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筹牛
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双向晶闸管 TIACS 主要参数 MAIN CHAACTEISTICS I T(MS) 8A V DM 600V or 800V I GT 5mA,10mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 封装 Package 序号 Pin 引线名称 Description 1 主电极 1

voltage and High I TSM ohs products DPAK IPAK TO-220MF-K1 订货信息 ODE MESSAGES 订货型号印记封装包装 Order code Marking Package Packaging 3FT8Z-O-Z-N-C 3FT8Z TO-220 袋装 Bag 3FT8C-O-C-N-B

1 双向晶闸管 TIACS 主要参数 MAIN CHAACTEISTICS I T(MS) 8A V DM 600V or 800V I GT 5mA,10mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 封装 Package 序号 Pin 引线名称 Description 1 主电极 1 MT1 2 主电极 2 MT2 3 门极 G TO-220 TO-220HF TO-220C 产品特性玻璃钝化芯片, 高可靠性和一致性低通态电流和高浪涌电流能力环保 ohs 产品 FEATUES Glass-passivated mesa chip for high reliability and uniform Low on-state voltage and High I TSM ohs products DPAK IPAK TO-220MF-K1 订货信息 ODE MESSAGES 订货型号印记封装包装 Order code Marking Package Packaging 3FT8Z-O-Z-N-C 3FT8Z TO-220 袋装 Bag 3FT8C-O-C-N-B 3FT8C TO-220C 条管 Tube 3FT8F-O-HF-N-B 3FT8F TO-220HF 条管 Tube 3FT8U-O-U-B-A 3FT8U DPAK 编带 Tape 3FT8V-O-V-N-B 3FT8V IPAK 条管 Tube 3FT8F-O-F1-N-B 3FT8F1 TO-220MF-K1 条管 Tube 版本 :201612F 1/11

2 绝对最大额定值 ABSOLUTE ATINGS (T C =25 ) 项目 Parameter 重复峰值断态电压 epetitive peak off-state voltage 符号试验条件数值单位 Symbol Condition Value Unit V DM ±600 V ±800 通态方均根电流 On-state MS current I T(MS) full sine wave 8 A 非重复浪涌峰值通态电流 Nonrepetitive surge peak on-state current 通态电流临界上升率 epetitive rate of rise of on-state current after triggering I TSM full sine wave,t=20ms 65 A full sine wave,t=16.7ms 71 A I 2 t t=10ms 21 A 2 s di/dt I TM =12A, I G =0.2A, di G /dt=0.2a/μs 50 A/μs 峰值门极电流 Peak gate current I GM 2 A 峰值门极电压 Peak gate voltage V GM 5 V 峰值门极功率 Peak gate power P GM 5 W 平均门极功率 Average gate power P G(AV) over any 20ms period 0.5 W 存储温度 Storage temperature T stg -40~150 操作结温 Operation junction temperature T VJ 125 版本 :201612F 2/11

3 电特性 ELECTICAL CHAACTEISTIC (T C =25 ) 项目符号测试条件最小典型最大单位 Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit 峰值重复断态电流 V DM =V DM, Tj=125, Peak epetitive Blocking I DM gate open Current ma 峰值通态电压 Peak on-state voltage V TM I TM =10A V 门极触发电压 Gate trigger voltage V GT V DM =12V, L =100Ω V 门极开通时间 Gate tgt controlled turn-on time ITM=12A, VDM=VDM(MAX), IG=0.1A, dig/dt=5a/μs μs 3FT8 5mA 档 3FT8 10mA 档 MT1(-),MT2(+),G(+) ma 门极触发电流 Gate trigger current I GT V DM =12V, MT1(-),MT2(+),G(-) L =100Ω MT1(+),MT2(-),G(-) 5 10 ma ma 维持电流 Holding current 擎住电流 Latching current MT1(+),MT2(-),G(+) ma I H V DM =12V, I GT =0.1A ma I L V DM =12V,I GT =0.1A ma 断态临界电压上升率 ise of off- state voltage dv/dt V DM=67% V DM(MAX), Tj=125, gate open Typ 10 Typ 50 V/μs 热特性 THEMAL CHAACTEISTIC 项目符号条件最小典型最大单位 Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance th(j-c) full cycle (TO-220/TO-220C/DPAK/IPAK) 2.0 /W junction to case full cycle(to-220hf/to-220mf-k1) 4.5 /W 电绝缘特性 ELECTICAL ISOLATION 项目 Parameter 绝缘电压 Isolation voltage 符号条件 Symbol Condition V ISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF/TO-220MF-K1 数值单位 Value Unit 2000 V 版本 :201612F 3/11

4 特征曲线 ELECTICAL CHAACTEISTICS (curves) P tot - I T(MS) I T(MS) - T c 态峰值耗散功率 Ptot(W) 通态方均根电流 IT(MS)(A) 通态方均根电流 I T(MS)(A) 管壳温度 Tc ( ) I TSM - tp I T(MS) - ts 通态浪涌电流 ITSM(A) 通态方均根电流 IT(MS)(A) 脉冲宽度 tp(ms) I GT (Tj)/I GT (25 ) - Tj 冲击持续时间 ts(s) V TM - I T 比值 IGT(Tj)/IGT(25 ) 电流 IT(A) 结温 Tj( ) 通态压降 V TM (V) 版本 :201612F 4/11

5 TO-220 版本 :201612F 5/11

6 TO-220C 版本 :201612F 6/11

7 TO-220HF 版本 :201612F 7/11

8 DPAK 版本 :201612F 8/11

9 IPAK 版本 :201612F 9/11

10 TO-220MF-K1 版本 :201612F 10/11

11 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理, 无论哪种方式, 订货时请与公司核实 2. 购买时请认清公司商标, 如有疑问请与公司本部联系 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值, 否则会影响整机的可靠性 4. 本说明书如有版本变更不另外告知联系方式 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent, thus, for customers, when ordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICOELECTONICS CO., LTD. 公司地址 : 吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编 : Post Code: 总机 : Tel: 传真 : Fax: 网址 : 销售业务部 Web Site: MAKET DEPATMENT 地址 : 吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编 : Post Code: 电话 : Tel: 传真 : Fax: 附录 (Appendix): 修订记录 (evision History) 日期 Date 旧版本 Last ev. 新版本 New ev. 修订内容 Description of Changes A B 增加特性曲线 B C 增加 DPAK 外形 C D 修改外形图 D E 增加 IPAK 外形 E F 增加 TO-220MF-K1 外形版本 :201612F 11/11

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页边距：上3 反向阻断三极晶闸管 Thyristors(SC) 主要参数 MAIN CHAACTEISTICS 封装 Package I T(AV) 7.5A V DM /V M 500V 1-15mA I GT 用途半交流开关相位控制 APPLICATIONS Half AC switching Phase control TO-220 序号 Pin 引线名称 Description 1 阴极 K 2 阳极