第 6 章基本雙極電晶體放大器數值將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路以得到時變電路的特性了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電

Size: px

Start display at page:

Download "第 6 章基本雙極電晶體放大器數值將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路以得到時變電路的特性了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電"

誉冉
5 years ago
Views:

1 第 6 章基本雙極電晶體放大器數值將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路以得到時變電路的特性了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益以及輸入與輸出電阻在多級放大器電路的分析中應用雙極電晶體的小訊號等效電路復習問題 1. 將負載線重疊至電晶體的特性曲線上並討論一個簡單的共射極電路如何放大時變訊號 2. 為何電晶體電路的分析可以分成將交流全部設為零的直流分析與將直流全部設為零的交流分析 3. 畫出 npn 與 pnp 雙極電晶體的混成 p 等效電路 4. 說明小訊號混成 p 參數 gm rp 與 ro 與電晶體直流靜態值之間的關係 5. 混成 p 參數 rp 與 ro 的物理意義為何 6. 小訊號指的是什麼 7. 畫出共射極放大器並討論其交流電路特性 (電壓與電流增益輸入及輸出電阻) 8. 當射極電阻與射極旁路電容加入共射極放大器之後其交流特性有何改變 9. 討論直流負載線與交流負載線的概念 10. 畫出射極隨耦器並討論其交流電路特性 (電壓與電流增益輸入與輸出電阻) 11. 畫出共基極放大器並討論其交流電路特性 (電壓與電流增益輸入與輸出電阻) 547

2 548 微電子學 12. 比較共射極放大器射極隨耦器與共基極放大器的交流電路特性 13. 討論在何種情況下共射極放大器射極隨耦器與共基極放大器會被用在電子電路設計中 14. 至少說明兩個原因為什麼會需要多級放大器而不是單級放大器 15. 若電晶體電路可提供訊號功率增益討論這增加的訊號功率之來源問題 [注意下列問題中除非另有說明否則無論 npn 或 pnp 電晶體 B E 間導通電壓均為 0.7 V 且 VA = 而且在小訊號分析時每一個電容均視為短路 ] 6.2 節雙極線性放大器 6.1 (a) 電晶體參數 b = 180 VA = 150 V 偏壓為 ICQ = 2 ma 求 gm rp ro (b) 當 ICQ = 0.5 ma 重做 (a) 之問題 6.2 (a) 電晶體參數為 b = 120 VA = 120 V 且偏壓在 ICQ = 0.80 ma 求 gm rp 與 ro (b) 當 ICQ = 80 µa 時重複 (a) 之問題 6.3 電晶體參數 b = 125 VA = 200 V 要使 gm = 200 ma/v 求集極電流之值和 rp ro 6.4 一個特別的放大器設計應用中需要 gm = 80 ma/v 且 rp = 1.20 kw 則所需的直流集極電流與電晶體電流增益 b 為何 6.5 如圖 6.3 之電路電晶體參數 b = 120 VA = 和電路參數 VCC = 5 V RC = 4 kw RB = 250 kw VBB = 2.0 V (a) 決定 p 參數中 gm rp ro (b) 求 A v = vo /vs (c) 若 vo = 0.8 sin (100t) V vs 為何 6.6 一個電晶體靜態集極電流正常值為 1.2 ma 若 80 b 120 而且集極電流有 ±10% 的變化求 gm rp 的範圍 6.7 如圖 6.3 之電路 b = 120 VCC = 5 V VA = 100 V RB = 25 kw (a) 要使 rp = 5.4 kw Q 點在負載線的中點求 VBB 和 RC (b) 求最後的小訊號電壓增益 A v = vo / vs

3 第 6 章基本雙極電晶體放大器 6.8 如圖 6.14 之電路 b = 100 VA = VCC = 10 V RB = 50 kw (a) 若要使 ICQ = 0.5 ma Q 點位於負載線中點求 VBB 和 RC (b) 求小訊號參數 gm rp ro (c) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 6.9 如圖 6.3 的電路且被偏壓在 VCC = 10 V 集極電阻 RC = 4 kω 電壓 VBB 調整到使得 VC = 4 V 電晶體的 β = 100 基極與射極的訊號電壓為 vbe = 5 sin ωt (mv) 求 ib(t) ic(t) 與 vc (t) 的瞬時值與小訊號電壓增益 Av = vc(t)/vbe(t) 6.10 圖 6.7 中的交流等效電路 RC = 2 kω 電晶體參數為 gm = 50 ma/v β = 100 給定的時變輸出電壓為 vo = 1.2 sin ωt (V) 求 vbe(t) 與 ib(t) 6.4 節共射極放大器 6.11 如圖 P6.11 之電路電晶體參數 b = 150 VA = (a) 求 R1 與 R2 使得電路偏壓在 Q 點為負載線的中點 (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 圖 P6.11 圖 P 如圖 P6.12 若 b = 100 VA = R1 = 10 kw 和 R2 = 50 kw (a) 在直流負載線標上 Q 點的位置 (b) 求小訊號電壓增益 (c) 若電阻值有 ±5% 之變化求電壓增益的範圍 D6.13 如圖 P6.12 若 b = 100 VA = (a) 設計使 Q 點位於負載線中點 (b) 決定該電路之小訊號電壓增益 549

4 550 微電子學 D6.14 如圖 P6.14 電晶體參數為 b = 100 且 VA = 設計此電路使得 ICQ = 0.25 ma 且 VCEQ = 3 V 求小訊號電壓增益與從訊號源 vs 所看到的輸入電阻圖 P6.14 圖 P6.15 D6.15 如圖 P6.15 之電路 b = 120 VA = 100 V (a) 要使 VCEQ = 3.75 V 請設計此電路 (b) 求小訊號轉阻 (transresistance) Rm = vo / is D6.16 給定電晶體參數 b = 65 VA = 75 V (a) 設計一個如圖 P6.16 之電路使得基極和集極的直流電壓分別為 0.30 V 和 3 V (b) 求小訊號之轉導值 Gf = io / vs 圖 P6.16 圖 P6.17

5 第 6 章基本雙極電晶體放大器 6.17 圖 P6.17 中訊號源 vs = 5 sin wt (mv) 電晶體參數為 b = 120 (a) 設計此電路使得 ICQ = 0.8 ma VCEQ = 7 V 並求電壓增益 A v = vo / vs (b) 當 RS = 0 時重做 (a) 6.18 考慮圖 P6.18 的電路其中 vs = 4 sin wt (mv) 假設 b = 80 (a) 求 vo(t) 與 io(t) 小訊號的電壓及電流增益為何 (b) 當 RS = 0 時重做 (a) 圖 P6.18 圖 P 考慮圖 P6.19 的電路電晶體參數為 b = 100 VA = 100 V 求 Ri A v = vo / vs 與 Ai = io / is 6.20 圖 P6.20 的電路中電晶體參數為 b = 100 VA = 100 V (a) 求基極與射極的直流電壓 (b) 求 RC 使得 VCEQ = 3.5 V (c) 假設 CC 與 CE 皆視為短路求小訊號電壓增益 A v = vo / vs (d) 當訊號源 vs 有一個 500 W 的電阻與其串聯時重做 (c) 圖 P

6 552 微電子學 6.21 在圖 P6.21 中電晶體參數為 b = 180 且 ro = (a) 求 Q 點的值 (b) 求小訊號混成 p 參數 (c) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 圖 P6.22 圖 P 如圖 P6.22 之電路電晶體參數 b = 80 VA = 80 V (a) 要使 IEQ = 0.75 ma 求 RE 之值 (b) 求 RC 之值使 VECQ = 7 V (c) RL = 10 kw 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs (d) 由 vs 所見之阻抗 6.23 若用於圖 P6.23 之電晶體為 2N2907A 其正常直流電流增益 b = 100 並假設 80 hf e hoe 20 µs hre = 0 (a) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 的範圍 (b) 輸入與輸出電阻 Ri 和 Ro 之範圍圖 P6.23

7 第 6 章基本雙極電晶體放大器 D6.24 設計一單電晶體之共射極前置放大器放大 10 mv (rms) 之麥克風並使輸出有 0.5 V (rms) 之輸出訊號麥克風電阻為 1 kw 使用標準電阻來設計並標明所需的 b 值 6.25 如圖 P6.25 之電路電晶體參數 b = 100 VA = (a) 求 Q 點 (b) 求小訊號參數 gm r p r o (c) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 和小訊號電流增益 A i = io / is (d) 求輸入電阻 Rib 和 Ris (e) 若 RS = 0 重做 (c) 之問題圖 P 若一電晶體之集極接到其基極因為 B C 接面不是反向偏壓此電晶體工作在順向主動區用 gm rp ro 來表示這個二端點元件之小訊號電阻 re = vce / ie D6.27 設計類似圖 6.31 之放大器 RS = 100 W 電壓增益 10 總功率損耗須小於 0.12 mw 標出所需的 b 值 D6.28 一理想電壓源 v s = 5 sin(5000t) (mv) 且可提供的峰值電流 0.2 μa 在 10 kw 負載電阻上之輸出電壓須為 100 sin (5000t) (mv) 試設計一單電晶體共射極放大器達成以上要求使用標準電阻並標示所需要的 b 值 D6.29 設計一個偏壓穩定的共射極電路並且使得開路增益之最小值 A v = 10 電路的偏壓電源為 VCC = 10 V 並可最多提供 1 ma 之電流使用的 pnp 電晶體其 b = 80 VA = 並請在電路中使用最少數目的電容 D6.30 設計一個共射極電路其輸出為電容耦合接到負載電阻 R L = 10 kw 最小訊號電壓增益要 A v = 50 這個電路可用 ±5 V 之偏壓電源每一個電源有最大 0.5 ma 之輸出電流電晶體之參數為 b = 120 VA = 553

8 554 微電子學 6.5 節交流負載線分析原理 6.31 如圖 P6.12 之電路電路和電晶體參數與問題 6.12 相同若瞬時 E C 間電壓在 1 vec 11 V 之間求輸出電壓之最大對稱擺幅 6.32 如圖 P6.14 b = 100 VA = RE = 12.9 kw RC = 6 kw 若 C E 間瞬間電壓在 1 vce 9 V 而且集極電流之瞬間值必須大於等於 50 μa 求輸出電壓之最大對稱擺幅 6.33 如圖 P6.18 之電路 (a) 若 C E 瞬時電壓維持在 2 vec 12 V 之間決定最大對稱輸出擺幅 (b) 用 (a) 之結果決定集極電流範圍 6.34 如圖 P6.16 b = 100 VA = RB = 10 kw RC = 4 kw 若集極瞬間電流 ic 0.08 ma E C 間瞬間電壓在 1 vec 9 V 之間求輸出電流 io 的最大對稱擺幅 6.35 如圖 P6.25 之電路電晶體參數如問題 6.25 所示若集極電流瞬間值 ic 0.1 ma C E 電壓瞬間值在 1 vce 21 V 之間求輸出電流 ic 的最大對稱擺幅 6.36 如圖 P 6.19 電晶體參數 b = 100 VA = 100 V RC RE 及 RL 的值如圖所示設計一偏壓電路當 C E 瞬間電壓在 1 vce 8 V 之間且集極電流的最小值為 ic(min) = 0.1 ma 時輸出電壓能達到最大不失真擺幅 6.37 如圖 P6.21 b = 180 VA = 若瞬間 C E 電壓在 0.5 vce 4.5 V 集極瞬間電流 ic 0.25 ma 設計 R1 R2 之值使得輸出電壓能有最大的對稱擺幅而且偏壓穩定 6.38 如圖 P6.23 之電路 b = 100 VA = (a) 若 E C 瞬間電壓在 1 vec 9 V 之間求使偏壓穩定之最大的對稱輸出 (b) 由 (a) 之結果求集極電流範圍 6.6 節共集極放大器 (射極隨耦器) 6.39 如圖 P6.39 之電路電晶體參數 b = 180 VA = (a) 求 ICQ VCEQ (b) 畫出直流和交流負載線 (c) 計算小訊號電壓增益 (d) 求輸入與輸出電阻 Rib 與 Ro 6.40 如圖 P6.40 之電路電晶體參數 b = 120 VA = 重做問題 6.39 (a) (d)

9 第圖 P 章基本雙極電晶體放大器圖 P 如圖 P6.41 之電路 VCC = 5 V RL = 4 kw RE = 3 kw R1 = 60 kw R2 = 40 kw 電晶體參數 b = 50 VA = 80 V (a) 求 ICQ 與 VECQ (b) 畫出直流與交流負載線 (c) 求 A v = vo / vs Ai = io / is (d) 求 Rib 與 Ro (e) 若電阻值有 ±5% 之變化求電流增益之範圍圖 P6.41 圖 P 如圖 P6.42 之電路 b = 80 VA = 150 V (a) 求基極射極之 DC 電壓 (b) 求小訊號參數 gm rp ro (c) 求小訊號電壓及電流增益 (d) 若 2 kw 之電阻和 vs 信號源電阻串聯重做 (c) 之問題 6.43 考慮圖 P6.43 之射極隨耦器電晶體參數為 b = 100 VA = 100 V (a) 求輸出電阻 Ro (b) 求小訊號電壓增益當 (i) RL = 500 W 與 (ii) RL = 5 kw 555

10 556 微電子學圖 P6.43 圖 P 圖 P6.44 的電路中訊號源為 vs = 2 sin wt (V) 電晶體之 b = 125 (a) 求 Rib 與 Ro (b) 求 is(t) io(t) vo(t) 及 veb(t) D6.45 如圖 P6.45 之電路 b = 100 VA = (a) 設計一個電路使得 IEQ = 1 ma Q 點在直流負載線的中點 (b) 若輸出弦波電壓之峰至峰值為 4 V 求電晶體基極的訊號源 vs 之峰至峰值 (c) 若 vs 與 (b) 所求得相同一負載電阻 RL = 1 kw 由耦合電容與輸出相連求輸出電壓之峰至峰值圖 P6.45 圖 P 如圖 P6.46 之電路當 b 在 75 b 150 之間求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 和電流增益 A i = io / is 之範圍 6.47 圖 P6.47 電路中電晶體的電流增益 b 在 50 b 200 之間 (a) 求 IE 與 VE 直流值的範圍 (b) 求輸入電阻 Ri 與電壓增益 A v = vo / vs 之範圍

11 第圖 P 章基本雙極電晶體放大器圖 P 考慮如圖 P6.42 的電路電晶體之電流增益在 100 b 180 的範圍且厄利電壓 VA = 150 V 若負載電阻在 0.5 kw RL 500 kw 的範圍求小訊號電壓增益的範圍 D6.49 在圖 P6.49 的電路中電晶體電流增益為 b = 80 且 RL = 500 W 設計此電路使得小訊號電流增益 Ai = io / is = 8 令 VCC = 10 V 若 RE = 500 W 求 R1 R2 及輸出電阻 Ro 若 RL = 2000 W 電流增益為何 D6.50 設計射極隨耦器如圖 6.52 使得其與圖 6.54 之相同定義的 Ri 為 120 kw 電晶體參數為 b = 120 VA = 令 VCC = 5 V RE = 2 kw 求新的 R1 及 R2 之值使 Q 點在負載線中間 D6.51 (a) 如圖 P6.49 之射極隨耦器電路若 VCC = 24 V b = 75 Ai = io / is = 8 設計一個可以推動 8 W 負載的電路 (b) 求輸出電壓之最大對稱擺幅 (c) 決定輸出電阻 Ro D6.52 一放大器的輸出可以用 vs = 4 sin wt(v) 以及 RS = 4 kw 來表示接到一個如圖 6.57 的射極隨耦器上設計此電路使得當連接到輸出的負載在 RL = 4 到 10 kw 的範圍時其輸出訊號不會變動超過 5% 假設電晶體的電流增益在 90 b 130 的範圍且厄利電壓為 VA = 找出你的設計中輸出電壓最大與最小的可能值 D6.53 如圖 6.57 之射極隨耦器電路若音頻訊號 vs = 5 sin(3000t) V 且有訊號源電阻 RS = 10 kw 若 V + = +12 V V = 12 V 當喇叭的負載為 RL = 12 W 此放大器約可傳送 1 W 之平均功率至負載則此放大器之功率增益為何 557

12 558 微電子學 6.7 節共基極放大器 6.54 如圖 P6.54 b = 125 VA = VCC = 18 V RL = 4 kw RE = 3 kw RC = 4 kw R1 = 25.6 kw R2 = 10.4 kw 輸入訊號為電流 (a) 求 Q 點之值 (b) 求 Rm = vo / is (c) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 圖 P6.54 D6.55 如圖 P6.54 之共基極電路 b = 100 VA = VCC = 12 V RL = 12 kw RE = 500 W (a) 設計一個電路使得小訊號電壓增益 A v = vo / vs = 10 (b) 求 Q 點之值 (c) 若 R2 被一個夠大的電阻旁路求小訊號電壓增益 6.56 如圖 P6.56 之電路電晶體參數 b = 100 VA = (a) 求在集極基極和射極各點的直流電壓 (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs (c) 求輸入電阻 Ri 圖 P6.56 圖 P 考慮圖 P6.57 之共基極電路電晶體之 b = 120 且 VA = (a) 求靜態的 VCEQ (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs

13 第 6 章基本雙極電晶體放大器 6.58 在圖 P6.58 電路中的電晶體 b = 100 且 VA = (a) 求 ICQ 與 VECQ 之靜態值 (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 圖 P6.58 圖 P 當訊號源 v s 有一個 100 W 的電阻與其串聯時重做問題考慮圖 P6.60 的電路電晶體參數為 b = 60 且 VA = (a) 求 ICQ 與 VCEQ 之靜態值 (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs D6.61 如圖 1.35 之光二極體可用 is 並聯 RS 之諾頓電路表示如圖 P6.54 若 is = 2.5 sin wt μa RS = 50 kw 設計圖 P6.54 之電路使 vo = 5 sin wt mv 設電晶體參數 b = 120 VA = 且令 VCC = 5 V 6.62 如圖 P6.62 之共基極電路所有之電晶體為 2N2907A 其正常直流電流增益 b = 80 (a) 決定 ICQ 和 VECQ (b) 假設 hre = 0 利用 h 參數求小訊號電壓增益 A v = vo / vs 之範圍 (c) 求輸入和輸出電阻 Ri 和 Ro 之範圍圖 P

14 560 微電子學 D6.63 如圖 P6.62 之電路 VEE = VCC = 5 V b = 100 VA = RL = 1 kw RS = 0 (a) 設計一個電路使得小訊號電壓增益 Av = vo / vs = 25 和 VECQ = 3 V (b) 小訊號參數 gm rp ro 之值為何 6.9 節多級放大器 6.64 圖 P6.64 電路中每一個電晶體之參數為 b = 100 VA = (a) 對每一個電晶體求其小訊號參數 gm rp ro (b) 假設 vo1 為開路求小訊號電壓增益 Av1 = vo1 / vs 以及 Av2 = vo / vo1 (c) 求整體之小訊號電壓增益 Av = vo / vs (注意此時 vo1 不是開路) 使用 (b) 的結果來比較整體增益之值與 Av1 Av2 之不同圖 P 如圖 P6.65 之電路電晶體參數為 b = 120 VA = (a) 對每一個電晶體求小訊號參數 gm rp ro (b) 對每一個電晶體都畫出交流與直流負載線 (c) 求整體之小訊號電壓增益 A v = vo / vs (d) 求輸入電阻 Ris 和輸出電阻 Ro (e) 求輸出電壓的最大對稱擺幅圖 P6.65

15 第 6 章基本雙極電晶體放大器 6.66 如圖 P6.66 b = 100 VA = (a) 決定每一顆電晶體的 DC 集極電流 (b) 求小訊號電壓增益 A v = vo / vs (c) 求輸入及輸出電阻 Rib 及 Ro 圖 P 圖 P6.67 之每一個電晶體其參數均為 b = 100 VA = (a) 求 Q1 Q2 的 Q 點之值 (b) 求整體小訊號電壓增益 A v = vo / vs (c) 求輸入與輸出電阻 Ris 與 Ro 圖 P6.67 圖 P 如圖 P6.68 之達靈頓對等效電路 (a) 用 IBias 及 IC2 來表示 Ro 並考慮 ro1 與 ro2 (b) b = 100 VA = 100 V 在 (i) IC2 = IBias = 1 ma 及 (ii) IC2 = 1 ma IBias = 0 時求 Ro 561

16 562 微電子學 6.10 節功率上的考量 6.69 如圖 6.28 之電路其中電晶體參數 b = 100 VA = 100 V (a) 當 vs = 0 求在電晶體與 RC 上所消耗的功率 (b) 求在訊號不被扭曲下在 RC 上所能傳送的最大訊號功率 6.70 如圖 6.40 之電路電晶體參數 b = 120 ro = (a) 當 vs = 0 在 RE 和 RC 以及電晶體上所消耗的平均功率 (b) 求當訊號未被扭曲前送達 RC 之最大訊號功率為何 6.71 如圖 6.45 之電路使用例 6.10 之電路與電晶體參數 (a) 當 vs = 0 時求在電晶體 RE RC 所消耗之平均功率 (b) 求送達 RL 之最大非扭曲訊號功率此時在 RE RC 之訊號功率為何電晶體之平均消耗功率為何 6.72 如圖 6.60 之電路電晶體參數 b = 100 VA = 100 V 訊號源電阻 RS = 0 在下列情況下求送達 RL 之最大非扭曲訊號功率 (a) RL = 1 kw (b) RL = 10 kw 6.73 如圖 6.67 之電路參數與 TYU 6.14 相同 (a) 當 vs = 0 求電晶體所消耗之平均功率 (b) 求送達 R L 之最大非扭曲訊號功率以及電晶體和 RC 的平均消耗功率電腦模擬問題 6.74 考量例 6.2 利用 PSpice 分析厄利電壓對電路之小訊號特性有何影響 6.75 如圖 P6.75 之電路可用來模擬圖 6.42(c) 之電路若 VA = 60 V (a) 畫出電壓轉移特徵曲線即 vo 對 VBB 作圖 0 VBB 1 V (b) 固定 VBB 之電壓使得輸出電壓之直流值 vo 2.5 V 決定此時在 Q 點之小訊號電壓增益與例 6.9 之結果比較 6.76 利用 PSpice 驗證例 6.10 的結果 6.77 驗證例 6.14 射極隨耦器電路的輸入與輸出電阻 6.78 將 TYU 6.14 之共基極電路做 PSpice 分析另外當 VA = 80 V 求由電晶體集極所看入的輸出電阻為何與 ro = VA / ICQ 之值比較

17 第 6 章基本雙極電晶體放大器圖 P6.75 設計問題 [注意每一個設計均需用 PSpice 驗證 ] D6.79 設計共射極電路使得當驅動 RL = 5 kw 之負載時小訊號電壓增益 A v = 50 訊號源 vs = 0.02 cos wt V 訊號源電阻 RS = 1 kw 偏壓電壓為 ±5V 電晶體集極電流之最大限制為 10 ma 且電流增益在 80 b 150 間 D6.80 如圖 P6.41 之電路 VCC = 10 V RL = 1 kw 電晶體參數 b = 120 VA = (a) 設計這個電路使電流增益 Ai = 18 (b) 求 Rib 和 Ro (c) 求輸出電壓之最大對稱擺幅 D6.81 設計如圖 6.67 之共基極放大器電源供應為 ±10 V 訊號源之輸出電阻為 50 W 放大器之輸入電阻必須與其匹配輸出電阻 RL = 2 kw 輸出電壓要有最大的對稱擺幅為了維持線性運作 B E 間之訊號電壓需在 15 mv 以內同時假設電晶體之參數為 b = 150 並請說明電晶體所需之電流和功率額定值 (rating) D6.82 麥克風有峰值電壓 1 mv 輸出電阻 10 kw 設計一個放大系統來驅動 8 W 之喇叭產生 2 W 之訊號功率偏壓電源為 24 V 並假設使用之電晶體 b = 50 說明電晶體所需的電流和功率額定值 563

18 564 微電子學 D6.83 重新設計如圖 6.69 之二級放大器使得峰值為 ±3 V 之弦波可在輸出端獲得負載電阻仍為 RL = 5 kw 為了避免扭曲 C E 電壓至少 1 V 最大 9 V 並假設電晶體之 b = 100 而且 VA = 計算最後的小訊號電壓增益說明每一個電阻值和每一個電晶體之靜態點

第 5.1 節 5 章雙極接面電晶體基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之

第 5.1 節 5 章雙極接面電晶體基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之 430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下加在 npn 雙極電晶體上所需之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止順向主動模式飽和模式下之條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.