目录看好国内存储器行业, 关注新型存储器技术... 4 存储器行业现状... 4 国外巨头纷纷布局相变存储器... 5 国内相变存储器发展情况相变存储器的产业化相变存储器的产业化发展机遇相变存储器发展趋势相变存储相关问题推荐标的

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1 研究报告行业研究 ( 深度报告 ) 评级看好维持电子元件行业看好国内存储器行业, 关注新型存储技术分析师联系人联系人莫文宇 (8627) mowy@cjsc.com.cn 执业证书编号 :S 杨洋 (8627) yangyang4@cjsc.com.cn 杨靖凤 (8621) yangjf@cjsc.com.cn 行业内重点公司推荐公司代码公司名称投资评级市场表现对比图 ( 近 12 个月 ) 2015/7 2015/ /1 2016/4 30% 20% 10% 0% -10% -20% -30% -40% 电子元件沪深 300 资料来源 :Wind 相关研究长江电子日观点荟萃 ( ) 军工电子 + 集成电路是今年最强主线意见落地, 推动军民融合快速发展报告要点看好国内存储器行业, 关注新型存储技术存储器是国之重器, 国内两大巨头紫光国芯和武汉新芯均推出自己的产业发展蓝图, 这将成为近年来国家集成电路产业最大手笔的投入, 蕴含着巨大的投资机遇另外, 我们于近期拜访了华中科技大学武汉光电国家实验室的缪向水教授, 缪教授是教育部长江学者特聘教授, 是国内相变存储器领域的顶尖专家, 我们重点关注相变存储器的产业化进展国内外巨头纷纷布局相变存储三星早在 2011 年便推出 PCM 手机 ;Intel 和 Mircon 在去年推出 3D Xpoint, 预计今年底或明年就能量产 ;IBM 在多值存储领域取得突破性进展, 可大幅降低 PCM 的成本国内研究机构主要有武汉光电国家实验室和中科院上海微系统所, 已经有产品开发出来国内相变存储器的产业机遇从全球整个产业的专利布局情况来看, 三星占 40% 多, 美光占 9%,IBM15%, 国内 14% 左右从产业支持的角度来看, 国内将兴建多座存储器工厂, 相变存储器的外围电路用 CMOS 工艺就可以实现, 包括读写电路放大电路编码电路, 都可以利用原来生产线大部分设备, 只需添置部分设备就可以生产 ( 如刻蚀 ), 因此国内可以改造生产线来量产相变存储器推荐标的紫光国芯全方位布局存储器产业深科技涉足存储器封装, 其他业务看点多长电科技收购星科金朋, 布局高端封测南大光电相变存储将拉动新型 MO 的需求艾派克不仅仅只有打印机七星电子设备领域深度受益鼎龙股份 CMP 抛光垫领域新秀风险提示系统性风险 : 电子行业发展不及预期请阅读最后评级说明和重要声明 1 / 26

2 目录看好国内存储器行业, 关注新型存储器技术... 4 存储器行业现状... 4 国外巨头纷纷布局相变存储器... 5 国内相变存储器发展情况相变存储器的产业化相变存储器的产业化发展机遇相变存储器发展趋势相变存储相关问题推荐标的紫光国芯全方位布局存储器产业设计领域制造领域封测领域其他业务深科技涉足存储器封装, 其他业务看点多磁头及硬盘盘基片制造商, 外延布局存储器封测其他业务看点充足长电科技收购星科金朋, 布局高端封测星科金朋技术领先, 客户资源丰富国内存储器封测需求加大, 公司深度受益南大光电相变存储将拉动新型 MO 源的需求艾派克不仅仅只有打印机艾派克在存储器领域的布局艾派克助推 PCM 商业化七星电子设备领域深度受益鼎龙股份 CMP 抛光垫领域新秀请阅读最后评级说明和重要声明 2 / 26

3 图表目录图 1: 存储器领域的基本类型... 4 图 2:2016 年第一季度 Nand FLASH 市场结构... 4 图 3: 传统闪存继续发展面临的技术瓶颈... 5 图 4: 三星在相变存储器领域的布局... 5 图 5: 美光在相变存储器领域的布局... 6 图 6: 意法半导体在相变存储器领域的布局... 7 图 7:IBM 在相变存储器领域的布局... 8 图 8: 国际其他厂商在相变存储器领域的布局... 9 图 9: 国内相变存储器的研究情况图 10: 华中科技大学武汉光电国家实验室在相变储存器领域的成果图 11: 华中科技大学武汉光电国家实验室研制出的相变存储卡图 12: 相变存储器的典型应用案例图 13: 按年份分布的专利数量情况图 14: 按所属企业分布的专利占比情况图 15: 相变存储器的发展趋势图 16:3D Xpoint 存储器性能优异图 17: 存储器工厂实施效果图图 18: 具体建设进度规划图 19: 2013 年全球前十大半导体封测代工厂营收及市占率图 20:2015 年深科技的主营业务构成图 21: 深科技的数据卡产品图 22: 深科技在电子产品制造存储器封测领域双重布局图 23: 深科技的核心竞争力图 24: 星科金朋的主要客户情况图 25:2014 年全球 MO 源的市场竞争格局图 26:MO 源的上下游产业链图 27: 南大光电的业务布局图 28: 艾派克全产业链布局图 29: 国内耗材芯片厂商的市场占有率图 30: 七星电子营业收入及同比情况 ( 万元 ) 图 31: 七星电子净利润及同比情况 ( 万元 ) 图 32: 鼎龙股份营业收入及同比情况 ( 万元 ) 图 33: 鼎龙股份净利润及同比情况 ( 万元 ) 表 1: 西安华芯半导体重要发展历史事件表 2: 星科金鹏集中领先的技术介绍表 3: 艾派克在存储领域的核心技术表 4: 艾派克关于 PCM 的研发项目请阅读最后评级说明和重要声明 3 / 26

看好国内存储器行业, 关注新型存储器技术存储器是国之重器, 国内两大巨头紫光国芯和武汉新芯均推出自己的产业发展蓝图, 这将成为近年来国家集成电路产业最大手笔的投入, 蕴含着巨大的投资机遇另外, 我们于近期拜访了华中科技大学武汉光电国家实验室的缪向水教授, 缪教授是教育部长江学者特聘教授, 是国内相变存储器领域的顶尖专家

长江证券研究所存储器芯片领域, 主要分为两类 : 易失性和非易失性易失性 : 断电以后, 存储器内的信息就流失了, 例如 DRAM, 电脑中的内存条非易失性 : 断电以后, 存储器内的信息仍然存在, 主要是闪存 (Nand FLASH 和 NOR FLASH), NOR 主要应用于代码存储介质中, 而 NAND 则用于数据存储

4 看好国内存储器行业, 关注新型存储器技术存储器是国之重器, 国内两大巨头紫光国芯和武汉新芯均推出自己的产业发展蓝图, 这将成为近年来国家集成电路产业最大手笔的投入, 蕴含着巨大的投资机遇另外, 我们于近期拜访了华中科技大学武汉光电国家实验室的缪向水教授, 缪教授是教育部长江学者特聘教授, 是国内相变存储器领域的顶尖专家存储器行业现状存储器广泛应用于计算机消费电子网络存储物联网国家安全等重要领域, 是一种重要的基础性的产品据 CSIA 统计,2015 年国内集成电路市场超过亿, 其中存储器的市场总额 ( 包括逻辑芯片中的存储器 ) 超过 6100 亿元, 市场空间巨大图 1: 存储器领域的基本类型资料来源 : 维基百科, 长江证券研究所存储器芯片领域, 主要分为两类 : 易失性和非易失性易失性 : 断电以后, 存储器内的信息就流失了, 例如 DRAM, 电脑中的内存条非易失性 : 断电以后, 存储器内的信息仍然存在, 主要是闪存 (Nand FLASH 和 NOR FLASH), NOR 主要应用于代码存储介质中, 而 NAND 则用于数据存储在整个存储器芯片里面, 主要有的三种产品是 : DRAM NOR FLASH 和 Nand FLASH 图 2:2016 年第一季度 Nand FLASH 市场结构美光 13% SK 海力士 8% 英特尔 7% 三星 35% 晟碟 15% 东芝 22% 资料来源 :DRAMeXchange, 长江证券研究所请阅读最后评级说明和重要声明 4 / 26

5 DRAM 市场上主要由三星海力士和美光三大巨头垄断, 占比达到 90% 以上从 Nand FLASH 市场来讲,2016 年第一季度, 三星占了 35.1%, 所占市场份额很大整个存储器芯片里面, 三星所占市场份额是最大的, 目前在市场上主导地位的是闪存 (flash memory) 当工艺线宽小于 16nm 的时候, 传统闪存面临着一定的物理极限主要的问题 :1 可靠性问题工艺线宽尺寸小于 16nm 时, 厚度逐渐下降, 可靠性存在问题, 可靠性限制了存储器单层的厚度 2 当然那还有构造问题 3 擦写速度慢 4 有效的擦写次数图 3: 传统闪存继续发展面临的技术瓶颈资料来源 : 长江证券研究所国外巨头纷纷布局相变存储器三星 2008 年基于 90nm 工艺制备 512Mb 相变存储器芯片 ;2011 年基于 58nm 工艺制备 1Gb 相变存储器芯片 ;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片 ;2014 年发布相变存储器的产业报告图 4: 三星在相变存储器领域的布局请阅读最后评级说明和重要声明 5 / 26

6 资料来源 : 长江证券研究所美光 2009 年基于 45nm 工艺制备 1Gb 相变存储器芯片 ;2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产 ;2015 年联合 Intel 发布 3D Xpoint 图 5: 美光在相变存储器领域的布局请阅读最后评级说明和重要声明 6 / 26

7 资料来源 : 长江证券研究所意法半导体 2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片 ;2010 年, 发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持 ;2013 年, 发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST 实现 SET 与高低组保持的性能平衡图 6: 意法半导体在相变存储器领域的布局请阅读最后评级说明和重要声明 7 / 26

8 资料来源 : 长江证券研究所 IBM 2011 年 IBM 发布了多值的相变存储器操作算法, 然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层 crosspoint 存储器 2014 年 IBM 发布了 6 位多值存储电阻漂移的算法解决办法,2016 年发布多值相变存储器, 进入 90nm 工艺图 7:IBM 在相变存储器领域的布局请阅读最后评级说明和重要声明 8 / 26

9 资料来源 : 长江证券研究所图 8: 国际其他厂商在相变存储器领域的布局国际其他产家, 包括英特尔台积电等都有在其中做过相关工作资料来源 : 长江证券研究所请阅读最后评级说明和重要声明 9 / 26

华中科技大学武汉光电国家实验室在相变储存器领域的成果 2009 年武汉光电国家实验室研制成功相变存储器芯片,2010 年我们研制成功 1Mb 的

10 国内相变存储器发展情况国内来说, 主要是两家 : 华中科技大学和中科院上海微系统所 ( 宋志棠教授带领的 ) 2010 年华科制作的是 1Mb, 中科院上海微系统所做的是 8Mb 的图 9: 国内相变存储器的研究情况资料来源 : 长江证券研究所图 10: 华中科技大学武汉光电国家实验室在相变储存器领域的成果 2009 年武汉光电国家实验室研制成功相变存储器芯片,2010 年我们研制成功 1Mb 的测试芯片, 同时在相变速度方面, 我们在全球是最快的, 速度达到 0.2ns 资料来源 : 国家光电实验室长江证券研究所此外, 实验室还研制出了相变存储卡 : 请阅读最后评级说明和重要声明 10 / 26

11 图 11: 华中科技大学武汉光电国家实验室研制出的相变存储卡资料来源 : 国家光电实验室长江证券研究所相变存储器的产业化 PCM 速度慢于 DRAM, 但比 Flash 快近 1000 倍 ;PCM 存储密度高于 DRAM, 但是比 Flash 要低目前存储器运用过程中,DRAM 和 Flash 两者在整个系统中不匹配, 需要新的存储器来构建整个架构, 相变存储器优势很多, 市场有很大的需求, 很多公司在推产业化的进程图 12: 相变存储器的典型应用案例请阅读最后评级说明和重要声明 11 / 26

资料来源 : 长江证券研究所相变存储器的产业化发展机遇武汉新芯 2006 年成立,2008 年量产, 主要做 NOR Flash, 良率在世界范围内很高今年 3 月底启动了国家集成电路基地项目, 依托武汉新芯建设, 主要做 3D NAND 和 DRAM, 预计 5 年内投资 240 亿美元, 计划 2020 年月产能达到 30 万片,2030 年月产能达到 100 万片, 规模是很大的,

12 资料来源 : 长江证券研究所相变存储器的产业化发展机遇武汉新芯 2006 年成立,2008 年量产, 主要做 NOR Flash, 良率在世界范围内很高今年 3 月底启动了国家集成电路基地项目, 依托武汉新芯建设, 主要做 3D NAND 和 DRAM, 预计 5 年内投资 240 亿美元, 计划 2020 年月产能达到 30 万片,2030 年月产能达到 100 万片, 规模是很大的, 为一代的新型存储技术产业化打下基础国内现在存储器技术是热点, 三星在西安, 英特尔在大连都要做 3D NAND, 海力士在无锡做 NAND 和 DRAM, 最近福建晋江也建厂做 DRAM 这些生产线, 最小产能每个月 10 万片以上, 我国存储器的产业现状可以得到彻底改观以前存储器进口占比 95%, 现在投入很大, 国内和国外都在投, 基本上都生产 NAND 和 DRAM 这些生产线的建设为以后新型存储器的发展带来很大的机遇从专利上来讲, 年中年专利是比较多的全球整个专利布局方面, 三星占 40% 多, 美光占 9%,IBM15%, 国内 14% 在国内中芯国际和上海微系统所在一起有 200 多个专利, 华中科技大学有 45 个专利, 复旦大学有 29, 半导体所有 18 个从专利布局可以看出三星从材料结构测试工艺电路方面占比分别为 17.7% 28.5% 8.4% 14.8% 30.6%, 可以看出每个公司在专利方面的布局重点压在什么地方国内也是材料占比 15.07%, 结构占比 39.72% 工艺占比 15.07% 电路占比 19.86% 测试占比 7.54%, 其它占比 2.74%, 这是整个专利布局申请的保护领域占整个相变存储器的比例图 13: 按年份分布的专利数量情况图 14: 按所属企业分布的专利占比情况请阅读最后评级说明和重要声明 12 / 26

资料来源 : 武汉光电国家实验室, 长江证券研究所资料来源 : 武汉光电国家实验室,

13 资料来源 : 武汉光电国家实验室, 长江证券研究所资料来源 : 武汉光电国家实验室, 长江证券研究所相变存储器发展趋势过去存储容量提升都是通过 Scaling Down, 从 90nm 到 45nm, 甚至 16nm, 在 Scaling Down 的过程中成本都一直在提高现在相变存储器提高存储容量的方式有两种, 一种是三维堆叠, 还有一种是多值技术英特尔和美光重点突破的是三维堆叠技术, 而 IBM 在多值存储领域取得了突破性进展图 15: 相变存储器的发展趋势资料来源 : 长江证券研究所请阅读最后评级说明和重要声明 13 / 26

2015 年英特尔和美光推出了 3D-Xpoint 存储器, 是基于相变材料, 给相变存储器带来了新的机遇这个是交叉点阵列的结构, 另外存在空间堆叠, 像汽车一样, 二维停车库停的车很少, 建多层停车场以后停的车就会多很多, 以三维的方式来提高存储密度存储密度是 DRAM 的 8-10 倍, 读取速度是目前闪存的 1000 倍, 耐用性是闪寸的一倍, 所以受到广泛的关注图 16:3D

14 2015 年英特尔和美光推出了 3D-Xpoint 存储器, 是基于相变材料, 给相变存储器带来了新的机遇这个是交叉点阵列的结构, 另外存在空间堆叠, 像汽车一样, 二维停车库停的车很少, 建多层停车场以后停的车就会多很多, 以三维的方式来提高存储密度存储密度是 DRAM 的 8-10 倍, 读取速度是目前闪存的 1000 倍, 耐用性是闪寸的一倍, 所以受到广泛的关注图 16:3D Xpoint 存储器性能优异资料来源 : 互联网, 长江证券研究所相变存储相关问题 1 问: 国内在大力布局存储器芯片制造, 这些 fab 能否代工相变存储器? 答 : 目前来讲, 武汉新芯主导产品是 Nor Flash, 目前生产线比较成熟, 正在布局 3D NAND Flash 相变存储器的外围电路用 CMOS 工艺就可以实现, 包括读写电路放大电路编码电路, 都可以利用原来生产线大部分设备, 只需添置部分设备就可以生产 ( 如刻蚀 ), 因此国内可以改造产线代工相变存储器但是如果公司想重新投一条相变存储器芯片产线, 成本太高, 不经济从代工厂的角度说, 如果有成熟的新兴技术, 通过改造产线实现生产更受欢迎 2 问: 国内在 3D NAND Flash 领域是处于追赶的状态, 在相变存储领域是否可能实现弯道超车? 答 :3D NAND Flash 现在是三星一家领先, 其他几家基本处于同一水平相变存储领域国内布局比较早, 若相变存储要大规模生产至少国内有技术储备, 处于与国外并驾齐驱的状态 3 问: 上海微系统所已经做出了 8Mb 的容量, 那么要实现 1GB 甚至 1TB 的跨越, 难点在什么地方? 请阅读最后评级说明和重要声明 14 / 26

15 答 : 难点在于我们研发的设备比生产线的设备落后很多一般来讲, 研发机构的设备比公司的要高级, 但是在集成电路行业, 公司设备比研究所的高级, 公司不愿意用更高级的设备去研发比如中芯国际做研发的都是试验线, 而不会是产业线假如我们有好的设备, 在解决容量探扰功耗三个问题的前提下, 我们也是可以做到 1GB 大容量的 4 问: 相变存储器是否可以替代 DRAM 和 FLASH? 答 : 相变存储器现在的价格在 DRAM 和 FLASH 中间, 它的容量比 DRAM 大, 比 FLASH 低 ; 它的速度 DRAM 慢一点, 但比 FLASH 快很多现在的存储系统很不平衡, 都走向极端, 速度和容量不可同时满足而相变存储器介两者之间, 能够在速度和容量找到平衡点, 找到自己市场但是也不太可能完全替代 DRAM 和 FLASH 5 问: 相变存储器全产业链有哪些可以国产化, 有哪些方向可以投资? 答 : 在材料源方面 ( 硫系化合物半导体 ), 假如我们用 PVD 的方法来做材料, 那么可以去关注一些做靶材的公司假如我们用化学的方法来做材料, 可以去关注 MO 源的公司, 比如南大光电 ; 在机器方面, 可以去投资做刻蚀设备的相关公司, 重点关注北方微电子 ; 在封装方面, 未来 3D 封装是重点 ; 在产品设计方面, 可以重点关注紫光华芯等紫光体系的公司, 另外也可关注做 NOR FLASH 设计的兆易创新 6 问: 您刚刚说了很多国内外公司关于相变存储器做的工作, 那您认为国内外在相变存储器的技术上差距大不大, 有多大? 答 : 国内目前在关键技术上有所突破, 在相变存储器专利方面国内占了 14%-15% 我们在做相变存储器研发的人员数量和质量还比不上国外目前国内就华中科技大学中科院上海微系统所这 2 家专门做相变存储器芯片, 人员投入还不够因此和三星美光相比, 还是有一定的差距但是在存储器领域我们也有自己的核心技术, 拥有一定的地位请阅读最后评级说明和重要声明 15 / 26

推荐标的从整个国家存储器产业来看, 紫光国芯深科技和长电科技为核心受益标的 ; 从相变存储器的角度来看, 最相关的公司为南大光电和艾派克紫光国芯全方位布局存储器产业设计领域公司于 2015 年 9 月收购西安华芯的股权, 收购完毕后持股比例达到 76% 西安华芯始源于英飞凌半导体的存储器事业部, 是国内唯一具有世界主流大容量存储器核心设计开发技术的公司华芯自有品牌大容量 DRAM

2009 年 1 月全球金融危机, 德国奇梦达总部申请破产保护 2009 年 5 月奇梦达 ( 西安 ) 公司被浪潮集团收购, 更名为西安华芯半导体 2015 年 9 月紫光国芯增资收购西安华芯, 股权占比 76% 资料来源 : 长江证券研究所制造领域 2015 年 11 月, 紫光国芯公告拟定向增发 800 亿资金, 成为 A 股有史以来最大规模的再融资定增资金主要用来三个项目, 其中,

16 推荐标的从整个国家存储器产业来看, 紫光国芯深科技和长电科技为核心受益标的 ; 从相变存储器的角度来看, 最相关的公司为南大光电和艾派克紫光国芯全方位布局存储器产业设计领域公司于 2015 年 9 月收购西安华芯的股权, 收购完毕后持股比例达到 76% 西安华芯始源于英飞凌半导体的存储器事业部, 是国内唯一具有世界主流大容量存储器核心设计开发技术的公司华芯自有品牌大容量 DRAM 芯片及内存条已成功量产上市, 广泛应用于服务器平板电脑电视机顶盒工业控制等领域, 产品也远销到大陆以外的台湾韩国欧洲等地表 1: 西安华芯半导体重要发展历史事件时间主要事件 2003 年德国英飞凌在西安城里存储器事业部 2006 年英飞凌存储器产业拆分, 独立成为奇梦达科技, 奇梦达 ( 西安 ) 公司随之成立奇梦达在 2007 年 DRAM 业务排名世界第三, 技术实力雄厚 2009 年 1 月全球金融危机, 德国奇梦达总部申请破产保护 2009 年 5 月奇梦达 ( 西安 ) 公司被浪潮集团收购, 更名为西安华芯半导体 2015 年 9 月紫光国芯增资收购西安华芯, 股权占比 76% 资料来源 : 长江证券研究所制造领域 2015 年 11 月, 紫光国芯公告拟定向增发 800 亿资金, 成为 A 股有史以来最大规模的再融资定增资金主要用来三个项目, 其中, 包括 932 亿元的资金用来投资建造存储器工厂, 规划两年时间完成工厂实施完成并达产后, 预计每月可新增 12 万片的存储芯片产能预计年均营收为 354 亿元年均利润总额为 87 亿元投资回收期为 6.28 年 ( 含建设期 2 年 ) 图 17: 存储器工厂实施效果图图 18: 具体建设进度规划资料来源 : 互联网, 长江证券研究所资资料来源 : 互联网, 长江证券研究所请阅读最后评级说明和重要声明 16 / 26

17 封测领域目前公司正在积极推进参股台湾力成和南茂事宜, 我们认为紫光集团同时入股两家台湾封测厂力成和南茂, 有三大利好影响 : 加强大陆与台湾半导体企业和产业链的合作, 互利共赢 ; 力成和南茂都是半导体封测公司, 分别侧重于集成电路和存储器芯片的封装测试, 二者有望在业务中达成合作, 共享客户与技术方面的资源 ; 紫光集团的大手笔收购增强了在存储器产业的实力, 帮助旗下上市平台紫光国芯在半导体产业的成长中获得更多的份额, 企业价值凸显图 19: 2013 年全球前十大半导体封测代工厂营收及市占率 % 11.8% 9.3% 6.4% 5.1% 3.4% 3.4% 3.0% 2.6% 2% 20.0% 18.0% 16.0% 14.0% 12.0% 10.0% 8.0% 6.0% 4.0% 2.0% 营收 ( 亿美元 ) 市占率资料来源 :Gartner, 长江证券研究所其他业务在存储器芯片之外, 公司是国内智能卡芯片龙头, 并积极布局特种集成电路领域, 在去年已开拓大量客户, 在军队信息化加速自主可控需求提升的背景下, 公司作为特种集成电路的航空母舰将迎来良好发展机遇深科技涉足存储器封装, 其他业务看点多深科技致力于提供硬盘零部件固态存储通讯及消费电子医疗器械等各类电子产品的先进制造服务以及计量系统支付终端自动化设备的研发生产, 目前公司切入到 LED 新能源领域, 成立的子公司进行了 LED 芯片外延片封装模组照明应用等全产业链的布局图 20:2015 年深科技的主营业务构成请阅读最后评级说明和重要声明 17 / 26

深科技官网, 长江证券研究所 2015 年, 公司全面收购沛顿科技 ( 深圳 ) 有限公司 ( 以下简称沛顿科技 ), 沛顿科技在芯片存储行业内领先的 DRAM 和 NAND FLASH 等封装检测技术生产设备客户资源和高端人才

18 自由产品 5% OEM 产品 51% 硬盘相关产品 44% 资料来源 :wind, 长江证券研究所磁头及硬盘盘基片制造商, 外延布局存储器封测深科技是全球第二大硬盘磁头专业制造商, 也是中国唯一的硬盘盘基片制造商, 掌握核心制造技术目前公司 90% 的磁头产品已经实现了自动化或半自动化生产, 加之在防振脏污控制防静电干扰高等级净化间生产控制等方面的工程能力, 公司在磁头制造领域处于国际领先水平图 21: 深科技的数据卡产品资料来源 : 深科技官网, 长江证券研究所 2015 年, 公司全面收购沛顿科技 ( 深圳 ) 有限公司 ( 以下简称沛顿科技 ), 沛顿科技在芯片存储行业内领先的 DRAM 和 NAND FLASH 等封装检测技术生产设备客户资源和高端人才沛顿科技现有产品包括内存芯片 DRAM 和移动存储封装芯片 (SIP) 和嵌入式存储芯片 / 嵌入式多功能芯片 (emmc/emcp/mcp) 图 22: 深科技在电子产品制造存储器封测领域双重布局请阅读最后评级说明和重要声明 18 / 26

19 内生发展 : 电子产品制造外延发展 : 存储器封测深科技资料来源 : 南大光电公告, 长江证券研究所其他业务看点充足公司一直在积极推进固态硬盘项目, 早几年就有针对性的成立了专项小组来跟进固态硬盘的发展日前, 希捷和金士顿都意欲推进固态硬盘业务, 公司已做好准备, 可随时承接固态硬盘的生产公司彩田园区城市更新单元规划项目已获得深圳市城市规划委员会建筑与环境艺术委员会审批通过项目拆除用地面积 57,977.5 平方米, 开发建设用地面积 43,828.4 平方米, 计容积率建筑面积为 262,970 平方米, 其中产业研发用房 195,280 平方米 ( 含创新型产业用房 9,770 平方米 ), 产业配套用房 62,050 平方米 ( 含配套商业 21,000 平方米配套宿舍 41,050 平方米 ), 公共配套设施 5,640 平方米另外, 允许在地下开发 16,000 平方米商业用房图 23: 深科技的核心竞争力公司在规模化的制造能力和快速反应体系方面保持行业优势公司在计算机存储及电子制造行业拥有多年的技术沉淀和工程制造经验积累公司拥有完善的产业布局, 能形成高效的供应链系统资料来源 : 深科技官网, 长江证券研究所长电科技收购星科金朋, 布局高端封测星科金朋总部位于新加坡, 在韩国新加坡中国上海均设有工厂, 在美国欧洲韩国等地均拥有销售团队, 产品定位中高端, 覆盖全球主要消费市场的客户公司完成对星科金朋的收购后, 行业排名从第六位跃升至第四位, 全球市场占有率从 3.9% 提升至 10% 请阅读最后评级说明和重要声明 19 / 26

星科金朋技术领先, 客户资源丰富星科金朋不仅具有先进的封装技术, 更有优质的客户资源, 在技术方面, 星科金朋的 ewlb TSV SiP PoP 等均为行业领先的高端封装技术能力 ; 在客户方面, 覆盖了国际高端客户, 包括高通博通 SanDisk Marvell 等星科金朋拥有多种先进封装技术, 主要有 FC( 倒装 ) ewlb( 嵌入式晶圆级球栅阵列 ) TSV( 硅通孔封装技术

20 星科金朋技术领先, 客户资源丰富星科金朋不仅具有先进的封装技术, 更有优质的客户资源, 在技术方面, 星科金朋的 ewlb TSV SiP PoP 等均为行业领先的高端封装技术能力 ; 在客户方面, 覆盖了国际高端客户, 包括高通博通 SanDisk Marvell 等星科金朋拥有多种先进封装技术, 主要有 FC( 倒装 ) ewlb( 嵌入式晶圆级球栅阵列 ) TSV( 硅通孔封装技术 ) SiP( 系统级封装 ) PiP( 堆叠组装 ) PoP( 堆叠封装 ) 等表 2: 星科金鹏集中领先的技术介绍封装类别介绍倒装芯片封装是将裸硅片通过焊料凸块而非焊线接合过程直接固定在基板上 FC 倒装芯片互连可实现尺寸最小化, 降低封装寄生效应, 并支持其他传统封装无法实施的新型电源线和地线分布 ewlb 是一种通用的扇出型晶圆级封装 (FO-WLP) 技术, 专门用于解决互连 ewlb 间隙越来越不匹配的问题, 并且较传统封装集成度更高, 电气性能更优, 垂直互连路经更短利用短而垂直的电气接口或通过硅片的通孔, 建立从裸片有缘面到背面 TSV SiP PoP/PiP 的电气连接与焊线接合倒装芯片堆叠技术相比,TSV 技术提高了空间效率和互连密度与微凸块接合先进倒装芯片技术联合使用,TSV 还可实现高度功能集成和更小形状的特殊性能利用各种堆叠集成技术, 将多个具有不同功能的芯片及被动元件集成到尺寸更小的封装元件上封装利用传统的焊线接合或倒装芯片制程进行堆叠和互连, 制成传统的堆叠裸片和堆叠封装结构资料来源 : 长江证券研究所, 公司公告星科金朋的客户涵盖集成电路制造商和集成电路设计企业, 并且许多客户都是各自领域的市场领导者图 24: 星科金朋的主要客户情况资料来源 : 公司公告, 长江证券研究所国内存储器封测需求加大, 公司深度受益公司收购星科金朋后, 无论是产能还是封测技术均成为国内封测行业绝对龙头, 同时与中芯国际国家集成电路产业投资基金深度绑定, 将充分受益于整个集成电路产业向国请阅读最后评级说明和重要声明 20 / 26

21 内转移从芯片产品端来看, 国内布局最广且投入力度最大的是存储器芯片, 公司具备存储器芯片领域完善的封测技术, 将深度受益于这一趋势南大光电相变存储将拉动新型 MO 源的需求南大光电是国内唯一一家拥有自主知识产权并实现了 MO 源产业化生产的企业, 亦是全球四大 MO 源制造商之一目前公司已经占据了 MO 源全球最大的市场份额, 市场竞争也是日趋激烈陶氏与杜邦合并之后, 考虑到经营利润和环保安全的压力, 2016 年陶氏化学很有可能退出 MO 源市场 ; 同样由于成本与公共安全的问题, 赛孚思未来也有可能会逐步退出 MO 源市场在这两大趋势下, 南大光电将作为 MO 源全球第一的供应商, 逐渐增强自身的国际地位图 25:2014 年全球 MO 源的市场竞争格局图 26:MO 源的上下游产业链 SAFC Hitech, 22.90% others, 4.80% 南大光电, 28.10% 上游材料下游应用的产品相变存储器镓铟等金属材料 LED MO 源 Akzo Nobel, 21.10% 陶氏化学 (DOW), 23.20% 其他原料太阳能电池半导体激光器等资料来源 : 互联网, 长江证券研究所资料来源 : 互联网, 长江证券研究所 MO 源即高纯金属有机源, 目前 90% 左右的应用都集中于 LED 领域, 其也是制造新一代太阳能电池相变存储器半导体激光器射频集成电路芯片等的核心原材料目前相变存储器主要使用 GST(Ge Sb Te) 材料, 公司有含这三种材料的 MO 源, 随着 PCM 技术的发展, 若它能在市场上得到大规模的商用, 上游 MO 源行业将直接受益, 公司作为全球 MO 源生产的领导企业, 业绩将会出现明显的提升图 27: 南大光电的业务布局 MO 源传统优势业务, 目前也是公司的最主要业务南大光电的业务布局高纯特种气体光刻胶积极开展高纯砷烷磷烷等特种气体的研发和产业化, 生产线已建设完毕, 即将投产参股国内光刻胶龙头企业, 在半导体材料领域再次发力资料来源 : 南大光电公告, 长江证券研究所从公司的布局来看, 主要分为三大块业务 :MO 源高纯特种气体和光刻胶 1 公司的 MO 源前主要应用于下游制备 LED 外延片, 其产品不仅实现了国内进口替代, 还远销欧美及亚太地区, 积累了如 Osram 飞利浦丰田合成晶元光电三安光电士兰明芯华灿光电乾照光电等一大批稳定优质的客户资源 ; 请阅读最后评级说明和重要声明 21 / 26

22 2 公司子公司全椒南大光电完成了 7 条生产线的建设, 具备了 35 吨高纯磷烷 15 吨高纯砷烷等产品的生产能力 3 公司参股北京科华 31.39%, 切入到光刻胶领域艾派克不仅仅只有打印机艾派克主营业务包括集成电路芯片通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研发生产和销售, 主要产品包括打印耗材芯片打印耗材及相关部件等 ; 艾派克通过收购 Lexmark( 世界领先的打印产品及服务供应商, 产品包括打印机耗材及相关软件及服务 ), 一举奠定了其打印领域全产业链的龙头地位图 28: 艾派克全产业链布局产品及服务打印耗材芯片具体介绍技术实力雄厚, 获大基金支持获得中科院上海微系统所关于 PCM 在打印领域的独家使用权艾派克打印耗材及部件打印整机软件及服务种类齐全, 布局清晰且完整奔图打印机 + 利盟的中高端打印整机, 产品层次清晰, 掌握核心技术通过收购利盟, 进入打印产业的软件和服务领域, 产业布局更加完整资料来源 : 长江证券研究所艾派克在存储器领域的布局艾派克在非易失性存储器设计及应用领域拥有多项核心技术艾派克已具备和 0.13 微米工艺的非易失性存储器 EEPROM 设计与生产能力, 特别在高速 EEPROM 和低功耗 EEPROM 设计上具有较强优势, 目前艾派克拥有相关 EEPROM_IP16 项表 3: 艾派克在存储领域的核心技术技术名称用途技术来源 EEPROM_IP 基于 SMIC0.35/0.18/0.13 微米技术平台上的 EEPROM 设自主开发设计技术计能力调节芯片参数匹配的方法自动完成对非易失性存储器数据的自动配置, 实现对耗材自主开发容量的自定义扩充差分存储配置电用于特殊的高速低功耗非易失性存储单元和存储器设计路相变存储器 IP 设用于相变存储器芯片设计及特殊 SoC 设计计及应用技术自主开发独家授权资料来源 : 艾派克公告, 长江证券研究所艾派克助推 PCM 商业化艾派克获得上海微系统研究所相变存储器 PCRAM_IP 在打印机及打印耗材芯片领域独家使用授权, 通过排他性合作增加了艾派克的竞争优势从研究所角度看, 其 PCM 技请阅读最后评级说明和重要声明 22 / 26

术可以快速实现产业化, 有助于进一步研发投入两者优势互补, 促进协同发展表 4: 艾派克关于 PCM 的研发项目序号项目代号用途 1 UN5201 基于相变存储器 PCRAM 的通用 SoC 芯片 2 24PC04 基于相变存储器的 IIC 接口 4Kbit 存储器芯片 3 24PC08 基于相变存储器的 IIC 接口 8Kbit 存储器芯片资料来源 : 艾派克公告, 长江证券研究所

23 术可以快速实现产业化, 有助于进一步研发投入两者优势互补, 促进协同发展表 4: 艾派克关于 PCM 的研发项目序号项目代号用途 1 UN5201 基于相变存储器 PCRAM 的通用 SoC 芯片 2 24PC04 基于相变存储器的 IIC 接口 4Kbit 存储器芯片 3 24PC08 基于相变存储器的 IIC 接口 8Kbit 存储器芯片资料来源 : 艾派克公告, 长江证券研究所近年来艾派克在 PCM 领域的投入是有目共睹的, 不仅积极参与国家 02 专项相变存储器的产业化推广工作, 并且开展了多个 PCM 研发项目的工作, 期望在打印机及打印机耗材的存储芯片领域取得领先地位派克在打印机及打印耗材领域处于龙头地位,PCM 商业化的进程若能在艾派克的平台上稳步推进, 将达到事半功倍的效果图 29: 国内耗材芯片厂商的市场占有率资料来源 : 艾派克公司公告, 长江证券研究所七星电子设备领域深度受益在元器件领域, 公司依托 60 多年的元器件技术积累, 建立了完善的新产品新工艺研发体系, 其电阻电容晶体器件微波组件模块电源混合集成电路等高精密电子元器件被广泛应用于精密仪器仪表自动控制等高精尖特种行业随着国家进一步推进军用电子元器件国产化政策, 军用元器件的需求保持 10%-15% 的稳定增长且毛利率水平高, 是公司当前利润的主要来源在半导体设备领域, 公司集成电路设备逐步由研发进入应用的关键阶段, 目前为公司贡献业绩的主要是应用于电力电子光伏等领域的设备 ; 公司收购北方微电子, 其产品主要包括刻蚀 PVD 和 CVD 几大类, 应用领域包括集成电路制造封装 LED 功率半导体化合物半导体等细分市场, 客户涵盖中芯国际武汉新芯三安光电等国内大厂, 有望深度受益于新一轮国内大规模晶圆厂投资浪潮此外, 公司通过自主研发的锂离子动力电池设备的技术水平处于国内领先地位, 主要应用于动力汽车和储能行业在中国动力电池巨大市场需求的驱动下, 预计中国 2016 年锂离子电池设备市场将增长 17%, 达到 34 亿元规模, 公司相关业务将深度受益请阅读最后评级说明和重要声明 23 / 26

24 公司将实现半导体设备的自主可控, 预计公司年净利润分别为 1.01 亿元 1.63 亿元 2.43 亿元, 对应 EPS 分别为 : 元图 30: 七星电子营业收入及同比情况 ( 万元 ) 图 31: 七星电子净利润及同比情况 ( 万元 ) 140, , , , , , , % 10% 5% 0% -5% -10% -15% -20% 18, , , , , , , , , % 0% -10% -20% -30% -40% -50% 营业收入 YOY 营业收入 YOY 资料来源 :Wind, 长江证券研究所资料来源 :Wind, 长江证券研究所鼎龙股份 CMP 抛光垫领域新秀公司大力投入装备及人才力量,2016 有望形成初步产能若一二期产能 50 万片达产后, 预计年新增销售收入 100,000 万元, 正常年度新增年均利润总额 41,177 万元, 税后利润 35,000 万元鼎龙 2015 年主业的收入约为 10.5 亿人民币, 若 CMP 项目的顺利实施会使公司的营业收入迎来翻番, 再造一个鼎龙公司拥有彩色聚合碳粉再生硒鼓和打印耗材芯片是鼎龙旗下的三大业务模块, 规模效应十分突出, 而且三者优势互补, 协同发展收购旗捷将力促鼎龙在芯片领域具有话语权, 收购佛莱斯通则让鼎龙在化学碳粉领域具有产业控制力, 硒鼓耗材方面则在产业链打通的背景下, 未来具有产业继续整合的空间, 公司将有望在耗材领域实现龙头霸主的地位, 未来利润有望跨越式提升公司推进集成电路芯片及制程工艺材料研发中心项目, 研发并布局新的 IC 产业方向, 着眼长远, 凸显上市公司的深谋远虑在整合打印耗材产业链的同时将业务延伸至 IC 产业, 并以数字图文快印 O2O 的方式打造全新的数字打印市场, 而且促进与打印耗材市场的融合公司深入打造互联网 + 中心工厂 + 窗口店全新的图文快印商业模式, 实现线上线下的融合作为行业内唯一能够提供全系列兼容耗材的公司, 鼎龙有能力打破国外耗材厂商对终端的垄断, 成为快印行业的整合者预计 16 年 -18 年 EPS 分别为元图 32: 鼎龙股份营业收入及同比情况 ( 万元 ) 图 33: 鼎龙股份净利润及同比情况 ( 万元 ) 请阅读最后评级说明和重要声明 24 / 26

25 120, ,000 80,000 60,000 40,000 20, % 80% 60% 40% 20% 0% -20% 20,000 18,000 16,000 14,000 12,000 10,000 8,000 6,000 4,000 2, % 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 营业收入 YOY 净利润 YOY 资料来源 :Wind, 长江证券研究所资料来源 :Wind, 长江证券研究所风险提示 : 系统性风险 : 电子行业发展不及预期请阅读最后评级说明和重要声明 25 / 26

26 长江证券研究所投资评级说明行业评级报告发布日后的 12 个月内行业股票指数的涨跌幅度相对同期沪深 300 指数的涨跌幅为基准, 投资建议的评级标准为 : 看好 : 相对表现优于市场中性 : 相对表现与市场持平看淡 : 相对表现弱于市场公司评级报告发布日后的 12 个月内公司的涨跌幅度相对同期沪深 300 指数的涨跌幅为基准, 投资建议的评级标准为 : 买入 : 相对大盘涨幅大于 10% 增持 : 相对大盘涨幅在 5%~10% 之间中性 : 相对大盘涨幅在 -5%~5% 之间减持 : 相对大盘涨幅小于 -5% 无投资评级 : 由于我们无法获取必要的资料, 或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件, 或者其他原因, 致使我们无法给出明确的投资评级联系我们上海浦东新区世纪大道 1589 号长泰国际金融大厦 21 楼 (200122) 电话 : 传真 : 武汉武汉市新华路特 8 号长江证券大厦 11 楼 (430015) 传真 : 北京西城区金融大街 17 号中国人寿中心 606 室 (100032) 传真 : 深圳深圳市福田区福华一路 6 号免税商务大厦 18 楼 (518000) 传真 : , 重要声明长江证券股份有限公司具有证券投资咨询业务资格, 经营证券业务许可证编号 : 本报告的作者是基于独立客观公正和审慎的原则制作本研究报告本报告的信息均来源于公开资料, 本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证, 也不保证所包含信息和建议不发生任何变更本公司已力求报告内容的客观公正, 但文中的观点结论和建议仅供参考, 不包含作者对证券价格涨跌或市场走势的确定性判断报告中的信息或意见并不构成所述证券的买卖出价或征价, 投资者据此做出的任何投资决策与本公司和作者无关本报告所载的资料意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断, 本报告所指的证券或投资标的的价格价值及投资收入可升可跌, 过往表现不应作为日后的表现依据 ; 在不同时期, 本公司可发出与本报告所载资料意见及推测不一致的报告 ; 本公司不保证本报告所含信息保持在最新状态同时, 本公司对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改, 投资者应当自行关注相应的更新或修改本公司及作者在自身所知情范围内, 与本报告中所评价或推荐的证券不存在法律法规要求披露或采取限制静默措施的利益冲突本报告版权仅仅为本公司所有, 未经书面许可, 任何机构和个人不得以任何形式翻版复制和发布如引用须注明出处为长江证券研究所, 且不得对本报告进行有悖原意的引用删节和修改刊载或者转发本证券研究报告或者摘要的, 应当注明本报告的发布人和发布日期, 提示使用证券研究报告的风险未经授权刊载或者转发本报告的, 本公司将保留向其追究法律责任的权利

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Microsoft Word _ doc 雅戈尔 (600177) 公司研究维持推荐 2008-10-31 分析师 : 程雪婷 021-63299575 chengxt@cjsc.com.cn 联系人 : 杨靖凤 (8621) 63217917 yangjf@cjsc.com.cn 雅戈尔 08 年三季报点评事件描述雅戈尔今日发布 08 年三季报, 其主要内容为 : 销售收入 82.17 亿元, 同比增长 71.88%; 营业利润