4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac

Size: px
Start display at page:

Download "4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac"

Transcription

1 Ch4 Basc FET Amplfers Prevew 4.1 The MOSFET Amplfer 4. Basc Transstr Amplfer Cnfguratns 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer 4.5 The Cmmn-Gate Cnfguratn 4.6 The Three Basc Amplfer Cnfguratns: Summary and Cmparsn 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfer 4.8 Multstage Amplfers 4.9 Basc JEFT Amplfers 4.10 esgn Applcatn: A Tw-Stage Amplfer 4.11 Summary 1 Prevew (1 MOSFET 以數位應用為主, 但亦常用於線性放大器 三種單級 (sngle-stagefet 放大器組態 1 共源極 (cmmn surce 源極隨耦器 (surce fllwer 3 共閘極 (cmmn gate MOSFET IC 放大器一般使用 MOSFET 負載元件取代電阻 在 IC 電路, 放大器常是串聯 (seres 或串疊 (cascade 形成多級 (multstage 組態, 可增加電壓增益或提供特定電壓增益與輸出電阻之組合 1

2 4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac 負載線 發展線性電路的各種小訊號參數及相關的等效電路 四種等效電路中, 最常使用的是轉導放大器 (transcnductance amplfer : 輸入電壓, 輸出為電流 The MOSFET Amplfer ( Graphcal Analyss, Lad Lnes, and Small-Sgnal Parameters 共源極電路 : dc 負載線 :v S = - R 1 dc 負載線及 Q 點與 GS R 及電晶體參數有關 為使輸出電壓為輸入之線性函數, 電晶體需偏壓在飽和區 輸入弦波 v 1 瞬時總電壓 v GS = GSQ +v v 為正 v GS 增加, 偏壓點沿負載線上移 較大 及較小 v S 3 v 為負 v GS 減小, 偏壓點沿負載線下移 較小 及較大 v S 4 電晶體需偏壓在飽和區, 且瞬時 及 v S 需在飽和區 4

3 4.1 The MOSFET Amplfer (3 Transstr parameters 1 G-S 之瞬時總電壓 v GS = GSQ +v = GSQ + v gs K v K ( v K [( v ] n( GS TN n GSQ gs TN n GSQ TN gs n( GSQ TN Kn( GSQ TN vgs Knvgs K 第一項為 極直流電流 I Q 第二項為 極時變電流 d, 與訊號 v gs 成線性關係 第三項與訊號平方成正比, 為不想要之諧波 (harmnc 失真 線性放大器之小訊號條件 :v gs << ( GSQ TN, 則第三項可忽略 ( 因遠小於第二項 忽略項, 則總電流可分成 dc 分量及 ac 分量 v gs IQ d d Kn( GSQ TN vgs gmvgs 轉導 (transcnductance g m : 小訊號輸出電流與輸入電壓之比值, 可視為電晶體之增益 g m v d gs v GS vgs GSQ cnst. K ( n GSQ TN K n I Q The MOSFET Amplfer (4 3 對 v GS 的關係 : Kn( vgs TN 圖中斜率值即為轉導 g m 當 v gs 夠小, g m 為固定值 Q 點在飽和區, 電晶體是由 v gs 線性控制之電流源 Q 點移至非飽和區時, 電晶體不再是線性控制之電流源 轉導直接正比於 K n, 為 W/L 之函數, 即增加電晶體寬度則增加轉導或增益 Example 4.1:Cnsder an n-channel MOSFET wth parameters: TN = 0.4, K n =100A/, and W/L =5. Assume the dran current s I = 0.4 ma. Calculate the transcnductance f an n-channel MOSFET. Sl.: 註 : 轉導 ( 即增益 比 BJT 來的小, 但 MOSFET 有較高輸入阻抗 尺寸小及低功率消耗之優點 6 3

4 4.1 The MOSFET Amplfer (5 AC Equvalent Crcut 1 輸出總電壓 = dc 輸出電壓 +ac 輸出電壓 v v R ( I R ( I R S O Q d Q R d v v ac 輸出電壓 : ds d 3 ac 訊號之關係整理 : vgs v, d gmvgs, 4 ac 等效電路 :C vltage surces are set t zer R v S ds d R v ds ac 等效電路 The MOSFET Amplfer ( Small-Sgnal Equvalent Crcut n 通道 MOSFET 的小訊號等效電路 : 若訊號頻率夠低, 其閘極電容效應可忽略, 則閘極為開路, 再利用轉導公式, 可得 小訊號等效電路 延伸小訊號等效電路 ( 考慮 MOSFET 的有限輸出電阻 r : K ( v (1 v n r v S GS 1 TN S [ K n ( GSQ [ I vgs GSQ cnst. 8 ] 1 TN ] 1 Q 4

5 4.1 The MOSFET Amplfer (7 n 通道 MOSFET 之延伸小訊號等效電路 : 為轉導放大器 (transcnductance amplfer: 輸入為電壓 輸出為電流輸出為電流 延伸小訊號等效電路 放大器小訊號等效電路 ac 等效電路 放大器小訊號等效電路 The MOSFET Amplfer (8 Example 4.: Transstr parameters: TN = 1, K n =0.8mA/, and = Assume the transstr s based n the saturatn regn wth GSQ =.1, =5, R =.5k. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl: 1 求 Q 點 ( 忽略 因素 小訊號參數 (g m r 推得 A v MOSFET 之轉導小, 所以增益小 3 電壓增益為負 : 輸出與輸入有 180 相位差 解題技巧 :MOSFET 之 ac 分析 1 將 ac 訊號移去, 分析 dc, 線性放大需在飽和區 每一電晶體以小訊號等效模型取代 3 令直流源為零, 分析小訊號等效電路 10 5

6 4.1 The MOSFET Amplfer (9 p 通道 MOSFET 放大電路 : 1 電壓源 接在 S 極 電壓極性 電流方向與 n 通道相反 PMOS 小訊號等效電路 3 v gmvsg ( r R and v vsg v Av gm( r R v 電壓增益為負 : 輸出與輸入有 180 相位差 放大器小訊號等效電路 Basc Transstr Amplfer Cnfguratns MOSFET 的三種組態 : 以那一端接地來區分 共源極 (cmmn surce 共汲極 (cmmn dran, 或 surce fllwer 及共閘極(cmmn gate 1 對應 BJT 之共射極 共集極 ( 射極隨耦器 及共基極 對三種組態的研究重點 1 輸入及輸出阻抗的負載效應 電壓增益 3 探討在何種情況下, 三種放大器何者較有用 1 6

7 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer ( A basc cmmn-surce cnfguratn 源極接地, 故稱共源極 訊號頻率夠高, 耦合電容 C C1 為短路例如 : C C1 = 10F, f = khz, Z C fc C1 (10 (1010 放大器電壓增益 gmgs ( r R and gs ( R RS R gm( r R ( R RS Av g ( r R m R ( R R S R The Cmmn-Surce Amplfer ( 得到最大的輸出電壓擺幅, 則 1 Q 點儘量在飽和區中間 輸入要夠小, 使放大器保持線性放大 放大器輸入阻抗 R =R 1 //R 放大器輸出阻抗 R =R //r O 註 : 求輸出阻抗時, 須令 = 0 ( 即 gs =0 14 7

8 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer (3 Example 4.3: Transstr parameters: TN = 0.4, K n = 0.5mA/, and = The parameter are: =3.3, R S =4k, R 1 =140k, R =60k, R =10k. etermne the small-sgnal vltage gan, nput resstance, and utput resstance. Sl: 註 :Q 點在負載線中間, 非在飽和區中間, 未得最大擺幅 The Cmmn-Surce Amplfer (4 Example 4.4: Transstr parameters: TN = 1, K n =1mA/, and = Let R 1 R =100k. esgn the crcut such that I Q =ma and the Q-pnt s n the mddle f the saturatn regn. etermne the small-sgnal vltage gan Sl.: (1I Q I t GSt St SQ = ( St + / R ; ( I Q GSQ R 1 R ; (3I Q g m 及 r A v 16 8

9 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer ( Cmmn-surce amplfer wth surce resstr R S 可使 Q 點穩定 ( 因電晶體參數之變化, 但也降低增益 ( 與 BJT 類似 右圖的電晶體基底會接至最低電壓 -5,( 源極沒接 -5, 而產生本體效應, 但在此忽略 Example:Transstr parameters: TN = 0.8, K n =1mA/, and =0. etermne small-sgnal vltage gan. Sl.: dc 分析得 : GSQ =1.5, I Q =0.5mA 及 SQ =6.5 ac 分析得 :g m =1.4mA/, r gs gmgsrs gs gmgsr, 1 gmrs g ( mr g mgsr 1 gmrs gmr (1.4(7 Av gmrs 1 (1.4(0.5 註 : 若 K n 改變 0%,g m 明顯改變,A v 改變 9.5%( 不小了 The Cmmn-Surce Amplfer (6 Example 4.5: Transstr parameters: K p =0.8mA/, TP = 0.5, and =0. The quescent dran current s fund t be I Q =0.97mA. etermne the smallsgnal vltage gan f a PMOS transstr crcut. Sl.: g R m sg sg gmsg Rs sg ( 1 gmrs gm K piq (0.975(10 g mr A v.48 1 gmrs 1 (0.975(3 18 9

10 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer ( Cmmn-surce crcut wth surce bypass capactr 源極旁路電容可使電壓增益的損失減少, 且仍保持 Q 點的穩定 1 使用定電流源取代源極電阻可進一步穩定 Q 點 若訊號頻率夠高, 則旁路電容可視為短路, 源極保持在訊號接地 Example 4.6:Transstr parameters: TN = 0.8, K n = 1mA/, and =0. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl: I Q = 0.5mA 註 : 因有源極旁路電容, 使得其增益增加 (ex. 4.5 之 A v = The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer (1 共汲極 (cmmn dran 或源極隨耦器 (surce fllwer 共汲極 : 輸入在 G 極, 輸出在 S 極 極接, 為交流訊號接地 441S Small-sgnal lvltage gan 小訊號電壓增益的求法 : gm( RS r gs n gs 0 gs[1 gm( RS r ] R n R R S 1 g mgs ( RS r gm( RS r 1 gm ( RS r Av R gm( RS r 1 1 g R r R R gm RS r R m ( S S ( 1 gm( RS r RS R n 共汲極電壓增益小於 1, 類似 BJT 射極隨耦器 0 10

11 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer ( Example 4.7: =1, R 1 =16kΩ, R =463kΩ, R S =0.75kΩ,R S = 4kΩ. Assume the transstr parameters are TN = 1.5, k n = 4mA/ and λ= Calculate the small-sgnal vltage gan. Sl: C 分析 I Q = 7.97mA, GSQ =.91 AC 分析 1 增益為正且略小於 1, 亦即輸出信號大約等於輸入信號, 所以稱為源極隨耦器 增益公式同 BJT 射極隨耦器, 但 BJT 的轉導較 MOSFET 大, 所以 BJT 增益較接近 1 3 共汲極輸出阻抗比共源極小, 可當電壓源使用, 在驅動負載電路時可免負載效應 ( 因理想電壓源之內部阻抗要小 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer (3 Example 4.8:Assume the transstr parameters are TP =, k P = 40A/ and λ=0. The crcut parameters are = 0 and R S = 4kΩ. The Q-pnt values are t be n the center f the lad lne wth I Q =.5mA. The nput resstance s t be R = 00kΩ. The transstr W/L rat s t be desgned such that the small-sgnal vltage gan s A v = 0.9. Sl.: 11

12 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer ( Input and Output Impedance 輸入阻抗 R =R 1 //R 輸出阻抗 (R = x /I x :set all ndependent small-sgnal surces equal t zer, apply a test vltage x t the utput, and measure a test current I x x x I x gmgs RS r gs x ( 因 = Ix x( gm RS r Ix ( gm x R0 RS r R (1/ gm RS r ( gs 跨在電流源 g m gs 上, 所以其等效電阻為 1/g m Example 4.9:The transstr parameters are gven n Example 4.8, calculate the utput resstance. Sl.: 1 輸出電阻由轉導參數所主導 適合做理想電壓源 The Cmmn-Gate Cnfguratn ( Small-sgnal vltage and current gans 共閘極 : 輸入在源極, 輸出在汲極, 閘極為訊號接地 I R 1 以定電流源 I Q 偏壓 R G 避免纍積靜電荷,CC G 使閘極為訊號接地 C C1 耦合輸入 v 到源極,C C 耦合輸出到負載 小訊號等效電路及電壓增益 ( gmgs ( R RL S gs gs 1 gmrs g m gm gs ( R R L Av gm( R RL ( ( gs R 1 1 gmrs S gs gm( R RL 1 g R 增益為正, 所以輸出與輸入同相 m S 4 1

13 4.5 The Cmmn-Gate Cnfguratn ( 電流增益 : 共閘極的輸入常為電流, 故輸入以諾頓等效電路表示 諾頓 R I gg m gs ( R RL gs I gm 0 1 gs R gs I ( RS S g R m R 1 gmgs ( gm( ( I ( RS I R RL R RL gm R gmrs A ( ( I I I R RL 1 gmrs 若 R >>R L 及 g m R S >>1, 則電流增益為 1, 同 BJT 共基極電路 4.5. Input and utput mpedance ( 參考前一頁電路圖 nput mpedance R : 共閘極有較低的輸入阻抗, 適用於輸入是電流的場合 R gs / I 且 I gmgs R 1/ gm utput mpedance R : 令 =0 R R gs g m gs R S gs The Cmmn-Gate Cnfguratn (3 Example 4.10: The crcut parameters: I Q = 1mA, + = 5, = 5, R G = 100k, R = 4k and R L = 10k, R S =50k. The transstr parameters: TN = 1, k n = 1mA/ and =0. Assume the nput current s 100snt A. etermne the utput vltage. Sl.: R R 6 13

14 4.6 The Three Basc Amp. Cnfguratns: Summary and Cmparsn (1 共源極及源極隨耦器之輸入為閘極 無電流流入, 所以無電流增益 閘極看入電阻無限大, 所以輸入阻抗為 R TH 共閘極之輸入電阻僅幾百歐姆 源極隨耦器之輸出電阻僅幾百歐姆 但共源極及共閘極 ( 輸出在汲極 之輸出電阻, 則受 R 主導 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (1 三種 MOSFET 反相器 (chapter 3..3: 驅動 (drver 電晶體皆為 n 通道增強型元件 負載元件 ( 或稱主動負載,actve lad 分別為 n 通道增強型元件 n 通道空乏型元件 p 通道增強型元件 Lad lne revsted 電阻性負載元件之 -v 特性 : R = I R 電晶體之負載線 : S = I R A 點 :I = 0, R = 0 A 點 :I = 0, S = B 點 :I = /R = 最大, R = B 點 : I = /R, S = 0 負載線為負載元件 -v 特性曲線之鏡像 8 14

15 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers ( 4.7. NMOS amplfer wth enhancement lad NMOS 增強型負載 使用 NMOS 增強型負載之 NMOS 放大器 Kn ( S TNL 負載線 : S = SL 1. 負載線為負載元件 -v 曲線之鏡像 ; 非線性曲線. 當 v SL = v GSL = TNL =0 v S = TNL ; 交電壓軸於 TNL Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (3 電壓轉換特性 ( 如右上圖 1 驅動電晶體 M 剛導通時在飽和區 當放大器使用時,Q 點需在飽和區 小訊號等效電路 ( 如右下圖 1 負載電晶體 M L 視為源極隨耦器, 輸出在 S 極 S 極看入之等效電阻 R = r L //(1/g ml 電壓增益 : g Av g m m 1 gs ( r rl gml gs 1 ( r rl g ml 若 1/g ml <<r L 及 1/g ml <<r, 則近似得 g Av g m ml K K n nl ( W / L ( W / L L 30 15

16 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (4 Example 4.11:In Fg. 4.39(a, the transstr parameters: TN = TNL = 1, k n = 60A/ and (W/L L = 1. = 5. esgn the vltage gan A v =10, and establsh the Q-pnt n the mddle f the saturatn pnt. ( 求 GSQ Sl.: (1 ( W / L W W kn ( W / L Av 10 ( 100( L ( W / L L L k ( W / L L nl L ( 假設 M 及 M L 皆飽和 且 = L K v n O ( GS TN K nl ( GSL TNL ( 過渡點 :v Ot = v S (sat= v GSt TN 代入上式得 v K ( TNL Kn / KnL ( GS TN ( TNL TN (1 Kn / KnL 1. 1 K / K GSt 36 v Ot = v St = v GSt TN = = 0.36 (3 關閉點 :v GSO = 1, v O = v SO = TNL = 4 GSQ =(v GSt +v GSO / = (1.36+1/ = 1.18 SQ =(v St +v SO / =(0.36+4/ =.18 n nl nl v O TNL Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers ( NMOS amplfer wth depletn lad NMOS depletn mde 之負載元件 : TNL 為負,v GS = 0 過渡點 :v S = v S (sat = v GS TNL = TNL >0 飽和 3 16

17 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (6 負載為空乏型 NMOS 之放大器 1 放大器負載線為負載元件 -v 特性曲線之鏡像 A 為 M 之過渡點,B 為 M L 之過渡點,Q 點近兩過渡點中間 3 M 及 M L 皆需偏壓在飽和區, 即在第 III 區 4 GSQ 使 M 偏壓在飽和區之 Q 點, 訊號 v 重疊在 dc 上, 使工作點在 Q 點附近沿負載線移動 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (7 5 小訊號等效電路 負載元件之 v GSL= 0 相依電流 g m v GSL =0 由負載元件 S 端看入等效電阻僅有 r L ( 如右圖 負載元件 放大器小訊號等效電路 電壓增益 : Av g m ( r rl 34 17

18 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (8 Example 4.1: In Fg.4.43(a, the transstr parameters: TN = 0.8, TNL = 1.5, k n = 1mA/, k nl = 0. ma/, and = L = Assume the transstr are based at I Q = 0. ma. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl.: (1 由已知參數 小訊號參數 (g m r 及 r L 及模型 逆推得 A v Nte: (1 空乏型負載放大器之增益明顯大於增強型負載 ( 因少並聯一個 1/g m 之電阻 ( 因兩電晶體偏壓在飽和區 ( 圖 4.47(c 的第 III 區, 但此區很陡,Q 點之 GSQ 偏壓不容易正確建立, 所以適合用電流源偏壓 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers ( NMOS amplfer wth actve lad CMOS cmmn-surce amplfer 1 CMOS 放大器 : 因有 n 通道增強型驅動器 (M 1 及 p 通道增強型主動負載 (M, M 的偏壓來自 M 3 及 I Bas : 因 I Bas 為定值且 M 3 在飽和區 ( 接到 G SG3 為定值 因 v SG = SG3 ( 定值 可得 M 偏壓的 -v 曲線如下左圖 3 A 為 M 1 之過渡點,B 為 M 之過渡點, 放大器的 Q 點應在兩過渡點中間, 使 M 1 及 M 皆在飽和區 4 無本體效應 :M 1 本體與 S 極皆接地 ( 最低電壓, M 之本體與 S 極皆接至 ( 最高電壓 36 18

19 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (10 5 小訊號電壓增益 : A v g mn ( rn rp M 因受 M 3 影響,v SG = SG3 為固定 ( 因 3 =I Bas 為定值, 即 v sg =0, 所以由 M 之 S 看入之電阻僅為 r p ( 註 : 一般 MOS 電晶體當負載使用其等效電阻為 r, 但 G- 相連的 MOS 電晶體除外 電壓增益亦與兩電晶體之輸出電阻成正比 本例中, 在 M 1 之 G 極加直流電壓建立 Q 點亦不容易 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (11 Example 4.13: The transstr parameters: TN = 0.8, TP = 0.8, k n '= 80A/, k p '= 40A/, (W/L n =15, (W/L p =30, and n = p = Assume I Bas = 0.mA. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl.: Nte: (1 增益與使用空乏型負載之 NMOS 同級, 但 CMOS 無本體效應 ( M1 之 Q 點不易建立, 需使用電流源偏壓 38 19

20 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (1 CMOS surce-fllwer amplfer 1 主動負載為 n 通道元件而非 p 通道元件 輸入訊號加在 M 1 之閘級, 輸出在 M 1 之源極 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (13 Example 4.14: Assume that all transstrs are matched wth parameters: TN = 0.4, k n = 0. ma/, and = Assume I Bas = 0.mA and = 3.3. etermne the small-sgnal vltage gan and utput resstance f the surce fllwer. Sl.: 40 0

21 4.7 Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (14 CMOS cmmn-gate amplfer 1 主動負載為 p 通道元件 輸入訊號在 M 1 之 S 極, 輸出在 M 1 之 極 p Sngle-Stage Integrated Crcut MOSFET Amplfers (15 Example 4.15: The transstr parameters: TN = 0.4, TP = 0.4, k n = 0. ma/, k p = 0. ma/, and n = p = Assume I bas = 0.mA and = etermne the small-sgnal sgnal vltage gan and utput resstance f the cmmn gate crcut. Sl.: 4 1

22 4.8 Multstage Amplfers (1 前言 很多應用中, 單一電晶體的放大器無法達到特定放大因數 輸入電阻 輸出電阻之組合規格 1 例如 : 要求的電壓增益可能超出單一電晶體電路所能得到的 串接 (cascade 放大器 : 可增加電壓增益 ; 或使輸出電阻很低 但卻有大於 1 之電壓增益 1 串接放大器整體電壓或電流增益, 一般非僅各級放大因數之乘積, 需考慮負載效應 (ladng effect Multstage Amplfers ( Multstage amplfer: cascade crcut 共源極 + 源極隨耦器 1 共源極提供電壓增益 源極隨耦器具有低輸出阻抗 假設所有外部電容為短路 small-sgnal equvalent crcut mdband small-sgnal vltage gan 44

23 4.8 Multstage Amplfers ( Example 4.16: The transstr parameters: k n1 = 0.5mA/, k n = 0.mA/, TN1 = TN = 1., and 1 = = 0. The quescent dran currents are I 1 = 0.mA, I = 0.5mA. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl.: gm 1 kn 1( GS1 TN1 0.5( mA/ gm kn( GS TN 0. ( mA/ g R R ( m gs S L gs gm 1 gs1r1 where gs1 R RS R R gs gm R RS R 1 1 gm 1gm( RS RL R 1 R 1 g ( R R R R m S L gm1gm ( RS RL R1 R1 R Av gm( RS RL RS R1 R Nte: (1 源極隨耦器增益略小於 1, 故整體增益小於共源極 ( 源極隨耦器輸出電阻小, 在很多應用上是需要的 S Multstage Amplfers ( Multstage amplfer: cascde crcut n 通道 MOSFET 之串疊電路 1 M 1 共源極,MM 共閘極 此電路具較高之頻率響應 Example 4.17:The transstr parameters: k n1 = k n = 0.8mA/, TN1 = TN = 1., and 1 = = 0. The quescent dran current s I = 0.4mA. etermne the small-sgnal vltage gan. Sl.: g m 1 g m k n 1I (0.8( mA/ gm1 gs1r Av gm1r gs1 Nte : (1 M 1 提供 M 的源極電流 ;M 當做一個電流隨耦器, 將電流傳至它的 極 ( 整體增益與單一級的共源極放大器一樣, 共閘極之加入主要增加頻寬 46 3

24 4.9 Basc JFET Amplfers ( Small-sgnal equvalent crcut G-S 的瞬時電壓 vgs GS v I SS 1 假設飽和, 則 v GS 1 P I SS (1 GS P vgs ( P I SS (1 GS GSQ I v 第一項為直流 極電流 I Q 第二項為時變 極電流, 與訊號 v gs 成線性關係 第三項與訊號平方正比, 使輸出電流產生非線性失真, 當 vgs GS, 第三項遠小於第二項, 第三項可忽略 ( 失真小 (1 P P 上式是 JFET 為線性放大器之小訊號條件 忽略第三項, 則 GS v GS gs I Q d I SS (1 I SS (1 ( P P I P SS GS gm ( (1 d gmvgs 其中 P P 小訊號 極電流對 G-S 之電壓關係稱為轉導 g m n 通道 : P 為負, 故 g m 為正 p 通道或 n 通道 : I SS GS gm (1 P P P SS gs (1 GS P vgs ( I P SS v ( gs P Basc JFET Amplfers ( 飽和區 JFET 之有限輸出阻抗 : vgs I SS (1 (1 v S r vs 1 P vgs cnst. [ I SS (1 P ] GS 1 [ I ] 1 Q n 通道 JFET 之小訊號等效電路 n 通道 JFET 之小訊號等效電路 1 與 n 通道之 MOSFET 相同 p 通道 JFET 與 p 通道之 MOSFET 相同 48 4

25 4.9 Basc JFET Amplfers ( Small-sgnal analyss 與 MOSFET 之分析方式相同 Example 4.18: The transstr parameters I SS =1mA : P = 4, and = etermne the small-sgnal vltage gan A =v /v Sl.: Basc JFET Amplfers (4 Example 4.19: The transstr parameters I SS =1mA : P = 4, and = etermne R S and I Q such that the small-sgnal vltage gan A =v /v =0.90. ( 假設 g m = ma/ 1 已知電晶體參數 最小電壓增益及 g m 由 g m GS I Q R S ( 歐姆定律 及 r 3 增益 g ( R R r Av gm( RS RL r gm( RS RL r 1 g ( R R r 1 g ( R R r m m gs S L S L m S L 50 5

26 習題 :1, 5, 10, 13, 15, 19, 0, 1,, 5, 7, 3, 33, 36, 37, 44, 46, 47, 48, 50, 56, 57, 61, 63,

27 Clck belw t fnd mre Mpaper at Mpaper at

ICTQ Question 6

ICTQ Question 6 電子學有效教學示範 ( 電晶體小訊號分析 ) 主講人 : 古紹楷指導教授 : 戴建耘 Psntaton By Tzu-W Chn 1 Dpatmnt of Industal duaton Natonal Tawan Nomal Unvsty 重點闗鍵詞 : 小訊號分析 英文闗鍵詞 :small sgnal analyss 教學重點 : 1. 學生能了解電晶體交流等效電路 2. 學生能理解小訊號分析步驟

More information

Microsoft PowerPoint - chapter_10_CH

Microsoft PowerPoint - chapter_10_CH 積體電路偏壓和主動負載 電晶體電流源 具主動負載之電路 小訊號分析 : 主動負載電路 電阻電路不適用於積體電路 電阻需要比電晶體相對較大的面積 電阻需要耦合和旁路電容 於 C 中, 幾乎不可能作出 μf 等級的電容 積體電路中, 可考慮電晶體電路作偏壓和負載元件 電晶體電流源 提供固定輸出電流之各式雙極性電晶體電路 提供固定輸出電流之各式場效電晶體電路 - 電路分析與特性了解 電晶體作負載元件 (

More information

Microsoft PowerPoint - Ch12回授與穩定

Microsoft PowerPoint - Ch12回授與穩定 回授的觀念 理想回授系統 四個理想回授電路之組態 串 - 並 ( 電壓 ) 回授放大器 並 - 串 ( 電流 ) 回授放大器 串 - 串 ( 轉移電導 ) 回授放大器 並 - 並 ( 轉移電阻 ) 回授放大器 回授電路之迴路增益 回授電路之穩定性準則 頻率補償技術 ( 藉由補償使得不穩定之回授電路能穩定 ) 2. 回授的觀念兩種回授正回授 - 輸入信號加上部份的輸出信號負回授 - 輸入信號減掉部份的輸出信號

More information

電子學(全)大會考題庫

電子學(全)大會考題庫 電子學大會考 1 100 學年度電子學 ( 全 ) 大會考題庫 一 請寫出下列英文專有名詞之中文名稱 (1) doping (2) semiconductor (3) diode (4) insulator (5) barrier potential (6) bias (7) Filter (8) rectifier (9) DC power supply (10) ripple (11) Gain

More information

Q expert-完成出卷

Q expert-完成出卷 1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶 體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,

More information

場效電晶體簡介.doc

場效電晶體簡介.doc (field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET

More information

第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電

第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 在多級放大器電路的分析中 應用雙極電晶體的小訊號等效電 路 復習問題 1. 將負載線重疊至電晶體的特性曲線上

More information

MergedFile

MergedFile 106 年公務人員特種考試警察人員 一般警察人員考試及 106 年特種考試交通事業鐵路人員 退除役軍人轉任公務人員考試試題 頁次 :101 考試別 : 鐵路人員考試等別 : 佐級考試類科別 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,

More information

<4D F736F F D20B971BEF7B971A46CB873B971A46CC3FEB14DA440B8D5C344>

<4D F736F F D20B971BEF7B971A46CB873B971A46CC3FEB14DA440B8D5C344> 第一部份 : 基本電學 1. 某一 2 馬力發電機輸入電壓有效值為 110 V, 若其效率為 85%, 則其輸入電流有效值約為多少? (A) 1 A (B) 14 A (C) 15 A (D) 16 A 2. 如圖 ( 一 a) 所示電路, 圖 ( 一 b)( 一 c) 為同材質兩導體電阻 R 1 R 2 之結構圖, 求電路電流 I 為多少? 圖 ( 一 a) 圖 ( 一 b) 圖 ( 一 c) (A)

More information

第 5.1 節 5 章 雙極接面電晶體 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且 重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之

第 5.1 節 5 章 雙極接面電晶體 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且 重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之 430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓 並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動 應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中 復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下 加在 npn 雙極電晶體上所需 之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止 順向主動模式 飽和模式下之 條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.

More information

電晶體放大電路

電晶體放大電路 電晶體偏壓電路及共射極放大電路 一 實習目的 () 了解電晶體偏壓電路和工作點與穩定度等觀念 (2) 熟悉電晶體各種偏壓的電路 (3) 了解共射極電晶體基本放大電路 (4) 能量測共射極電晶體基本放大電路的交流參數 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 KΩ 2 2 KΩ 2.2 KΩ 3.3 KΩ 4.7 KΩ 電阻 0 KΩ 2 5 KΩ 22 KΩ 47 KΩ 68 KΩ 00 KΩ 2 可變電阻

More information



 100 年務人員特種考試一般警察人員考試 100 年務人員特種考試警察人員考試及 100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題等別 : 佐級鐵路人員考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意 考試時間 :1 小時座號 : 代號 :3909 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,

More information

Why analog?

Why analog? Chapter Basic MOS Device Physics 0/4/3 Ch Device MOS Device Structure 0/4/3 Ch Device NMOS and PMOS with Well 0/4/3 Ch Device 3 MOS Symbols 0/4/3 Ch Device 4 MOS Channel Formation 0/4/3 Ch Device 5 I/

More information

ch05

ch05 物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 授課 老師 : 輔仁 大學物理系副教授張敏娟 2015 spring 1 物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 BJT 電晶體 基本原理 1 BJT 電晶體把 N 型和 P 型半導體, 再組合, 變成電晶體 BJT 電晶體 是一個把訊號放大的元件 3 BJT 電晶體 三端元件 4 BJT 有兩種組成 NPN 型 PNP 型 5 N

More information

<4D F736F F F696E74202D20B2C4A4ADB3B95FC342A57EAABAB971B8F4A4C0AA52A7DEA5A9>

<4D F736F F F696E74202D20B2C4A4ADB3B95FC342A57EAABAB971B8F4A4C0AA52A7DEA5A9> 第五章額外的電路分析技巧 學習目標 了解線性與等效的概念 知道如何使用重疊定理來分析電路 能夠計算線性電路的戴維寧等效電路 能夠計算線性電路的諾頓等效電路 了解何時與如何使用電源轉換法 能夠使用最大工率傳輸定理 知道如何使用 SICE 來做為電路的電腦輔助 等效電路形式 - 端點行為不變 線 如果所有的元件模型都是線性的 就數學上來說, 這意味著它們滿足重疊定理 (Superposition) 模型

More information

untitled

untitled (field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET

More information

本章綱要 -1 節點電壓法 -2 迴路電流法 -3 重疊定理 - 戴維寧定理 -5 諾頓定理 -6 戴維寧與諾頓等效電路之轉換 -7 最大功率轉移定理 Chapter 直流網路分析 0626-0.indd 125 2009/11/10 下午 0:58:09

本章綱要 -1 節點電壓法 -2 迴路電流法 -3 重疊定理 - 戴維寧定理 -5 諾頓定理 -6 戴維寧與諾頓等效電路之轉換 -7 最大功率轉移定理 Chapter 直流網路分析 0626-0.indd 125 2009/11/10 下午 0:58:09 ELECTRICITY ELECTRICITY BASIC BASIC 本章學習目標 1. 利用節點電壓法分析各支路的電流 2. 利用迴路電流法分析各迴路的電流 3. 瞭解重疊定理在多電源電路的應用. 利用戴維寧與諾頓定理化簡電路 5. 瞭解戴維寧與諾頓等效電路的轉換 6. 學習負載如何在電路中獲得最大的功率轉移 0626-0.indd 12 2009/11/10 下午 0:58:02 本章綱要 -1

More information

ch-07.tpf

ch-07.tpf 第 7 章 電晶體的發明, 造就了今日的電子工業, 由此可見電晶體的重要性 本章除了針對電晶體的結構 符號與各項特性做說明之外, 也對於電晶體幾個常用的放大電路, 作詳細的分析 期待學完本章之後, 對電晶體能有一個完整又清晰的概念 本章實習時數 : 12 小時 7-1 電晶體的結構與符號 認識電晶體的結構與符號 瞭解電晶體的基本特性 瞭解電晶體的工作特性 能正確使用電晶體完成電路功能 培養電晶體電路測試與檢修能力

More information

Microsoft Word - 電路學、電子學試題R3-A

Microsoft Word - 電路學、電子學試題R3-A 經濟部所屬事業機構 104 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 甲 ) 儀電 通信節次 : 第二節科目 :1. 電路學 2. 電子學 注意事項 1. 本試題共 6 頁 ( 含 A3 紙 1 張 A4 紙 1 張 ) 2. 可使用本甄試簡章規定之電子計算器 3. 本試題為單選題共 50 題, 前 25 題每題各 1.5 分 其餘 25 題每題 2.5 分, 共 100 分, 須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,

More information

Microsoft Word - administrative-law-08.doc

Microsoft Word - administrative-law-08.doc 行 政 法 第 八 講 : 公 務 員 綱 要 一 公 務 員 之 概 念 ( 一 ) 學 理 上 之 概 念 ( 二 ) 法 律 上 之 概 念 二 公 務 員 關 係 之 特 質 : 特 別 權 力 關 係 ( 一 ) 起 源 ( 二 ) 定 義 ( 三 ) 現 代 定 義 ( 四 ) 加 入 之 原 因 ( 五 ) 種 類 ( 六 ) 特 色 ( 七 ) 理 論 演 變 ( 八 ) 存 廢 問

More information

Microsoft Word 四校之八_公告試題_-1.doc

Microsoft Word 四校之八_公告試題_-1.doc 准考證號碼 : ( 請考生自行填寫 ) 專業科目 ( 一 ) 電機類 電子類 電子學與電路學 注意事項 1. 請核對考試科目與報考類別是否相符. 請檢查答案卡 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷共 40 題, 每題.5 分, 共 100 分, 答對給分, 答錯不倒扣 4. 本試卷均為單一選擇題, 每題都有 () () (C) (D) 四個選項, 請選一個最適當答案,

More information

(Microsoft Word -

(Microsoft Word - 第一部份 : 基本電學 1. 某手機待機消耗功率為 36 mw, 假設其電池額定規格為.5 /70 mah, 若在理想情況下電池充飽電, 試問最多可待機多少小時? (A) 30 小時 (B) 50 小時 (C) 70 小時 (D) 90 小時. 某直徑為 1.6 mm 單芯線的配線回路, 其線路電壓降為 5%; 若將導線換成相同材質的.0 mm 單芯線後, 則其線路電壓降約為多少? (A) 1.6%

More information

第一部份 : 電子學 ( 第 1 至 25 題, 每題 2 分, 共 50 分 ) 1. 兩電壓 v1 ( t) 8cos(20 t 13 ) 及 v2( t) 4sin(20 t 45 ), 則兩電壓之相位差為多少度? (A) 58 (B) 45 (C) 32 (D) 下列有關半導體之

第一部份 : 電子學 ( 第 1 至 25 題, 每題 2 分, 共 50 分 ) 1. 兩電壓 v1 ( t) 8cos(20 t 13 ) 及 v2( t) 4sin(20 t 45 ), 則兩電壓之相位差為多少度? (A) 58 (B) 45 (C) 32 (D) 下列有關半導體之 注意 : 考試開始鈴 ( 鐘 ) 響前, 不可以翻閱試題本 104 學年度科技校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗試題本電機與電子群電機類電機與電子群資電類 專業科目 ( 一 ): 電子學 基本電學 注意事項 1. 請核對考試科目與報考群 ( 類 ) 別是否相符 僅供參考 2. 請檢查答案卡 ( 卷 ) 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不 符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷分兩部份,

More information

Microsoft Word - 複製 -目錄-全 - Done_ _.doc

Microsoft Word - 複製 -目錄-全 - Done_ _.doc INTRODUCTION 產品介紹 Multilayer high current chip beads are SMD components that possess a low DC resistance. Their impedance mainly comprises resistive part. Therefore, when this component is inserted in

More information

私募基金合同

私募基金合同 泰 玥 盈 泰 定 增 1 号 专 项 私 募 基 金 私 募 基 金 合 同 ( 样 本 ) 私 募 基 金 管 理 人 : 泰 玥 众 合 ( 北 京 ) 投 资 管 理 有 限 公 司 私 募 基 金 托 管 人 : 国 泰 君 安 证 券 股 份 有 限 公 司 重 要 提 示 私 募 基 金 管 理 人 承 诺 以 诚 实 信 用 勤 勉 尽 责 的 原 则 管 理 和 运 用 基 金 资

More information

<4D F736F F D20436F696C20B2FAC6B7C4BFC2BCD5FDCABDB0E62E646F63>

<4D F736F F D20436F696C20B2FAC6B7C4BFC2BCD5FDCABDB0E62E646F63> POWER INDUCTOR 功率電感 LQH SERIES Features High Q values Low resistance Ordering Code 特性 LQH 1210 4R7 高 Q 值. 1 2 3 4 低阻抗. 1.Type 類型 2.Dimension 尺寸 3. Inductance 電感值 4.Tolerance 公差 M=±20% K=±10% J=±5% Dimensions

More information

第三期芳草地彩版.doc

第三期芳草地彩版.doc 13 1 150 150 2 3 ---- & 21 2 2000/02/28 3 4 117 10 10 0 20 10 5 1985 A B C D E5 3 5 2000 2-3 1 2 5 6 3 : 21 G491.1/9 8 20 3000 15 7 2000/02/01 8 20 30 40 50 1994 26 8 2 29 97 12. 2 1 2 50 9 1998 5 5? 2000

More information

99學年度電機資訊學院-電子與資訊基本能力會考

99學年度電機資訊學院-電子與資訊基本能力會考 104 學年度電機資訊學院 - 電子與資訊基本能力會考 系級 : 系年班學號 : 姓名 : 選擇題, 共 60 題 ( 每題 2 分 ) ( B ) 1. 在矽材料中加入三價雜質, 就會 (A) 降低矽晶體的導電性 (B) 增加電洞的數目 (C) 增 加自由電子的數目 (D) 產生少數載子 ( D ) 2. 在室溫時, 純質半導體中 (A) 沒有自由電子 (B) 沒有電洞 (C) 自由電子比電洞多

More information

入 学 考 试 重 点 考 查 学 生 的 基 础 专 业 知 识 基 本 实 验 操 作 技 能 独 立 思 考 和 动 手 能 力 笔 试 和 面 试 的 试 题 都 有 足 够 的 难 度, 以 利 择 优 录 取 新 录 取 的 研 究 生 第 一 次 见 面, 池 先 生 会 作 一 次

入 学 考 试 重 点 考 查 学 生 的 基 础 专 业 知 识 基 本 实 验 操 作 技 能 独 立 思 考 和 动 手 能 力 笔 试 和 面 试 的 试 题 都 有 足 够 的 难 度, 以 利 择 优 录 取 新 录 取 的 研 究 生 第 一 次 见 面, 池 先 生 会 作 一 次 严 师 慈 母 池 际 尚 院 士 培 养 研 究 生 记 实 叶 德 隆 叶 德 隆, 男,1936 年 12 月 初 生 中 国 地 质 大 学 ( 武 汉 ) 地 球 科 学 学 院 教 授 1960 年 北 京 地 质 学 院 岩 石 矿 物 学 专 业 毕 业 并 留 校 任 教,1962 年 北 京 地 质 学 院 研 究 生 毕 业 主 要 从 事 岩 浆 岩 岩 石 学 晶 体 光

More information

壹、

壹、 1 1 20ml. 10 35% 10 3 2 2 250ml. 10 2 (30c.c) 1 75ml 2 4 3 2 1 1 2 1. 2. 1c 3 4 5 1. 2. 3. 4. 5. 1. 2 6 2. 1 3. 7 1. 2. 3. 1. 2. 1 3. 8 1. 9 2. 50 3. 4. 10 5. 10 6. 25c.c. 4 7. 8. 50c.c. 9. 10. 11 12 25.63

More information

ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25

ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25 ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25% 歐姆直流電阻耐電流產品料號 @ 1MHz Ω (Max.) 歐姆 ma (Max.) 15 系列

More information

Microsoft Word - 1000813宜蘭2日_藥師公會_[1].doc

Microsoft Word - 1000813宜蘭2日_藥師公會_[1].doc 社 團 法 人 嘉 義 市 藥 師 公 會 綠 色 宜 蘭 之 旅 集 合 時 間 & 地 點 : 100 年 8 月 13 日 ( 星 期 六 ) 上 午 07:00 嘉 義 市 立 體 育 場 隨 團 領 隊 :A 車 張 靜 宜 小 姐 0980-327897 B 車 雍 詔 年 先 生 0985-306553 C 車 盧 泓 宇 先 生 0921-015773 D 車 陳 佩 杏 小 姐 0937-647959

More information

Microsoft Word - 6-3神經系統_2_.doc

Microsoft Word - 6-3神經系統_2_.doc 焦 點 7 腦 的 各 部 構 造 與 功 能 1. 位 置 : 腦 位 於 顱 骨 所 圍 成 的 顱 腔 內 2. 功 能 : 蒐 集 和 處 理 感 覺 訊 息 產 生 反 應 儲 存 記 憶 產 生 思 想 和 情 緒 大 腦 為 中 樞 神 經 系 統 的 整 合 中 心 情 緒 與 智 能 的 整 合 中 心 大 腦 大 腦 皮 質 各 分 區 有 特 殊 功 能 與 語 言 記 憶 學

More information

Microsoft Word - tck-103-4y-02-2(動力)

Microsoft Word - tck-103-4y-02-2(動力) 103 學年度技術校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗動力機械群 ( 專二 ) 試題 第一部份 : 電工概論與實習 ( 第 1 至 20 題, 每題 2.5 分, 共 50 分 ) 1. 將 1 庫侖之正電荷由 點移動至 點, 需做功 1 焦耳 若 點對地之電壓為 1 伏特, 則 點對地之電壓為幾伏特? ()2 ()0 ()-1 ()-2,W=QV 1=1(V -1),V =2V 2. 下列有關電容器之敘述,

More information

<C8ABB9E6B8F1B7BDB0B8A3A8D6D0D2A9A3A9D3A1CBA2B0E62E786C73>

<C8ABB9E6B8F1B7BDB0B8A3A8D6D0D2A9A3A9D3A1CBA2B0E62E786C73> 附 表 二 : 国 家 表 ( 中 成 药 部 分 ) 金 额 单 位 : 元 序 1 1 九 味 羌 活 丸 蜜 丸 9g 丸 0.58 * 2 1 九 味 羌 活 丸 浓 缩 丸 3g 袋 0.27 3 1 九 味 羌 活 丸 浓 缩 丸 4.5g 袋 0.41 4 1 九 味 羌 活 丸 浓 缩 丸 9g 袋 0.81 5 1 九 味 羌 活 丸 水 丸 6g 袋 0.60 6 1 九 味 羌

More information

Microsoft Word - 電晶體放大器.doc

Microsoft Word - 電晶體放大器.doc 電晶體放大器一 目的 : 了解電晶體放大器的工作原理, 並測量電晶體的一些參數 二 原理 : ( 一 ) 電晶體放大器的偏壓 : 在前面的實驗中我們分析過電晶體的放大作用, 並且估計過如圖 l 電路的電流放大率和電壓放大率 在作估計時, 我們一直假設這個電路工作在線性區域裡, 使 o, 因此輸出電壓 o 是輸入電壓的翻版, 只是振幅變大而已 為了使電路工作在線性區域, 至少要時時保持電晶體在 暢通

More information

投影片 1

投影片 1 真 善 美 幼 兒 園 102 學 年 度 第 二 學 期 小 廚 師 阿 諾 @ 活 動 日 期 :2/12~4/11 @ 活 動 班 級 : 獅 子 班 @ 製 作 編 輯 : 徐 淑 芬 *. *. 主 題 目 標. *. * 一. 能 分 享 自 己 長 大 的 志 願 二. 認 識 食 物 金 字 塔 以 及 食 物 的 營 養 三. 透 過 戶 外 教 學 到 傳 統 市 場 挑 選 新

More information

< E6577B0F2C2A6B971B8F42E747066>

< E6577B0F2C2A6B971B8F42E747066> 農業自動化叢書 12 機電整合 第七章 國立嘉義大學生物機電工程學系暨研究所 / 楊朝旺助理教授 第一節 二極體... 123 第二節 雙極性接面電晶體... 124 第三節 閘流體... 126 第四節 運算放大器... 128 第五節 電源供應器... 129 基礎電路 第一節二極體二極體 (Diode) 是一種單向元件, 僅允許電流從一固定方向流過 在本節中, 您將學會順向與逆向偏壓的意義,

More information

Force-Velocty Relatonshp of Vscous Dampers F D C u& sgn ( u& ) Lne : F D C N V, Nonlnear Damper wth < Lne : F D C L V, Lnear Damper Lnear Vscous Dampe

Force-Velocty Relatonshp of Vscous Dampers F D C u& sgn ( u& ) Lne : F D C N V, Nonlnear Damper wth < Lne : F D C L V, Lnear Damper Lnear Vscous Dampe Longtudnal Cross Secton of A Flud Damper he dfference of the pressure between each sde of the pston head results n the dampng force. he dampng constant of the damper can be determned by adustng the confguraton

More information

PowerPoint 演示文稿

PowerPoint 演示文稿 教 育 部 高 等 学 校 教 学 指 导 委 员 会 全 国 工 程 教 育 专 业 认 证 电 子 设 计 工 程 师 认 证 与 面 向 工 程 教 育 的 电 子 信 息 类 基 础 课 程 教 学 王 志 功 教 育 部 高 等 学 校 电 工 电 子 基 础 课 程 教 学 指 导 委 员 会 主 任 中 国 工 程 教 育 电 子 信 息 与 电 气 工 程 类 专 业 认 证 分 委

More information

迴授式張力控制器

迴授式張力控制器 力 說 TENSION CONTROLLER TENSION RUN PRG TENSION SET ERR MODE SET CH TC-608N 力 異 了 復 參數 讀 說 了 便 參數 了 異 理 說 不 連 不 連 異 零 參數 不 參數 力 令 錄 理 流 流 料 說 說 參數 參數 參數 說 力 零 1. 608N 不 RUN 亮 若 1516 2. 若 參數 參數 1517 參數 01

More information

Ps22Pdf

Ps22Pdf ,,,,,,, ( tn t),,,?,,,,,,,,,,?,,,, 1 ,,, :,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, 3,, 3,,,, 2, 20,,,,,,, 2 ,,!,,, 500,, 350,, ;, 880 ;, 30 100?,, ;,,,, 200, 500,,,,, 19,,,,,,,,,,,, 3 ,,,,,,,,,,?,,?,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,

More information

12 尼 美 舒 利 分 散 片 苏 榕 分 散 片 0.1g*12'/ 盒, 铝 塑 泡 罩 盒 北 京 永 正 制 药 有 限 责 任 17.91 13 尼 美 舒 利 分 散 片 苏 榕 分 散 片 0.1g*20 片 / 盒, 铝 塑 泡 罩 盒 北 京 永 正 制 药 有 限 责 任 29

12 尼 美 舒 利 分 散 片 苏 榕 分 散 片 0.1g*12'/ 盒, 铝 塑 泡 罩 盒 北 京 永 正 制 药 有 限 责 任 17.91 13 尼 美 舒 利 分 散 片 苏 榕 分 散 片 0.1g*20 片 / 盒, 铝 塑 泡 罩 盒 北 京 永 正 制 药 有 限 责 任 29 附 件 1: 通 过 审 核 的 药 品 明 细 表 序 号 药 品 通 用 名 商 品 名 剂 型 规 格 包 装 1 呋 麻 滴 鼻 液 滴 鼻 剂 10ml/ 支, 聚 丙 烯 药 用 滴 眼 剂 瓶 支 武 汉 五 景 药 业 有 限 10.00 2 注 射 用 维 生 素 C 美 尔 洛 粉 针 剂 0.25g/ 瓶, 管 制 抗 生 素 玻 璃 瓶,10 0.25g/ 瓶 / 盒 瓶 3

More information

校园之星

校园之星 V L V L L T O O gu G G an b y t A d g A B A B su U U U U U U U U N N N N N N S T L L B DD E & L L L & DG

More information

绝妙故事

绝妙故事 980.00 III... 1... 1... 4... 5... 8...10...11...12...14...16...18...20...23...23...24...25...27...29...29...31...34...35...36...39...41 IV...43...44...46...47...48...49...50...51...52...54...56...57...59...60...61...62...63...66...67...68...69...70...72...74...76...77...79...80

More information

06 14 > 1986 p2762 1979 S4470 893 894 1963 s s f( nl + s) = f( nl) + ( 1 + 2 ) + ( 1 + 2 ) 2l l 2 s 2 ( 1 2 ), 2l s( s l) 2 f( n + s) = f( n) + s+, 2 1 + 2 1 2 f( f + s)

More information

PSpice MOSFETs 文档 得克萨斯大学泰勒分校电气工程系 Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler 编译 : 陈拓 2010 年 12 月 12 日 原文作者 :David M. Beams, 25

PSpice MOSFETs 文档 得克萨斯大学泰勒分校电气工程系 Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler 编译 : 陈拓 2010 年 12 月 12 日 原文作者 :David M. Beams, 25 PSpice MOSFETs 文档 得克萨斯大学泰勒分校电气工程系 Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler 编译 : 陈拓 2010 年 12 月 12 日 原文作者 :David M. Beams, 25 October 2007, Tyler, TX 75799 下载网址 :http://ee.uttyler.edu/david_beams/projects/pspice%20archives/mosfets.zip

More information

貳線性電路 一個電路若符合線性 (linearity), 則須同時滿足兩個條件 : 一 齊次性 (homogeneous); 二 可加性 (additive) 假設系統的輸入信號為 x(t) 且系統輸出信號為 y(t), 如圖 11 所示, 當輸入信號 x(t) 放大 T 倍而成為 T.x(t),

貳線性電路 一個電路若符合線性 (linearity), 則須同時滿足兩個條件 : 一 齊次性 (homogeneous); 二 可加性 (additive) 假設系統的輸入信號為 x(t) 且系統輸出信號為 y(t), 如圖 11 所示, 當輸入信號 x(t) 放大 T 倍而成為 T.x(t), 第一章 電路基本概念與分析 本章學習重點 1. 本章最主要的目的, 在於說明讀者準備電子電路時所必備的基本電路觀念與線性理論 為了能引導讀者於後續章節中對於電子元件與半導體元件之電路分析所需引用的電路原理能有較清楚的認知, 本章將讓讀者以循序漸進的方式融會貫通本書精要 2. 本章在初等考試與五等特考中最常考的重點包括 :(1) 基本電路特性 ;(2) 電容與電感的基本特性 ;(3) 應用克希荷夫定律來解直流電路

More information

Microsoft Word - 複製 -目錄-全 - Done_ _.doc

Microsoft Word - 複製 -目錄-全 - Done_ _.doc HBLS Series for High HBLS 系列適用於高頻率產品 HBLS0603-1N0S 1.0±0.3nH 4 100 10 0.14 250 0.33 Max. HBLS0603-1N2S 1.2±0.3nH 4 100 10 0.14 250 0.33 Max. HBLS0603-1N5S 1.5±0.3nH 4 100 10 0.18 230 0.33 Max. HBLS0603-1N8S

More information

a ME ME D D31T ME ME ME ME ME D31T

a ME ME D D31T ME ME ME ME ME D31T NO. Engine Description Full Set Head Set Cyl.Head 601230 MD974193 611230 MD974191 62123 MD302900 1 4A30T 601530 MD976493 611530 62153 MD325217 2 4A31 601060 MD976637 611060 MD976636 62106 MD333226 3 6A12

More information

100

100 高 中 優 質 化 輔 助 方 案 二 期 程 ( 第 二 年 ) 100 學 年 度 計 畫 書 國 立 陽 明 高 級 中 學 承 辦 人 : 陳 麗 如 主 任 主 持 人 : 林 清 波 校 長 日 期 :100.08.29 1 計 畫 目 錄 頁 數 壹 學 校 優 質 化 發 展 目 標 1 一 短 程 目 標 1 二 中 程 目 標 2 三 各 階 段 發 展 目 標 之 關 聯 性

More information

上海地区进出口饲料和饲料添加剂经营单位备案名单

上海地区进出口饲料和饲料添加剂经营单位备案名单 上 海 口 岸 进 出 口 饲 料 经 营 企 业 备 案 名 单 ( 更 新 日 期 2015-03-13) 序 号 310-SL-0001 310-SL-0002 310-SL-0003 310-SL-0004 310-SL-0005 310-SL-0006 310-SL-0007 310-SL-0008 310-SL-0009 310-SL-0010 310-SL-0011 310-SL-0012

More information

BUSNET

BUSNET Ver.3 13 45 67 7 89 BUSNET 111 12 12 13 14 14 1516 16 1718 PA-6812E 12m, 9m 2 PA-682E 2m : N.O.N.C : 2 : AC DC24V.25A 3.3Ω 1.528V DC 25mA 15ºC + 55ºC : : ø4 3 : ø3 6 12mm 47mm 11g PA-685E : N.O.N.C : 2

More information

Ps22Pdf

Ps22Pdf ( ) 158 :,,,,,, : 850 1168 1/ 32 : 12 : 311 1994 1 1 1998 11 2 : 5001 10000 ISBN 7 302 01340 3/ T B 15 : 13 00 ,,, 10 7, 2 80%, : 1 ;, :, :, ;, ;, 30%,,,, 20,,,, ,,,,,,!,,,! 1992 10 1 1 11 15 27 34 34

More information

证券代码(A股/H股):000063/ 证券简称:中兴通讯 公告编号:

证券代码(A股/H股):000063/ 证券简称:中兴通讯 公告编号: 2 21,310,164 21,779,131-2.15 10,156,038 10,125,095 0.31 10.58 10.55 0.28 10.57 10.55 0.19-2,271,243-2,336,083 2.78% 0.035 0.240-85.42% 0.33 2.45 2.12 0.35 2.43 2.08 3 2,089 2,292 7,425-457 -2,587 4.2 33,418

More information

Ps22Pdf

Ps22Pdf VRML V L V L L T O O gu G G an b y t A d g A B A B s u U U U U U U U U N N N N N N S T L L B DD E & L L L& DG W

More information

ο HOH 104 31 O H 0.9568 A 1 1 109 28 1.01A ο Q C D t z = ρ z 1 1 z t D z z z t Qz = 1 2 z D z 2 2 Cl HCO SO CO 3 4 3 3 4 HCO SO 2 3 65 2 1 F0. 005H SiO0. 032M 0. 38 T4 9 ( K + Na) Ca 6 0 2 7 27 1-9

More information

1... . 48 30 14 1000c.c 7.5 60 5 (7.5 ) (22 15 6 ). () 90 11 ~91 3 --- 1 2 3 4 () 91 4 ~91 5 --- 1 1 60 5 2 1 3 18 11 350ml ( ) 2 1 350ml 2 2 1-a 91 4 ~91 5 3 1-b 91 4 ~91 5 4 1-c 91 4 ~91 5 5 1 -- ab

More information

Microsoft PowerPoint - SMC #3.ppt

Microsoft PowerPoint - SMC #3.ppt 滑動模式控制 Sliig moe cotrol T. C. Kuo 線性非時變單輸入系統 Liear time-ivariat sigle iput system 動態方程式 (yamics equatio) x & = Ax + Bu 其中 x R, u R, A R, B R 定義誤差 (error) e = x x 其中為追蹤訊號 (esire sigal), x R x 選擇滑動函數 (sliig

More information

w w w.chromaate.com Chroma H-S I-V (MPPT) /61500/ Chroma I-V

w w w.chromaate.com Chroma H-S I-V (MPPT) /61500/ Chroma I-V Power Electronics Testings www.chromaate.com Turnkey Test & Automation Solution Provider w w w.chromaate.com Chroma 1. 62000H-S I-V (MPPT) 2. 66200 3. 6500/61500/61800 61800 4. 63800 4 5 9 3 Chroma I-V

More information

<4D F736F F D20B2C434B3B92020B942BAE2A9F1A46ABEB9>

<4D F736F F D20B2C434B3B92020B942BAE2A9F1A46ABEB9> 研習完本章, 將學會. 運算放大器簡介 -------------------------------------------0 2. 非反相放大器 -------------------------------------------0 3. 反相放大器 -------------------------------------------6 4. 加法器 -------------------------------------------25

More information

目 录 1 前 言... 1 1.1 建 设 项 目 背 景 及 环 评 工 作 过 程... 1 1.2 报 告 书 主 要 结 论... 2 2 总 则... 4 2.1 编 制 依 据... 4 2.2 编 制 目 的... 8 2.3 评 价 标 准... 8 2.4 环 境 影 响 因 子

目 录 1 前 言... 1 1.1 建 设 项 目 背 景 及 环 评 工 作 过 程... 1 1.2 报 告 书 主 要 结 论... 2 2 总 则... 4 2.1 编 制 依 据... 4 2.2 编 制 目 的... 8 2.3 评 价 标 准... 8 2.4 环 境 影 响 因 子 荆 州 市 楚 天 置 业 有 限 公 司 关 于 荆 州 市 楚 天 置 业 有 限 公 司 荆 北 片 区 棚 户 区 改 造 郢 南 小 区 安 置 房 项 目 环 境 影 响 报 告 书 全 本 公 示 的 确 认 函 荆 州 市 环 境 保 护 局 : 我 公 司 根 据 国 家 相 关 环 境 保 护 法 律 法 规 委 托 湖 北 荆 州 环 境 保 护 科 学 技 术 有 限 公 司

More information

因 味 V 取 性 又 鸟 U 且 最 大 罗 海 惜 梅 理 春 并 贵 K a t h l ee n S c h w e r d t n er M f l e z S e b a s t i a n C A Fe rs e T 民 伊 ' 国 漳 尤 地 视 峰 州 至 周 期 甚 主 第 应

因 味 V 取 性 又 鸟 U 且 最 大 罗 海 惜 梅 理 春 并 贵 K a t h l ee n S c h w e r d t n er M f l e z S e b a s t i a n C A Fe rs e T 民 伊 ' 国 漳 尤 地 视 峰 州 至 周 期 甚 主 第 应 国 ' 东 极 也 直 前 增 东 道 台 商 才 R od e ric h P t ak 略 论 时 期 国 与 东 南 亚 的 窝 贸 易 * 冯 立 军 已 劳 痢 内 容 提 要 国 与 东 南 亚 的 窝 贸 易 始 于 元 代 代 大 规 模 开 展 的 功 效 被 广 为 颂 扬 了 国 国 内 市 场 窝 的 匮 乏 窝 补 虚 损 代 上 流 社 会 群 体 趋 之 若 鹜 食 窝

More information

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 40 94 88 82 77 72 67 62 57 53 48 44 40 37 33 29 26 23 20 17 14 11 8 39 94 88 82 77 71 66 61 57 52 48 44 40 36 32 28 25 22 18 15 12 9 7 38 94 88

More information

Microsoft PowerPoint - report1050316.ppt [相容模式]

Microsoft PowerPoint - report1050316.ppt [相容模式] 105學年度高雄區適性入學宣導 中山大學附中 報告人 國中部教務主任 范慈欣 教務主任 王德治 輔導主任 馬主任 1 簡報大綱 前 言 國中教育會考 適性入學管道 適性入學宣導 配套措施/結語 2 前 言 十二年國教實施計畫做了甚麼準備 3 人力資源 是最重要的競爭力 314,215 311,474 311,971 312,057 310,000 307,330 295,000 285,475 (2015年)

More information

Ps22Pdf

Ps22Pdf Publishing House of Electronics Industry BEIJING :,,,,,, ( CIP) /. :, 2004. 2 ISBN 7-5053-9594-7... :. T N710 CIP ( 2004) 002543 : : : : 173 100036 : : 787980 1/ 16 :23 : 518 : 2004 2 1 : 5 000 :30. 00

More information

Microsoft PowerPoint - CH03中文

Microsoft PowerPoint - CH03中文 Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si

More information

Microsoft PowerPoint - 第二章_電阻電路分析

Microsoft PowerPoint - 第二章_電阻電路分析 第 章電阻電路分析 此章, 介紹基礎電路分析之基本觀念與定律 學習目標 歐姆定律 ( OHM S LAW) 定義最簡單之被動元件 : 電阻器 克希荷夫定律 (KICHHOFF S LAWS) 基本電路守恆定律 - 克希荷夫電流定律 (KCL) 與克希荷夫電壓定律 (KVL) 學習分析最簡單之電路 單迴路 - 分壓器 (VOLTAGE DIVIDE) 單節點對 分流器 (CUENT DIVIDE) 串聯

More information

中華民國 第51屆中小學科學展覽會

中華民國 第51屆中小學科學展覽會 中 華 民 國 第 51 屆 中 小 學 科 學 展 覽 會 作 品 說 明 書 國 小 組 物 理 科 第 三 名 080115 問 水 哪 得 高 如 許? 為 有 熱 源 伴 水 來 學 校 名 稱 : 桃 園 縣 龍 潭 鄉 三 坑 國 民 小 學 作 者 : 指 導 老 師 : 小 六 陳 嬿 云 黃 啟 晉 小 六 張 婉 怡 關 鍵 詞 : 熱 脹 冷 縮 模 擬 燃 燒 影 響 力

More information

Microsoft Word - AN-978 _part1_.doc

Microsoft Word - AN-978 _part1_.doc AN978 MOS ( ) MOS MGD MOS MGD MGD BUCK SD P MOSFET 1. MOSFET IGBT 1 1 1 10~15V 2 3 1 MOS MGDs MOSFET IGBT 2 IR2110 1 ( MOSFET ) 2 , MOSFET "",,., 3 2 HEX-2 25ns 17ns HEXFET (V CC =15V, 9) HEX-3 HEX-4 HEX-5

More information

0 0 = 1 0 = 0 1 = = 1 1 = 0 0 = 1

0 0 = 1 0 = 0 1 = = 1 1 = 0 0 = 1 0 0 = 1 0 = 0 1 = 0 1 1 = 1 1 = 0 0 = 1 : = {0, 1} : 3 (,, ) = + (,, ) = + + (, ) = + (,,, ) = ( + )( + ) + ( + )( + ) + = + = = + + = + = ( + ) + = + ( + ) () = () ( + ) = + + = ( + )( + ) + = = + 0

More information

礼仪玉和葬玉

礼仪玉和葬玉 http://shop33322103.taobao.com 1 http://shop33322103.taobao.com 2 http://shop33322103.taobao.com 3 http://shop33322103.taobao.com 4 http://shop33322103.taobao.com 5 http://shop33322103.taobao.com 6 http://shop33322103.taobao.com

More information

校园之星

校园之星 x x x x x x C H N O V x B x x x x S S x mm cm cm cm cm x x x x x x x x A A B X B B ml x x B

More information

壹:教育文化公益慈善機關或團體免納所得稅適用標準

壹:教育文化公益慈善機關或團體免納所得稅適用標準 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 結 算 申 報 重 要 法 令 目 錄 壹 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 免 納 所 得 稅 適 用 標 準 02 貳 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 所 得 稅 結 算 申 報 須 知 05 參 : 教 育 文 化 公 益 慈 善 機 關 或 團 體 結 算 申 報 重 要 法 令 彙 整 10

More information

Microsoft Word - 第1章 導論

Microsoft Word - 第1章  導論 第 1 章導論 研習完本章, 將學會 1. 電子元件 ---------------------------------------------01 2. 測量儀器 ---------------------------------------------04 3. 符號與代號 ---------------------------------------------07 4. 電阻 ---------------------------------------------09

More information

<4D F736F F D20BB7BC3D1A447B7A5C5E9A4CEB971B4B9C5E9AF53A9CAA6B1BD752E646F63>

<4D F736F F D20BB7BC3D1A447B7A5C5E9A4CEB971B4B9C5E9AF53A9CAA6B1BD752E646F63> 認識二極體及電晶體特性曲線 一 實習目的 (1) 了解二極體及電晶體基本結構 (2) 認識二極體及電晶體的種類與特性 (3) 了解二極體及電晶體特性曲線的量測與及描繪 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 電阻 10 Ω 2 電阻 100 Ω 1 電阻 1 KΩ 1 電阻 1.5 KΩ 1 電阻 10 KΩ 1 可變電阻 10 KΩ 1 可變電阻 100 KΩ 1 二極體 1N4004 1 齊納二極體

More information

IEC A( ) B C D II

IEC A( ) B C D II ICS 13.120 K 09 GB 4706.1 2005/IEC 60335-1:2004(Ed4.1) 1 Household and similar electrical appliances- Safety General requirements IEC60335-1 2004 Ed4.1,IDT 2005-08-26 2006-08-01 IEC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

More information

untitled

untitled RESEARCH REPORT 20 90 2005 6 22 1997 2001 16 2007 1 1 38 38 22 16 1 2 3 4 5 6 7 8 910 11 12 13 14 15 16 17 18192021 22 23 24 25 26 27 28 2930 31 323334 35 36 37 38 38 1 1 2 3 1 2, 3 4 5 4 6 2 1 2007 2007

More information

<4D F736F F D A578B971B773B669A448ADFB2DAD70BAE2BEF7B7A7BDD7A142B971A46CBEC7>

<4D F736F F D A578B971B773B669A448ADFB2DAD70BAE2BEF7B7A7BDD7A142B971A46CBEC7> 經濟部所屬事業機構 102 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 : 計算機概論 電子學 下列何者為控制單元內用以儲存 下一個要執行指令的位置 之裝置? 工作暫存器 (Working Register, WR) 指令暫存器 (Instruction Register, IR) 程式計數器 (Program counter, PC) 索引暫存器 (Index Register) 在 CPU

More information

鬼屋之谜

鬼屋之谜 鬼 屋 之 谜 作 者 : 猫 牧 师 个 人 跑 团 区 : 渡 鸦 公 主 与 王 冠 http://www.goddessfantasy.net/bbs/index.php?board=585.0 这 是 一 个 适 合 4 名 4 级 冒 险 者 的 3R 模 组 这 个 模 组 是 地 点 指 向 型 冒 险, 所 有 的 冒 险 全 都 发 生 在 一 个 独 立 的 鬼 屋 之 中,

More information

Microsoft Word - xiuxinduanyu-2-doc.doc

Microsoft Word - xiuxinduanyu-2-doc.doc 明 慧 专 题 文 章 汇 编 这 些 文 章 是 各 位 大 法 弟 子 作 者 在 各 自 在 修 炼 过 程 中 在 当 时 所 在 层 次 的 认 识 ; 我 们 收 集 成 册, 谨 供 不 经 常 访 问 明 慧 网 的 同 修 参 考 师 父 的 法 才 是 指 导 大 法 弟 子 修 炼 提 高 的 根 本, 广 泛 阅 读 明 慧 网 上 更 多 同 修 的 修 炼 交 流, 能

More information

準備衝刺觀念正確再接再厲 直流迴路 4 ( B ) 5. 如圖 (4) 所示, 若 I 等於零, 則 R 為多少歐姆? (A)6 (B) (C)2 (D)9 圖 (4) 評語 將電路重畫如右圖所示, 依節點電壓法.. V1 12 V1 V R V1 又 I 0, 故 V1 0 代入 1

準備衝刺觀念正確再接再厲 直流迴路 4 ( B ) 5. 如圖 (4) 所示, 若 I 等於零, 則 R 為多少歐姆? (A)6 (B) (C)2 (D)9 圖 (4) 評語 將電路重畫如右圖所示, 依節點電壓法.. V1 12 V1 V R V1 又 I 0, 故 V1 0 代入 1 計算錯誤加強複習上課專心訂正錯誤 基本電學 I 習作本 評語 04 直流迴路 字體潦草4-1 ( B ) 1. 使用節點電壓法分析電路的第一步驟為何? (A) 假設每一網目的電流方向 (B) 假設參考點 ( 或稱接地點 ) (C) 將所有電壓源短路 (D) 將所有電流源斷路 ( A ) 2. 如圖 (1) 所示, 以節點電壓法求電壓 V o 為何? (A)14.4 V (B)24.4 V (C)4.4

More information

Microsoft Word - 烘焙食品乙級第二部份 doc

Microsoft Word - 烘焙食品乙級第二部份 doc 烘 焙 食 品 乙 級 技 術 士 技 能 檢 定 術 科 參 考 資 料 試 題 編 號 :077-900201-3 審 定 日 期 : 年 月 日 修 訂 日 期 :96 年 7 月 1 日 97 年 1 月 30 日 97 年 10 月 27 日 98 年 6 月 20 日 98 年 12 月 17 日 99 年 08 月 20 日 烘 焙 食 品 乙 級 技 術 士 技 能 檢 定 術 科

More information

Microsoft Word - RF_Ch06_Appx PA Design 李子瑋_VG_2014_0214.doc

Microsoft Word - RF_Ch06_Appx PA Design  李子瑋_VG_2014_0214.doc 6B- CH6 Appendix F ower Amplifier Design 功率放大器簡介 功率放大器特性 功率放大器之操作分類 Current Source 功率放大器之效率推導 各類別放大器介紹 負載線設計法 Cripps 負載線法與等功率曲線圖 負載線設計法 負載牽引量測 Zih-Wei Li 功率放大器簡介 6B- 位於射頻收發機前端 待訊號調變並升頻之後, 將訊號放大, 並藉由天線發射

More information

合金投资年报正文.PDF

合金投资年报正文.PDF 1999 1 1999 2. 3. 4. 5. 2 1999 3 1999 (1) 4 1999 5 1999 6 1999 7 1999 8 1999 9 1999 10 1999 11 1999 12 1999 13 1999 14 1999 15 1999 16 1999 17 1999 18 1999 19 1999 20 1999 21 1999 22 1999 23 1999 24 1999

More information

从 宾 馆 到 又 一 城 是 十 五 分 钟, 从 又 一 城 到 邵 逸 夫 是 十 分 钟, 去 时 一 路 上 坡 很 辛 苦, 回 时 一 路 下 坡 很 轻 松, 很 像 上 小 学 时 的 心 情, 这 是 最 初 几 天 最 深 的 感 受 有 段 时 间 很 少 走 校 内 的 路

从 宾 馆 到 又 一 城 是 十 五 分 钟, 从 又 一 城 到 邵 逸 夫 是 十 分 钟, 去 时 一 路 上 坡 很 辛 苦, 回 时 一 路 下 坡 很 轻 松, 很 像 上 小 学 时 的 心 情, 这 是 最 初 几 天 最 深 的 感 受 有 段 时 间 很 少 走 校 内 的 路 那 城 那 校 那 景 香 港 访 学 印 象 刘 斌 时 间 过 得 真 快, 一 转 眼 从 香 港 回 来 一 个 多 月 了 前 两 天 走 在 路 上, 看 到 一 个 逆 行 的 车 剐 了 路 人, 双 方 在 路 边 吵 得 不 可 开 交, 突 然 想 起 有 些 地 方 的 交 规 与 大 陆 不 一 样, 这 车 在 香 港 就 算 是 正 常 行 驶 了 于 是, 香 港,

More information

奥运风云榜(上).doc

奥运风云榜(上).doc ...1 1920...3 1896 2004...5...8...8 9... 11 8 9...13...14...16...20...31...36 TP10...39...46...47...49...49 I II...50 2004 2008...52...56...59...64...67 1500...68...69...70...71...76...82...86...89...92

More information

ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) SIE AND DIMENSION 尺寸及邊長 外電極 鐵氧體 SIE 尺寸 L 長 mm W 寬 mm T 厚 mm a 銀寬 mm 155 (42) 1.±.5.5±.5.5±.5.1~ (63) 1.6±.15.8±

ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) SIE AND DIMENSION 尺寸及邊長 外電極 鐵氧體 SIE 尺寸 L 長 mm W 寬 mm T 厚 mm a 銀寬 mm 155 (42) 1.±.5.5±.5.5±.5.1~ (63) 1.6±.15.8± ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) INTODUCTION 產品介紹 Multilayer high current chip beads are SMD components that possess a low DC resistance. Their impedance mainly comprises resistive part. Therefore, when

More information

untitled

untitled 流 路 5. 3 路 來便 流 流 路 路 路 00V DC V DC /0A 來 5. 流 5. 3 了 路 路 離 路 路 不 離 濾 路 流 流 參 路不 路 離 不 路 3 路 率 路 3 路 來 路 說 5 率 路 濾 路 路 離 路 路 路 5.. 3 5.3 濾 流 ( V in ) 濾 LC 濾 路 濾 流 流 5. L Vin i L C V 5.. 濾 漣 率 來 率 兩 T S

More information

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4

19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4 19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4 5 6 7 38 ( ) VS 3 100 ( ) MM MM ! 1 2003 VS . MM MM MM MM MM MM MM CS MM CS MM MM ! ? % Y O [ ] Y O [ ] [ ] [ ] MM MM

More information

第一章

第一章 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1500 1450 1400 1350 1300 1250 1200 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 INPUT2006 29 30 31 32 33 34 35 9000 8500 8000 7500 7000 6500 6000 5500 5000 4500 4000 3500

More information

上 市 公 司 2014 年 度 内 部 控 制 审 计 报 告 结 果 统 计 与 分 析 二 〇 一 五 年 八 月 序 言 经 过 安 然 世 通 等 一 系 列 的 公 司 财 务 报 表 舞 弊 事 件, 人 们 逐 渐 意 识 到 健 全 有 效 的 内 部 控 制 机 制 的 至 关 重 要 性, 世 界 各 国 政 府 监 管 机 构 企 业 会 计 业 界 等 也 都 增 强 了

More information

CWP156.pdf

CWP156.pdf IX-1 IX-2 IX-3 IX-4 IX-5 1 6 11 16 21 26 2000 2001 2002 2003 2004 2005 IX-6 IX-7 8,000 7,000 6,000 5,000 4,000 3,000 2,000 1,000 0 1981 1986 1991 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 IX-8 85 80-84

More information

Slide 1

Slide 1 ( 一 ) 方 剂 的 概 念 及 方 剂 与 治 法 的 关 系 方 剂 的 概 念 方 剂 是 在 中 医 理 论 的 指 导 下, 在 辨 识 临 床 病 证 的 基 础 上, 依 据 相 应 治 法 和 组 方 原 则, 确 定 适 当 的 药 物 剂 量 用 法, 以 防 治 疾 病 的 一 种 用 药 形 式 ( 二 ) 方 剂 学 的 发 展 简 史 先 秦 两 汉 时 期 (~ 220

More information

Microsoft Word - 電學基本量測.doc

Microsoft Word - 電學基本量測.doc 電學基本量測一 目的 : 熟悉電學量測的一些基本觀念和一般實驗室常用儀器的操作 二 原理 : ( 一 ) 電源供應器 (power supply) 不論負載如何改變, 輸出電壓仍能維持不變的電源稱為恆壓源, 一般以 C 符號表示 ; 不論負載如何改變, 輸出電流仍能維持不變的電源稱為恆流源, 以符號 CC 或 CCS 表示之一般在實驗室中所使用的直流電源供應器為 恆壓 / 恆流 (C/CC) 供應器

More information

萬能科技大學 101 學年度碩士班考試試題 ( 共 3 頁, 第 1 頁 ) 考試所別 : 電資研究所考試科目一 : 應用數學准考證號碼 : 應用數學 ( 微積分 工程數學 ( 微分方程 向量分析 ) 離散數學 ), 三項選考二項 一 微積分 (50%) 1. 求下列函數之極限 (5%) (1) l

萬能科技大學 101 學年度碩士班考試試題 ( 共 3 頁, 第 1 頁 ) 考試所別 : 電資研究所考試科目一 : 應用數學准考證號碼 : 應用數學 ( 微積分 工程數學 ( 微分方程 向量分析 ) 離散數學 ), 三項選考二項 一 微積分 (50%) 1. 求下列函數之極限 (5%) (1) l 萬能科技大學 101 學年度碩士班考試試題 ( 共 3 頁, 第 1 頁 ) 考試所別 : 電資研究所考試科目一 : 應用數學准考證號碼 : 應用數學 ( 微積分 工程數學 ( 微分方程 向量分析 ) 離散數學 ), 三項選考二項 一 微積分 (50%) 1. 求下列函數之極限 (5%) (1) lim x 1 3 + x x 1 (5%) () lim x 0 x 1+ 5 x (5%). 求下列函數之導函數

More information