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1 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) 1. 概括描述 TC78P153 是采用低功耗高速 CMOS 工艺设计开发的 8 位微控制器其内部有 1024*13 位一次性可编程只读存储器 (OTP-ROM) 它提供一个保护用于防止用户在 OTP-ROM 中的程序被盗取 ; 拥有 15 个代码选项位以满足用户定制代码功能的需要利用其 OTP-ROM 特性,TC78P153 可以使用户方便的开发和校验程序. 2. 产品特性 CPU 配置 1K 13 位片内 ROM 32 8 位片内寄存器 (SRAM, 通用寄存器 ) 5 级堆栈用于子程序嵌套小于典型值为 15uA,@3V/32KHz 休眠模式下的典型值为 1uA I/O 端口配置 2 组双向 I/O 端口 :P5,P6 12 个 I/O 引脚唤醒端口 :P6 6 个可编程下拉 I/O 引脚 7 个可编程上拉 I/O 引脚 7 个可编程漏极开路 I/O 引脚外部中断 :P60 工作电压范围 : OPT 版本 : 工作电压范围 :2.3V~5.5V 工作温度范围 :0 ~70 工作频率范围 ( 基于 2 个时钟周期 ): 晶体模式 : DC~20MHz/2clks@5V;DC~100ns inst. cycle@5v DC~8MHz/2clks@3V;DC~250ns inst. cycle@3v DC~4MHz/2clks@2.3V;DC~500ns inst. cycle@2.3v HXT 系统频率与 LXT 系统频率的临界点为 400KHz. ERC 模式 : DC~4MHz/2clks@5V;DC~500ns inst. cycle@5v DC~4MHz/2clks@3V;DC~500ns inst. cycle@3v DC~4MHz/2clks@2.3V;DC~500ns inst. cycle@2.3v IRC 模式 : 振荡模式 :4MHZ, 8MHZ,1MHZ,455KHZ 制程漂移 :TYP±5.5%~±6% 温度偏差 :±10%(0 ~70 ) 第 1 页共 29 页

2 外设配置 8 位实时时钟 / 计数器 (TCC), 可编程选择其信号源触发边沿, 溢出产生中断三种中断源 : TCC 溢出中断输入端口状态改变中断 ( 可使微控制器从休眠模式唤醒 ) 外部中断专有特性自由运行的可编程看门狗定时器省电模式 ( 休眠模式 ) 可选振荡模式其它可编程振荡器启动时间的预分频比具备一个保护寄存器以防止 PTO ROM 中的程序代码被窃取具备一个配置寄存器以满足用户的需求一个指令周期包含两个时钟周期封装类型 : DIP-14 SOP 引脚分配 1 2 P P51 P P51 P P52 P P52 P P53 P P53 D VDD 4 11 VSS VDD 4 11 VSS P P60 P P60 P P61 P P61 P P62 P P62 DIP-14 SOP-14 C 第 2 页共 29 页

3 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) 4. 引脚描述表 1 78P153 引脚描述符号 I/O 类型功能 P66,P67 I/O * 通用 I/O 引脚 * 上拉 / 下拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 P65/OSCI I/O * 通用 I/O 引脚 * 外部时钟信号输入 *XT 振荡器输入引脚 * 上拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 P64/OSCO I/O * 通用 I/O 引脚 * 外部时钟信号输入 *XT 振荡器输入引脚 * 上拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 P63//RESET/Vpp I * 置为 /RESET 时低点平引起复位 * 编程电压输入引脚 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 * 正常模式下电压不得高于 Vdd * 置为 /RESET 时有上拉 P62/TCC I/O * 通用 I/O 引脚 * 上拉 / 下拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 * 外部时钟 / 计数器信号输入引脚 P61 I/O * 通用 I/O 引脚 * 上拉 / 下拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 * 编程模式下斯密特触发输入 P60/INT I/O * 通用 I/O 引脚 * 上拉 / 下拉 / 漏极开路 * 引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 * 编程模式下施密特触发输入 * 下降沿触发的外部中断输入引脚 P50 P51~P52 I/O * 通用 I/O 引脚 * 下拉 P53 I/O * 通用 I/O 引脚 VDD - 电源正极 VSS - * 电源地第 3 页共 29 页

4 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) 5. 功能描述 5.1. 操作寄存器 RO( 简介寻址寄存器 ) RO 并非实际存在的寄存器它的主要功能是作为间接寻址指针任何以 RO 为指针的指令, 实际上是对 RAM 选择寄存器 R4 所指向地址的数据内容进行操作 R1( 定时 / 计数器 ) TCC 引脚上的外部信号边沿或内部指令周期时钟触发 ( 由 CONT 寄存器的 TE 位设定 ), 会使 TCC 寄存器加 1. 像其他寄存器一样可读 / 写通过复位 PAB 位 (CONT-3) 设定如果 PAB bit (CONT-3) 被复位, 预分频器分配给 TCC. 写入一个值到 TCC 寄存器后,TCC 计数器的内容会被刷新 R2( 程序计数器 PC) 和堆栈根据具体的器件类型,R2 和硬件堆栈为 10 位宽图 3 描绘了相关结构图生成位程序指令代码的片内 OTP ROM 地址一个程序页为 1024 字长复位条件下,R2 所有位均清 0 "JMP" 指令直接加载程序计数器的低 10 位因此,"JMP" 允许 PC 跳转到一个程序页的任何位置 "CALL" 指令首先加载 PC 的低 10 位, 然后将 PC+1 推入堆栈因此, 子程序的入口地址可位于一个程序页的任何位置 "RET" ("RETL k", "RETI") 加载栈顶值到程序计数器 (PC) 中 "ADD R2,A" 允许将 A 存器的值加到当前 PC,PC 的第 9 和第 10 位清 0 "MOV R2,A" 允许从 A 寄存器中加载一个地址值到 PC 的低 8 位,PC 的第 9 和第 10 位保持不变第 4 页共 29 页

5 任何向 R2 写入的指令 ( 例如. "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6", 等 ) 将会使 PC 的第九和第十位 (A8~A9) 清零因此, 经计算后的跳转位置只能位于一个程序存储器页的头 256 地址空间中所有指令均是单指令周期指令 (fclk/2 或 fclk/4), 但会改变 R2 寄存器内容的指令除外, 这些指令的执行需要一个或多个指令周期 PC ( A9~A0 ) 堆栈级 1 堆栈级 2 堆栈级 3 堆栈级 4 堆栈级 5 图 5-2 程序计数器结构图复位向量中断向量片内程序存储器 000H 008H 3FFH 用户程序存储空间地址 R PAGE 寄存器 IOC PAGE 寄存器 00 R0 ( 简洁寻址寄存器 ) 保留 01 R1 ( 定时 / 计数器 ) CONT ( 控制寄存器 ) 02 R2 ( 程序计数器 ) 保留 03 R3 ( 状态寄存器 ) 保留 04 R4 (RAM 选择寄存器 ) 保留 05 R5 (Port5) IOC5 (I/O 端口控制寄存器 ) 06 R6 (Port6) IOC6 (I/O 端口控制寄存器 ) 07 保留保留 08 保留保留 09 保留保留 0A 保留保留 0B 保留 IOCB ( 下拉控制寄存器 ) 0C 保留 IOCC ( 漏极开路控制寄存器 ) 0D 保留 IOCD ( 上拉控制寄存器 ) 0E 保留 IOCE ( 看门狗定时器控制寄存器 ) 0F RF ( 中断转台寄存器 ) IOCF ( 中断屏蔽寄存器 ) 10 通用寄存器.. 2F T 图 5-3 数据存储器配置 S 第 5 页共 29 页 D F

6 5.1.4 R3( 状态寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RST GP1 GPO T P Z DC C Bit 7(RST): 复位类型位 0: 代表其它复位类型引发唤醒复位方式 1: 代表引脚状态改变引发控制器从休眠模式唤醒方式 Bit 6~5(GP1~0): 通用读 / 写位 Bit 4(T): 时间溢出标志位, 执行 SLEP 或 WDTC 指令或上电后置 1,WDT 溢出是清 0. Bit 3 (P): 省电标志位上电或执行 "WDTC" 指令时置 1, 执行 "SLEP" 指令时复位为 0 Bit 2 (Z): 零标志位当算术或逻辑运算的结果为 0 时置 1 Bit 1 (DC): 辅助进位标志位 Bit 0 (C): 进位标志位 R4(RAM 选择寄存器 ) Bits 7 ~ 6: 为通用读 / 写位见图 4 数据存储器配置 Bits 5 ~ 0: 在间接寻址模式下, 用于选择寄存器 ( 地址 :10F~2F) 参见图 4 所示数据存储器结构 R5 ~ R6 (Port 5 ~ Port 6) R5 和 R6 为 I/O 寄存器 R5 寄存器仅低 4 位可用 R5 寄存器的高 4 位固定为 0 P63 仅用作输入引脚 RF( 中断状态寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit EXIF ICIF TCIF 1 表示有中断请求, 0 表示没有中断产生 Bits 7 ~ 3: 未用 Bit 2 (EXIF): 外部中断标志位由 /INT 引脚信号的下降沿触发置 1, 由软件清零 Bit 1 (ICIF): Port 6 输入状态改变中断标志位 Port 6 输入状态改变时触发置 1, 由软件清零 Bit 0 (TCIF): TCC 溢出中断标志位 TCC 溢出时置 1, 由软件清零 RF 寄存器可由指令清零, 但不由指令置 1 IOCF 寄存器为中断屏蔽寄存器注意 : 从 RF 寄存器中的读取值为 RF 值和 IOCF 值的逻辑与的结果 R10~R2F 通用寄存器 5.2. 特殊功能寄存器 A( 累加器 ) 用于内部数据传输, 或指令操作数保持不可寻址第 6 页共 29 页

7 第 7 页共 29 页 CONT( 控制寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 Bit 7: 未使用 Bit 6 (INT): 中断使能标志位. 0: 被 DISI 或硬件中断屏蔽 Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位 1: 被 ENI/RETI 指令使能 0: 内部指令周期时钟,P62 为双向 I/O 引脚 1: TCC 引脚的跳变信号 Bit 4 (TE): TCC 信号边沿选择位 0: TCC 引脚信号由低变到高时 TCC 计数器加 1 1: TCC 引脚信号由高变到低时 TCC 计数器加 1 Bit 3 (PAB): 预分频器分配位 0: TCC 1: WDT Bit 2 (PSR2) ~ 0 (PSR0): TCC/WDT 预分频比选择位 PSR2 PSR1 PSR0 TCC RATE WDT RATE : 2 1: : 4 1: : 8 1: : 16 1: : 32 1: : 64 1: : 128 1: : 256 1: 128 CONT 寄存器可读写 IOC5~IOC6 (I/O 控制寄存器 ) 为 1 时, 相关 I/O 引脚置为高阻态 ; 为 0 时, 相关 I/O 引脚置为输出 IOC5 寄存器仅低 4 位可被有效定义 IOC5 和 IOC6 均为可读 / 写寄存器 IOCB( 下拉控制寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - /PD6 /PD5 /PD4 - /PD2 /PD1 /PD0 Bit 7: 未使用 0: 使能内部下拉功能 1: 禁止内部下拉功能 Bit 6 (/PD6): P62 引脚下拉功能使能控制位 Bit 5 (/PD5): P61 引脚下拉功能使能控制位 Bit 4 (/PD4): P60 引脚下拉功能使能控制位 Bit 3: 未使用 Bit 2 (/PD2): P52 引脚下拉功能使能控制位 Bit 1 (/PD1): P51 引脚下拉功能使能控制位 Bit 0 (/PD0): P50 引脚下拉功能使能控制位 IOCB 为可读 / 写寄存器 IOCC ( 漏极开路控制寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 OD7 OD6 OD5 OD4 - OD2 OD1 OD0 Bit 7 (OD7): P67 引脚漏极开路功能使能控制. 0: 禁止漏极开路输出 1: 使能漏极开路输出 Bit 6 (OD6): P66 引脚漏极开路功能使能控制位

8 Bit 5 (OD5): P65 引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 4 (OD4): P64 引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 3: 未使用 Bit 2 (OD2): P62 引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 1 (OD1): P61 引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 0 (OD0): P60 引脚漏极开路功能使能控制位第 8 页共 29 页 IOCC 为可读 / 写寄存器 IOCD ( 上拉控制寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 - /PH2 /PH1 /PH0 Bit 7 (/PH7): P67 引脚上拉功能使能控制位 0: 使能内部上拉功能 1: 禁止内部上拉功能 Bit 6 (/PH6): P66 引脚上拉功能使能控制位 Bit 5 (/PH5): P65 引脚上拉功能使能控制位 Bit 4 (/PH4): P64 引脚上拉功能使能控制位 Bit 3: 未使用 Bit 2 (/PH2): P62 引脚上拉功能使能控制位 Bit 1 (/PH1): P61 引脚上拉功能使能控制位 Bit 0 (/PH0): P60 引脚上拉功能使能控制位 IOCD 为可读 / 写寄存器 IOCE (WDT 控制寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 WDTE EIS Bit 7 (WDTE): 看门狗定时器使能控制位 0: 禁止 WDT. 1: 使能 WDT. WDTE 为可读 / 写位 Bit 6 (EIS): 定义 P60(/INT) 引脚功能的控制位 0: P60, 双向 I/O 引脚 1: /INT, 外部中断输入引脚在此情况下,P60 引脚的 I/O 控制位 (IOC6 的 bit 0) 必须置为 1 当 EIS 位为 0,/INT 通道被屏蔽当 EIS 为 1,/INT 引脚状态也可通过读 Port 6 (R6) 寄存器的方式来读取参考图 7 EIS 为可读 / 写位 Bit 5 ~ 0: 未使用 IOCF ( 中断屏蔽寄存器 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit EXIE ICIE TCIE Bit 7 ~ 3: 未使用各中断可通过设置 IOCF 寄存器的相应控制位为 1 使能全局中断可通过执行 ENI 指令使能, 通过执行 DISI 指令禁止参考图 9 Bit 2 (EXIE): EXIF 中断使能位. 0: 禁止 EXIF 中断 1: 使能 EXIF 中断 Bit 1 (ICIE): ICIF 中断使能位 0: 禁止 ICIF 中断 1: 使能 ICIF 中断 Bit 0 (TCIE): TCIF 中断使能位 0: 禁止 TCIF 中断 1: 使能 TCIF 中断 IOCF 为可读 / 写寄存器

9 5.3. TCC/WDT 预分频器 TCC 和 WDT 共用一个由 8 位计数器构成的预分频器在某一时刻, 预分频器只能分配给 WTD 和 TCC 两者之一由 CONT 寄存器的 PAB 位设置预分频器的分配情况,PSR0~PSR2 设置预分频比在 TCC 模式下, 每次向 TCC 寄存器写入值都会刷新 TCC 计数器在 WDT 模式下, 看门狗定时器由 WDTC 指令清零图 5-4 描绘了 TCC/WDT 的电路图 R1 (TCC) 为 8 位定时器 / 计数器 TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟 ( 由 TCC 引脚输入, 触发沿可选择 ) 如果是内部时钟, 每个指令周期 TCC 加 1( 无预分频器 ) 由图 5 可知, 指令周期是 2 个还是 4 个时钟周期由代买选择寄存器 CLKS 位决定 CLKS=0 则 CLK=Fosc/2, CLKS= Fosc/4. 如果是外部时钟, 则 TCC 由外部信号边沿触发 WDT 是一个自由运行的片内 RC 振荡器当振荡驱动器关闭后,WDT 依然运行, 如在休眠模式下即如此 WDT 溢出将引起复位 ( 若 WDT 使能 ) 在正常工作下,WDT 可由软件设置 IOCE 寄存器的 WDTE 位来使能或禁止在没有预分频情况下,WDT 溢出周期约为 18ms I/O 端口 I/O 端口 PORT5 PORT6 均为双向三态 I/O 口 P6 口除了 P63 外都可由软件设置为内部上拉或漏极开路输出 P6 口具有输入状态变化中断 ( 或唤醒 ) 功能 P50~P52 P60~P62 可由软件设置为下拉除 P63 外, 各 I/O 引脚可由 I/O 控制寄存器设置为输入或输出 I/O 寄存器和 I/O 控制寄存器均可读写 I/O 借口电路如图第 9 页共 29 页

10 第 10 页共 29 页

11 第 11 页共 29 页

12 (Ⅰ)Port 6 输入状态改变触发唤醒表 1 Port 6 输入状态改变唤醒 / 中断功能的用法 Port6 输入状态改变唤醒 / 中断功能的用法 (Ⅱ)Port 6 输入状态改变中断 (a) 休眠前 1. 读 Port 6 (b) 唤醒后 1. 禁止 WDT 2. 执行 ENI 2. 读 Port 6 3. 使能中断 ( 置 1I OCF.1) 3. 执行 ENI 或 DISI 指令 4. 如果 Port 6 输入状态改变 ( 中断 ) 4. 使能中断 ( 置 1LOCF.1) 中断向量 (008H) 5. 执行 SLEP 指令 5.5. 复位与唤醒 1. 如果 ENI 中断向量 (008H) 2. 如果 DISI 下一条指令复位与唤醒功能复位可由下面情况引发 : (1) 上电复位 (2)/RESET 引脚输入为低 (3)WDT 溢出 ( 若 WDT 使能 ) 检测到复位状态后, 器件将保持在周期为大约 18ms 2 ( 振荡器起振时间周期 ) 的复位状态下一旦发生复位, 以下操作将被执行, 参考图 10. 振荡器运行或起振 ( 休眠模式下 ) 程序计 (R2) 所有位都设置为 0 所有 I/O 端口引脚被配置为输入模式 ( 高阻态 ) 看门狗定时器和预分频器清零上电后,R3 寄存器的高 3 位清零 CONT 寄存器中, 除 Bit 6 (INT 标志位 ) 外, 其它所有位都置为 1 IOCB 寄存器的所有位置为 1 IOCC 寄存器清零 IOCD 寄存器的所有位置为 1 IOCE 寄存器的 Bit 7 置 1,Bit 4 和 Bit 6 清零 RF 寄存器的 Bits 0~2 和 IOCF 寄存器的 bits 0~2 清零执行 SLEP 指令可进入休眠模式 ( 省电模式 ) 进入休眠模式时,WDT( 若使能 ) 清 0 但继续运行. 微控制器可被如下情况唤醒 : A) /RESET 引脚的外部复位信号输入 B) WDT 溢出 ( 若使能 ) C) PORT6 端口输入状态改变 ( 若使能 ) 前两种情况引起 78P153 复位 R3 的 T P 标志可用于确定复位源第 3 种情况下唤醒后程序继续执行, 由中断状态来决定程序是否装入中断处理程序如果在 SLEP 指令执行前执行 ENI 指令, 程序将从地址 0X08 处执行中断处理如果在执行 SLEP 指令前执行 DISI 指令, 程序将从 SLEP 指令后继续执行第 12 页共 29 页

13 进入休眠状态前,B C 两种情况只有一种可被使能即 ⅰ. 如果休眠前 PORT6 输入唤醒使能, 则 WDT 应由软件禁止 ( 代码选择寄存器中 WDT 仍为使能 ) 因此,78P153 可被 A C 两种情况唤醒 ⅱ. 如果 WDT 使能, 则 PORT6 输入唤醒应禁止因此,78P153 可被 A B 两种情况唤醒注意 : 如果 PORT6 输入编号中断呗用于唤醒单片机, 则如下指令在 SLEP 指令前执行 : MOV ; 选择 TCC 内部时钟 CONTW CLR R1 ; TCC 和预分频器清 0 MOV ; 选择 WDT 预分频 CONTW WDTC ; 清 WDT 和预分频器 MOV ; WDT 禁止 IOW RE MOV R6, R6 ; 读 PORT6 端口 MOV ; 使能 PORT6 输入变化中断 IOW RF ENI (OR DISI ) SLEP / 禁止操作 ; 使能 ( 或禁止 ) 全局中断 ; 进入休眠模式 1. 从休眠模式唤醒后,WDT 被自动使能所以在从休眠模式唤醒后, 应该在程序中合理的定义 WDT 使能 2. 为防止在 Port 6 输入状态改变中断进入中断向量或被用作唤醒 MCU 时产生复位,WDT 预分频比必须设置为大于 1: 寄存器初值总结 Address Name Reset Type Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Bit Name x x x x C53 C52 C51 C50 N/A IOC5 Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P Bit Name C67 C66 C65 C64 C63 C62 C61 C60 N/A IOC6 Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name X X X X P53 P52 P51 P50 0x05 P5 Power-on /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin P P P P P P P P 第 13 页共 29 页

14 0x06 N/A 0x00 0x01 0x02 0x03 0x04 0x0F P6 CONT R0(IAR) R1(TCC) R2(PC) R3(SR) R4(RSR) RF(ISR ) Bit Name P67 P66 P65 P64 P63 P62 P61 P60 Power-on /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name X /INT TS TE PAB PSR 2 PSR Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin 0 P P P P P P P Bit Name Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin *P *P *P *P *P *P *P *P Bit Name RST GP1 GP0 T P Z DC C Power-on 0 U U 1 1 U U U /RESET and WDT 1 P P t t P P P Wake-up from Pin 1 P P t t P P P Bit Name GP2 GP1 GP Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin P P P P P P P P 1 PSR0 Bit Name X X X X X EXI ICIF TCIF F Power-on /RESET and WDT 第 14 页共 29 页

15 0x0B 0x0C 0x0D 0x0E 0x0F 0x10~0 x2f IOCB IOCC IOCD IOCE IOCF R10~R2F 第 15 页共 29 页 Wake-up from Pin P P P Bit Name X PD6 PD5 PD4 X PD2 PD2 PD0 Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name OD7 OD6 OD5 OD4 X OD2 OD1 OD0 Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P P P P P Bit Name /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 X /PH2 /PH1 /PH0 Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Bit Name P P P P P P P P WDT C EIS X X X X X X Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P Bit Name X X X X X EXIE ICIE TCIE Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin P P P P Bit Name Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin 惯例 : X: 未使用 U: 未知或不用关心 -: 未定义 P: 复位前的值 * 参考下节表格 (5.5.3 节 ) 状态寄存器的 RST,T 和 P 的状态复位可由以下事件引发 : 1. 上电, 2. /RESET 引脚上的高 - 低 - 高信号脉冲. 3. 看门狗定时器溢出可用表 4 中的 RST T 和 P 标志位的取值判断唤醒处理器的事件源 P P P P P P P P

16 表 5 显示了可能会影响 RST T 和 P 标志位状态的事件表 2 复位后 RST T 和 P 标志位的值复位类型 RST T P 上电正常模式下的 /RESET 引脚信号引发复位 0 *P *P 休眠模式下 /RESET 引脚信号触发唤醒正常模式下的 WDT 溢出复位 0 0 P 休眠模式下的 WDT 溢出唤醒休眠模式下的引脚输入状态改变触发唤醒表 3 事件发生后 RST T 和 P 的状态 *P: 复位前的值事件 RST T P 上电 WDTC 指令 *P 1 1 WDT 溢出 0 0 *P SLEP 指令 *P 1 0 休眠模式下引脚状态改变触发唤醒 *P: 复位前的值 5.6. 中断图 5-9 控制器复位结构图 78P153 有如下三种下降沿触发中断源 : (1) TCC 溢出中断 (2) Port 6 输入状态改变中断 (3) 外部中断 [(P60, /INT) 引脚 ] 第 16 页共 29 页

17 在使能 Port 6 输入状态改变中断前, 读 Port 6 端口状态 ( 例如 :"MOV R6,R6") 是必要的当引脚状态改变时,Port 6 的每个引脚均具有此特性但当引脚被配置为输出或 P60 引脚配置为 /INT 时, 相应引脚则失去此功能特性当通过执行 SLEP 指令使控制器进入休眠模式前,Port 6 输入状态改变功能被使能, 则 Port 6 输入状态改变中断可使 78P153 从休眠模式唤醒器件唤醒后, 如果全局中断被禁止, 控制器将从 SLEP 指令的下一条指令处开始执行 ; 如果全局中断被使能, 控制器将跳转到中断向量 008H 处开始执行 RF 寄存器是中断状态寄存器, 它的相应标志位记录对应的中断请求 IOCF 寄存器是中断屏蔽寄存器全局中断可通过执行 ENI 指令使能, 通过执行 DISI 指令禁止当产生某个中断 ( 若使能 ), 程序计数器将跳转到地址 008H 处在中断服务子程序中, 可通过查询 RF 寄存器的标志位的状态判断中断源在离开中断服务子程序前, 必须通过指令清除中断标志位, 这样可避免中断嵌套当有中断请求时, 不管其相应中断屏蔽位的状态如何或者是否执行了 ENI 指令使能全局中断, 中断状态寄存器 (RF) 中的相应标志位 (ICIF 位除外 ) 都将被置 1 注意, 从 RF 寄存器读取的值是 RF 和 IOCF 的逻辑与的结果 ( 参考图 5-10) RETI 指令结束中断服务子程序并使能全局中断 ( 执行 ENI) 当中断是由外部中断源 INT 产生 ( 若使能 ), 程序计数器将会跳转到 001 地址处 5.7. 振荡器图 5-10 中断输入电路振荡模式 78P153 可运行在四种不同的振荡模式下, 即 : 内部 RC 振荡模式 (IRC) 外部 RC 振荡模式 (ERC) 高频晶振模式 (HXT) 和低频晶振模式 (LXT) 用户可通过编程设置代码选项寄存器的 OSC1 和 OSC2 位选择某种振荡模式下表显示了这四种模式的定义方式表 5-4 由 OSC 定义的振荡器模式振荡模式 OSC1 OSC2 第 17 页共 29 页

18 IRC ( 内部 RC 振荡器模式 ) 1 1 ERC ( 外部 RC 振荡器模式 ) 1 0 HXT ( 高频晶振模式 ) 0 1 LXT ( 低频晶振模式 ) 0 0 注 : HXT 和 LXT 的系统频率临界点为 400kHz. 下表列出了晶体 / 谐振器在不同 VDD 条件下的最大工作频率表 5-5 最大工作频率总结条件 Vdd ( V ) 最高频率 ( MHz ) 1 个指令周期包含 2 个时钟周期晶体振荡器 / 陶瓷谐振器 (XTAL) 78P153 可由通过 OSCI 引脚输入的外部时钟信号驱动, 如下图所示图 5-11 外部时钟输入电路在大多数应用中, 引脚 OSCO 和 OSCI 引脚通常连接一个晶体或陶瓷谐振器来产生振荡, 图 5-12 描绘了一个这样的电路 HXT 模式和 LXT 模式都是以此种方式产生振荡如图在陶瓷振荡模式电路中必须在 OSCI 与 OSCO 之间串接阻值 1MΩ 的电阻 R1. 图 5-12 晶体谐振器电路第 18 页共 29 页

19 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) C1 OSC I B 78P1 53A R1 Reso nator OSC O C2 图陶瓷谐振器电路表 8 中提供了 C1 和 C2 的参考建议值因为每个谐振器都有它自己的属性, 用户应参考它的用户手册以选择合适的 C1 和 C2 对于 AT strip cut 型警惕或低频模式, 可能需要一个串接电阻 RS A 表 5-6 晶体振荡器或陶瓷谐振器匹配电容选择指南振荡模式频率模式频率 C1 ( PF ) C2 ( PF ) 陶瓷谐振腔晶体振荡器 HXT LXT 1 2 HXT 455KHz 100~ ~ MHz 20~40 20~ MHz 10~30 10~ KHz KHz KHz KHz 20~40 20~ MHz 15~30 15~ MHz MHz 注 : C1 和 C2 值仅供参考外部 RC 振荡模式对于一些不需要精确计时的应用,RC 振荡器 ( 图 5-13) 提供了一种大幅节省成本的方案然而, 应该注意到,RC 振荡器的频率会受供电电压电阻 (Rext) 电容 (Cext) 甚至工作温度的影响另外, 因为生产过程的差异, 一个器件的频率与另外一个器件的频率也会存在细微的差别为了维持在一个稳定的系统频率下,Cext 值应该大于 20 pf,rext 值不高于 1 M 如果它们不在此范围内, 系统频率很容易受噪声湿度和漏电流的影响在 RC 振荡模式中,Rext 值越小, 其振荡频率越快相反, 对一个非常小的 Rext 值, 例如 1 K, 振荡器将变得不稳定因为 NMOS 不能及时的释放电容电荷基于以上原因, 必须时刻牢记, 供电电压工作温度 RC 振荡器的元件特性封装类型 PCB layout 等因素都会对系统频率产生影响第 19 页共 29 页

20 4 5 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) 6 VCC Rex t OSC I 78P 153 Cex t 图 5-13 图 5-13 外部 RC 振荡模式电路表 5-7 RC 振荡频率电容电阻平均 Fosc 5V,25 平均 Fosc 3V, 25 ) 20PF 100PF 300PF 3.3K MHz MHz 5.1K MHz 2. 6 MHz 10K 1.4 MHz 1.4 MHz 100K 150 KHz 156 KHz 3.3K 1. 4 MHz MHz 5.1K 940 KHz 917 KHz 10K 476 KHz 480 KHz 100K 50 KHz 52 KHz 3.3K 595 KHz 570 KHz 5.1K 400 KHz 384 KHz 10K 200 KHz 203 KHz 100K KHz 20 KHz 1 注 : : 数据在 DIP 封装类型上测量 2 : 以上数据仅用作设计参考 3 : 频率偏移为 ±30% 内部 RC 振荡模式 78P153 提供了种通用的内部 RC 模式其默认频率为 4MHz 内部 RC 振荡模式还有其它频率值 :8MHz 1MHz 和 455KHz, 可通过编程设置代码选项位 RCM1 和 RCM0 选择内部 RC 振荡模式的四个频率值这四个主频均可通过编程代码选项位 CAL0~CAL2 进行校准表 5-8 描述了 78P153 随供电电压温度和制程变化的内部 RC 频率偏移率表 5-8 内部 RC 频率偏移率 (Ta=25, VDD=5 V± 5%, VSS=0V) 第 20 页共 29 页

21 内部 RC 温度 (0 ~70 ) 电压 (2.3V~5.5V) 偏移率 8MHz ±3% ±5% ±10% ±18% 4 MHz ±3% ±5% ±10% ±13% 1 MHz ±3% ±5% ±10% ±18% 455KHz ±3% ±5% ±10% ±18% 制程注 : 以上数据为理论值, 仅用作设计参考实际值可能随实际支出而有所不同 5.8 代码选项寄存器 78P153 有一个代码选项字, 它不位于用户程序存储空间在执行用户程序时, 这些位不可被存取总计代码选项寄存器和用户 ID 寄存器组织如下 : Word0 Word1 Word2 Bit12~ Bit0 Bit1~ Bit0 Bit12~ Bit 代码选项寄存器 (Word 0) Word0 Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RESET /ENWDT CLK OSC1 OSC2 CS SUT1 SUTO TYPE RCOUT C2 C1 C0 Bit 12 (/RESET): 定义引脚 7 为复位引脚 0: 使能 /RESET 1: 禁止 /RESET Bit 11 (/ENWTD): 看门狗定时器使能位 0: 使能 1: 禁止注意 : 当应用 port 6 引脚状态变化唤醒功能时, 此位必须使能, 但 WDTE 位 (IOCE 寄存器的 bit 6) 必须禁止 Bit 10 (CLKS): 指令周期选择位 0: 两个振荡周期 1: 四个振荡周期 Bit 9 and Bit 8 ( OSC1 and OSC0 ): 振荡模式选择位表 5-9 由 OSC1 和 OSC0 定义的振荡模式振荡模式 OSC1 OSC2 IRC( 内部 RC 振荡器模式 ) 1 1 ERC( 外部 RC 振荡器模式 ) 1 0 HXT( 高频 XTAL 振荡器模式 ) 0 1 LXT( 低频 XTAL 振荡器模式 ) 0 0 注 : HXT 和 LXT 系统频率的临界点为 400kHz. Bit 7 (CS): 代码保护位 0: 开启保护 1: 关闭保护 Bit 6 与 Bit 5 ( SUT1 and SUT0 ): 器件启动时间选择位表 5-10 器件启动时间选择位 SUT1 SUT0 * 启动时间第 21 页共 29 页

22 1 1 18ms ms ms ms Bit 4 (Type):78P153 器件类型选择位类型 * 表中数据为理论值, 仅供参考系列 0 78P153 1 X Bit 3 (RCOUT): P64/OSCO 复用引脚用作振荡输出或 I/O 端口选择位 RCOUT 引脚功能 0 P64 1 OSCO Bit 2, Bit 1 和 Bit 0 ( C2, C1, C 0 ): 内部 RC 模式频率校准位 C2,C1,C0 必须设置为 1 代码选项寄存器 (Word 1) WORD1 Bit1 Bit0 RCM1 RCM0 Bit 1, and Bit 0 ( RCM1, RCM0): RC 模式选择位 RCM1 RCM0 * 频率 (MHz) KHz 用户 ID 寄存器 (Word 2) Bit12~ Bit0 XXXXXXXXXXXXX Bit 12~ 0: 用户的 ID 代码 5.9 上电探讨在供电电压达到稳定状态前, 任何微控制器都不能确保正常工作在用户应用中, 当电源关闭,Vdd 在电源再次开启前, 必须降到 1.8V 以下并保持在关断状态大约 10us 这样 78P153 将会复位并正常工作如果 Vdd 上升得非常快 (50 ms 或更少 ), 额外的外部复位电路将工作的非常好但是在涉及到关键应用的大多数情况下, 可能需要额外的器件来辅助解决上电问题 5.10 编程设置振荡器启动时间代码选项字中的 SUT0 和 SUT1 可定义振荡器的启动时间理论上, 启动时间范围在 4.5ms 到 72ms 第 22 页共 29 页

23 2 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) 对于大多振器, 工作频率越低, 所需的启动时间越长表 12 显示了振荡器启动时间值 5.11 外部上电复位电路 3 4 下图提供了一个利用外部 RC 电路产生复位脉冲的电路脉冲宽度 ( 时间常数 ) 应该足够长以使 Vdd 达到最低工作电压此电路用在供电电压上升很慢的情况因为 /RESET 引脚的漏电流大约为 ±5 ma, 因此建议 R 值不要大于 40 KΩ 此时,/RESET 引脚电压保持在 0.2V 以下二极管 (D) 在掉电时作为短路回路电容 C 将快速充分放电限流电阻 Rin 可防止高电流或 ESD( 静电释放 ) 灌入 /RESET 引脚 VDD /RES ET R D 78P1 53 Rin C 4 图 5-14 外部上电复位电路残留电压保护更换电池时, 器件电源 (Vdd) 关断, 但仍会存在残留电压残留电压可能会掉到低于最小工作电压 Vdd, 但不为零此条件可能触发一个不良上电复位下面两图显示了怎样为 78P153 简历残留电压保护电路 VDD VDD 78P1 53 Q1 33K 10K /RES ET 100K IN46 84 图 5-15 残留电压保护电路 1 第 23 页共 29 页

24 C TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) VDD VDD 78P1 53 Q1 R1 /RES ET R3 R2 B 图 5-16 残留电压保护电路 2 注 : * 图 5-15 和图 5-16 所示电路在设计上应该保证 /RESET 引脚电压高于 VIH(min) 指令集指令集中的每条指令均是 13 位指令分为一个操作码和一个或多个操作一般情况下, 除非指令的执行改变了程序计数器的值 ("MOV R2,A", "ADD R2,A") 或者对 R2 的算术或逻辑操作 ( 例如. "SUB R2,A", "BS (C) R2,6", "CLR R2", )., 否则执行所有的指令都只占用单个指令周期 ( 一个指令周期包含 2 个振荡周期 ) 对于前面两种特殊的指令, 执行指令需要两个指令周期如果由于某种原因, 指令周期不适合特定应用, 可尝试做如下修改 : (A) 改变指令周期为包含 4 个振荡周期 A (B) 在两个指令周期内执行,"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI" 或条件测试结果为真的条件转移指令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA") 和向程序计数器写入的指令的执行均占用两个指令周期事件 (A) 可通过设置代码选项位 CLK 来选择, 如果 CLK 为 0, 则一个指令周期包含两个振荡周期 ; 如果 CLK 为 1, 则一个指令周期包含 4 个振荡周期注意 : 一旦在事件 (A) 中选择一个指令周期包含 4 个振荡周期,TCC 的内部时钟源应为 CLK=Fosc/4, 而不是图 5 所示的 Fosc / 另外, 指令集具有如下特性 : (1) 任何寄存器的每个位都可被置 1 清零或直接测试 (2) I/O 寄存器可被当作通用寄存器也就是, 相同的指令可操作 I/O 寄存器符号 R 表示一个寄存器指示符, 用来指定指令操作哪个寄存器 ( 包括操作寄存器和通用寄存器 ) b 表示一个位指示符, 指定位于 R 寄存器中会影响操作的位 K 代表一个 8 位或 10 位常数或立即数二进制指令十六进制助记符操作受影响标志位 NOP 空操作无 DAA A 累加器十进制调整 C CONTW A CONT 无 SLEP 0 WDT, 振荡器停振 T,P WDTC 0 WDT T,P rrrr 000r IOWR A IOCR 无 ENI 使能全局中断无 DISI 禁止全局中断无第 24 页共 29 页 1

25 第 25 页共 29 页 RET [ 栈顶 ] PC 无 RETI 栈顶 ] PC, 使能全局中断无 CONTR CONT A 无 rrrr 001r IOR R IOCR A 无 rr rrrr 00rr MOV R,A A R 无 CLAR 0 A Z rr rrrr 00rr CLR R 0 R Z rr rrrr 01rr SUB A,R R-A A Z,C,DC rr rrrr 01rr SUB R, A R-A R Z,C,DC rr rrrr 01rr DECA R R-1 A Z rr rrrr 01rr DEC R R-1 R Z rr rrrr 02rr OR A,R A VR A Z rr rrrr 02rr OR R,A A VR R Z rr rrrr 02rr AND A,R A & R A Z rr rrrr 02rr AND R,A A & R R rr rrrr 03rr XOR A,R A R A Z rr rrrr 03rr XOR R,A A R R Z rr rrrr 03rr ADD A,R A + R A Z.C,DC rr rrrr 03rr ADD R,A A + R R Z,C,DC rr rrrr 04rr MOV A,R R A Z rr rrrr 04rr MOV R,R R R Z rr rrrr 04rr COMA R /R A Z rr rrrr 04rr COM R /R R Z rr rrrr 05rr INCA R R+1 A Z rr rrrr 05rr INC R R+1 R Z rr rrrr 05rr DJZA R R-1 A, 值为零则跳过下条指令无 rr rrrr 05rr DJZ R R-1 R, 值为零则跳过下条指令无 rr rrrr 06rr RRCA R R(n) A(n-1),R(0) C, C A(7) C rr rrrr 06rr RRC R R(n) R(n-1),R(0) C, C R(7) C rr rrrr 06rr RLCA R R(n) A(n+1),R(7) C, C A(0) C rr rrrr 06rr RLC R R(n) R(n+1),R(7) C, C R(0) C rr rrrr 07rr SWAPA R R(0-3) A(4-7),R(4-7) A(0-3) 无 rr rrrr 07rr SWAP R R(0-3) R(4-7) 无 rr rrrr 07rr JZA R R+1 A, 值为零则跳过下条指令无 rr rrrr 07rr JZ R R+1 R, 值为零则跳过下条指令无 0 100b bbrr rrrr 0xxx BC R,b 0 R(b) 无 0 101b bbrr rrrr 0xxx BS R,b 1 R(b) 无 0 110b bbrr rrrr 0xxx JBC R,b 如果 R(b)=0, 跳过下条指令无 0 111b bbrr rrrr 0xxx JBS R,b 如果 R(b)=1, 跳过下条指令无 1 00kk kkkk kkkk 1kkk CALL k PC+1 [SP],(Page, k) PC 无 1 2 3

26 1 01kk kkkk kkkk 1kkk JMP k (Page, k) PC 无 kkkk kkkk 18kk MOV A,k k A 无 kkkk kkkk 19kk OR A,k A k A Z kkkk kkkk 1Akk AND A,k A & k A Z kkkk kkkk 1Bkk XOR A,k A k A Z kkkk kkkk 1Ckk RETL k k A,[ 栈顶 ] PC 无 kkkk kkkk 1Dkk SUB A,k k-a A Z.C,DC E01 INT PC+1 [SP],001H PC 无 kkkk kkkk 1Fkk ADD A,k k+a A Z.C,DC 注 : 1 此指令仅适用于 IOC5~IOC6, IOCB ~ IOCF 2 指令不建议用于操作 RF 寄存器 3 此指令不能操作 RF 寄存器 6. 最大绝对值项目范围温度范围 0 到 70 存储温度 -65 到 150 输入电压 -0.3V 到 +6.0V 输出电压 -0.3V 到 +6.0V 7. 电气特性 7.1. 直流电气特性 (Ta=0 ~70,VDD=5.0V±5%,VSS=0V) 符号参数条件最小值典型值最大值单位 Fxt XTAL: VDD 到 2.3V 1 条指令周期为 2 个时钟周期 DC 4.0 MHz Fxt XTAL: VDD 到 3V 1 条指令周期为 2 个时钟周期 DC 8.0 MHz Fxt XTAL: VDD 到 5V 1 条指令周期为 2 个时钟周期 DC 20.0 MHz ERC RC: VDD 到 5V R: 5K, C: 39 pf F-30% 1500 F+30% KHz IIL 输入引脚输入漏电流 VIN = VDD, VSS ±1 µa VIHI 输入高电压 (VDD=5.0V) Ports 5, V VILI 输入低电压 (VDD=5.0V) Ports 5, V VIHTI 输入高临界电压 (VDD=5.0V) /RESET, TCC ( 施密特触发 ) 2.0 V VILTI 输入低临界电压 (VDD=5.0V) /RESET, TCC ( 施密特触发 ) 0.8 V VIHXI 时钟输入高电压 (VDD=5.0V) OSCI 2.5 V VILXI 时钟输入低电压 (VDD=5.0V) OSCI 1.0 V VIH2 输入高电压 (VDD=3.0V) Ports 5, V 第 26 页共 29 页

27 VIL2 输入低电压 (VDD=3.0V) Ports 5, V VIHT2 输入高临界电压 (VDD=3.0V) /RESET, TCC ( 施密特触发 ) 1.5 V VILT2 输入低临界电压 (VDD=3.0V) /RESET, TCC ( 施密特触发 ) 0.4 V VIHX2 时钟输入高电压 (VDD=3.0V) OSCI 1.5 V VILX2 时钟输入低电压 (VDD=3.0V) OSCI 0.6 V VOH1 输出高电压 (Ports 5, 6) (P60~P63, P66~P67 为施密特触发 ) VOL1 输出低电压 (P50~P53, P60~P63, P66~P67), (P60~P63, P66~P67 为施密特触发 ) IOH = ma 2.4 V IOL = 12.0 ma 0.4 V VOL2 输出低电压 (P64,P65) IOL = 16.0 ma V IPH 上拉电流激活上拉, 输入引脚接 VSS ma IPD 下拉电流激活下拉, 输入引脚接 VDD µa ISB1 省电电流所有输入引脚和 I/O 引脚接 VDD, 输出引脚悬空,WDT 禁止 ISB2 省电电流所有输入引脚和 I/O 引脚接 ICC1 ICC2 ICC3 ICC4 工作供电电流 (VDD=3V) 在 2 个 CLKS 工作供电电流 (VDD=3V) 在 2 个 CLKS 工作供电电流 (VDD=5.0V) 在 2 个 CLKS 工作供电电流 (VDD=5.0V) 在 2 个 CLKS VDD, 输出引脚悬空,WDT 使能 /RESET= ' 高 ', Fosc=32KHz ( 晶振类型,CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT 禁止 /RESET= ' 高 ', Fosc=32KHz ( 晶振类型,CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT 使能 /RESET= ' 高 ', Fosc=4MHz ( 晶振类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空 /RESET= ' 高 ', Fosc=10MHz ICC4 ( 晶振类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空注 :* 这些参数为特性值并已经过测试 7.2 交流电气特性 (Ta=0 ~ 70, VDD=5V ±5%, VSS=0V) 1 µa 10 µa µa µa 2.0 ma 4.0 ma 符号参数条件最小值典型值最大值单位 Dclk 输入时钟的占空比 % Tins 指令周期 (CLKS="0") 晶振类型 100 DC ns RC 类型 500 DC ns Ttcc TCC 输入时间周期 (Tins+20)/N* ns Tdrh 器件复位持续时间 Ta = 25 TXAL,SUT1,SUT0=1, % % ns 第 27 页共 29 页

28 Trst /RESET 脉冲宽度 Ta = ns *Twdt1* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25 SUT1,SUT0=1,1 *Twdt2* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25 SUT1,SUT0=1,0 3 *Twdt3* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25 SUT1,SUT0=0,1 *Twdt4* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25 SUT1,SUT0=0, % % ms % % ms % % ms 72-30% % ms Tset 输入引脚启动时间 0 ns Thold 输入引脚保持时间 20 ns Tdelay 输出引脚延迟时间 Cload=20pF 50 ns 注 : 这些参数为理论值, 未经测试看门狗定时器的持续时间有代码选项 (Bit 6, Bit 5) 定义 *N = 所选预分频比 *Twdt1: 代码选项字 (SUT1,SUT0) 用于定义振荡器启动时间在晶振模式下,WDT 溢出周期等于启动时间 (18ms) *Twdt2: 代码选项字 (SUT1,SUT0) 用于定义振荡器启动时间在晶振模式下,WDT 溢出周期等于启动时间 (4.5ms) *Twdt3: 代码选项字 (SUT1,SUT0) 用于定义振荡器启动时间在晶振模式下,WDT 溢出周期等于启动时间 (288ms) *Twdt4: 代码选项字 (SUT1,SUT0) 用于定义振荡器启动时间在晶振模式下,WDT 溢出周期等于启动时间 (72ms) 8. 时序图 AC 测试输入 / 输出波形测试点 AC 测试 : 输入为 2.4V 代表逻辑 1,0.4V 代表逻辑 0 时序测量以 2.0V 代表逻辑 1,0.8V 代表 0. 第 28 页共 29 页

29 TC78P153 ( 文件编号 :S&CIC0994) RESET 时序 (CLK= 0 ) NOP 执行指令 1 CLK /RESET Tdrh TCC 输入时序 (CLKS= 0 ) Tins CLK TCC Ttcc 3 4 第 29 页共 29 页 1 2

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Microsoft Word - EM78P156K Product Spec v1[1].3 _ _.doc EM78P156K 8 位 OTP 微控制器产品规格书版本 1.3 义隆电子股份有限公司 2012.07 本文内容是由英文规格书翻译而目的是为了您的阅读更加方便它无法跟随原稿的更新, 文中可能存在翻译上的错误, 请您参考英文规格书以获得更准确的信息商标告知 : IBM 为一个注册商标,PS/2 是 IBM 的商标之ㄧ. Windows 是微软公司的商标 ELAN 和 ELAN 标志是义隆电子股份有限公司的商标