2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3. 栅极 2. 漏极 3. 源极 3 TO-252-2L 2 3 TO-25D-3L 特点 2A,600V,R DS(on)( 典型值 )=3.7Ω@V GS =0V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 2 3 2 3 TO-25J-3L TO-26-3L 2 3 2 3 TO-26F-3L TO-220F-3L 命名规则 士兰 F-Cell 工艺 VDMOS 产品标识额定电流标识, 采用 -2 位数字 ; 例如 :4 代表 4A,0 代表 0A, 08 代表 0.8A 沟道极性标识,N 代表 N 沟道 SVF XNEXXC X 封装外形标识例如 :N:TO-26; NF:TO-26F; M:TO-25D; MJ:TO-25J; F:TO-220F; D:TO-252; 版本额定耐压值, 采用 2 位数字例如 :60 表示 600V,65 表示 650V 特殊功能 规格标识, 通常省略例如 :E 表示内置了 ESD 保护结构 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 60CN TO-26-3L 60CN 无铅 料管 60CN TO-26-3L 60CN 无铅 袋装 60CNF TO-26F-3L 60CNF 无铅 料管 60CM TO-25D-3L 60C 无卤 料管 60CMJ TO-25J-3L 60C 无卤 料管 60CF TO-220F-3L 60CF 无铅 料管 60CD TO-252-2L 60CD 无卤 料管 60CDTR TO-252-2L 60CD 无卤 编带 http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 页
极限参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数范围 参数名称 符号 60CN 60CNF 60CM/D 60CMJ 60CF 单位 漏源电压 V DS 600 V 栅源电压 V GS ±30 V 漏极电流 T C=25 C I D 2.0 T C=00 C.3 漏极脉冲电流 I DM 8.0 A 耗散功率 (T C=25 C) - 大于 25 C 每摄氏度减少 P D 30 6 34 35 23 W 0.24 0.3 0.27 0.28 0.8 W/ C 单脉冲雪崩能量 ( 注 ) E AS 5 mj 工作结温范围 T J -55~+50 C 贮存温度范围 T stg -55~+50 C 热阻特性 A 典型值 参数名称 符号 单位 60CN 60CNF 60CM/D 60CMJ 60CF 芯片对管壳热阻 R θjc 4.7 7.8 3.7 3.57 5.56 C/W 芯片对环境的热阻 R θja 62.5 20 0 0 20 C/W 电性参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 B VDSS V GS=0V, I D=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 I DSS V DS=600V,V GS=0V -- --.0 µa 栅源漏电流 I GSS V GS=±30V,V DS=0V -- -- ±00 na 栅极开启电压 V GS(th) V GS= V DS,I D=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 R DS(on) V GS=0V,I D=.0A -- 3.7 4.2 Ω 输入电容 C iss 79 233 303 输出电容 C oss V DS=25V,V GS=0V, f=.0mhz -- 32 -- 反向传输电容 C rss -- 2.8 -- 开启延迟时间 t d(on) -- 8.9 -- V DD=300V,I D=2.0A, R G=25Ω 开启上升时间 t r -- 23.0 -- 关断延迟时间 t d(off) ( 注 2,3) -- 23.4 -- 关断下降时间 t f -- 24.9 -- 栅极电荷量 Q g V DS=480V,I D=2.0A,V GS=0V -- 8.24 -- 栅极 - 源极电荷量 Q gs --.64 -- ( 注 2,3) 栅极 - 漏极电荷量 Q gd -- 4.44 -- pf ns nc http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 2 页
源 - 漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 I S MOS 管中源极 漏极构成的反偏 -- -- 2.0 源极脉冲电流 I SM P-N 结 -- -- 8.0 A 源 - 漏二极管压降 V SD I S=2.0A,V GS=0V -- --.4 V 反向恢复时间 T rr I S=2.0A,V GS=0V, -- 326 -- ns 反向恢复电荷 Q rr di F/dt=00A/µS -- 0.87 -- µc. L=30mH,I AS=2.52A,V DD=00V,R G=25Ω, 开始温度 T J=25 C; 2. 脉冲测试 : 脉冲宽度 300μs, 占空比 2%; 3. 基本上不受工作温度的影响 典型特性曲线 漏极电流 ID(A) 0 0. VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=0V VGS=5V 图. 输出特性 漏极电流 ID(A) 0 0. -55 C 25 C 50 C 图 2. 传输特性.250µS 脉冲测试 2.TC=25 C 0.0 0. 0 00 漏源电压 V DS (V) 0.0.250µS 脉冲测试 2.V DS=50V 0 2 3 4 5 6 7 8 9 0 栅源电压 V GS (V) 8 图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流和栅极电压 图 4. 体二极管正向压降 vs. 漏极电流 温度 00 漏源导通电阻 RDS(on)(Ω) 7 6 5 4 VGS=0V VGS=20V T J=25 C 反向漏极电流 IDR(A) 0-55 C 25 C 50 C.250µS 脉冲测试 2.VGS=0V 3 0. 0 2 3 4 5 0.2 0.4 0.6 0.8.0.2.4 漏极电流 I D (A) 源漏电压 V SD (V) http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 3 页
典型特性曲线 ( 续 ) 电容 (pf) 450 400 350 300 250 200 50 00 50 Ciss Coss Crss 图 5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd. VGS=0V 2. f=mhz 0 0. 0 00 栅源电压 VGS(V) 2 0 8 6 4 2 V DS=480V V DS=300V V DS=20V 图 6. 电荷量特性 ID=2.0A 0 0 2 4 6 8 0 漏源电压 V DS (V) 总栅极电荷 Qg(nC) 漏源击穿电压 ( 标准化 ) BVDSS.2..0 0.9 图 7. 击穿电压 vs. 温度特性. V GS=0V 2. I D=250µA 0.8-00 -50 0 50 00 50 200 漏源导通电阻 ( 标准化 ) RDS(on) 3.0 2.5 2.0.5.0 0.5 图 8. 导通电阻 vs. 温度特性. V GS=0V 2. I D=.0A 0.0-00 -50 0 50 00 50 200 结温 T J ( C) 结温 T J ( C) 图 9-. 最大安全工作区域 (60CN) 图 9-2. 最大安全工作区域 (60CNF) 0 2 0 2 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 漏极电流 - ID(A) 0 0 DC ms 0ms 00µs 漏极电流 - ID(A) 0 0 DC ms 0ms 00µs 0-0 -2.TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 0 0 0 0 2 0 3 漏源电压 - V DS (V) 0-0 -2.TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 0 0 0 0 2 0 3 漏源电压 - V DS (V) http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 4 页
典型特性曲线 ( 续 ) 图 9-3. 最大安全工作区域 (60CM/D) 图 9-4. 最大安全工作区域 (60CMJ) 0 2 0 2 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 0 此区域工作受限于 RDS(ON) 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs 0-0 -2.TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 0 0 0 0 2 0 3 漏源电压 - V DS (V) 0-0 -2.TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 0 0 0 0 2 0 3 漏源电压 - V DS (V) 0 2 图 9-5. 最大安全工作区域 (60CF) 2.0 图 0. 最大漏电流 vs. 壳温 此区域工作受限于 RDS(ON) 0.5 漏极电流 - ID(A) 0 0 ms 0ms DC 00µs 漏极电流 - ID (A).0 0-0 -2.TC=25 C 2.Tj=50 C 3.RDS(ON)[max]=4.2Ω 0 0 0 0 2 0 3 漏源电压 - V DS (V) 0.5 0 25 50 75 00 25 50 壳温 T C ( C) http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 5 页
典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 2V 200nF 50KΩ 300nF 与待测器件参数一致 VDS VGS 0V Qg Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 VGS VDS RL VDD VDS 90% 0V RG 待测器件 0% VGS td(on) tr ton td(off) tf toff EAS 测试电路及波形图 VDS L BVDSS EAS = 2 LI AS 2 BVDSS BVDSS - VDD ID IAS RG 0V tp 待测器件 VDD VDD ID(t) VDS(t) tp Time http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 6 页
封装外形图 TO-26-3L 2.7±0.2 7.4~8.2.0~.5 φ3.±0.2 0.00~0.30.0±0.40 4.5~5.7 2.2±0.0.27±0.0 0.76±0.0 2.29TYP 2.29TYP 0.45~0.60 TO-26F-3L 3.20±0.0 3.80±0.0 8.00±0.20.90 φ3.05±0.0.00±0.20 5.00±0.50.27 0.76±0.0 4.60±0.20 2.30±0.20 0.50±0.0 2.00±0.0 http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 7 页
封装外形图 ( 续 ) TO-25D-3L 6.60±0.0 5.0~5.46 0.46~0.60 2.30±0.0 0.70±0.30 6.0±0.0 0.72~0.90 3.50REF 2.286±0.0 0.76±0.0 0.508BSC TO-25J-3L 6.35~6.73 4.95~5.46 8.89~9.65 5.97~6.22 0.89~.27 2.8~2.39 0.46~0.89 2.29TYP 0.56~0.89 0.46~0.6 0.89~.4 http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 8 页
封装外形图 ( 续 ) TO-220F-3L 3.30±0.25 0.03±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 4.72±0.30 5.80±0.50 5.75±0.50 6.70±0.30 2.80±0.30.47MAX 9.80±0.50 0.80±0.5 2.54 TYPE 0.50±0.5 TO-252-2L 6.60±0.3 2.30±0.20 5.0~5.46 0.45~0.65 Eject pin(note) 0.0±0.50 0.0~0.27 6.±0.3 0.80±0.20 2.30 TYP 0.76±0.0 2.90REF.4~.7 0.45~0.65 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况 http: //www.silan.com.cn 共 0 页第 9 页
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