in 0.0 图 3. 功率增益和漏极效率 vs 输出功率 路 测试条件 :50V 漏极电压,200mA 静态电流,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试电 28 24 IDQ=200mA 75 Gain (db) 20 16 Gain Efficiency 45 30 Efficiency (%) 12 15 400MHz 435MHz 470MHz 8 0 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 Technical Data 5 / 7
图 4. 不同静态偏置下, 输出功率和漏极电流 vs 输入功率 测试条件 :50V 漏极电压,435MHz,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试电路 56 52 Freq=435MHz 2.8 2.4 2.0 48 44 40 36 IDQ=200 ma IDQ=400 ma IDQ=0 ma 20 24 28 32 36 1.6 1.2 0.8 0.4 0.0 (A) P in 图 5. 不同静态偏置下, 功率增益和漏极效率 vs 输出功率 测试条件 :50V 漏极电压,435MHz,100us 脉宽,10% 占空比信号, 基于华太 PA 测试电路 28 24 IDQ=200 ma IDQ=400 ma IDQ=0 ma 75 Gain (db) 20 16 12 Freq=435MHz Gain Efficiency 45 30 15 Efficiency (%) 8 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 0 Technical Data 6 / 7
9. 封装尺寸 Technical Data 7 / 7