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灏润酆
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1 8-pin 内置 EEPROM 增强型八位 FLASH 单片机技术相关信息应用范例 -HA0075S MCU 复位电路和振荡电路的应用范例特性 CPU 特性工作电压 : f SYS =8MHz:2.2V~5.5V f SYS =12MHz:2.7V~5.5V f SYS =20MHz:4.5V~5.5V V DD =5V, 系统时钟为 20MHz 时, 指令周期为 0.2µs 提供省电模式和唤醒功能, 以降低功耗五种振荡模式 : 外部晶振 -- HXT 外部 kHz 晶振 -- LXT 外部 RC -- ERC 内部 RC -- HIRC, 无需外接元件内部 32kHz RC -- LIRC, 无需外接元件多种工作模式 : 正常低速空闲和休眠内部集成 4MHz,8MHz 和 12MHz 振荡器, 无需外接元件所有指令都可在 1 或 2 个指令周期内完成查表指令 63 条指令多达 8 层堆栈位操作指令周边特性 Flash 程序存储 :1K 14 ~ 2K 15 RAM 数据存储 :64 8 ~ 96 8 EEPROM 存储器 :64 8 看门狗定时器功能 6 个双向 I/O 口外部中断口与输入 / 输出引脚共用多个定时器模块用于时间测量捕捉输入比较匹配输出 PWM 输出及单脉冲输出比较器功能双时基功能, 可提供固定时间的中断信号 3 通道 12 位分辨精度的 A/D 转换器 (HT66F0xC) 低电压复位功能低电压检测功能封装类型 :8-pin DIP/SOP Rev

2 概述 HT6xF0xC 单片机是一款具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 单片机该系列单片机具有很多功能和特性, 其 Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了极大的方便存储器方面, 还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存储序号校准数据等非易失性数据的 EEPROM 存储器在模拟特性方面, 该系列单片机包含一个 3 通道 12 位 A/D 转换器 (HT66F0xC) 和比较器功能还带有多个使用灵活的定时器模块, 可提供定时功能脉冲产生功能及 PWM 产生功能内部看门狗定时器低电压复位和低电压检测等内部保护特性, 外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能, 确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行这系列单片机提供了丰富的 HXT LXT ERC HIRC 和 LIRC 振荡器功能选项, 且内建完整的系统振荡器, 无需外接元件其在不同工作模式之间动态切换的能力, 为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段外加时基功能 I/O 使用灵活等其它特性, 使这系列单片机可以广泛应用于各种产品中, 例如电子测量仪器环境监控手持式测量工具家庭应用电子控制工具马达控制等方面选型表对此系列的芯片而言, 大多数的特性参数都是一样的主要差异在于程序存储器的容量,TM 特性和堆栈层数下表列出了各单片机的主要特性型号 VDD ROM RAM EEPROM I/O HT66F03C HT66F04C HT68F03C 2.2V~ 5.5V 2.2V~ 5.5V 2.2V~ 5.5V Ext. Int. A/D 1K bit 3 2K bit 3 1K TM 模块 10-bit CTM 1 10-bit STM 1 10-bit CTM 1 10-bit ETM 1 10-bit STM 1 10-bit CTM 1 10-bit STM 1 Comp. 堆栈封装形式 1 4 8DIP/SOP 1 8 8DIP/SOP 1 4 8DIP/SOP HT68F04C 2.2V~ 5.5V 2K bit CTM 1 10-bit STM DIP/SOP Rev

3 方框图 Rev

4 引脚图注 :1 括号内的引脚为可编程改变位置的引脚 2 若共用脚同时有多种输出, / 号右侧的引脚名具有更高的优先级 3 VDD&AVDD 指的是 VDD 和 AVDD 为同一个引脚 Rev

5 引脚说明除了电源引脚外, 该系列单片机的所有引脚都以它们的端口名称进行标注, 例如 PA.0 PA.1 等, 用于描述这些引脚的数字输入 / 输出功能然而, 这些引脚也与其它功能共用, 如模数转换器等每个引脚的功能如下表所述, 而引脚配置的详细内容见规格书其它章节 HT66F03C 引脚名称 PA0~PA2, PA5~PA7 端口 A 功能 OP I/T O/T 共用引脚映射 PAWU ST CMOS PAPU AN0~AN2 ADC 输入 ACERL AN PA0~PA2 VREF ADC 参考输入 ADCR1 AN PA1 C- AN PA1 比较器输入 C+ CPC AN PA0 CX 比较器输出 CMOS PA2 TCK0 TM0 输入 PRM ST PA6 或 PA7 TCK1 TM1 输入 PRM ST PA7 TP0 TM0 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA5 或 PA2 TP1 TM1 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA6 或 PA7 INT 外部中断 ST PA7 OSC1 HXT/ERC/LXT 脚 CO HXT/LXT PA6 OSC2 HXT/LXT 脚 CO HXT/LXT PA5 RES VDD AVDD VSS AVSS 复位输入 CO ST PA7 * 电源电压 * ADC 电源电压 ** 地 ** ADC 地 PWR PWR PWR PWR 注 :I/T: 输入类型 ;O/T: 输出类型 OP: 通过配置选项 (CO) 或寄存器选项来设置 PWR: 电源 ;CO: 配置选项 ;ST: 斯密特触发输入 CMOS:CMOS 输出 ;AN: 模拟输入脚 HXT: 高速晶体振荡器 LXT: 低速晶体振荡器值得注意的是,8-pin DIP/NSOP 封装中 PA3 和 PA4 脚未引出, 使用者需特别注意这两个脚, 具体细节请参考输入 / 输出章节中的编程注意事项 * :VDD 是单片机电源电压, 而 AVDD 是 ADC 电源电压 AVDD 与 VDD 在内部是同一个引脚 ** :VSS 是单片机地引脚, 而 AVSS 是 ADC 地引脚 AVSS 与 VSS 在内部是同一个引脚 Rev

6 HT66F04C 引脚名称 PA0~PA2, PA5~PA7 端口 A 功能 OP I/T O/T 共用引脚映射 PAWU ST CMOS PAPU AN0~AN2 ADC 输入 ACERL AN PA0~PA2 VREF ADC 参考输入 ADCR1 AN PA1 C- AN PA1 比较器输入 C+ CPC AN PA0 CX 比较器输出 CMOS PA2 TCK0 TM0 输入 PRM ST PA6 或 PA7 TCK1 TM1 输入 PRM ST PA7 TCK2 TM2 输入 PRM ST PA5 或 PA2 TP0 TM0 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA5 或 PA2 TP1 TM1 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA6 或 PA7 TP2A TP2B TM2 输入 / 输出 PRM ST CMOS INT 外部中断 ST PA7 OSC1 HXT/ERC/LXT 脚 CO HXT/LXT PA6 OSC2 HXT/LXT 脚 CO HXT/LXT PA5 RES VDD AVDD VSS AVSS 复位输入 CO ST PA7 * 电源电压 * ADC 电源电压 ** 地 ** ADC 地 PWR PWR PWR PWR PA6 PA1 或 PA7 PA5 PA0 或 PA2 注 :I/T: 输入类型 ;O/T: 输出类型 OP: 通过配置选项 (CO) 或寄存器选项来设置 PWR: 电源 ;CO: 配置选项 ;ST: 斯密特触发输入 CMOS:CMOS 输出 ;AN: 模拟输入脚 HXT: 高速晶体振荡器 LXT: 低速晶体振荡器值得注意的是,8-pin DIP/NSOP 封装中 PA3 和 PA4 脚未引出, 使用者需特别注意这两个脚, 具体细节请参考输入 / 输出章节中的编程注意事项 *:VDD 是单片机电源电压, 而 AVDD 是 ADC 电源电压 AVDD 与 VDD 在内部是同一个引脚 **:VSS 是单片机地引脚, 而 AVSS 是 ADC 地引脚 AVSS 与 VSS 在内部是同一个引脚 Rev

7 HT68F03C/HT68F04C 引脚名称 PA0~PA2, PA5~PA7 端口 A 功能 OP I/T O/T 共用引脚映射 PAWU ST CMOS PAPU C- AN PA1 比较器输入 C+ CPC AN PA0 CX 比较器输出 CMOS PA2 TCK0 TM0 输入 PRM ST PA6 或 PA7 TCK1 TM1 输入 PRM ST PA7 TP0 TM0 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA5 或 PA2 TP1 TM1 输入 / 输出 PRM ST CMOS PA6 或 PA7 INT 外部中断 ST PA7 OSC1 HXT/ERC/LXT 脚 CO HXT/LXT PA6 OSC2 HXT/LXT 脚 CO HXT/LXT PA5 RES 复位输入 CO ST PA7 VDD 电源电压 PWR VSS 地 PWR 注 :I/T: 输入类型 ;O/T: 输出类型 OP: 通过配置选项 (CO) 或寄存器选项来设置 PWR: 电源 ;CO: 配置选项 ;ST: 斯密特触发输入 CMOS:CMOS 输出 ;HXT: 高速晶体振荡器 LXT: 低速晶体振荡器值得注意的是,8-pin DIP/NSOP 封装中 PA3 和 PA4 脚未引出, 使用者需特别注意这两个脚, 具体细节请参考输入 / 输出章节中的编程注意事项极限参数电源供应电压.V SS -0.3V~V SS +6.0V 端口输入电压.V SS -0.3V~V DD +0.3V I OL 总电流...80mA 总功耗..500mW 储存温度 ~125 工作温度 ~85 I OH 总电流 mA 注 : 这里只强调额定功率, 超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害, 无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态, 而且若长期在标示范围外的条件下工作, 可能影响芯片的可靠性 Rev

8 直流电气特性 Ta=25 参数测试条件 V DD 条件最小典型最大单位 f SYS =8MHz V V DD1 工作电压 (HXT) f SYS =10MHz V f SYS =12MHz V f SYS =16MHz V f SYS =6MHz V V DD2 工作电压 (ERC) f SYS =8MHz V f SYS =12MHz V V DD3 工作电压 (HIRC) f SYS =8MHz V I DD1 工作电流 (HXT) (f SYS =f H, f S =f SUB =f LIRC ) 3V 无负载,f H =8MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =10MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =16MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 5V 无负载,f H =20MHz, ADC off,wdt 使能 ma I DD2 工作电流 (ERC) (f SYS =f H, f S =f SUB =f LIRC ) 3V 无负载,f H =6MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =8MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 5V 无负载,f H =16MHz, ADC off,wdt 使能 ma I DD3 工作电流 (HIRC) (f SYS =f H, f S =f SUB = f LXT 或 f LIRC ) 3V 无负载,f H =4MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =8MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma 5V ADC off,wdt 使能 ma Rev

9 参数 V DD 测试条件条件最小典型最大单位 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /2, ADC off, 5V WDT 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /4, ADC off, 5V WDT 使能 ma I DD4 工作电流 (HXT) (f SYS =f L, f S =f SUB =f LIRC ) 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /8, ADC off, 5V WDT 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /16,ADC off, 5V WDT 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /32,ADC off, 5V WDT 使能 ma 3V 无负载,f H =12MHz, ma f L =f H /64, ADC off, 5V WDT 使能 ma I DD5 I DD6 I DD7 I STB1 I STB2 I STB3 I STB4 工作电流 (LXT) (f SYS =f L =f LXT, f S =f SUB = f LXT ) 工作电流 (LIRC) (f SYS =f L =f LIRC, f S =f SUB = f LIRC ) 工作电流 (LXT) (f SYS =f L =f LXT, f S =f SUB = f LIRC ) 3V 无负载,ADC off, µa 5V WDT 使能,LXTLP= µa 3V 无负载,ADC off, µa 5V WDT 使能,LXTLP= µa 3V 无负载, ADC off, µa 5V WDT 使能 µa 3V 无负载, ADC off, µa 5V WDT 使能,LXTLP= µa 3V 无负载, 系统 HALT, 静态电流 (IDLE, HXT) ma f (f SYS =f H,f S =f SUB = f LIRC ) SYS =12MHz, 5V ADC off,wdt 使能 ma 3V 无负载, 系统 HALT, 静态电流 (IDLE, HXT) µa f (f SYS =off,f S =f SYS /4) SYS =12MHz, 5V ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, 静态电流 (IDLE, HXT) µa f (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) SYS =12MHz, 5V ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, 静态电流 (IDLE, HXT) µa f (f SYS = f L,f S =f SUB =f LIRC ) SYS =12MHz/64, 5V ADC off,wdt 使能 µa I STB5 静态电流 (IDLE, HXT) 3V 无负载, 系统 HALT, µa Rev

10 I STB6 I STB7 I STB8 I STB9 I STB10 I STB11 I STB12 I STB13 I STB14 参数 (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) 静态电流 (IDLE, LXT) (f SYS = f L =f LXT, f S =f SUB =f LXT ) 静态电流 (IDLE, HXT) (f SYS =off,f S =f SYS /4) 5V 静态电流 (IDLE, LXT) (f SYS =off,f S =f SUB =f LXT ) 5V 静态电流 (IDLE, LIRC) (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) 5V 静态电流 (IDLE, LXT) (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) 5V 静态电流 (SLEEP, HXT) (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) 5V 静态电流 (SLEEP, HXT) (f SYS =off,f S =f SUB =f LIRC ) 5V 静态电流 (SLEEP, LXT) (f SYS =off, f S =f SUB =f LXT 或 f LIRC ) 静态电流 (SLEEP, LXT) (f SYS =off,f S =f SUB =f LXT ) 5V 测试条件 V DD 条件最小典型最大单位 5V f SYS =12MHz/64, ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, f SYS =32768Hz, 5 10 µa 5V ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, 5 10 µa f SYS =32768Hz, ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, f SYS =32768Hz, 5 10 µa ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, f SYS =32kHz, µa ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, µa f SYS =32768Hz, ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, f SYS =12MHz, µa ADC off,wdt 除能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, µa f SYS =12MHz, ADC off,wdt 使能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, f SYS =32768Hz, µa 5V ADC off,wdt 除能 µa 3V 无负载, 系统 HALT, 5 10 µa f SYS =32768Hz, ADC off,wdt 使能 µa V IL1 输入 / 输出口 TCKn 或 INT 脚的低电平输入电压 0 0.3V DD V V IH1 输入 / 输出口 TCKn 或 INT 脚的高电平输入电压 0.7V DD V DD V V IL2 低电平输入电压 ( RES) 0 0.4V DD V V IH2 高电平输入电压 ( RES) 0.9V DD V DD V LVR 使能,V LVR =2.10V -5% % V V LVR 低电压复位电压 LVR 使能,V LVR =2.55V -5% % V LVR 使能,V LVR =3.15V -5% % V LVR 使能,V LVR =4.20V -5% % V LVDEN=1,V LVD =2.0V -5% % V LVDEN=1,V LVD =2.2V -5% % V LVDEN=1,V LVD =2.4V -5% % V V LVD 低电压检测电压 LVDEN=1,V LVD =2.7V -5% % V LVDEN=1,V LVD =3.0V -5% % V LVDEN=1,V LVD =3.3V -5% % V LVDEN=1,V LVD =3.6V -5% % V LVDEN=1,V LVD =4.4V -5% % V Rev

11 参数测试条件 V DD 条件最小典型最大单位 I LVD 使用 LVR 和 LVD 的额外 LVR 除能,LVDEN= µa 功耗 LVR 使能,LVDEN= µa I OL 输入 / 输出口灌电流 3V V OL =0.1V DD 4 8 ma 5V V OL =0.1V DD ma I OH 输入 / 输出口源电流 3V V OH =0.9V DD -2-4 ma 5V V OH =0.9V DD ma R PH 输入 / 输出口上拉电阻 3V kω 5V kω V V 参考电压 -3% % V I 125 使用 1.25V 参考电压的额使用 V 125,LVR 除能, 外功耗 LVDEN= µa Rev

12 交流电气特性 Ta=25 参数测试条件 V DD 条件最小典型最大单位 2.2V~5.5V 2 8 MHz f SYS1 系统时钟 (HXT) 2.7V~5.5V 2 10 MHz 3.3V~5.5V 2 12 MHz 4.5V~5.5V 2 16 MHz 2.7V~5.5V -10% 8 +10% MHz 3.3V~5.5V TBD 12 TBD MHz f SYS2 系统时钟 (ERC) 4.5V~5.5V TBD 16 TBD MHz 3V -3% 8 +3% MHz Ta=25 (R=120 kω) 5V -3% 8 +3% MHz TBD 4 TBD MHz 3.0V~5.5V Ta=25-10% 8 +10% MHz TBD 12 TBD MHz f SYS3 系统时钟 (HIRC) 3V -3% 8 +3% MHz Ta=25 5V -3% 8 +3% MHz 3V TBD 8 TBD MHz Ta=0 ~85 5V -8% 8 +8% MHz f SYS4 系统时钟 (LXT) khz f LIRC 系统时钟 (LIRC) 2.5V~5.5V -30% % khz Ta=25-5% 32 +5% khz 2.2V~5.5V 2 8 MHz f TIMER 定时器输入频率 2.7V~5.5V 2 10 MHz 3.3V~5.5V 2 12 MHz 4.5V~5.5V 2 16 MHz t RES 外部复位低电平脉宽 1 µs t INT 中断脉宽 1 t SYS t LVR 低压压复位时间 µs t LVD 低电压中断时间 1 2 t SUB t LVDS LVDO 稳定的时间对于所有的 V LVD, LVR 除能 5 µs t BGS V 125 打开稳定时间 10 ms f SYS =HXT 或 LXT 1024 f SYS =ERC 或 HIRC 15~16 系统启动时间 t SST f SYS =LIRC 1~2 t SYS ( 从 HALT 中唤醒 ) 任何系统时钟中,LXT 1024 和 LIRC 关闭注 :1 t SYS =1/f SYS 2 *: 对于 f ERC 表示电阻的公差会影响外部 RC 的频率, 建议使用精密度较高的电阻 3 为了保证 HIRC 振荡器的频率精度,VDD 与 VSS 间连接一个 0.1µF 的去耦电容, 并尽可能接近芯片 Rev

13 ADC 特性 Ta=25 参数测试条件 V DD 条件最小值典型值最大值单位 AV DD ADC 工作电压 V REF =AV DD V V ADI AD 输入电压 0 A VDD /V REF V V REF ADC 参考电压 AV DD =3V TBD (TBC) AV DD +0.1 V AV DD =5V 1.6 (TBC) AV DD +0.1 V DNL A/D 非线性微分误差 V REF =AV DD =V DD, t ADCK =1.0µs -3 3 LSB INL A/D 非线性积分误差 V REF =AV DD =V DD, t ADCK =1.0µs -4 4 LSB I ADC 打开 A/D 增加的功耗 3V 0.5 ma 无负载,t ADCK =0.5µs 5V 0.6 ma t ADCK A/D 时钟周期 2.2V~5.5V µs t ADC A/D 转换时间 ( 包括 A/D 采样和保持时间 ) 2.2V~5.5V 12-bit ADC 16 t ADCK t ADS ADC 采样时间 2.2V~5.5V 4 t ADCK t ON2ST ADC 开启到开始工作 2.2V~5.5V 的时间 2 µs 比较器电气特性 Ta=25 参数 V DD 测试条件条件最小典型最大 V CMP 比较器工作电压 V I CMP 比较器工作电流单位 3V µa 5V µa V CMPOS 比较器输入失调电压 mv V HYS 迟滞宽度 mv V CM 比较器共模电压范围 V SS V DD -1.4V V A OL 比较器开环增益 db t PD 比较器响应时间 100mV 偏置 ( 注 ) ns 注 : 测量方式为 : 当一只输入脚的输入电压为 V CM =(V DD -1.4)/2 时, 另一只输入脚的输入电压从 V SS 到 (V CM +100mV) 或从 V DD 到 (V CM -100mV) 转变 Rev

14 上电复位特性 Ta=25 参数 V DD 测试条件最小典型最大单位条件 V POR 上电复位电压 100 mv RR VDD 上电复位电压速率 V/ms t POR VDD 保持为 V POR 的最小时间 1 ms,, J ,, E A Rev

15 配置选项配置选项在烧写程序时写入芯片通过 HT-IDE 的软件开发环境, 使用者在开发过程中可以选择配置选项当配置选项烧入单片机后, 无法再通过应用程序修改所有位必须按系统的需要定义, 具体内容可参考下表 : 序号选项振荡器选项高 / 低速振荡器类型选择 f OSC : 1. HXT+LIRC 1 2. ERC+LIRC 3. HIRC +LIRC 4. HIRC+LXT WDT 时钟选择 -- f S : 2 1. f SUB 2. f SYS /4 HIRC 频率选择 : MHz 2. 8MHz 3. 12MHz 注 :f SUB 和 f TBC 时钟源通过 f OSC 的配置选项选择为 LXT 或 LIRC 复位脚选项 PA7/RES脚选项 : 4 1. RES脚 2. I/O 脚看门狗选项看门狗定时器功能 : 5 1. 使能 2. 除能清看门狗指令选择 : 条指令 2. 2 条指令 LVR 选项 LVR 功能 : 7 1. 使能 2. 除能 LVR 电压选择 : V V V V Rev

16 应用电路 HT66F03C/HT66F04C 注 : 表示建议加上此元件以加强静电保护表示建议在电源有较强干扰场合加上此元件 HT68F03C/HT68F04C 注 : 表示建议加上此元件以加强静电保护表示建议在电源有较强干扰场合加上此元件 Rev

17 封装信息 8-pin DIP (300mil) 外形尺寸尺寸 ( 单位 :inch) 最小正常最大 A B C D E F G H I 尺寸 ( 单位 :mm) 最小正常最大 A B C D E F G 2.54 H I 9.53 Rev

18 8-pin SOP (150mil) 外形尺寸 MS-012 尺寸 ( 单位 :inch) 最小正常最大 A B C C D E F G H α 0 8 尺寸 ( 单位 :mm) 最小正常最大 A B C C D 1.75 E 1.27 F G H α 0 8 Rev

19 6, 包装带和卷轴规格卷轴尺寸 ) * + 6 SOP 8N 说明尺寸 ( 单位 :mm) A 卷轴外圈直径 330±1.0 B 卷轴内圈直径 100±1.5 C 轴心直径 +0.5/ D 缝宽 2.0±0.5 T1 轮缘宽 /-0.2 T2 卷轴宽 18.2±0.2 Rev

20 -., J 运输带尺寸 2 2 *, ) 4 A A 0 A 1 + F =? = C A F E J D A H A A D A I = H A? = J J D A I = A I A SOP 8N 说明尺寸 ( 单位 :mm) W 运输带宽 /-0.1 P 空穴间距 8.0±0.1 E 穿孔位置 1.75±0.1 F 空穴至穿孔距离 ( 宽度 ) 5.5±0.1 D 穿孔直径 1.55±0.1 D1 空穴中之小孔直径 /-0.00 P0 穿孔间距 4.0±0.1 P1 空穴至穿孔距离 ( 长度 ) 2.0±0.1 A0 空穴长 6.4±0.1 B0 空穴宽 5.2±0.1 K0 空穴深 2.1±0.1 T 传输带厚度 0.30±0.05 C 覆盖带宽度 9.3±0.1 Rev

方框图 N 沟道开漏输出 ( 常开, 低有效 ) 8,, /, 输出表格和曲线图 >VDET(+) VDET( ) VOUT Hi-Z VSS, =ID E A 8 1 BH 01 5 E A 8 1 BH 0 1 8, -6 8, -6 # ;5 引

方框图 N 沟道开漏输出 ( 常开, 低有效 ) 8,, /, 输出表格和曲线图 >VDET(+) VDET( ) VOUT Hi-Z VSS, =ID E A 8 1 BH 01 5 E A 8 1 BH 0 1 8, -6 8, -6 # ;5 引 TinyPower TM 电压检测器特性低功耗低温度系数高输入电压范围 ( 高达 30V) 静态电流 :1µA 输出电压精度 :±2% 内建迟滞电路封装类型 :TO92, SOT89 和 SOT23-5 概述 HT70xxA-3 系列是一组采用 CMOS 技术实现的三端低功耗电压检测器该系列中的电压检测器能检测固定的电压, 范围从 2.2V 到 8.2V 电压检测器系列由高精度低功耗的标准电压源