华微斯帕克 Control Part 智能功率模块 (IPM), 500V/5A 3 相全桥驱动 主要功能及额定参数 : 500V,5A( 脉冲峰值 )2.4A( 连续电流 ) 下臂 MOSFET 源极输出 内置自举二极管 DIP23FP SOP23FP 特点 : 信号高电平有效, 兼容 3.3V 和 5V 的 MCU; 内置防直通保护 ; 内置欠压保护 ; 内部集成温度检测输出 ; 绝缘耐压 :1500V; 产品名称封装形式打印名称 SPE05M50TA DIP23FP SPE05M50TA SPE05M50TC SOP23FP SPE05M50TC 应用 : 冰箱压缩机 油烟机 风扇 空气净化器 洗碗机水泵 模块内部电路图 图 1: 模块内部电路图 www.sinospm.com 1 / 9 修改日期 :20160830
管脚说明 图 2: 管脚图 管脚编号管脚名称管脚描述 1 COM 控制电源 GND 端子 2 VB(U) U 相上臂驱动电源端子 3 VCC(U) U 控制电源端子 4 IN(UH) U 相上臂控制信号输入端子 5 IN(UL) U 相下臂控制信号输入端子 6 NC 无连接 7 VB(V) V 相上臂驱动电源端子 8 VCC(V) V 控制电源端子 9 IN(VH) V 相上臂控制信号输入端子 10 IN(VL) V 相下臂控制信号输入端子 11 VTS HVIC 温度输出 12 VB(W) W 相上臂驱动电源端子 13 VCC(W) W 控制电源端子 14 IN(WH) W 相上臂控制信号输入端子 15 IN(WL) W 相下臂控制信号输入端子 16 NC 无连接 17 P 逆变器直流输入端子 18 U U 相输出端子 19 NU U 相下臂 MOSFET 源极端子 20 NV V 相下臂 MOSFET 源极端子 21 V V 相输出端子 22 NW W 相下臂 MOSFET 源极端子 23 W W 相输出端子 www.sinospm.com 2 / 9 修改日期 :20160830
最大额定值 (Tj= 25 C, 除非特殊说明 ) 逆变部分记号 参数 条件 额定值 单位 V DSS 漏 源电压 500 V I D 漏极连续电流 Tc = 25 C(Tc 测量参考图 5) 2.4 A I DM 漏极电流 ( 峰值 ) Tc = 25 C, 脉冲宽度小于 100us 5 A I Drms 漏极电流 ( 有效值 ) Tc = 25 C, F PWM <20KHz 1.7 Arms P D 最大功耗 Tc = 25 C, 每个 MOSFET 16 W 控制部分记号 参数 条件 额定值 单位 VCC 控制电源电压 V CCCOM 之间 20 V VBS 高侧控制电压 VBVS 之间 20 V VIN 输入信号电压 V INCOM 之间 0.3~VCC+0.3 V 内部自举电路记号 参数 条件 额定值 单位 VRRMB 反向耐压 500 V IFB 正向电流 Tc = 25 C 1 A IFPB 正向电流 ( 峰值 ) Tc = 25 C, 脉冲宽度小于 1mS 2.5 A 整个系统记号 参数 条件 额定值 单位 Tj 结温 40~150 TSTG 贮存温度 Tc = 25 C 40~125 VISO 绝缘耐压 60Hz, 正弦, AC 1 分钟, 连接管脚到散热器 1500 V 备注 1: 为了确保 IPM 正常工作, 模块的结温应该小于 150 (@Tc 100 C) 热阻 记号 参数 条件 额定值 单位 Rth(jc) 结到外壳的热阻 每个 MOSFET 7.8 C/W www.sinospm.com 3 / 9 修改日期 :20160830
电气特性 (Tj= 25 C, 除非特殊说明 ) 逆变部分 记号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 BV DSS 漏 源击穿电压 V IN = 0 V, I D = 1 ma ( 备注 2) 500 V I DSS 零栅极电压漏极电流 V IN = 0 V, V DS = 500 V 1 ma V SD 源 漏二极管正向电压 V CC = V BS = 15V, V IN = 0 V, I D = 2.4A 0.9 V R DS(on) 漏 源导通电阻 V CC = V BS = 15 V, V IN = 5 V, I D =2.4 A 1.25 ohm t ON 1150 ns t OFF t rr E ON 开关时间 V PN = 300 V, V CC = V BS = 15 V, I D = 2.4 A V IN = 0/5 V, 感性负载 L = 3 mh ( 备注 3) 520 240 110 ns ns uj E OFF 8 uj R BSOA V PN = 400 V, V CC = V BS = 15 V, I D = I DP, V DS = 反向偏置安全工作区 BV DSS,T = 150 C 全直角 备注 2:BV DSS 是单个 MOSFET 漏源最大电压 VPN 应小于该值, 考虑到杂散电感,V DS 在任何情况下都不应超过 BV DSS 备注 3:t ON 和 t OFF 包含 IC 驱动传输延迟 列表值是在实验条件下测得, 不同的 PCB 及连线会改变数值 请参考图 3 的开关时间 定义 控制部分 记号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 IQCC VCC 静态电流 V CC = 15V V IN = 5V V CC COM 之间 500 ua IQB VBS 静态电流 V DB = 15V VB(U) U,VB(V) V, V IN = 5V VB(W) W 之间 200 ua UV CCD 检测电平 7.6 8.4 9.2 V 低侧欠压保护 UV CCR 复位电平 8.0 8.9 9.8 V UV BSD 检测电平 7.6 8.4 9.2 V 高侧欠压保护 UV BSR 复位电平 8.0 8.9 9.8 V VTS HVIC 温度检测输出 V CC = 15 V, T HVIC = 25 C( 图 4) 0.6 0.79 0.98 V V IH 输入开启阈值电压 逻辑高电平, 加在 V IN 与 COM 之间 2.7 V V IL 输入关闭阈值电压 逻辑低电平, 加在 V IN 与 COM 之间 0.8 V V F(BSD) 自举二极管导通压降 I F = 0.1 A, Tc = 25 C 1.35 1.8 V t rr(bsd) 自举二极管反向恢复时 I F = 0.1 A, Tc = 25 C 80 ns 间 www.sinospm.com 4 / 9 修改日期 :20160830
推荐工作条件 记号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 V PN 电源电压 PN 之间 300 400 V V CC 控制电源电压 V CCCOM 之间 13.5 15.0 16.5 V V BS 高侧控制电源电压 VBVS 之间 13.5 15.0 16.5 V V IN(ON) 输入开启阈值电压 3.0 V CC V V INCOM 之间 V IN(OFF) 输入关闭阈值电压 0 0.6 V t dead 死区时间 V CC = V BS = 13.5 ~ 16.5 V, Tj <150 C 1.0 us F PWM PWM 开关频率 Tj <150 C 15 KHz 图 3: 开关时间定义 图 4:HVIC 温度检测输出温度 电压曲线 www.sinospm.com 5 / 9 修改日期 :20160830
图 5: 壳温 Tc 测试点 保护功能时序图 图 6: 欠压保护时序图 ( 低侧 ) 图 7: 欠压保护时序图 ( 高侧 ) www.sinospm.com 6 / 9 修改日期 :20160830
应用电路 HIN LIN 逆变器输出 备注 0 0 高阻 上下桥 MOS 关闭 0 1 0 下桥 MOS 开通 1 0 VDC 上桥 MOS 开通 1 1 禁止 直通 开路 开路 高阻 上下桥 MOS 关闭 图 8:MCU 接口和自举推荐电路备注 4: 自举电路的元器件参数要根据 PWM 周期而定, 以 15kHz 开关频率为例 :C1=C2=4.7uF 备注 5: 在模块的每个输入端和 MCU 输出端之间加入 RC 去耦电路, 如 R5 C5 和高频滤波电容, 如 :C4, 防止干扰噪声引起的信号失真 C1 +15V C4 P CDC VDC R5 C5 C2 R5 M C5 C2 R5 C5 C2 C3 B R4 C R3 A N1 图 9: 典型应用电路图 www.sinospm.com 7 / 9 修改日期 :20160830
备注 6: 输入驱动高有效 ;IC 内部集成有一个 500K ( 典型值 ) 下拉电阻 ; 为防止发生误动作, 输入布线应尽可能短 ; 当用 RC 去耦线路时, 须确保输入信号达到开启和关断阙值电压范围 备注 7: 由于 R3 位于 MOSFET 源极与 COM 之间,R3 的压降会影响到下侧 MOSFET 的开关特性以及自举电路的特性, 因此 R3 的稳态压降应小于 1V 备注 8: 由于模块内置了专用 HVIC, 其控制端子可与 CPU 端子直接相连, 而不需要任何光耦或变压器等隔离电路 备注 9: 自举电路负极应直接连接到 U V W 的端 备注 10: 为防止误保护, A B C 连线应尽可能短 备注 11: 保护线路 R4 C3 的时间常数建议选取在 1~2uS 关断时间可能随着布线的不同而多少有些变化 建议 R4 C3 选 择小容差, 温度补偿类型 备注 12: 所有电容的位置尽可能的靠近 IPM 备注 13: 为了防止噪声干扰, 储能电容与 P&N1 之间的引线应尽可能的短, 推荐在 P&N1 端子之间加约 0.1~0.22uF 的 MLCC 低频滤波电容 备注 14:VTS 引脚是 IC 内部集成的温度检测输出脚, 如果不需要使用该引脚, 建议用 100K 电阻下拉至 GND, 不允许悬空 外形封装图 SPE05M50TA(DIP23FP) 单位 :mm 图 10:SPE05M50TA 封装外形图 www.sinospm.com 8 / 9 修改日期 :20160830
SPE05M50TC(SOP23FP) 单位 :mm 图 11:SPE05M50TC 封装外形图 www.sinospm.com 9 / 9 修改日期 :20160830