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6 s /3/4 No. 2 8 Compound Semiconductor Published by Angel Business Communications Ltd, Hannay House, 39 Clarendon Road, Watford, Herts WD 17 1JA, UK Tel:+44 (0) Web site: Editor in Chief David Ridsdale-david.ridsdale@angelbc.com Director of Solar & IC Publishing Jackie Cannon- jackie.connon@angelbc.com COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

7 Editorial Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 5

8 Market News 6 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

9 Market News CS/Taiwan Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 7

10 Trend (Shawn Lin) Sameer Chhajed Jong Kyu Kim E. Fred Schubert The Future Chips Constellation, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 8 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

11 Trend Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 9

12 Trend 10 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

13 Trend Å Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 11

14 Trend 12 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

15 Trend CS/Taiwan [1] Krames, M. R.; Shchekin, O. B.; Regina, M. M.; Mueller, G. O. Zhou, L.; Harbers, G.; Craford, M. G. Status and future of high-power light-emitting diodes for solid-state lighting. IEEE Journal of Display Technology 3, (2007). [2] High-Brightness LED Market Review, Strategies Unlimited, USA, August [3] T. Mukai, A. Michiue, T. Miyoshi, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. Nagahama, Y. Narukawa, M. Sano, T. Yamada, Recent development of nitride LEDs and LDs, Photonics West, San Jose, CA, USA (2009). [4] Nakamura, S. The roles of structural imperfections in InGaN-based blue light-emitting diodes and laser diodes. Science 14, (1998). [5] Z. H. Feng and K. M. Lau, Enhanced luminescence from GaN-based blue LEDs grown on grooved sapphire substrates, IEEE Photon. Technol. Lett.,17, pp (2005). [6] S. J. Chang,, Y. K. Su, Y. C. Lin, R. W. Chuang, C. S. Chang, J. K. Sheu, T. C. Wen, S. C. Shei, C. W. Kuo, and D. H. Fan, MOCVD growth of InGaN/ GaN blue light emitting diodes on patterned sapphire substrates, phys. stat. sol. (c) 7, pp (2003). [7] D. S. Wuu, W. K. Wang, W. C. Shih, R. H. Horng, C. E. Lee, W. Y. Lin, and J. S. Fang, Enhanced output power of near-ultraviolet InGaN-GaN LEDs grown on patterned sapphire substrates, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, pp (2005). Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 13

16 Trend [8] Y.J. Lee, T.C. Hsu, H.C. Kuo, S.C.Wang, Y.L. Yang, S.N. Yen, Y.T. Chu, Y.J. Shen, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, Improvement in light-output efficiency of Near-Ultraviolet InGaN GaN LEDs Fabricated on Stripe Patterned Sapphire Substrates, Material Science and Engineering: B, 122, pp (2005). [9] Y. J. Lee, J.M.Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, and S.C. Wang, Enhancing Output Power of GaN-based LEDs Grown on Chemical Wet Etching Patterned Sapphire Substrate, IEEE Photonic Technology Letter, 18, pp (2006). [10] Y. J. Lee, H.C. Kuo, T.C. Lu, H.C. Kuo, B.J.Su, and S.C. Wang, Fabrication and characterization of GaN-based LEDs grown on Chemical Wet Etching Patterned Sapphire Substrate, Journal of The Electrochemical Society, 153 (12) G1106-G1111(2006). [11] Ya-Ju Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang,Kar Wai Ng, and Kei May Lau, Zu-Po Yang, Allan S.P. Chang, and Shawn-Yu Lin, Study of GaNbased light emitting diodes grown on chemical wet etching-patterned sapphire substrate with V-shaped pits roughening surfaces, IEEE Journal of Lightwave Technology, 26, pp (2008). [12] Broditsky, M.; Yablonovitch, E. Lightemitting diode extraction efficiency. Proc. Spie 3002, (1997). [13] T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Increase in the extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes via surface roughening, Appl. Phys. Lett., 84, pp (2004). [14] J. K. Kim, H. Luo, Y. Xi, J. M. Shah, T. Gessmann, and E. F. Schubert, Light Extraction in GaInN Light- Emitting Diodes using Diffuse Omnidirectional Reflectors, Journal of The Electrochemical Society, 153, pp. G105-G107(2006). [15] Y. J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, Member, IEEE, and S.C. Wang, Senior Member, IEEE, Highly Light- Extraction GaN-based LEDs With Double Diffuse Surfaces, IEEE Journal Of Quantum Electronics, 42, pp (2006). [16] M.H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 91, (2007). [17] Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence, Appl. Phys. Lett., 91, (2007). [18] Y.-L.Li,Y.-R. Huang, and Y.-H. Lai Efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying quantum well thickness, Appl. Phys. Lett. 91, (2007) [19] M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer, G. Thaler, and M.l A. Banas Effect of dislocation density on efficiency droop in GaInN/GaN light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 91, (2007). [20] M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park Polarization-matched GaInN/ AlGaInN multi-quantum-well lightemitting diodes with reduced efficiency droop, Appl. Phys. Lett. 93, (2008). [21] S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and T. Sota, Effective band gap inhomogeneity and piezoelectric field in InGaN/GaN multiquantum well structures, Appl. Phys. Lett. 73, 2006(1998). [22] Philippe Riblet, Hideki Hirayama, Atsuhiro Kinoshita, Akira Hirata, Takuo Sugano, and Yoshinobu Aoyagi, Determination of photoluminescence mechanism in InGaN quantum wells, Appl. Phys. Lett. 75, 2241(1999). [23] Waltereit, P.; Brandt, O.; Trampert, A.; Grahn, H. T.; Menniger, J. ; Ramsteiner, M. ; Reiche, M.; Ploog, K. H. Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes, Nature 406, 14 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

17 Trend (2000). [24] T. S. Ko, T. C. Wang, R. C. Gao, H. G. Chen, G. S. Huang, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang Study on optimal growth condition of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOCVD, J. Crystal Growth, 300, p (2007). [25] T. S. Ko, T. C. Lu, T. C. Wang, M. H. Lo, J. R. Chen, R. C. Gao, H. C. Kuo, S. C. Wang Optical characteristics of a-plane InGaN multiple quantum wells with different well width, Appl. Phys. Lett., 90, (2007). [26] D. F. Feezell, M. C. Schmidt, R. M. Farrell, K.C. Kim, M. Saito, K. Fujito, D. A. Cohen, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, AlGaN-Cladding-Free Nonpolar InGaN/GaN Laser Diodes, Jpn. J. Appl. Phys. 46, pp. L284-L286 (2007). [27] M. D. Craven, P. Waltereit, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Well-width dependence of photoluminescence emission from a-plane GaN/AlGaN multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett., 84, 496 (2004) [28] N. F. Gardner, G. O. Müller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, W. Götz, and M. R. Krames, Blueemitting InGaN GaN doubleheterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200 A/cm2, Appl. Phys. Lett. 91, (2007). [29] A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter, "Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs," Semiconductors 40, 605 (2006) [30] A. Y. Kim, W. Götz, D. A. Steigerwald, J. J. Wierer, N. F. Gardner, J. Sun, S. A. Stockman, P. S. Martin, M. R. Krames, R. S. Kern, and F. M. Steranka, Performance of High-Power AlInGaN Light Emitting Diodes, Phys. Status Solidi A 188, 15 (2001). [31] H.M.Kim, T.W.Kang, and K.S.Chung, Nanoscale ultraviolet-light-emitting diodes using wide-bandgap gallium nitride nanorods, Advanced Materials, 15, pp567 (2004). [32] Kim, H.; Cho, Y.; Lee, H.; Kim, S.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. High-brightness light emitting diodes using dislocationfree indium gallium nitride/gallium nitride multiquantum-well nanorod arrays. Nano Lett. 4, (2004). [33] T. H. Hsueh, H. W. Huang, F I Lai, J K Sheu, YHChang, H CKuo and S C Wang, Photoluminescence from In0.3Ga0.7N/GaN multiple-quantumwell nanorods, Nanotechnology, 16, pp.448 (2005). [34] M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto, and K. Kishino, Self-organization of GaN/ Al0.18Ga0.82N multi-layer nanocolumns on (0001) Al2O3 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks, J. Cryst. Growth 189/190, 138 (1998). [35] Stephen D. Hersee, Xinyu Sun, and Xin Wang, The Controlled Growth of GaN Nanowires, Nano Lett. 6, (2006). [36] C.-L. Wu, L-J. Chou, and S. Gwo, Size- and shape-controlled GaN nanocrystals grown on Si(111) substrate by reactive epitaxy, Appl. Phys. Lett. 85, 2071 (2004). [37] L. W. Tu, C. L. Hsiao, T. W. Chi, I. Lo, and K. Y. Hsieh, Self-assembled vertical GaN nanorods grown by molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 82, 1601 (2003). [38] Hsieh, M. Y.; Wang, C. Y.; Chen, L. Y.; Ke, M. Y.; Huang, J. J. InGaN GaN nanorod light emitting arrays fabricated by silica nanomasks. IEEE J. of Quantum Electronics 44, (2008). [39] Sun, X. W.; Huang, J. Z.; Wang, J. X.; Xu, Z. A ZnO nanorod inorganic/ organic heterostructure light-emitting diode emitting at 342 nm. Nano Lett. 4, (2008). [40] Ya-Ju Lee, S. Y. Lin, Ching-Hua Chiu, Tien-Chang Lu, Hao-Chung Kuo, Shing-Chung Wang Sameer Chajed, Jong Kyu Kim and E. Fred Schubert High Output Power Density from GaN-based Two-dimensional Nanorod Light-Emitting Diode Arrays, accepted to be published in Appl. Phys. Lett. Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 15

18 Market Analysis 16 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

19 Market Analysis Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 17

20 Market Analysis 18 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

21 Market Analysis Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 19

22 CS/Taiwan CS/Taiwan 20 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr Market Analysis

23 CS Features Mark Dineen Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 21

24 CS Features CS/Taiwan 22 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

25 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 23

26 CS Features 24 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

27 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 25

28 CS Features 26 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

29 CS Features CS/Taiwan D. Marcon et al. Proc of IEEE International Electron Devices Meeting 472 (2010) R. Degraeve et al. Microelectronics Reliability (1999) G. Meneghesso et al. Int. J. Microwave Wireless Technology 2 39 (2010) J. A. del Alamo et al. Microelectronics reliability (2009) E. Kiopakis et al. Appl. Phys Lett (2011) Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 27

30 CS Features 28 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

31 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 29

32 CS Features 30 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

33 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 31

34 CS Features CS/Taiwan 32 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

35 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 33

36 CS Features 34 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

37 CS Features CS/Taiwan J.Simon et al. Science (2010) Z.Q.Li et al. J.J.Appl. Phys (2011) Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 35

38 CS Features 36 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

39 CS Features Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 37

40 CS Features 38 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

41 CS Features CS/Taiwan Feb./Mar./Apr COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN 39

42 AD Index AD INDEX Compound Semiconductor / Taiwan No. 2 (2012 Feb./Mar./Apr.) Advertiser Page Administration Arco Infocomm, Inc. Sales Offices Hong Kong China Shanghai Beijing Korea Singapore US Europe 40 COMPOUND SEMICONDUCOR TAIWAN Feb./Mar./Apr. 2012

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