Microsoft Word - PT4207_DSB_CH0.1.doc

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材胡
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1 概述是一款高压降压式 LED 驱动控制芯片, 能适应从 18V 到 450V 的输入电压范围采用革新的架构, 可实现在 85VAC~265VAC 通用交流输入范围可稳定可靠工作, 并保证系统的高效能内置输入电压补偿功能极大改善了不同输入电压下 LED 电流稳定性内置一个 350mA 开关, 并配备外部 MOS 开关驱动端口对于 350mA 以下的应用无需外部 MOS 开关, 对于高于 350mA 的应用可采用外部 MOS 管扩展电流采用的 LED 驱动电路,LED 电流可通过外部电阻设定通过多功能调光 DIM 管脚, 可使用电阻或 DC 电压线性调节 LED 电流, 也可使用数字脉冲信号进行 PWM 调光具有多种保护功能, 包括负载短路保护, 开路保护, 过温度保护采用 SOP8 封装特点应用宽输入电压范围 : 从 18V 到 450V 支持上百个 LED 的串并联驱动应用支持外接 MOS 管扩大电流应用占空比最高达 100% 多功能调光引脚同时支持线性调光以及 PWM 调光功能内置软启动 LED 负载短路 / 开路保护内置热关断保护 AC/DC LED 日光灯驱动 RGB 背光 LED 驱动 LED 环境灯饰订购信息封装温度范围订购号包装标识注 : SOP-8-40 o C to 85 o C ESOH Tape and Reel xxxxxx Assembly Factory Code Lot Number xxxxxx 典型应用 D1 C1 D4 R3 540KO D5 SBD LED(s) C6 4.7uF R4 500K AC FUSE D2 D3 C2 C3 10uF R1 100K EXT DIM VDD GATE SOURCE CS GND R O Q1 C4 4.7µF L1 2mH Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page1

2 D1 AC D2 C1 D3 C2 D4 DIM VDD GND R3 540KO GATE SOURCE EXT CS D5 SBD Q1 LED(s) L1 2mH C6 4.7uF R4 500K FUSE C3 10uF R1 100K C4 4.7µ F R O 引脚排列图引脚说明序号引脚名称描述 1 DIM 多功能调光调光输入端, 可通过该管脚进行线性调光和 PWM 调光 2 关断时间设定端, 外接电阻设定固定关断时间 3 GND 芯片地 4 CS MOS 管电流采样输入端 5 SOURCE 外接 MOS 管源极, 当需要外部 MOS 管扩流时, 接外部扩流 MOS 管漏极 6 GATE 外部 MOS 管栅极偏置端 7 VDD 内部 LDO 输出端, 必须靠近该管脚与 GND 之间接一电容 8 EXT 外接 MOS 开关栅极驱动输出, 当需要外部 MOS 管扩流时, 接外部扩流 MOS 管的栅极不需要外接 MOS 管时接地 Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page2

3 最大极限值 ( 标注 1,2,3) 符号参数额定值单位 V DD 电源电压 -0.3~6 V GATE GATE 输入电压 -0.3~12 V EXT EXT 驱动输出电压 -0.3~(VDD+0.3) V SOURCE SOURCE 电压范围 -0.3~20 V VI/O 其他引脚 -0.3~6 V I GATE(MAX) 最大输入电流 10 ma P DMAX 功耗 ( 注 2) 内部限制 W P TR1 热阻, SOP-8 θ JA 150 o C /W T J 极限结温 -40 to 125 o C T STG 贮存温度 -55 to 150 o C ESD 保护参数 ( 注 3) 2 kv 推荐工作范围符号参数额定值单位 V DD 电源电压 0 ~5.5 V 其他引脚 0 ~ 5 V T OPT 环境温度 -40 to +85 o C 标注 1: 最大极限值是指超出该工作范围, 芯片有可能损坏推荐工作范围是指在该范围内, 器件功能正常, 但并不完全保证满足个别性能指标电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范对于未给定上下限值的参数, 该规范不予保证其精度, 但其典型值合理反映了器件性能标注 2: 温度升高最大功耗一定会减小, 这也是由 T JMAX, θ JA, 和环境温度 T A 所决定的最大允许功耗为 P DMAX = (T JMAX - T A )/ θ JA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值标注 3: 人体模型,100pF 电容通过 1.5kΩ 电阻放电电气特性参数 ( 注 4, 5) 电气规范 : 除非另有说明, 所有测试条件均为 V DD =5V, T A =25 o C 符号参数测试条件最小值典型值最大值单位 MOS 管栅极电压 GATE V GATE Clamp I GATE Clamp GATE 嵌位电压 I GATE =5mA V GATE 嵌位连续电流 10 ma 电源电压 VDD VUVLO VDD 引脚 UVLO 电压 3.5 V VUVLOH VDD 引脚 UVLO 电压迟滞 0.2 V Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page3

4 电气特性参数 ( 注 4, 5)( 续 ) 电气规范 : 除非另有说明, 所有测试条件均为 V DD =5V, T A =25 o C 符号参数测试条件最小值典型值最大值单位 VDD VDD 引脚电压 V VDDR VDD 引脚电压纹波 1 V IVDD VDD 引脚充电电流 VDD=0 5 ma VDD Clamp VDD 嵌位电压 IDD=5mA V IDD Clamp VDD 嵌位连续电流 10 ma 关断时间设定端 T OFF 关断时间 Ri=100Kohm us 多功能调光输入端 DIM V DIM DIM 悬空状态电压 V V DIMH DIM 输入高电平 3.5 V V DIML DIM 输入低电平 0.4 V V DIM_DC DIM 模拟调光电压范围 V I DIM DIM 输出电流 100 ua 电流采样输入端 CS V CS CS 电流采样峰值电压 Duty= mv T BLK 电流采样前沿消隐时间 250 ns T DLY CS 过流到 MOS 管关断延迟时间 150 ns MOS 管驱动输出端 SOURCE Rsc 开通状态 SOURCE 阻抗 Ohm T_r 输出上升时间 20 ns T_f 输出下降时间 20 ns Ileak 关断状态 SC 漏电流 V DIM =0,SOUECE=12V 1 ua Dmax SOURCE 开通最大占空比 100 % Dmin SOURCE 开通最小占空比 0 % 外部 MOS 栅驱动输出端 EXT 内部保护 Tr EXT 上升时间 Cload=500fF,10%-90% 20 ns Tf EXT 下降时间 Cload=500fF,90%-10% 20 ns T SD 过热保护关断阈值 150 T SD_HYS 过热保护温度迟滞 50 T SS 软启动时间 Ri=100Kohm 4 ms Tshort 负载短路保护延迟时间 30 Cycles Topen 负载开路保护延迟时间 Ri=100Kohm 12.0 ms Trestart 负载开短路自动重启时间 Ri=100Kohm 1 S 标注 4: 典型参数值为 25 C 下测得的参数标准标注 5: 规格书的最小最大规范范围由设计测试或统计分析保证 Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page4

5 原理框图 VDD 6.5V 5.5V Regulator 12V GATE SOURCE TSD S R SET CLR Q Q DIM DIM CTRL Open/Short Protection EXT + - LEB GND OC Ref 350mV CS Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page5

6 封装信息 SOP-8 Package Symbol Dimension in Millimeters Dimension in Inches Min Max Min Max A A A b c D E E e 1.270(BSC) 0.050(BSC) L θ Micro Bridge Technology Co.,Ltd. _DSB Rev CH0.1 Page6

Applications

Applications 概述 FM3783 是一款低功耗原边反馈 (PS) 开关电源芯片, 其内部集成了大功率 BJT 管, 适用于隔离型的高效低功耗便携式设备充电器应用 FM3783 采用独特具有恒流恒压功能的原边反馈控制技术, 以及独特的轻载调频技术降低轻载下芯片自身功耗实现高效应用 FM3783 具有输出线损补偿技术, 在大电流下保证足够的输出功率另外 FM3783 还集成了过温保护,VCC 欠压保护, 输出过压保护,C