Microsoft PowerPoint - chapter_10_CH
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- 赦儡 孔
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1 積體電路偏壓和主動負載 電晶體電流源 具主動負載之電路 小訊號分析 : 主動負載電路
2 電阻電路不適用於積體電路 電阻需要比電晶體相對較大的面積 電阻需要耦合和旁路電容 於 C 中, 幾乎不可能作出 μf 等級的電容 積體電路中, 可考慮電晶體電路作偏壓和負載元件
3 電晶體電流源 提供固定輸出電流之各式雙極性電晶體電路 提供固定輸出電流之各式場效電晶體電路 - 電路分析與特性了解 電晶體作負載元件 ( 主動負載 ) - 分析使用主動負載之放大器電路的直流特性 分析具主動負載之放大器電路的小訊號特性
4 雙極性電晶體電流源 (1/0) BJT 電晶體偏壓在主動順向區 一個線性放大元件 可以使用電流源提供偏壓電流 O 雙極性電晶體電流源 簡單的二顆電晶體電流源電路 二個改善的電流源電路 Widlar 電流源電路 多電晶體電流源電路
5 雙極性電晶體電流源 (/0) 二顆電晶體電流源電路 二顆電晶體電流鏡 電流源的基本設計區塊 包括二個 ( 理想化 ) 匹配的電晶體 基極端點和射極端是連接在一起» BE1 BE Q 1 被連接當成一個二極體»B-E 接面為順向偏壓» 當提供電壓時, 將提供一參考電流 REF» REF 是 BE1 ( BE, 產生 O REF ) 的一個函數 藉由連接一個電阻至 + 來建立 REF» BE C1 REF
6 雙極性電晶體電流源 (3/0) 電流關係 在理想電晶體時 BE1 BE B1 B C1 C Q 被偏壓在順向主動區» REF C1 + B1 + B C1 B C C 1+ REF O β + (1 + ) β
7 雙極性電晶體電流源 (4/0) 例題 10.1: 電路組態被設計成如圖 10.(b) 所示, 假設使用匹配的電晶體且其參數 BE (on) 0.6, β 100, 且 A 輸出的電流 O 被設計為 00 μa, 而偏壓的電壓分別為 + 5 和 - 0 解答 : REF O (1+/β)00(1+/100)04 μa R 1 ( + - BE ) / REF (5-0.6)/ kω 建議 : O REF R 1 BE 0.6 需要去決定 BE 符合於一個特別的集極電流 β100 參考和負載電流 在 % 內在大部分電路應用中 使用趨近 O REF
8 雙極性電晶體電流源 (5/0) 輸出電阻 在一個定電流源中產生一負載電流的穩定度 從輸出電晶體回看進去的一個輸出電阻之函數 如果 的值改變» BEo 本質上是一常數» CE 改變 Early 效應, O 變化»» β A CE1 BE 且令 BE << A» CE O REF BEo 1 (1 + ) C α F S exp( BE / T )(1 + (1 + (1 + CE CE1 do REF 1 1 O 1 d CE A CE1 ( 1+ ) (1 + ) A ro β A ) ) A CE A )
9 雙極性電晶體電流源 (6/0) 例題 10.: 在一個電路架構如圖 10.3 所示的電晶體電流源中, 該電路參數為 和 R 1 9.3kΩ 假設電晶體參數是 β50 BE (on) 0.7, 且 A 80; 請求出當 CE 從 0.7 變到 5 時, 0 的變化 解答 : 參考電流 + BE on REF 1.0mA R1 9.3 當 CE 0.7, 電晶體 Q 1 和 Q 都相等地偏壓在 0 β 小訊號輸出電阻 ( ) ( ) 1.0 REF 0.96mA r 0 80 A 83.kΩ
10 雙極性電晶體電流源 (7/0) 負載電流的變化可決定於 d d 0 1 r CE 0 或 1 1 d d ( 5 0.7) 0.05mA CE r0 輸出電流的百分變化量 d % 建議 : REF O r o A / O d O r o d CE d O / O 負載電流的穩定度因 CE 的變化顯著地影響 電流源輸出電流的穩定度為電流源之小訊號輸出阻抗的函數
11 Figure shows a basic twotransistor pnp current source. The transistor parameters are EB (on)0.7, β50, and A. Design the circuit such that o0.30ma.
12 10.8 Figure P10.8 shows a basic twotransistor pnp current source. The transistor parameters are EB (on)0.7, β40, and A. Design the circuit such that o0.0ma and determine the value of REF.
13 10.10 Consider the pnp current source in Figure P10.10, with transistor parameters β, A, and EB (on)0.7. (a) Design the circuit such that REF 1mA. (b) What is the value of o? (c) What is the maximum value of R C such that Q remains biased in the forward-active mode?
14 雙極性電晶體電流源 (8/0) 改良型電流源電路 電流源電路的重要特性 輸出電流伴隨著 β 的改變而變化 輸出電流伴隨著輸出電晶體的電壓 C 改變而變化 基本的三顆電晶體電流源 改良輸出電流伴隨著 β 的改變 Q 1 和 Q 匹配, BE1 BE B1 B 與 C1 C Q 3 提供 Q 1 和 Q 的基極電流 基極電流 B1 和 B 與參考電流 REF 較無關係
15 如果在 Q 3 的電流增益是少於 Q 和 Q 1 定義 Q 1 和 Q 的電流增益為 β 1 β β, 且 Q 3 的電流增益是 β 3» O REF»» 小訊號輸出電阻 ( 與二顆電晶體相同 )» 與 - 電晶體相同» 若 Q 1 和 Q 不匹配, 造成偏壓電流偏離理想雙極性電晶體電流源 (9/0) ] ) (1 [1 ) ( ) (1 ) ( ) (1 ) ( β β β β β β β β β β REF O C C REF C REF B E B O C Q R R BE BE BE REF + + o CE O r d d 1 ) ( 1 S S REF O
16 雙極性電晶體電流源 (10/0) 例題 10.3 二和三顆電晶體電流源 PSpice
17 雙極性電晶體電流源 (11/0) Wilson 電流源 三顆電晶體電流源的其它組態 具較大的小訊號輸出電阻 假設 B1 B 和 C1 C, 且分析» 在三個電晶體的電流層次幾近相同» 可假定電流增益是相等的 輸出電流 β β ( + ) β 1+ β 1+ β 1+ β β» E3 B1 C O C3 ( + 1) C1 β + β + O ( REF B3) ( REF ) 1+ β 1+ β β REF 1 O REF ( ) 1 1+ β ( + ) 1+ β β + β( + β)
18 雙極性電晶體電流源 (1/0) Wilson 的 R O REF 並非連接 B-C 而成一個二極體 Q 1 的 B 不是訊號地 左邊是原始小訊號等效電路 右邊是簡化小訊號等效電路» 考慮 : 忽視 r o1 和 r o»i b1 i b 1 i b3 -β x β+ β ro3 x -(-β ) β R o x / x ( ro3 r o3 + i b r π )/ x (β r o3 )/(β)βr o3 / 18/9
19 雙極性電晶體電流源 (13/0) 介於兩個具有三個電晶體電流源電路的不同處是輸出電阻 Wilson 電流源 R o βr o3 /» 趨近因子 β/ > 任一個 - 電晶體源極或基本 3- 電晶體源極» 意味著改變輸出集極電壓伴隨著偏壓電流 o 變化是較小的 輸出電壓變動 圖 10.3, 在 O 的最大可能變動是一個最小 CE 可能的函數 CE(min) CE(sat) 在
20 雙極性電晶體電流源 (14/0) 對於 wilson 電流源 最小輸出電壓» 在負功率之上 BE + CE(sat)» 可能在 尺度間 如果電路被偏壓在 ±5 最小電壓可能不是一連串的問題 在低功率電路的電壓» 此最小電壓效應可能變成更重要 嚴重
21 雙極性電晶體電流源 (15/0) 多電晶體電流鏡 產生多負載電流 - 電晶體的電流源 應用偏壓電壓»Q 1 處在順向偏壓» 一旦 BE 被建立 電壓被應用給 Q 的 B-E 接面 開啟 Q 且產生負載電流 Q 1 的 BE 電壓 應用至增加的電晶體» 產生多負載電流
22 雙極性電晶體電流源 (16/0) Q R 連接至一個二極體» 藉由建立 REF 來得到 BE» 應用至 N 輸出電晶體, 得到 N 電流 load 假設所有電晶體皆匹配且 A» 1 1+ REF O 1 O L ON + N β 多個輸出電晶體之集極可以連接在一起, 可改變 load 對 REF 的關係
23 雙極性電晶體電流源 (17/0) 三個輸出電晶體可以連接在一起, 可改變 load 對 REF 的關係» 假設所有電晶體皆匹配 > 如果電流增益非常大 BN 可以被忽略 1 3 REF 且 O 3 REF» 此過程對於離散元件並不推薦 > 元件之間不匹配 通常造成一個元件承載比其它元件更多的電流
24 雙極性電晶體電流源 (18/0) 連接電晶體並聯 元件的有效 B-E 面積 在真實的 C 製程中»B-E 面積可以二倍或三倍大用來提供 load 是 REF 的二倍或三倍大 等效的電路符號
25 雙極性電晶體電流源 (19/0) 一個普遍的電流鏡 參考電流建立在每個電路的分枝 有二極體連接電晶體 Q R1 和 Q R, R 1 和偏壓電壓 REF + EB ( Q R1 ) BE ( QR) 如果每個電晶體的 β 很大» 基極電流效應可以被忽略» 所有電晶體爾利電壓 A» 所有負載電晶體皆偏壓在它們的順向主動區» Q1 REF 相同地 Q3 REF»Q 是有效地二個電晶體並聯 Q REF»Q 4 是有效地三個電晶體並聯 Q4 3 REF R 1
26 雙極性電晶體電流源 (0/0) 例題 10.7 電路架構組態如圖 所示, 偏壓電壓為 + 5 和 - - 5, 忽略基極電流且假設 BE EB 0.6 決定電路使得 O 400 μa, 且求出其它電流和對 R 1 之其值 解答 : 當 O 400 μa; REF O1 O3 00 μa ; O4 600 μa 電阻 R 1 {[ + - EB (Q R1 )- BE (Q R )- - ] / REF } [ (-5)] / 0. 44kΩ 建議 : 從 C 的觀點» 調整電晶體 B-E 面積使得滿足特定電流甚至於 Widlar 電流源使用外加的電阻 證明多基極電流 由單一參考電流產生的
27 All transistors in the N10 output mirror are matched with β30 and A. f the circuit parameters are + 5, - 0, and BE (Q R ) BE (Q S ) 0.7, determine R 1 such that each load current is 1mA.
28 10.15 All transistors in the N output mirror in Figure P10.15 are matched, with a finite β and A. (a) Derive the expression for each load current in terms of REF and β. (b) f the circuit parameters are + 5 and - -5, and the transistor parameter is β50, determine R 1 such that each load current is 0.5mA for N5. Assume that BE (Q R ) BE (Q S )0.7.
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30 1.0 Consider the Wilson current source shown in Figure Assume the reference current is 0.5mA and assume transistor parameters of BE (on)0.7, β100, and A 100. (a) Determine the output resistance looking into the collector of Q 3. (b) What is the change in O as the output voltage changes by +5?
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32 FET 電流源 (1/18) 前言 FET C 如同使用雙極性電晶體當電流源偏壓 決定 -MOSFET 電流源和多 -MOSFET 電流源 電路的 REF 和 load 關係 ; 與 電路的輸出阻抗
33 FET 電流源 (/18) 基本二電晶體 MOSFET 電流源 電流關係 M 1 的 D 和 S 端連接在一起 幾乎都偏壓在飽和區 令 λ0 REF 使 M 飽和區 n1 ( GS TN1) K + GS TN1 K REF n1 O K REF n ( GS TN ) Kn( + TN1 TN ) Kn 1
34 FET 電流源 (3/18) 如果 M 1 和 M 是相同 ( 匹配 ) 的電晶體 TN1 TN 和 K n1 K n O REF ( 沒有閘極電流 ) 如果 M 1 和 M 是不匹配的電晶體 寬對長的比或二電晶體形狀比例改變 ( 對於 K n1 K n )» load 與 REF 相關的變化 ( W / L) O REF ( W / L)» 給設計者有較寬的設計彈性 1
35 輸出電阻 負載電流 是 DS 的函數 它的穩定性 十分重要 計算電晶體的有限輸出電阻 > O REF K K FET 電流源 (4/18) ( GS TN ) (1 + λ ) n DS ( GS TN1) (1 + λ1 1) n1 DS > 在積體電路中之電晶體電流鏡的製程是相同的
36 FET 電流源 (5/18) 所有的物理量參數如 TN μ n C ox 和 λ 都相同所以 O ( W / L) (1 + λds ) ( W / L) (1 + λ ) REF 負載電流的穩定度 可描述與輸出電阻相關 > 給定參考電流 > DS1 GS1 常數 > (W/L) (W/L) 1 且 λ DS1 λ GS1 << 1 關於改變 DS 而使得偏壓電流 的變化量為 1 R O d d 1 DS1 O DS λ»mosfet 提供一個很大的電阻在輸出端且有非常好的穩定度 REF 1 r o
37 參考電流 ( 一般藉由建立電壓和電阻來得到 REF 於雙極性電流源中 ) MOSFETs 可建構成似一個電阻的動作特性 REF 在 MOSFETs 電流鏡 使用增加電晶體來建立 M3 和 M1 為了 REF 而串聯 λ0 且物理參數全都相同 GS3 GS1 REF ; GS ( GS1 ) O Kn 1( GS 1 TN 1) D 1 D3 REF Kn3( GS 3 TN 3) ( Q ) TN1 TN 3 TN FET 電流源 (6/18) GS 3 GS1 ( W / L) ( W / L) 3 (1 ) ( W / L) ( W / L) TN
38 FET 電流源 (7/18) K ( ) K ( ) ( Q ) n1 GS1 TN1 D1 D3 REF n3 GS 3 TN 3 TN1 TN 3 TN GS 3 GS1 ( W / L) ( W / L) 3 (1 ) ( W / L) ( W / L) 3 1 TN ( W / L) 1 3 GS1 (1 ) TN ( W / L) 1 GS 3 GS1 GS ( W / L) 3 ( W / L) 1 ( W / L) 3 (1 ) TN 1 ( W / L) 1 GS1(1 + ) ( W / L) 3 ( W / L) 3 ( W / L) ( W / L) 1 1 ( W / L) 3 ( W / L) 3 (1 ) TN + ( W / L) 1 ( W / L) 1 GS GS1 [( ) + ]( ) ( W / L) 3 ( W / L) 3 1+ ( W / L) ( W / L) 1 1
39 FET 電流源 (8/18) 例題 10.8 設計一個 MOSFET 電流源電路來滿足一些特定的規範, 而設計的電路組態如圖 所示, 且偏壓電壓為 + +5 和 - 0 至於提供的電晶體參數是 k n 40 μa/ TN 1 λ0, 請設計該電路使得 REF 0.5mA mA DS (sat) 0.85 解答 : DS (sat)0.85 GS -1 GS 1.85 W ' 6.9 L k n ( ) ( 0.0)( ) GS TN 參考電流 ' kn W» REF ( GS 1 TN ) L 1 GS1 GS» W REF ' L 1 k n ( GS TN ) ( 0.0)( )
40 FET 電流源 (9/18) + 其值為 GS 3 GS REF K n3 ( GS3 - TN )» ( ) W REF ' L ( ) ( )( ) 3 k n GS 3 TN 建議 DS > DS ( sat) GS TN 分析和參考部分電路來求得 GS 這些 GS 決定 REF 可換算的偏壓電流 找尋電流源電路的輸出電阻» 設置一測試電壓在輸出結點並且分析該小訊號等效電路» 記住 REF 常數, 這可能使得有些 GS 是常數或是在 AC 地端
41 FET 電流源 (10/18) 多 -MOSFET 電流源電路 疊接電流鏡 使用 MOSFET 電流源電路 穩定度 輸出電阻» 關於輸出電壓的變化 M 3 在電流鏡參考團中 可以作成基本二電晶體電流鏡 建立 REF 增加輸出的電阻 假設所有電晶體皆一致» O REF
42 小訊號等效電路 R O 畫在 M4 處 REF 常數 g 在 M 1 M 3 與 M M 4 都是常數 相等於一個 AC 短路 M 的 G 和 S 端 地端 M 的輸出電阻 ( 從 D 端 ) r o 寫出 KCL 方程式 ( ) ( r ) g g r x gs4 x x o x m gs4 + m( x o) + ro4 ro4 g m r o4 >> 1 FET 電流源 (11/18) R r + r (1 + g r ) x o o4 o m o4 x R O 處於疊接 > R O 在基本二電晶體電流源
43 FET 電流源 (1/18) 例題 10.9 考慮如圖 之二電晶體電流源和圖的疊接電流源 10.18, 且假設在雙電路中 REF O 100 μa, 對於所有電晶體 λ 和 g m 0.5 ma/ 解答 : 二電晶體電流源的輸出電阻 r O (1/λ REF )(1/ ) 1MΩ r O r O4 1MΩ, 疊接電路的輸出電阻»R O r O4 +r O (1+g m r O4 ) 1+1[1+( )(106)]50 MΩ 建議 疊接電流源的 R o 本質上是大於基本二電晶體電路的 R o d O 1/R o» 在疊接電路中的 load 對於輸出電壓的變化較穩定
44 Wilson 電流鏡 二個外加多 -MOSFET 電流源 Wilson 電流源» λ 0 且 DS1 DS O / REF 形狀比例 修改 Wilson 電流源包括 M 4» 對於一固定 REF 時解之前提及的問題 > DS1 DS DS4» 補充 REF Kn4( DS 4 TN 4) (1 + λ4ds 4) REF 固定 DS4 固定 當 M 4, O REF 固定 DS 固定且 GS3 固定 G4 DS + GS3 固定 DS1 G4 - DS4 固定 這些電路的主要優點» 輸出電阻 穩定 load FET 電流源 (13/18)
45 寬擺幅電流鏡 疊接電流鏡 決定 D4 的最小值» 在負載電路已偏壓時影響電壓最大對稱變動 D4(min) G4 GS4 + DS4 當匹配時 考慮簡單 - 電晶體電流鏡» (min) ( + + ) + (sat) GS1 GS 3 GS 4 DS 4 GS1 GS GS 4 GS (min) + + D4 GS DS4 (min) + O FET 電流源 (14/18) DS (sat) (sat)
46 FET 電流源 (15/18) 一個電流鏡無法限制輸出電壓如疊接電路劇烈地變動, 但可維持如圖的高 R O 電晶體對 M 3 和 M 4 如一個單獨二極體連接至創造 G3 之電晶體» 如果只有 M 3 被連接到二極體 DS3 GS3 GS 包含 M 4, DS3 被減少和匹配至 GS» 使用 M 3 和 M 4 來連接二極體 > DS3 < DS3 + DS4 GS3 > DS3» O REF > GS1 GS GS3 GS4 DS3 G4 - GS4 G1 - GS1 DS
47 FET 電流源 (16/18) M 5 是 M 1 --M 4 的 1/4 大小尺寸且所有電流都相等 ( GS5 TN ) ( GSi TN ) D 1(min) G 1 GS1+ DS1(sat) GS 5 GS1+ ( GS 1 TN ) ( ) (sat) 補充 GS 5 TN GSi TN DSi 呈現在右圖中電流源對輸出電壓的影響 在電流源中 O > 在電流源中 + 和輸出電壓的差 > 電晶體最大輸出擺幅也跟著縮小
48 偏壓獨立的電流源 FET 電流源 (17/18) 提供的電壓與 load 無相關 REF 與 load 為偏壓的函數 --- 之前討論 PMOS 元件都匹配, D1 D K ( ) n1 GS1 TN D1 D3 D4 D K ( ) K ( R ) n GS TN n GS1 D TN 電阻值 K R n1 D1 1 (1 n1 )( GS1 TN ) D Kn 1 ( W / L) K ( W / L) 1 (1 ) 建立 D1 D GS1 與 SG3 O1 和 O
49 FET 電流源 (18/18) M 和 M 3 都處在飽和區 D1 D 與提供的電壓 + 和 - 是獨立關係 ( D1 D 不同於 GS1 和 GS 與電阻 ) ( )» DS SD3» 電流 常數 負載電流» 與提供電壓沒有關係 也設計與雙極性偏壓獨立電流鏡類似
50 具主動負載之放大電路 (1/13) 具電阻負載之放大電路 BJT 放大器之小訊號電壓增益 -g m R C R C > 增益 維持相同的偏壓 ( CQ 和 CEQ ) > 需要 CC CQ CQ CC CC A v g m R 需要一個負載元件 C T R C 在 CC 和 CQ 固定, 但增加負載的電阻值 此元件可以是一電晶體» 在積體電路中佔據較少的面積» 主動負載元件較離散 R C 產生較大的小訊號增益 T ( CQ ) T
51 具主動負載之電路 (/13) 具主動負載 (BJT) 之放大電路 > R 1 Q 1 和 Q 形成 - 電晶體的 pnp 形式電流源 提供驅動電晶體 Q 0 的偏壓電流 ( C0 ) 提供驅動電晶體 Q 0 的主動負載 (Q )
52 具主動負載之電路 (3/13) 直流分析 ( O vs. ) Q 0 Q 1 和 Q 偏壓在主動順向區 / [ T ](1 CE C S e + ) e + i C0 i C 可表示成 REF AN EB / T EC C S [ ](1 ) AP e + EB1 / T EC1 REF C1 S1[ ](1 ) AP
53 具主動負載之電路 (4/13) EC1 EB1 EB, 且在 Q 1 與 Q 是相同»pnp 的 S1 S 和 AP 是相等的 EB / T EC C S [ e ](1 + ) AP e + EB1 / T EC1 REF C1 S1[ ](1 ) AP C0 C EC EC1 (1 + ) /(1 + ) REF REF AP AP AP O EB1 O AP EB1 AP EB1 REF (1 + + EB 1 + AP EB1 O ) C 0 S 0 [ e / T ](1 + O AN )
54 具主動負載之電路 (5/13) + EB1 O / T O REF (1 + ) C0 S 0[ e ](1 + AP + EB 1 AN / T / T + EB 1 S0e 1 S0e 1 ( ) AP EB1 REF AP EB1 REF AN / / / REF S1 S C C0 S0 Q e e e BE1 T BE T T Q << ; << ; + CE AN EC AP AP EB1 AP e 1 + ( + ) / T + S 0 EB1 1 1 O REF AP AP AN / T + APAN S 0e AN ( EB 1 [ 1 ] ) O + AP + AN REF AP + AN 只要 Q 0 和 Q 在主動區都是有效的» O 的範圍 + sat) < < ( CE 0( O EC ) O (sat))
55 具主動負載之電路 (6/13) 轉換曲線 ( O vs. ) 介於 H 和 L» 當 至 Q 0 動作至飽和» 當 至 1 Q 動作至飽和 在維持 Q 0 和 Q 在順向主動 的範圍是非常小的» 小範圍的輸入 大範圍的輸出 弦波輸入 弦波輸出» 輸入訊號範圍是非常小 1. 指數可使用 Taylor 展開式. 只維持線性項 3. 輸入與輸出關係是線性項 最大對稱變» 在線性區的中央
56 AP 具主動負載之電路 (7/13) 電壓增益 : BJT 主動負載 小訊號電壓增益 在電壓轉換曲線上之 Q 點斜率 O AP AP + AN AN do APAN Av d AP + AN 1/ T 1/ + 1/ / T + S 0 AN EB1 [ 1 ] + AN e e ( / C REF / T S 0 AP AN )( ) ( ) REF AP C / + T C ( + 1 T / 此電壓增益是開路狀況 負載連接至輸出 增益將減少 AP AN AN 1 AP + AN T gm g 1/ r + 1/ r op ) on m ( ( r AP on r op AN ) ) / T
57 具主動負載之電路 (8/13) 例題 10.11: 計算一個具主動負載之簡單 BJT 放大器之開路電壓增益, 考慮電路如圖 10.9, 該電晶體參數為 AN 10 和 AP 80 且令 T 0.06 解答 : 1 1/ 0.06 A T / 1/ 1 1 AP + AN 具主動負載電路的 A >> 具離散電阻電路之 A 如模擬結果, 它很難去應用輸入電壓來偏壓令 Q 0 和 Q 在主動區
58 具主動負載之電路 (9/13) MOSFET 主動負載電路 電壓轉換函數 電晶體 M 1 和 M 形成一 PMOS 主動負載 3 個電晶體的電流 K O n( GS TN) (1 + λn DS0) K ( + ) (1 + λ ) p SG TP SD K ( + ) (1 + λ ) REF p1 SG TP1 1 SD1 假設 M 1 和 M 是相同的» λ λ λ 1 TP1 TP TP K K K p1 p p p
59 REF 1 SD1 p SG λp( O) [ ] REF O Kn( TN ) (1 λno ) 1+ λpsg + λ 1 pref + λp [ λnkn ( TN ) ] O [ ] REF Kn( TN ) 1+ λpsg 1+ λpsg λpsg + λp( SG) REF Kn TN Q λpsg 1+ λpsg + + [ ] ( ), 1>> 1+ λ 1, K ( ) 最後 具主動負載之電路 (10/13) p SG n TN REF + 1+ λ p ( SG )] O λn + λ p»m 0 和 M 偏壓在它們的飽和區 + 1 ( ) 1+ λ + λ SD p O 1+ λ 1+ λ + ( λ + λ ) [1 + λ ( )] K ( ) n p REF O p SG REF n TN [ Kn( TN ) ( λ + λ ) n p REF
60 具主動負載之電路 (11/13) 轉換曲線 ( O vs. ) 介於 H 和 L» 當 至 M 0 動作至非飽和區» 當 至 1 M 動作至非飽和區 M 0 和 M 二個都偏壓在它們的飽和區, 且 的範圍很狹窄 弦波輸入具有弦波輸出
61 具主動負載之電路 (1/13) 電壓增益 : MOSFET 主動負載電路 在電壓轉換函數曲線上之 Q 點斜率 A v d d O O + [ 1+ λ p ( SG )] Kn( TN ) Kn( ( λ + λ ) n λ + λ n p TN p REF ) gm ( λ + λ ) n ( λ + λ ) n p 0 p REF gm 1/ r + 1/ r on op g m ( r on r op ) MOSFET g m 的 <BJT 的 g m MOSFET 放大器的電壓增益 < BJT 放大器的電壓增益 主動負載仍可產生一個顯著的電壓增益
62 具主動負載之電路 (13/13) 討論 BJT 和 MOSFET 電路都具主動負載 對於偏壓電晶體的正確傳輸寬度 非常窄 主動負載幾乎不可能在離散電路 一個主動負載需依賴使用大範圍的匹配電晶體 匹配電晶體 滿足於 C
63 小訊號分析 : 主動負載電路 (1/8) 小訊號分析 正確的偏壓範圍 狹窄 BJT 需操作在主動區 MOSFET 需操作在飽和區 否則, 小訊號並不正確 Q 1 部分 不具獨立交流電源 π1 π 0 與電源相關是開路
64 小訊號分析 : 主動負載電路 (/8) 小訊號分析 : BJT 主動負載電路 從主動負載的集極看入且找電阻 R o r o 補充 : 地端連接在一起 R o 是 r o 與相依電流源並聯» 對於電壓的觀點與 π 並不相關» 相依電流源 開路
65 小訊號分析 : 主動負載電路 (3/8) 電壓增益 O m π1 o L o m i o L o g A g ( r R r ) m 1/ ro + 1/ RL + 1/ ro gm ( C0 / T) g + g + g / + 1/ R + / v m o L o o L o C0 AN L C0 AP 開路電壓增益 :R L 1/ A T v 1/ AP + 1/ AN 當負載 開路» 當 DC 分析時的小訊號增益 如果沒有開路» 負載效應» 小訊號電壓增益 減少 g ( r R r ) g ( r R r )
66 小訊號分析 : 主動負載電路 (4/8) 例題 10.1 在圖 10.37(a) 中的電路, 電晶體的參數是 AN 10 且 AP 80 令 T 0.6 和 Co 1mA, 當負載電阻為 R L 100kΩ 或 10kΩ 時, 請決定小訊號電壓增益 解答 : 當 R L, 小訊號電壓增益 A {-(1/ T ) / [(1/ AN )+(1/ AP )]} {-(1/0.06) / [(1/10)+(1/80)]} 當 R L 100kΩ, 小訊號電壓增益 A {-(1/0.06) / [(1/10)+(1/100)+( 1/80)]} -147 當 R L 10kΩ, 小訊號電壓增益 A {-(1/0.06) / [(1/10)+(1/10)+( 1/80)]} -318 建議 R L, 負載效應變得重要» 下一級的電阻必須很大 為了去減少負載效應
67 小訊號分析 : 主動負載電路 (5/8) 小訊號分析 : MOSFET 主動負載 電壓增益 主動負載電阻 R o r o 沒有相依交流源去刺激電路» sg1 sg 0 相依電流源是打開的 電壓的觀點與 sg 並不相關 相依電流源 g m sg 是開路 電端是連接在一起 R o 是 r o 與相依電流源並聯
68 小訊號分析 : 主動負載電路 (6/8) 電壓增益 就像是 BJT 放大器 主動負載造成增益 O gmgs( ro RL ro) gmi( ro RL ro) A / g ( r R r ) g /( g + g + g ) v O i m o L o m o L o g 0 和 g 0 是 M 0 與 M 的輸出電導 g L 是輸出電導 負載效應電壓增益 減少 輸出可能連接另一個 MOSFET 的閘極且效應的 R L 非常大
69 小訊號分析 : 主動負載電路 (7/8) 例題 10.13: 在圖 10.40(a) 中所示的放大器, 其電晶體參數為 λ n λ p TN 1 K n 1mA/, 假設 M 1 及 M 是匹配且 REF 0.5mA 對於負載電阻 R L 或 100kΩ 時, 請計算小訊號電壓增益 解答 : M 1 和 M 匹配 O REF 與轉導»g m (K n REF ) 0.5 (1.5) ma/ 小訊號電晶體電導»g o g o λ REF ma/ 當 R L, 電壓增益»A v [-g m /(g o + g o )] [-1.41/( )] -141 當 R L 100kΩ, 電壓增益»A v [-g m /(g o + g L +g o )] [-1.41/( )] -70.5
70 小訊號分析 : 主動負載電路 (8/8) 建議 找出每個電晶體的電感 MOSEFT 具主動負載的放大器的 A > MOSFET 具電阻性負載的放大器的 A MOSFET 的 A < BJT 的 A» 對於 MOSFET 的電感較小
Q expert-完成出卷
1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶 體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,
ICTQ Question 6
電子學有效教學示範 ( 電晶體小訊號分析 ) 主講人 : 古紹楷指導教授 : 戴建耘 Psntaton By Tzu-W Chn 1 Dpatmnt of Industal duaton Natonal Tawan Nomal Unvsty 重點闗鍵詞 : 小訊號分析 英文闗鍵詞 :small sgnal analyss 教學重點 : 1. 學生能了解電晶體交流等效電路 2. 學生能理解小訊號分析步驟
ch05
物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 授課 老師 : 輔仁 大學物理系副教授張敏娟 2015 spring 1 物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 BJT 電晶體 基本原理 1 BJT 電晶體把 N 型和 P 型半導體, 再組合, 變成電晶體 BJT 電晶體 是一個把訊號放大的元件 3 BJT 電晶體 三端元件 4 BJT 有兩種組成 NPN 型 PNP 型 5 N
第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電
第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 在多級放大器電路的分析中 應用雙極電晶體的小訊號等效電 路 復習問題 1. 將負載線重疊至電晶體的特性曲線上
4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac
Ch4 Basc FET Amplfers Prevew 4.1 The MOSFET Amplfer 4. Basc Transstr Amplfer Cnfguratns 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer 4.5 The Cmmn-Gate Cnfguratn 4.6 The Three Basc
Microsoft PowerPoint - Ch5 The Bipolar Junction Transistor
O2005: Electronics The Bipolar Junction Transistor (BJT) 張大中 中央大學通訊工程系 dcchang@ce.ncu.edu.tw 中央大學通訊系張大中 Electronics, Neamen 3th Ed. 1 Bipolar Transistor Structures N P 17 10 N D 19 10 N D 15 10 中央大學通訊系張大中
第 5.1 節 5 章 雙極接面電晶體 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且 重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之
430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓 並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動 應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中 復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下 加在 npn 雙極電晶體上所需 之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止 順向主動模式 飽和模式下之 條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.
Why analog?
Chapter Basic MOS Device Physics 0/4/3 Ch Device MOS Device Structure 0/4/3 Ch Device NMOS and PMOS with Well 0/4/3 Ch Device 3 MOS Symbols 0/4/3 Ch Device 4 MOS Channel Formation 0/4/3 Ch Device 5 I/
<4D F736F F F696E74202D20B2C4A4ADB3B95FC342A57EAABAB971B8F4A4C0AA52A7DEA5A9>
第五章額外的電路分析技巧 學習目標 了解線性與等效的概念 知道如何使用重疊定理來分析電路 能夠計算線性電路的戴維寧等效電路 能夠計算線性電路的諾頓等效電路 了解何時與如何使用電源轉換法 能夠使用最大工率傳輸定理 知道如何使用 SICE 來做為電路的電腦輔助 等效電路形式 - 端點行為不變 線 如果所有的元件模型都是線性的 就數學上來說, 這意味著它們滿足重疊定理 (Superposition) 模型
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
100 年務人員特種考試一般警察人員考試 100 年務人員特種考試警察人員考試及 100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題等別 : 佐級鐵路人員考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意 考試時間 :1 小時座號 : 代號 :3909 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
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POWER INDUCTOR 功率電感 LQH SERIES Features High Q values Low resistance Ordering Code 特性 LQH 1210 4R7 高 Q 值. 1 2 3 4 低阻抗. 1.Type 類型 2.Dimension 尺寸 3. Inductance 電感值 4.Tolerance 公差 M=±20% K=±10% J=±5% Dimensions
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106 年公務人員特種考試警察人員 一般警察人員考試及 106 年特種考試交通事業鐵路人員 退除役軍人轉任公務人員考試試題 頁次 :101 考試別 : 鐵路人員考試等別 : 佐級考試類科別 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
電晶體放大電路
電晶體偏壓電路及共射極放大電路 一 實習目的 () 了解電晶體偏壓電路和工作點與穩定度等觀念 (2) 熟悉電晶體各種偏壓的電路 (3) 了解共射極電晶體基本放大電路 (4) 能量測共射極電晶體基本放大電路的交流參數 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 KΩ 2 2 KΩ 2.2 KΩ 3.3 KΩ 4.7 KΩ 電阻 0 KΩ 2 5 KΩ 22 KΩ 47 KΩ 68 KΩ 00 KΩ 2 可變電阻
0 0 = 1 0 = 0 1 = = 1 1 = 0 0 = 1
0 0 = 1 0 = 0 1 = 0 1 1 = 1 1 = 0 0 = 1 : = {0, 1} : 3 (,, ) = + (,, ) = + + (, ) = + (,,, ) = ( + )( + ) + ( + )( + ) + = + = = + + = + = ( + ) + = + ( + ) () = () ( + ) = + + = ( + )( + ) + = = + 0
電子學(全)大會考題庫
電子學大會考 1 100 學年度電子學 ( 全 ) 大會考題庫 一 請寫出下列英文專有名詞之中文名稱 (1) doping (2) semiconductor (3) diode (4) insulator (5) barrier potential (6) bias (7) Filter (8) rectifier (9) DC power supply (10) ripple (11) Gain
<4D F736F F D20B971BEF7B971A46CB873B971A46CC3FEB14DA440B8D5C344>
第一部份 : 基本電學 1. 某一 2 馬力發電機輸入電壓有效值為 110 V, 若其效率為 85%, 則其輸入電流有效值約為多少? (A) 1 A (B) 14 A (C) 15 A (D) 16 A 2. 如圖 ( 一 a) 所示電路, 圖 ( 一 b)( 一 c) 為同材質兩導體電阻 R 1 R 2 之結構圖, 求電路電流 I 為多少? 圖 ( 一 a) 圖 ( 一 b) 圖 ( 一 c) (A)
本章綱要 -1 節點電壓法 -2 迴路電流法 -3 重疊定理 - 戴維寧定理 -5 諾頓定理 -6 戴維寧與諾頓等效電路之轉換 -7 最大功率轉移定理 Chapter 直流網路分析 0626-0.indd 125 2009/11/10 下午 0:58:09
ELECTRICITY ELECTRICITY BASIC BASIC 本章學習目標 1. 利用節點電壓法分析各支路的電流 2. 利用迴路電流法分析各迴路的電流 3. 瞭解重疊定理在多電源電路的應用. 利用戴維寧與諾頓定理化簡電路 5. 瞭解戴維寧與諾頓等效電路的轉換 6. 學習負載如何在電路中獲得最大的功率轉移 0626-0.indd 12 2009/11/10 下午 0:58:02 本章綱要 -1
Microsoft Word - 電晶體放大器.doc
電晶體放大器一 目的 : 了解電晶體放大器的工作原理, 並測量電晶體的一些參數 二 原理 : ( 一 ) 電晶體放大器的偏壓 : 在前面的實驗中我們分析過電晶體的放大作用, 並且估計過如圖 l 電路的電流放大率和電壓放大率 在作估計時, 我們一直假設這個電路工作在線性區域裡, 使 o, 因此輸出電壓 o 是輸入電壓的翻版, 只是振幅變大而已 為了使電路工作在線性區域, 至少要時時保持電晶體在 暢通
.., + +, +, +, +, +, +,! # # % ( % ( / 0!% ( %! %! % # (!) %!%! # (!!# % ) # (!! # )! % +,! ) ) &.. 1. # % 1 ) 2 % 2 1 #% %! ( & # +! %, %. #( # ( 1 (
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第一部份 : 電子學 ( 第 1 至 25 題, 每題 2 分, 共 50 分 ) 1. 兩電壓 v1 ( t) 8cos(20 t 13 ) 及 v2( t) 4sin(20 t 45 ), 則兩電壓之相位差為多少度? (A) 58 (B) 45 (C) 32 (D) 下列有關半導體之
注意 : 考試開始鈴 ( 鐘 ) 響前, 不可以翻閱試題本 104 學年度科技校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗試題本電機與電子群電機類電機與電子群資電類 專業科目 ( 一 ): 電子學 基本電學 注意事項 1. 請核對考試科目與報考群 ( 類 ) 別是否相符 僅供參考 2. 請檢查答案卡 ( 卷 ) 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不 符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷分兩部份,
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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
入 学 考 试 重 点 考 查 学 生 的 基 础 专 业 知 识 基 本 实 验 操 作 技 能 独 立 思 考 和 动 手 能 力 笔 试 和 面 试 的 试 题 都 有 足 够 的 难 度, 以 利 择 优 录 取 新 录 取 的 研 究 生 第 一 次 见 面, 池 先 生 会 作 一 次
严 师 慈 母 池 际 尚 院 士 培 养 研 究 生 记 实 叶 德 隆 叶 德 隆, 男,1936 年 12 月 初 生 中 国 地 质 大 学 ( 武 汉 ) 地 球 科 学 学 院 教 授 1960 年 北 京 地 质 学 院 岩 石 矿 物 学 专 业 毕 业 并 留 校 任 教,1962 年 北 京 地 质 学 院 研 究 生 毕 业 主 要 从 事 岩 浆 岩 岩 石 学 晶 体 光
Microsoft Word - LD5515_5V1.5A-DB-01 Demo Board Manual
Subject LD5515 Demo Board Model Name (5V/1.5A) Key Features Built-In Pump Express TM Operation Flyback topology with PSR Control Constant Voltage Constant Current High Efficiency with QR Operation (Meet
Microsoft Word 四校之八_公告試題_-1.doc
准考證號碼 : ( 請考生自行填寫 ) 專業科目 ( 一 ) 電機類 電子類 電子學與電路學 注意事項 1. 請核對考試科目與報考類別是否相符. 請檢查答案卡 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷共 40 題, 每題.5 分, 共 100 分, 答對給分, 答錯不倒扣 4. 本試卷均為單一選擇題, 每題都有 () () (C) (D) 四個選項, 請選一個最適當答案,
a a b =, a b = a,, b b 2 2 2 πr 2r ( π 2) r π 2 2 = 2 = = 57%, :" " 2r 2r 2 A A x A A x + = A A A x = A X A ( = A ) A A A A + A A = A 8 8 8 + = 8 8 8 8 8 8 + = 8 7 7 9 = 9 7 7 2 5 4-0 = 9-5 2, 2 2 5
Microsoft Word - 電路學、電子學試題R3-A
經濟部所屬事業機構 104 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 甲 ) 儀電 通信節次 : 第二節科目 :1. 電路學 2. 電子學 注意事項 1. 本試題共 6 頁 ( 含 A3 紙 1 張 A4 紙 1 張 ) 2. 可使用本甄試簡章規定之電子計算器 3. 本試題為單選題共 50 題, 前 25 題每題各 1.5 分 其餘 25 題每題 2.5 分, 共 100 分, 須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,
cumcm0206.PDF
6 : 00 attract sgod attract 9 4 3 9 60 7 6+ 60 7 60 7 60 7 6 0 6+ 0 9 6 0 4 33 7 0~33 33 7 6 0~33 7 36 6+ 0~36 36 6 30 0~36 7 50% 60 500 [( ) - ] 3 3 6 K F F µ ( = LK ) R ( = L ) r ( = L ) P P w W ( =
(Microsoft Word -
第一部份 : 基本電學 1. 某手機待機消耗功率為 36 mw, 假設其電池額定規格為.5 /70 mah, 若在理想情況下電池充飽電, 試問最多可待機多少小時? (A) 30 小時 (B) 50 小時 (C) 70 小時 (D) 90 小時. 某直徑為 1.6 mm 單芯線的配線回路, 其線路電壓降為 5%; 若將導線換成相同材質的.0 mm 單芯線後, 則其線路電壓降約為多少? (A) 1.6%
目 錄 1. 蒸 豬 肉 丸 2. 蜜 汁 腰 果 3. 鳳 梨 蝦 球 4. 金 菇 扒 芥 菜 5. 松 鼠 黃 魚 6. 椒 鹽 魷 魚 7. 時 蔬 燴 蝦 丸 8. 粉 蒸 小 排 骨 9. 酥 炸 黃 魚 條 10. 彩 椒 炒 魷 魚
中 餐 烹 調 期 中 考 報 告 指 導 老 師 : 胡 永 輝 組 別 : 第 三 組 學 號 :9A4M0247 姓 名 : 葉 采 姍 目 錄 1. 蒸 豬 肉 丸 2. 蜜 汁 腰 果 3. 鳳 梨 蝦 球 4. 金 菇 扒 芥 菜 5. 松 鼠 黃 魚 6. 椒 鹽 魷 魚 7. 時 蔬 燴 蝦 丸 8. 粉 蒸 小 排 骨 9. 酥 炸 黃 魚 條 10. 彩 椒 炒 魷 魚 蒸 豬
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論 年來 來 例 路 流 路 路 零 了 度 領 路 例 濾 螺 螺 金 降 了 論 良 量 不切 例 立 度 立 度 類 不 路 數 例 行 降 不 量 了 螺 金 ( W ) 1 了 不良 例 金 ( W P ) 來降 論 來 金 金 金 了 不良 金 流 不 流 不 率 流 金 流 金 兩 流 流 流 來 金 數 金 裡 流 論 利 參數來 論 螺 來 不良 串聯 數 串聯 流 金 ( W )
input commom-mode range) output swing (open loop gain) (GBW) ( phase margin) (gain margin)
OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...
1356 微電子學 6. 畫出單極點低通交換電容濾波器電路 7. 描述振盪器之特性 8. 描述並解釋相移振盪器之操作 9. 描述並解釋溫橋振盪器之操作 10. 與相移振盪器相較 Colpitts 或 Hartley 振盪器之優點為何 11. 畫出反相與非反相比較器之電路與特性曲線 12. 畫出基本反
第 15 章 積體電路的應用與設計 在史密特觸發器之負回授迴路中加入 RC 網路可得方波產生器或 振盪器 此類振盪器稱為不穩振盪器 555 IC 時序器使用兩個比較器在單穩或不穩態下運作 調整外加 電阻和電容值可在大範圍內改變不穩態輸出訊號之頻率 責任週 期及單穩態輸出訊號之脈衝寬度 我們討論三種積體電路功率放大器之例子 LM380 功率放大器為 全 IC 元件之放大器 可輸出 5 W 之交流功率至負載
DataWindow
款 項 節 名 稱 及 編 號 0002000000 1 總 統 府 主 管 14,625,877 14,179,166 446,711 0002010000 1 總 統 府 1,069,765 1,090,404-20,639 3202010000 國 務 支 出 1,069,765 1,090,404-20,639 3202010100 1 895,977 879,243 16,734 一 般
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25% 歐姆直流電阻耐電流產品料號 @ 1MHz Ω (Max.) 歐姆 ma (Max.) 15 系列
DF-syllabus
213 1 2 3 A B C D 4 A / 1. 1. 2. 3. 4. 2. 1. 2. 5 -- 3. -- 4. 5. 6. 3. 1. 2. 4. -- 5. 6 -- 7 A / 1. 1. 2. 2. 1. 2. 3. 1. 2. 8 4. -- 1. 3. -- 2. 5. -- -- -- -- -- B 9 / 1. 1. 2. 2. 3. 1. - - 2. - - 3. -
nbqw.PDF
2 3 4 5 76,010,200 70,837,163.15 21,694,835.69 6,306,522.69-91,305,083.54 77,237,115.30 0 12,237,082.86 0 0 8,169,816.92 20,406,899.78 0 53,541.43 0 0 0 53,541.43 76,010,200 83,020,704.58 21,694,835.69
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機 械 三 甲 01 811001 王 振 祥 國 立 高 雄 應 用 科 技 大 學 模 具 工 程 系 甄 選 入 學 嘉 義 縣 縣 立 水 上 國 中 機 械 三 甲 02 811002 王 紹 誠 弘 光 科 技 大 學 生 物 醫 學 工 程 系 登 記 分 發 嘉 義 縣 縣 立 水 上 國 中 機 械 三 甲 03 811003 江 彥 廷 中 臺 科 技 大 學 牙 體 技 術 暨
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流 路 5. 3 路 來便 流 流 路 路 路 00V DC V DC /0A 來 5. 流 5. 3 了 路 路 離 路 路 不 離 濾 路 流 流 參 路不 路 離 不 路 3 路 率 路 3 路 來 路 說 5 率 路 濾 路 路 離 路 路 路 5.. 3 5.3 濾 流 ( V in ) 濾 LC 濾 路 濾 流 流 5. L Vin i L C V 5.. 濾 漣 率 來 率 兩 T S
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Microsoft PowerPoint - FY Ch 08 特殊二極體 01
參考資料 : Ch. 08 特殊二極體 01 1. 電子學 I/ Ch. 01-02 陳清良編著龍騰文化 2. 基本電學 I/ Ch. Ch. 01 04. 康嘉宗李天 良李源永陳昭博編著復文書局 3. 電子學 / Ch. 03 / 高立圖書出版 原著 : Mitchel E. Schultz 審訂 : 沈志忠 編譯 : 余永平郭有順蔡忠良 4.http://score.ptivs.ptc.edu.tw/chenjy/ELECT
Microsoft Word - LR1122B-B.doc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD LOW NOISE ma LDO REGULATOR DESCRIPTION The UTC is a typical LDO (linear regulator) with the features of High output voltage accuracy, low supply current, low ON-resistance,
《分析化学辞典》_数据处理条目_2.DOC
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經濟部所屬事業機構 102 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 : 計算機概論 電子學 下列何者為控制單元內用以儲存 下一個要執行指令的位置 之裝置? 工作暫存器 (Working Register, WR) 指令暫存器 (Instruction Register, IR) 程式計數器 (Program counter, PC) 索引暫存器 (Index Register) 在 CPU
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認識二極體及電晶體特性曲線 一 實習目的 (1) 了解二極體及電晶體基本結構 (2) 認識二極體及電晶體的種類與特性 (3) 了解二極體及電晶體特性曲線的量測與及描繪 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 電阻 10 Ω 2 電阻 100 Ω 1 電阻 1 KΩ 1 電阻 1.5 KΩ 1 電阻 10 KΩ 1 可變電阻 10 KΩ 1 可變電阻 100 KΩ 1 二極體 1N4004 1 齊納二極體
審計準則公報制定之目的與架構
1 2 3 4 5 (67) $2,000,000 $1,200,000 $800,000 $800,000 12% $8,000 $500,000 10% $4,167 $600,000 8% $4,000 $3,200,000($2,000,000$1,200,00020/30$800,00015/30 $3,200,000) $800,000 $800,000 $800,00012%1/12$8,000
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_付_中认协注_2007_118号1.doc
1 2006-2-CQ00009 2 3 4 2006-1-CQ00005 2006-1-CQ00733 2006-1-CQ00002 5 2006-1-CQ00360 6 7 8 9 10 2006-1-CQ00358 2006-1-CE00114 2006-1-CQ00359 2006-1-CE00066 2006-1-CQ00185 11 2006-1-CE00212 12 13 14 15
Resistors - All Resistors - Chip Resistors
THICK FILM CHIP RESISTORS 特性 (Features) 輕薄短小 : 小型輕量, 大幅縮小 PC 板面積及重量 Small size and ligtweight with size range per int'l standard 裝配性佳 : 外觀均勻精確, 易於裝配 Highly stable in auto-placement surface mounting application
Microsoft PowerPoint - Ch12回授與穩定
回授的觀念 理想回授系統 四個理想回授電路之組態 串 - 並 ( 電壓 ) 回授放大器 並 - 串 ( 電流 ) 回授放大器 串 - 串 ( 轉移電導 ) 回授放大器 並 - 並 ( 轉移電阻 ) 回授放大器 回授電路之迴路增益 回授電路之穩定性準則 頻率補償技術 ( 藉由補償使得不穩定之回授電路能穩定 ) 2. 回授的觀念兩種回授正回授 - 輸入信號加上部份的輸出信號負回授 - 輸入信號減掉部份的輸出信號
头部
一 头 部...3 1. 用 原 始 点 治 感 冒... 3 2. 德 州 达 拉 斯 原 始 点 治 感 冒 发 烧 _ 邱 善 仁... 4 3. 用 原 始 点 处 理 眼 睛 酸 涩 眼 疲 劳...5 4. 李 先 生 案 例 06: 耳 鸣... 6 5. 李 先 生 案 例 02: 脑 瘤... 6 6. 喉 咙 出 血... 7 7. 处 理 牙 痛... 8 8. 原 始 点 对
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( OH ) Cd ( OH ) NiOOH + Cd + H O Ni + ( OH ) + Cd ( OH ) NiOOH + Cd O Ni + H O H O 1/48 H ( ) M NiOOH + MH Ni OH + ( OH ) + M NiOOH MH Ni + /48 3/48 4/48 4 6 8 5.6KΩ±1% 1/ 4W L N C7 1nF/50V F1 T.5A/50V
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農業自動化叢書 12 機電整合 第七章 國立嘉義大學生物機電工程學系暨研究所 / 楊朝旺助理教授 第一節 二極體... 123 第二節 雙極性接面電晶體... 124 第三節 閘流體... 126 第四節 運算放大器... 128 第五節 電源供應器... 129 基礎電路 第一節二極體二極體 (Diode) 是一種單向元件, 僅允許電流從一固定方向流過 在本節中, 您將學會順向與逆向偏壓的意義,
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1 重 要 提 示 基 金 管 理 人 的 董 事 会 及 董 事 保 证 本 报 告 所 载 资 料 不 存 在 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 重 大 遗 漏, 并 对 其 内 容 的 真 实 性 准 确 性 和 完 整 性 承 担 个 别 及 连 带 责 任 基 金 托 管 人 中 国
易 方 达 安 心 回 报 债 券 型 证 券 投 资 基 金 2016 年 第 1 季 度 报 告 2016 年 3 月 31 日 基 金 管 理 人 : 易 方 达 基 金 管 理 有 限 公 司 基 金 托 管 人 : 中 国 工 商 银 行 股 份 有 限 公 司 报 告 送 出 日 期 : 二 〇 一 六 年 四 月 二 十 一 日 第 1 页 共 14 页 1 重 要 提 示 基 金 管
new_born_with_EB
大 疱 性 表 皮 松 解 症 新 生 儿 1. 导 言 一 个 患 有 或 疑 似 EB 的 新 生 儿 来 到 这 个 世 界 上, 就 像 其 他 婴 儿 一 样, 需 要 特 别 的 活 动 空 间 安 全 食 物 亲 密 关 系 和 有 新 鲜 刺 激 的 环 境 由 于 他 们 皮 肤 脆 弱, 宝 宝 也 需 要 专 业 的 医 疗 和 护 理 宝 宝 的 头 几 天 总 是 令 人
PowerPoint 演示文稿
教 育 部 高 等 学 校 教 学 指 导 委 员 会 全 国 工 程 教 育 专 业 认 证 电 子 设 计 工 程 师 认 证 与 面 向 工 程 教 育 的 电 子 信 息 类 基 础 课 程 教 学 王 志 功 教 育 部 高 等 学 校 电 工 电 子 基 础 课 程 教 学 指 导 委 员 会 主 任 中 国 工 程 教 育 电 子 信 息 与 电 气 工 程 类 专 业 认 证 分 委
S = 1 2 ( a + b) h a b = a 1 a b = a 1 b b 2 2 πr 2r π π 2 = ( - 2)r 2 2 = - 2 = 57 2r 2r 2 6 5 7 4 3 6 5 4 3 3 4 5 6 7 7 5 7 6 1 1 1 1 1 2 3 5 7 7. 2 3 4 6 12 3 4 12 12 1
ch-07.tpf
第 7 章 電晶體的發明, 造就了今日的電子工業, 由此可見電晶體的重要性 本章除了針對電晶體的結構 符號與各項特性做說明之外, 也對於電晶體幾個常用的放大電路, 作詳細的分析 期待學完本章之後, 對電晶體能有一個完整又清晰的概念 本章實習時數 : 12 小時 7-1 電晶體的結構與符號 認識電晶體的結構與符號 瞭解電晶體的基本特性 瞭解電晶體的工作特性 能正確使用電晶體完成電路功能 培養電晶體電路測試與檢修能力
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No. 型号 Type 额定电流 IPN(A) 峰值电流 IP(A) 应用原理 Technolog 电源电压 VC(V) 额定输出 频率 f khz TA=25 /% TA 安装方式 Connection 安装尺寸 Dimensions MM 实物图片 p
x Open-loop Series hall Effect current sensor 1 TKC-EH 10---200 450 open-loop ±15 4V 0-25 0.5-40 +85 Ø10.50 2 TKC-LTH 10 300 450 high accuracy survey ±15 4V 0-25 0.5-40 +85 Ø 20.2 3 TKC-B 50 600 900 open-loop
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PowerPoint 演示文稿
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Microsoft Word - 複製 -目錄-全 - Done_ _.doc
INTRODUCTION 產品介紹 Multilayer high current chip beads are SMD components that possess a low DC resistance. Their impedance mainly comprises resistive part. Therefore, when this component is inserted in
Microsoft Word - 永政发〔2016〕48号.doc
永 政 发 2016 48 号 各 功 能 区 管 委 会, 各 镇 ( 街 道 ) 人 民 政 府 ( 办 事 处 ), 县 政 府 直 属 各 单 位 : 县 教 育 局 制 定 的 2016 年 永 嘉 县 初 中 毕 业 升 学 考 试 与 高 中 招 生 实 施 方 案 已 经 县 人 民 政 府 同 意, 现 批 转 给 你 们, 请 认 真 贯 彻 实 施 永 嘉 县 人 民 政 府
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International Documents and Reports Digital power electronics T=1/ff EF-Energy Factor PF-pumping Factor SE-stored Energy CIR-Capacitor-inductor stored energy Ratio τ τ d ZOH/FOH/SOH τ- EF PF SE 中图分类号 :TN86
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中華民國 第51屆中小學科學展覽會
中 華 民 國 第 51 屆 中 小 學 科 學 展 覽 會 作 品 說 明 書 國 小 組 物 理 科 第 三 名 080115 問 水 哪 得 高 如 許? 為 有 熱 源 伴 水 來 學 校 名 稱 : 桃 園 縣 龍 潭 鄉 三 坑 國 民 小 學 作 者 : 指 導 老 師 : 小 六 陳 嬿 云 黃 啟 晉 小 六 張 婉 怡 關 鍵 詞 : 熱 脹 冷 縮 模 擬 燃 燒 影 響 力
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) SIE AND DIMENSION 尺寸及邊長 外電極 鐵氧體 SIE 尺寸 L 長 mm W 寬 mm T 厚 mm a 銀寬 mm 155 (42) 1.±.5.5±.5.5±.5.1~ (63) 1.6±.15.8±
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) INTODUCTION 產品介紹 Multilayer high current chip beads are SMD components that possess a low DC resistance. Their impedance mainly comprises resistive part. Therefore, when
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Microsoft PowerPoint - SMC #3.ppt
滑動模式控制 Sliig moe cotrol T. C. Kuo 線性非時變單輸入系統 Liear time-ivariat sigle iput system 動態方程式 (yamics equatio) x & = Ax + Bu 其中 x R, u R, A R, B R 定義誤差 (error) e = x x 其中為追蹤訊號 (esire sigal), x R x 選擇滑動函數 (sliig
男人的大腦 女人的大腦
46 2014 6 498 男女大乾坤 男女的戀愛行為 男人的大腦 女人的大腦 2014 6 498 47 48 2014 6 498 女人的戀愛行為 70 900 男人的戀愛行為 8 2014 6 498 49 50 2014 6 498 對於愛與性的混淆 男女所面臨的問題 和我一樣喜歡做愛除了我, 不可以看別人相信我, 沒有問題現在, 和我做愛知道如何引燃我從不傷害我 朋友關係和性 嫉妒和占有欲
ⅠⅡⅢ Ⅳ
ⅠⅡⅢ Ⅳ ! "!"#$%&!!! !"#$%& ()*+,!"" *! " !! " #$%& ( Δ !"#$%& ()*+,!"" * !! " #$%& ( !"#$%& ()*+,!"" * !! " #$%& ( !"#$%& ()*+,!"" * !! " #$%& (! # !"#$%& ()*+,!"" * !! " #$%& ( 1 1 !"#$%& ()*+,!"" *
Microsoft Word - 電晶體特性.doc
一 目的 : 電晶體特性 描繪電晶體的特性曲線, 藉此熟悉電晶體的特性 二 原理 : ( 一 ) 電晶體 : 前面說過把正型半導體和負型半導體做成正負接合面就形成一個有整流作用的二極體 ( 圖 1 ( a ) ) 現在若再接上另一塊半導體就變成有兩個正負接面的三極體, 也就是平常所稱的電晶體了 兩塊正型半導體和一塊負型半導體形成的電晶體稱為 p-n-p 型電晶體 ( 圖 l ( b ) ), 兩塊負型半導體和一塊正型半導體形成的電晶體稱為
Microsoft PowerPoint - CH 04 Techniques of Circuit Analysis
Chap. 4 Techniques of Circuit Analysis Contents 4.1 Terminology 4.2 Introduction to the Node-Voltage Method 4.3 The Node-Voltage Method and Dependent Sources 4.4 The Node-Voltage Method: Some Special Cases
壹：教育文化公益慈善機關或團體免納所得稅適用標準
教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 結 算 申 報 重 要 法 令 目 錄 壹 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 免 納 所 得 稅 適 用 標 準 02 貳 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 所 得 稅 結 算 申 報 須 知 05 參 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 結 算 申 報 重 要 法 令 彙 整 10
1996 1997 GJB-151 1998 1999 2001 2002 220AC TEMPEST TEMPEST / / 1.dV/dt di/dt 2. NEMP ESD V -- - +++ - +++ - - - + V V V G PCB PCB / / IEC CISPR CISPR Pub. IEC TC77 IEC CENELEC EN FCC DOD FCC Part,
1 2 / 3 1 A (2-1) (2-2) A4 6 A4 7 A4 8 A4 9 A ( () 4 A4, A4 7 ) 1 (2-1) (2-2) ()
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06知识单元-集成运算放大电路
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AC DC / AC-AC DC-DC AC-DC DC-AC AC-AC DC-DC AC AC Transformer AC DC AC AC DC? AC DC DC Voltage V Volt V V Q JV = J / Q Current I Ampere A AsQA = Q / s
What's fun in EE 臺大電機系科普系列 如何掌握看不見的電 直流電源轉換的方法 陳耀銘 國立臺灣大學電機工程學系副教授 楔子 電能 是各式各樣的能量形式中 最容易被傳輸與轉換 也最容易被人類所 使用的一種能量來源 生活周遭很多物品都是以電能作為其能量的來源 所以 我 們常聽到 這個東西 要插電 或是 噯呷電 台語 甚至 也常常用 電 來 形容一個人的精神狀態 如 這位小朋友已經玩到沒電了
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Microsoft Word - AN003_SP6012_application Note.doc
Application Note SP6012 (Forward) OCT 2007 V1.1 Synchronous Rectifier Products AN003 1 Table of Contents Page 1. Block Diagram... 3 2. Pin Description... 4 3. Demo Board circuit... 5 4. Parts List... 6
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0.37kW 250kW D11.7 2009 SINAMICS G120 0.37kW 250kW SINAMICS G120 Answers for industry. SINAMICS G120 0.37kW 250kW SINAMICS G110 D 11.1 0.12 kw 3 kw CA01 MC CA01 MC CD : E20001-K20-C-V2-5D00 141-P90534-09020
习 题 12
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使用说明书 DT4221 DT4222 数字万用表 DIGITAL MULTIMETER 2013 年 11 月第一版 DT4221A982-00(A981-00) 13-11H CN ...1...1...2...3...7 1 11 1.1... 11 1.2...12 1.3...16 1.4...17 2 19 2.1...19 2.2 /...20 2.3...22 2.4...25...
99學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考
104 學年度電機資訊學院 - 電子與資訊基本能力會考 系級 : 系年班學號 : 姓名 : 選擇題, 共 60 題 ( 每題 2 分 ) ( B ) 1. 在矽材料中加入三價雜質, 就會 (A) 降低矽晶體的導電性 (B) 增加電洞的數目 (C) 增 加自由電子的數目 (D) 產生少數載子 ( D ) 2. 在室溫時, 純質半導體中 (A) 沒有自由電子 (B) 沒有電洞 (C) 自由電子比電洞多