Microsoft Word 四校之八_公告試題_-1.doc

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乳豹号干
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1 准考證號碼 : ( 請考生自行填寫 ) 專業科目 ( 一 ) 電機類電子類電子學與電路學注意事項 1. 請核對考試科目與報考類別是否相符. 請檢查答案卡座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷共 40 題, 每題.5 分, 共 100 分, 答對給分, 答錯不倒扣 4. 本試卷均為單一選擇題, 每題都有 () () (C) (D) 四個選項, 請選一個最適當答案, 在答案卡同一題號對應方格內, 用鉛筆塗滿方格, 但不超出格外 5. 本試卷空白處或背面, 可做草稿使用 6. 請在試卷首頁准考證號碼之方格內, 填上自己的准考證號碼, 考完後將答案卡及試題一併繳回 7. 有關數值計算的題目, 以最接近的答案為準第 1 頁

2 1. 下列對接面場效電晶體 ( JFET ) 的描述, 何者有誤? () JFET 有兩個閘極 ( Gae ) 和一個汲極 ( Drain ) 以及一個源極 ( Source ), 共四個端點 I D () JFET 的轉導 ( Transconducance ) g m 定義為 gm =, 當 V DS 為定值時 ; 其中 I D 為 VGS 汲極 ( Drain ) 電流,V GS 為閘極 ( Gae ) 源極 ( Source ) 電壓 (C) 正常操作時,N 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain ) (D) 正常操作時,P 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain ). 下列對斷路 PN 接面之描述, 何者有誤? () 形成之障壁電壓 ( arrier Poenial ) 可以用伏特計 ( Volage Meer ) 量測得到 () N 型區域之多數載子 ( Majoriy ) 為電子, 會向 P 型區域方向擴散 ; 反之 P 型區域之多數載子 ( Majoriy ) 為電洞, 會向 N 型區域方向擴散 (C) 電子與電洞之擴散移動會在接面處形成一個空乏區 ( Depleion egion ) (D) 少數載子之移動形成漂移電流 ( Drif Curren ), 多數載子之移動形成擴散電流 ( Diffusion Curren ) 3. 下列對於半導體的敘述, 何者正確? () 純的 4 價元素矽 ( Si ) 和鍺 ( Ge ) 皆是本質半導體 ( Inrinsic Semiconducor ) () 將 5 價元素磷 ( P ) 或砷 ( s ) 加入一本質半導體可以將此本質半導體改變為 P 型外質半導體 ( Exrinsic Semiconducor ) (C) N 型半導體中的多數載子 ( Majoriy Carrier ) 為電洞 (D) 在摻有硼 ( ) 的半導體中, 硼 ( ) 扮演的角色是施體 ( Donor ) 4. 下列對於一些特殊的二極體應用, 何者有誤? () 發光二極體 ( Ligh-Emiing Diode, LED ) 的發光是利用一個摻雜有砷 ( s ) 或鎵 ( Ga ) 等材料之二極體, 加上順向偏壓使其電能轉為光能及熱能 () 稽納二極體 ( Zener Diode ) 當穩壓電路使用時是操作在順向偏壓 (C) 變容二極體 ( Varacor Diode ) 因是利用空乏區 ( Depleion egion ) 的電容大小會隨外加電壓改變的特性, 而應用於通信用途的電路中 (D) 肖特基二極體 ( Schoky Diode ) 因為其障壁電壓較小, 可應用於高頻電路中 5. 在 npn 雙載子接面電晶體 JT 中通常那一極之濃度最高? () E () C (C) D (D) 6. 下列對於 JT 電晶體與 MOSFET 電晶體的敘述, 何者有誤? () JT 電晶體為雙極性 ( ipolar ) 電晶體 () JT 電晶體為一種電壓控制元件,MOSFET 電晶體為一種電流控制元件 (C) MOSFET 電晶體為單極性 ( Unipolar ) 電晶體 (D) JT 電晶體的輸入阻抗比 MOSFET 電晶體的輸入阻抗小 7. 下列答案對於圖 ( 一 ) 之敘述, 何者有誤? () 這個電路為一個反向器 ( Inverer ) () 實現這個電路需要用 CMOS 製程技術 (C) 此電路接地之電晶體為 NMOS (D) 輸出點 V ou 為兩個電晶體 ( PMOS & NMOS ) 的源極 ( Source ) 圖 ( 一 ) V in V DD V ou 第頁

3 8. 如圖 ( 二 ) 所示之電路, 稽納 ( Zener ) 二極體之崩潰電壓 V Z = 16 V, 試求此稽納二極體之消耗功率? () 8 mw 1 =5 kω () 6.4 mw (C) 10 mw 0 V V Z =5 kω (D) 近乎 0 W 圖 ( 二 ) 9. 下列對於一個 JT 電晶體之操作敘述, 何者有誤? () JT 當作開關使用且處於開路, 此時 JT 是操作於截止區 ( Cu Off egion ) () JT 當訊號放大器使用時是工作於主動區 ( cive egion ) (C) JT 操作於主動區 ( cive egion ) 時的偏壓方式是,-E 介面順向偏壓 ( Forward ias ), -C 介面逆向偏壓 ( everse ias ) (D) JT 操作於飽和區 ( Sauraion egion ) 時的偏壓方式是,-E 介面逆向偏壓 ( everse ias ), -C 介面逆向偏壓 ( everse ias ) 10. 如圖 ( 三 ) 所示之電路雙極性電晶體具有以下之規格 : 最大額定功率 P D(max) = 1 W, V E(max) = 0.7 V,V CE(max) = 15 V,β = 100 和 I C(max) = 00 m 下列敘述何者有誤? () I = 0.1 m,i C = 10 m () 若電晶體操作在 V CE = V CE(max) 之情形下, 此時電晶體功率消耗未 C =1.0 kω 超過額定值 I C (C) 此電路之 V CC 最大可以為 30 V =93 kω V CC (D) 若 V CC = 0 V, 此電路之電晶體 I V =10 V 處於主動區 ( cive egion ) 工作狀態圖 ( 三 ) 11. 下列何者不是理想運算放大器之特性? () 輸入阻抗無限大 (C) 輸出阻抗無限大 () 有虛擬接地 ( Virual Ground ) 現象 (D) 開迴路電壓增益無限大 1. 如圖 ( 四 ) 所示之電路, 當二極體順向偏壓降為 0.7 V, V 1 = V 時, 試求此電路中的電壓源電壓 V i? () 10 V () 4 V (C).7 V (D) 1.3 V 圖 ( 四 ) V i =5 kω 1=5 kω 13. 圖 ( 五 ) 之電路是下列何種型態的電路? () 加法器 () 積分器 (C) 微分器 (D) 反相器 V I 圖 ( 五 ) C V O 第 3 頁

4 14. 承第 13 題, 此電路可形成何種濾波器? () 低通濾波器 ( Low Pass Filer, LPF ) () 高通濾波器 ( High Pass Filer, HPF ) (C) 帶通濾波器 ( and Pass Filer, PF ) (D) 帶拒濾波器 ( and ejec Filer, F ) 15. 如圖 ( 六 ) 所示電路中, 假設 D 為一理想二極體,V i () 為一個弦波輸入,V > 0, 則其輸出波形應該最接近下列何者? V i () D V i () 圖 ( 六 ) V () () (C) (D) V V V V 16. 如圖 ( 七 ) 所示之電路, 假設所有二極體之切入 ( Cu-in ) 電壓為 0,MOS 電晶體的臨界電壓 ( Threshold Volage, V h ) 亦為 0, 試求流過電阻的電流 I? () 5 m V DD = 5 V () 0.5 m (C) m D (D).5 m V in 1 V V ou 圖 ( 七 ) 5 V D1 = k Ω I 17. 承第 16 題,V ou 之輸出電壓為何? ().5 V () 1 V (C) 5 V (D) 0 V 18. 對 CMOS 四個英文縮寫字母的涵意說明, 下列何者有誤? () C ( Complemenary ) 是指互補之意 () M ( Memory ) 是指記憶體之意 (C) O ( Oxide ) 是指氧化物之意 (D) S ( Semiconducor ) 是指半導體之意 19. 對一般基本放大器加上負回授後, 下列特性敘述, 何者有誤? () 放大器的增益 ( Gain ) 會衰減 () 頻寬 ( andwidh ) 會增加 (C) 增益與頻寬的乘積 ( Gain andwidh Produc, GP ) 提高 (D) 雜訊 ( Noise ) 對電路的影響降低第 4 頁

5 0. 一個數位加法器的積體電路 ( IC ) 分別以 JT 電晶體設計和用 MOS 電晶體設計, 一般而言對這兩種設計方式, 下列敘述何者正確? () 對於速度, 以 JT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 快 () 對於功率消耗, 以 JT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 省電 (C) 對於輸出訊號, 以 JT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 有較高的雜訊邊界 ( Noise Margin ) (D) 對於密度, 以 JT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 密度高 1. 下列有關物理量的單位定義, 何者有誤? () 安培 ( ) 為電流的單位 ;1 = 1 庫侖 ( Coulomb ) / 秒 () 伏特 ( V ) 為電壓的單位 ;1 V = 1 焦耳 ( Joul ) / 庫侖 (C) 瓦特 ( W ) 為功率的單位 ;1 W = 1 焦耳 / 秒 (D) 仟瓦小時 ( kwh ) 為能量的單位 ;1 kwh = 3600 焦耳. 圖 ( 八 ) 電路中, 1 和的消耗功率分別 3.7 W 及 36.3 W 已知 I S = 1. 5, 試求 V S =? () V I S () 17.9 V (C) 48 V (D) 75 V V S 1 ( 3.7 W ) ( 36.3 W ) 圖 ( 八 ) 3. 圖 ( 九 ) 為某電路之一分支 ( ranch ), 試問欲將 1 庫侖的正電荷由點移至點, 電場需作多少焦耳的功? () 0.5 焦耳 () 1 焦耳 (C) 焦耳 4 V (D) 4 焦耳圖 ( 九 ) 4. 圖 ( 十 ) 所示電路中, 括弧內為該電阻所能承受之最大功率 ( 當消耗功率大於該值時, 電阻即崩潰 ) 若 V SM 表此電路所能承受的最大 V S 電壓值, 試求 V SM =? () 5. 5 V 1Ω ( 1 W ) () 6. 8 V (C) 7. 5 V (D) V 圖 ( 十 ) V S 0Ω ( 5 W ) 1Ω ( 3 W ) 5. 承第 4 題, 當 V S 稍大於 V SM 時, 哪一個電阻會最先崩潰? () 1 Ω () 0 Ω (C) 1 Ω (D) 1 Ω 與 0 Ω 兩電阻同時崩潰第 5 頁

6 6. 圖 ( 十一 ) 所示電路中,av x 為一相依電源, 試求兩端之等值電阻 eq =? a () Ω a +1 () Ω 1+ a eq a v x (C) Ω a 1 圖 ( 十一 ) (D) Ω 1 a av x 7. 承第 6 題, 於兩端加入一理想獨立電壓源 V S 如圖 ( 十二 ) 所示當 a = 0. 5時, 對此電路中的兩電源之能量供給狀態, 下列敘述何者正確? () 相依電源 ( av x ) 消耗能量, 獨立電源 ( V S ) 消耗能量 () 相依電源 ( av x ) 供應能量, 獨立電源 ( V S ) 消耗能量 (C) 相依電源 ( av x ) 消耗能量, 獨立電源 ( V S ) 供應能量 (D) 相依電源 ( av x ) 供應能量, 獨立電源 ( V S ) 供應能量 V S v x av x 8. 圖 ( 十三 ) 網路中, 部分分支電流已測得如圖所示假設分支之電壓 V x = 3.5 V, 試問此分支電路之消耗功率 P 為下列何者? () P = W ( 供應能量 ) () (C) (D) P =.75 W ( 供應能量 ) P = W ( 消耗能量 ) P =.75 W ( 消耗能量 ) 圖 ( 十二 ) 圖 ( 十三 ) 9. 有一線性電路含四個獨立電源如圖 ( 十四 ) 所示, 其中三個電源的電壓或電流值是固定的, I g 為可變電流源表 ( 一 ) 所示為已知狀況, 試求狀況三之 V g =? () 5 V () 10 V (C) 9 V (D) 18 V 3 V x V S3 I g ( ) V g ( V ) 狀況一 8 狀況二 5 35 V S1 線性電阻網路 V g I g 表 ( 一 ) 狀況三 0? 圖 ( 十四 ) I S 第 6 頁

7 30. 如圖 ( 十五 ) 所示之電路, 試求以 µ 表示之兩端諾頓等效電路的短路電流 I SC =? 5(4 µ ) () (1 + µ ) v x µv x (1 + µ ) () 1 Ω 5(4 µ ) ( µ 1) 10 V 4 Ω Ω (C) 4( µ + 5) 4( µ + 5) (D) 圖 ( 十五 ) ( µ 1) 承第 30 題, 若兩端的諾頓等效電阻 = Ω 且 I < 0, 下列對其兩端等效 3 電路之特性敘述何者正確? () 存在諾頓等效電路, 其電流源為相依電源, 極性如圖 (a) 所示 () 存在諾頓等效電路, 其電流源為獨立電源, 極性如圖 (b) 所示 (C) 存在戴維寧等效電路, 其電壓源為獨立電源, 極性如圖 (c) 所示 (D) 存在戴維寧等效電路, 其電壓源為相依電源, 極性如圖 (d) 所示 TH SC I SC I SC 4 3 Ω 4 Ω 3 4 VOC = ISC V TH OC = ISCTH 3 Ω 4 ISC Ω 3 圖 (a) 圖 (b) 圖 (c) 圖 (d) 3. 圖 ( 十六 ) 電路中, 假設 β = 且 v S ( ) = 5u( ) + 5u( ) V, 其中 u () 為單位步級函數 + + ( Uni Sep Funcion ) 已知當 0 時, i L () 之響應為 il ( ) = il ( ) + [ il (0 ) il ( )] 試求 i L (0 + ) =? i () 0. v () L x () Ω 0 mh (C) 1 β v x (D) 50 Ω vs () 圖 ( 十六 ) 33. 承第 3 題, 試求 λ =? () 150 () 5000 (C) 650 (D) 7500 e λ, 34. 圖 ( 十七 ) 電路中, 已知 i S ( ) = 6u( ) m, u () 為單位步級函數假設 il ( 0 ) = 8 m, d vc ( 0 ) = V 令 v C '( ) 表 v C () 之一階導式 ( 即 vc '( ) = vc ( ) ), 試求 v C '(0 + ) =? d () 350 安培 ( ) / 法拉 ( F ) i 0. H () L () 50 安培 ( ) / 法拉 ( F ) (C) 50 安培 ( ) / 法拉 ( F ) (D) 750 安培 ( ) / 法拉 ( F ) 圖 ( 十七 ) is () 8 µf v () C 400Ω 第 7 頁

8 35. 圖 ( 十八 ) 所示交流電路中, 已知方塊中僅含和 C 元件 V 為 VS 之一分壓,V 和 VS 分別表 V 和 VS 的相量長度在 VS 值固定, 而其它元件參數 ( 包括 ω L C ) 皆為可變的情況下, 下列敘述何者正確? () VS 恆小於 V () VS 恆大於 V (C) VS 恆等於 V (D) 不一定 ( 以上三種情況皆可能發生 ) 圖 ( 十八 ) jω L VL V VS V 有一 LC 網路的等值輸入阻抗為 Z ( ) ( ) eq ω = + j ωl, 其中 L C 為未知數, 但 ωc 其值皆固定已知在 ω = ω1 和 ω = kω1 兩頻率點處, 量得其等值輸入阻抗分別為 Z ( ) eq ω 1 = a jb和 Z ( ) eq kω 1 = a+ jb, 其中 k 及 b 皆為大於 1 的實數試問此網路之共振頻率為下列何者? k + 1 () ( ) ω1 () ( k + 1) b ω1 (C) kb ω1 (D) k ω1 37. 圖 ( 十九 ) 所示之理想運算放大器電路為一溫氏 ( Wien ) 橋式震盪器, 其中 C 1 = C 下列何者是支撐此電路維持震盪狀態的條件? C () 1 = () 1 = (C) = 1 (D) 1 = 4 1 圖 ( 十九 ) C 1 f f 38. 在不計電源線的損耗功率的情況下, 兩個具完全相同功率因數 ( pf ) 的設備並聯後, 其總功率因數會有下列何種變化? () 變小 () 變大 (C) 不變 (D) 不一定 V( s) s + s 已知一電路的轉移阻抗函數為 Z( s) = = I( s) s + s+ 5 已知 1 an 1 ( ) = 且 1 i ( ) = cos( 45 ), u () 為單位步級函數, 試問下列何者為 v ( ) 之穩態響應 1 ( Seady - Sae esponse )? () cos( ) V () cos( ) V (C) sin( 8.13 ) V (D) sin( ) V 40. 下列何者不是形成互易 ( eciprocal ) 雙埠網路的充分且必要條件? () z 1 = z1 ( z 參數 ) () y 1 = y1 ( y 參數 ) (C) h + h 1 ( h 參數 ) (D) 1 ( 參數 ) 1 1 = = 第 8 頁

Q expert-完成出卷

Q expert-完成出卷 1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,