4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R DS(on)( 典型值 )=2.5Ω@V GS =10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产品名称封装形式打印名称材料包装形式 SVF4N70F TO-220F-3L SVF4N70F 无铅料管 共 7 页第 1 页
极限参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参 数 符号 参数范围 单位 漏源电压 V DS 700 V 栅源电压 V GS ±30 V 漏极电流 T C =25 C 4.0 T C =100 C I D 漏极脉冲电流 I DM 16.0 A 耗散功率 (T C =25 C) - 大于 25 C 每摄氏度减少 P D 2.53 33 W 0.26 W/ C 单脉冲雪崩能量 ( 注 1) E AS 242 mj 工作结温范围 T J -55~+150 C 贮存温度范围 T stg -55~+150 C A 热阻特性 参 数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 R θjc 3.79 C/W 芯片对环境的热阻 R θja 120 C/W 电性参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 B S V GS =0V,I D =250µA 700 -- -- V 漏源漏电流 I DSS V DS =700V,V GS =0V -- -- 1.0 µa 栅源漏电流 I GSS V GS =±30V,V DS =0V -- -- ±100 na 栅极开启电压 V GS(th) V GS = V DS,I D =250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 R DS(on) V GS =10V,I D =2.0A -- 2.5 2.7 Ω 输入电容 C iss -- 497.67 -- 输出电容 C oss V DS =25V,V GS =0V, f=1.0mhz -- 56.43 -- 反向传输电容 C rss -- 2.36 -- 开启延迟时间 t d(on) V DD =350V,R G =25Ω,I D =4.0A -- 15.73 -- 开启上升时间 t r -- 34.40 -- 关断延迟时间 t d(off) ( 注 2,3) -- 24.93 -- 关断下降时间 -- 23.60 -- t f 栅极电荷量 Q g V DS =560V,I D =4.0A,V GS =10V -- 10.34 -- 栅极 - 源极电荷量 Q gs ( 注 2,3) -- 3.15 -- 栅极 - 漏极电荷量 -- 3.90 -- Q gd pf ns nc 共 7 页第 2 页
源 - 漏二极管特性参数 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 源极电流 I S MOS 管中源极 漏极构成的反 -- -- 4.0 源极脉冲电流 I SM 偏 P-N 结 -- -- 16.0 源 - 漏二极管压降 V SD I S =4.0A,V GS =0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 T rr I S =4.0A,V GS =0V, -- 463.85 -- ns 反向恢复电荷 Q rr 1. L=30mH,I AS =3.72A,V DD =100V,R G =25Ω, 开始温度 T J =25 C; 2. 脉冲测试 : 脉冲宽度 300μs, 占空比 2%; 3. 基本上不受工作温度的影响 典型特性曲线 di F /dt=100a/µs( 注 2) -- 2.16 -- µc A 共 7 页第 3 页
典型特性曲线 ( 续 ) 1200 1000 图 5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 12 10 V DS=560V V DS=350V V DS=140V 图 6. 电荷量特性 电容 (pf) 800 600 400 200 Ciss Coss Crss 1. V GS=0V 2. f=1mhz 栅源电压 (V) 8 6 4 2 I D=4.0A 0 0.1 1 10 100 0 0 3 6 9 12 漏源电压 V DS (V) 总栅极电荷 Qg(nC) 漏源击穿电压 ( 标准化 ) BS(V) 1.2 1.1 1.0 0.9 图 7. 击穿电压 vs. 温度特性 1. V GS=0V 2. I D=250µA 0.8-100 -50 0 50 100 150 200 漏源导通电阻 ( 标准化 ) RDS(ON)(Ω) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 图 8. 导通电阻 vs. 温度特性 0.5 1. V GS=10V 2. I D=2.0A 0.0-100 -50 0 50 100 150 200 结温 T J ( C) 结温 T J ( C) 10 2 图 9. 最大安全工作区域 4.0 图 10. 最大漏极电流 vs. 壳温 此区域工作受限于 RDS(ON) 3.5 10 1 100µs 3.0 漏极电流 -ID(A) 10 0 10-1 10-2 1.T C=25 C 2.T j=150 C 3. 单个脉冲 DC 10ms 1ms 10 0 10 1 10 2 10 3 漏极电流 -ID(A) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 25 50 75 100 125 150 漏源电压 -V DS (V) 壳温 T C ( C) 共 7 页第 4 页
典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 12V 200nF 50KΩ 300nF 与待测器件参数一致 10V Qg Qgs Qgd 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDD 90% 10V RG 待测器件 10% td(on) tr ton td(off) tf toff EAS 测试电路及波形图 L BS EAS = 1 2 LI AS 2 BS BS - VDD ID IAS RG 10V tp 待测器件 VDD VDD ID(t) (t) tp Time 共 7 页第 5 页
封装外形图 TO-220F-3L(1) 单位 : mm 10.03±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 4.72±0.30 2.80±0.30 1.47MAX 0.80±0.15 2.54 TYPE 0.50±0.15 TO-220F-3L(2) 单位 : mm 共 7 页第 6 页
声明 : 士兰保留说明书的更改权, 恕不另行通知! 客户在下单前应获取最新版本资料, 并验证相关信息是否完整和最新 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能, 买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施, 以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! 产品提升永无止境, 我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品! 附 : 修改记录 : 日期 版本号 描 述 页码 2011.03.28 1.0 原版 2012.03.29 1.1 对换 TO-220F-3L(1) 和 TO-220F-3L(2) 尺寸图的顺序 2012.05.16 1.2 修改 源 - 漏二极管特性参数 共 7 页第 7 页