VUFB VVFB VWFB VB3 VB2 VB1 NC P VCC HO1 VS1 U UP HIN1 VP WP HIN2 HIN3 HO2 VS2 V VP1 VNC HO3 VS3 W UN VN WN LIN1 LIN2 LIN3 LO1 NU NC FO FAULT LO2 NV CI

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备卫
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主要功能及额定参数 : 600V/10A 三相逆变器内置低损耗沟道栅 - 场截止型 IGBT 下臂 IGBT 发射极输出内置自举二极管应用 : 冰箱压缩机油烟机风扇空气净化器洗碗机水泵特点 : IGBT 驱动 : 增强型输入滤波, 上下臂互锁, 高速 600V 电平转换, 电源欠压保护, 短路 ( 过流 ) 保护故障信号 : 对应于短路 ( 过流 ) 和 VP1 电源欠压故障

1 主要功能及额定参数 : 600V/10A 三相逆变器内置低损耗沟道栅 - 场截止型 IGBT 下臂 IGBT 发射极输出内置自举二极管应用 : 冰箱压缩机油烟机风扇空气净化器洗碗机水泵特点 : IGBT 驱动 : 增强型输入滤波, 上下臂互锁, 高速 600V 电平转换, 电源欠压保护, 短路 ( 过流 ) 保护故障信号 : 对应于短路 ( 过流 ) 和 VP1 电源欠压故障输入接口 : 兼容 3.3V&5V 输入信号, 高电平有效温度检测 : 负温度系数热敏电阻检测输出智能功率模块 Main Function and : Application: Air Fan Range hoods Air purifier The dishwasher pump Freezer compressor Features: 600V/10A three-phase inverter Built-in low-loss trench-gate field-stop IGBT Open emitter type Built-in bootstrap diode IGBT Driver:Advanced input filter, Shoot through prevention, High voltage high-speed level shifting, Control supply under-voltage (UV) protection. Fault signaling : Corresponding to an SC fault (Upper&Lower-leg IGBT), a UV fault (Lower-side supply). Input/Output interface:: 3.3V&5V input signal is compatible, high active. Temperature Detection:Negative temperature coefficient thermistor detection output 封装 Package DIP25-FP 产品名称封装形式打印名称 SPE10S60F-A DIP25-FP SPE10S60F-A 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号印记封装无卤素包装 Order codes Marking Package Halogen Free Packaging SPE10S60F-A SPE10S60F-A DIP25-FP 否 NO 条管 Tube 器件重量 Device Weight 模块内部电路图 Internal Block Diagram 版本 (Rev.):201801A 1/18

2 VUFB VVFB VWFB VB3 VB2 VB1 NC P VCC HO1 VS1 U UP HIN1 VP WP HIN2 HIN3 HO2 VS2 V VP1 VNC HO3 VS3 W UN VN WN LIN1 LIN2 LIN3 LO1 NU NC FO FAULT LO2 NV CIN ITRIP LO3 VNC VOT NTC COM VSS NW 图 1: 内部电路图 Fig 1:Internal Block Diagram (Bottom View) 管脚说明 Pin configuration 图 2: 引脚图 Fig 2:Pin figure 版本 (Rev.):201801A 2/18

3 管脚描述 Pin Description 管脚编号 Pin Number 管脚名称 Pin Name 管脚描述 Pin Description 1 NC 无连接 No connection 2 VUFB U 相上臂驱动电源端子 U-phase high side floating IC supply voltage 3 VVFB V 相上臂驱动电源端子 V-phase high side floating IC supply voltage 4 VWFB W 相上臂驱动电源端子 W-phase high side floating IC supply voltage 5 UP U 相上臂控制信号输入端子 U-phase high side gate driver input 6 VP V 相上臂控制信号输入端子 V-phase high side gate driver input 7 WP W 相上臂控制信号输入端子 W-phase high side gate driver input 8 VP1 控制电源端子 IC supply voltage 9 VNC 控制电源 GND 端子 Common Supply Ground 10 UN U 相下臂控制信号输入端子 U-phase low side gate driver input 11 VN V 相下臂控制信号输入端子 V-phase low side gate driver input 12 WN W 相下臂控制信号输入端子 W-phase low side gate driver input 13 NC 无连接 No connection 14 FO 故障输出端子 Fault output 15 CIN 短路保护触发电压检测端子 Analog input for over current shutdown 16 VNC 控制电源 GND 端子 Common Supply Ground 17 VOT 温度检测输出端子 Analog output for temperature monitor 18 NW W 相下臂 MOSFET 源极端子 Negative DC-Link input for W-phase 19 NV V 相下臂 MOSFET 源极端子 Negative DC-Link input for V-phase 20 NU U 相下臂 MOSFET 源极端子 Negative DC-Link input for U-phase 21 W W 相输出端子 Motor W-phase output 22 V V 相输出端子 Motor V-phase output 23 U U 相输出端子 Motor U-phase output 24 P 逆变器直流输入端子 Positive bus input voltage 25 NC 无连接 No connection 最大额定值 (Tj= 25 C, 除非特殊说明 ) Absolute Maximum Ratings (Tj= 25 C, Unless Otherwise Specified) 逆变部分 Inverter Part 记号 Symbol V CC V CC(Surge) V CES 项目电源电压 Supply Voltage 电源电压 ( 含浪涌 ) Supply Voltage (Surge) 集电极 - 发射极间电压 Collector-emitter Voltage 条件 Conditions 应用于 P- NU, NV, NW 之间 Applied between P- NU, NV, NW 应用于 P- NU, NV, NW 之间 Applied between P- NU, NV, NW 额定值 Ratings 单位 450 V 500 V 600 V ± I C 集电极电流 T C = 25 C(Tc 测试方法见图 3) 10 A 版本 (Rev.):201801A 3/18

4 Each IGBT Collector Current (Tc refer to Fig:3) 集电极电流 ( 峰值 ) T C= 25 C, 脉冲宽度小于 1ms ± I CP Each IGBT Collector Current 20 A T C= 25 C, less than 1ms (Peak) P C Tj 集电极功耗 T C = 25 C, 单晶片 Collector Dissipation T C = 25 C, Per One Chip 24 W 结温 ( 见备注 1) Operating Junction Temperature (NOTE 1) -40~+150 C 备注 1:IPM 功率晶片最大额定结温为 175 C(@ 表面温度 T C 100 C) 然而, 为了确保 IPM 运行安全, 结温应限定于 Tj(av) 150 C (@ 表面温度 Tc 100 C) NOTE 1:To insure safe operation of the IPM, the average junction temperature should be limited to Tj(av) 150 C (@Tc 100 C). 控制部分 Control Part 记号项目条件额定值单位 Symbol Conditions Ratings V DB 上桥臂控制电源电压 High side floating supply voltage 应用于 UFB U, VFB-V, WFB-W 之间 Applied between UFB - U, VFB-V, WFB-W 17.5 V V D 控制电源电压 Low side supply voltage 应用于 VP1 VNC 之间 Applied between VP1,VN1 - VNC 17.5 V V IN 输入信号电压 Input Signal Voltage 应用于 UP, VP, WP, UN,VN,WN-VNC 之间 Applied between UP,VP,WP,UN,VN,WN-VNC -1~10 V V FO 故障输出电压 Fault Output Supply Voltage 应用于 FO V NC 之间 Applied between FO - VNC -0.5~VD+0.5 V I FO 故障输出电流 Fault Output Current FO 端子吸入电流值 Sink Current at FO Pin 1.5 ma V SC 电流检测端输入电压 Current Sensing Input Voltage 应用于 CIN V NC 之间 Applied between CIN - VNC -0.5~VD+0.5 V 全系统 Total System 记号 Symbol V CC(PROT) Tc 项目电源电压自己保护范围 ( 短路 ) Self Protection Supply Voltage Limit (Short Circuit Protection Capability) 模块正常工作壳体温度 Module Case Operation Temperature 条件 Conditions 额定值 Ratings 单位 V D = V DB = 13.5 ~ 16.5V Tj= 150 C, 无重复, 时间小于 2us VD = VDB = 13.5 ~ 16.5V 400 V Tj= 125 C, Non-repetitive, less than 2u -20 Tj 150 C -20 ~ +100 C 版本 (Rev.):201801A 4/18

5 Tstg 贮存温度 Storage Temperature -40 ~ +125 C Viso 绝缘耐压 Isolation Voltage 正弦波 60Hz,AC 1 分钟, 在插脚和散热片之间 60Hz, Sinusoidal, AC 1 minute, between pins and heat-sink plate 2500 Vrms 图 3: 壳温测试点 Fig 3. Tc measurement point 热阻 Thermal Resistance 记号项目 Symbol Rth(j-c)Q 结点到壳的热阻 Junction to Case Thermal Rth(j-c)F Resistance 条件 Condition 单个 IGBT 元件 For each IGBT part 单个 FRD 元件 For each FRD part 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 C/W C/W 电气特性 (Tj= 25 C, 除非特殊说明 ) Electrical Characteristics (Tj = 25 C, Unless Otherwise Specified) 逆变部分 Inverter Part 记号 Symbol V CE(sat) V F t ON 项目集电极与发射极间饱和电压 Collector Emitter Saturation Voltage FWD 正向导通电压 FWD Forward Voltage 条件 Condition V D = V DB = 15V V IN = 5V, I C =10A, Tj= 25 C V D = V DB = 15V V IN = 5V, IC =10A, Tj= 125 C V IN = 0V,I C =-10A, Tj = 25 C V CC = 300V, V D = V DB = 15V 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 V V us t C(ON) 开关时间 ( 备注 2) I C =10A us t OFF Switching Times(NOTE 2) V IN = 0V 5V, 感性负载 us t C(OFF) Inductive Load us V 版本 (Rev.):201801A 5/18

6 t rr us E on 开通损耗 Turn-on loss I C = 10A, V CC = 400V, V DB = V D=15V,R G = 47Ω, L=1mH, uj E off 关断损耗 Turn-off loss L S= 150nH, Tj= 25 C I CES 集电极到发射极漏电流 V CE= V CES Tj= 25 C ua Collector-Emitter Leakage Current V CE= V CES Tj= 125 C ma 备注 2:t ON 和 t OFF 包括驱动 I C 内部传输延迟时间 t C(ON) 和 t C(OFF) 是 IGBT 自身被内部给定门极驱动条件下的开关时间详见图 4 NOTE 2:tON and toff include the propagation delay time of the internal drive IC. tc(on) and tc(off) are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition internally. For the detailed information, Please Refer to Fig %Ic 100%Ic trr VCE Ic Ic VCE VIN VIN ton tc(on) VIN(ON) 10%Ic 90% Ic 10% VCE toff tc(off) 10%VCE 10%Ic (a) 开启 (b) 关断图 4: 开关时间定义 Fig 4:Switching Time Definition 控制部分 Control Part 记号 Symbol 项目条件 Condition 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 I D V D 静态电流 V D = 15V Quiescent VD Supply V IN = 5V Current VP1-VNC ma I DB V DB 静态电流 V DB = 15V UFB - U, VFB - V, Quiescent VDB Supply V IN = 5V WFB - W Current ua Vsc = 0V, FO 脚通过 10K 电阻上拉 V FOH 故障输出电压 V 至 5V Fault Output Voltage V FOL Vsc =1V, I FO=1.5mA V Vsc,TH+ 短路正向触发阙值 Short circuit positive going V D = 15V V 版本 (Rev.):201801A 6/18

7 threshold Vsc,TH- 短路负向触发阙值 Short circuit negative going threshold V D= 15V V UV DD 电源欠压保护控制触发电平 Trip Level UV DR Control supply 复位电平 Reset Level UV DBD under-voltage 触发电平 Trip Level V UV DBR pretection 复位电平 Reset Level Ron,FLT 故障低有效阻抗 FLT low on resistance I=1.5mA ohm T FO 故障输出脉冲宽度 us 输入信号滤过时间 (UP/VP/WP, t FIL,IN t CINMIN V IN(ON) V IN(OFF) V OT V F R BSD UN/VN/WN) Input filter time (UP/VP/WP,UN/VN/WN V IN = 0 V & 5 V ns CIN 输入信号滤过时间 V IN = 0 V or 5 V,V CIN = 5 V CIN Input filter time ns 开启阙值电压 ON Threshold Volta 关断阙值电压 OFF Threshold Volta 温度输出, 备注 3 Temperature Output NOTE 4 BSD 正向电压 BSD Forward voltage BSD 限流电阻 Internal bootstrap diode on 应用于 UP,VP,WP,UN,VN,WN 和 VNC 之间 Applied between UP,VP,WP,UN,VN,WN and VNC V Tc= V Tc= I F=10mA 包含电压 I F=10mA including voltage V VF1=4V, VF2=5V ohm 备注 3: 当温度达到极限时,IPM 不能自动够关闭 IGBT 和输出故障信号当温度超出使用者定义的限定值时, 应使用控制器 ( 单片机 ) 关闭 IPM IPM 的 V OT 输出特性曲线请参考图 5, 图 5 曲线是以 20K 上拉电阻测试结果 NOTE 3:IPM do not shutdown IGBTs and output fault signal automatically when temperature rises excessively. When temperature exceeds the protective level the user defined, controller(mcu)should stop the IPM. Temperature of HVIC vs VOT output characteristics is described as Fig 5, The Fig 5 was tested by 20Kohm pull-up resistor 版本 (Rev.):201801A 7/18

8 Vmin Vnor V OT (V) Vmax T C ( ) 图 5:V OT 输出电压曲线 Fig 5: VOT output voltage VS HVIC temperature 推荐工作条件 Recommended Operating Conditions 记号 Symbol 项目条件 Condition 最小值 Min 数值 Value 典型值 Typ 最大值 Max 单位应用于 P NU, NV, NW 之 V cc 电源电压 Supply Voltage 间 Applied between P NU, V NV, NW V D 控制电源电压 Control Supply Voltage 应用于 VP1 VNC 之间 Applied between VP1 VNC V 应用于 VUFB U, VVFB V, V DS 上臂控制电源电压 High-side Bias Voltage VWFB-W 之间 Applied between VUFB U, V VVFB V, VWFB-W 版本 (Rev.):201801A 8/18

9 t dead f PWM PWM 死区时间 Blanking Time for Preventing Arm-short 各桥臂输入对应, Tc<=100 For Each Input Signal,, Tc<= us PWM 频率 -20 Tc +100 PWM Input Signal -20 Tj khz 最小输入信号脉冲宽度 ON us Minimum Input Pulse Width OFF us Tj 结温 Junction temperature 内部 NTC 热阻特性 Internal NTC - Thermistor Characteristics 记号项目条件数值 Value 单位 Symbol Condition 最小值典型值最大值 Min Typ Max R NTC 热敏电阻 T NTC = 25 C Kohm Resistance of Thermistor T NTC = 125 C Kohm 温度范围 Temperature Range C 机械特性 Mechanical Characteristics and Ratings 数值 Value 参数条件单位最小值典型值最大值 Conditions Min Typ Max 安装扭矩螺丝钉尺寸 :M N m Mounting Torque Mounting Screw:M3 设计平面度见图 um Device Flatness Refer to Fig 6. 重量 Weight g 图 6: 平面度检测位置 Fig 6:Flatness Measurement Position 版本 (Rev.):201801A 9/18

10 应用指南 Application Guide 增强型输入滤波 Advanced input filter 增强型滤波器能够改善 HVIC 内部模块的输入 / 输出脉冲的一致性及有助于滤除尖峰干扰信号和窄脉冲, 如下图 7 和图 8 是经典型输入滤波器和增强型输入滤波器演示图 The advanced input filter allows an improvement in the input/output pulse symmetry of HVIC inside the module and helps to reject noise spikes and short pulses. The advantage of the new filter is shown in Figures 7 and 8 Eg.1 输入 tfil,in Eg.1 输入 tfil,in 输出输出 Eg.2 输入 tfil,in Eg.2 输入 tfil,in 输出输出图 7: 典型输入滤波 Fig 7:Typical input filter 图 8: 增强型输入滤波 Fig 8:Advanced input filter 保护功能时序图 Time Charts of Protective Function 直通保护 UP/VP/WP UN/VN/WN HO LO 图 9: 直通保护备注 4:HO 和 LO 为内部 HVIC 门极输出信号 NOTE 4:The signal HO and LO are gate output of the internal HVIC 版本 (Rev.):201801A 10/18

11 输入信号保护电路状态复位置位复位电源电压 UVDr a1 UVDt a3 a6 a2 a4 a7 输出电流 a5 故障输出信号图 10: 欠压保护时序图 ( 低侧 ) Fig 10:Under-Voltage Protection (Low-side Operation) a1 : 电源电压上升 : 当该电压上升到欠压恢复点, 在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行 a1 : Control supply voltage rises: After the voltage rises UVDr, the circuits start to operate when next input is applied a2 : 正常运行 : IGBT 开启并加载电流 a2 : Normal operation: IGBT ON and carrying current a3 : 欠压检测点 (UV Dt) a3 : Under voltage detection (UVDt). a4 : 不管输入是什么信号,IGBT 都是关闭状态 a4 : IGBT OFF in spite of control input condition a5 : 故障输出开启 a5 : Fault output operation starts a6 : 欠压恢复 (UV Dr) a6 : Under voltage reset (UVDr) a7 : 正常运行 : IGBT 导通并加载负载电流 a7 : Normal operation: IGBT ON and carrying current 输入信号保护电路状态复位置位复位电源电压 UVDBr b1 UVDBt b3 b5 b2 b4 b6 输出电流故障输出信号高电平 ( 无故障信号输出 ) 图 11: 欠压保护时序图 ( 高侧 ) Fig 11:Under-Voltage Protection (High-side Operation only) 版本 (Rev.):201801A 11/18

12 b1 : 电源电压上升 : 当该电压上升到欠压恢复点, 在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行 b1 : Control supply voltage rises: After the voltage reaches UVDBr, the circuits start to operate when next input is applied b2 : 正常运行 : IGBT 导通并加载负载电流 b2 : Normal operation: IGBT ON and carrying current b3 : 欠压检测 (UV DBt) b3 : Under voltage detection (UVDBt) b4 : 不管输入是什么信号,IGBT 都是关闭状态 b4 : IGBT OFF in spite of control input condition, but there is no fault output signal. b5 : 欠压恢复 (UV DBr) b5 : Under voltage reset (UVDBr) b6 : 正常运行 : IGBT 导通并加载负载电流 b6 : Normal operation: IGBT ON and carrying current 低侧控制输入 c6 c7 保护电路状态置位复位 IGBT 栅极 - 发射极间电压 SC c2 c3 c4 c1 输出电流 c8 分流电阻感应电压 SC 参考电压故障输出信号 c5 CR 时间常数延迟图 12: 短路电流保护时序图 ( 只适合于低侧 ) Fig 12:short-Circuit Current Protection (Low-side And High-side Operation) ( 通过外部分流电阻连接 ) (with the external shunt resistance connection) c1 : 正常运行 : IGBT 导通载流 c1 : Normal operation: IGBT ON and carrying current c2 : 短路电流检测 (CIN 触发器 ) c2 : Short circuit current detection (CIN trigger c3 : IGBT 门极被强制关断. c3 : Hard IGBT gate interrupt c4 : IGBT 关断 c4 : IGBT turns OFF 版本 (Rev.):201801A 12/18

13 c5 : 故障输出定时器开始运行 : 故障输出信号的脉冲宽度是由外部电容 CFO 设定 c5 : Fault output timer operation starts: The pulse width of the fault output signal is set by the internal capacitor c6 : 输入 L : IGBT 关闭 c6 : Input L : IGBT OFF state c7 : 输入 H : IGBT 开通, 但是故障信号作用期间, IGBT 不导通 c7 : Input H : IGBT ON state, but during the active period of fault output the IGBT doesn t turn ON c8 : IGBT 关断 c8 : IGBT OFF state 输入 / 输出接口电路 Input/Output Interface Circuit 5V line IPM 5Kohm RTH UP,VP,WP,UN,VN,WN MCU FO 下拉电阻 VOT 热敏电阻 VNC 图 13: 推荐的 MCU 输入输出接口电路 Fig 13:Recommended CPU I/O Interface Circuit 备注 5: 由于 PWM 的控制方式和实际应用电路的阻抗及线路板的阻抗,RC 去耦可能会有变化 NOTE 5:RC coupling at each input (parts shown dotted) might change depending on the PWM control scheme used in the application and the wiring impedance of the application s printed circuit board. 备注 6: 逻辑输入要和标准的 CMOS 或 LSTTL 输出相匹配 NOTE 6:The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs 分流电阻接线 Wiring Around The Shunt Resistor IPM 布线电抗应小于 10nH( 相当于一条宽 =3mm, 厚 =10μm, 长 =17mm 的铜布线电抗 ) NU VNC NV NW 旁路电阻旁路电阻和控制地之间的连接应该尽量短图 14: 旁路电阻接线注意事项 Fig 14:Recommended Wiring Around The Shunt Resisto 版本 (Rev.):201801A 13/18

14 典型应用电路图 Typical Application Circuit E1 C1 ZD1 VUFB E1 VVFB NC C1 VWFB ZD1 E1 VB3 VB2 VB1 P C1 ZD1 VCC HO1 VS1 U R2 R2 R2 C6 C6 C6 15V UP VP WP VP1 HIN1 HIN2 HIN3 HO2 VS2 V 电机 E2 C2 ZD2 VNC HO3 VS3 W MCU R2 R2 C6 C6 UN VN LIN1 LIN2 LO1 NU C3 E3 R3 R2 5V C6 C7 WN NC FO CIN LIN3 FAULT ITRIP LO2 NV R4 VNC COM LO3 NW C7 VOT NTC VSS C B R1 C5 A RS N1 图 15: 典型应用电路 Fig 15:Typical Application Circuit 备注 7: 输入驱动高有效 ;IC 内部集成有一个 5kΩ( 典型值 ) 下拉电阻 ; 为防止发生误动作, 输入布线应尽可能短 ; 当用 RC 去耦线路时, 须确保输入信号达到开启和关断阙值电压范围 NOTE 7:Input drive is High-Active type. There is a 5.1kΩ(typ.) pull-down resistor integrated in the IC input circuit. To prevent malfunction, the wiring of each input should be as short as possible. When using RC coupling circuit, make sure the input signal level meet the turn-on and turn-off threshold voltage. 备注 8: 由于模块内置了专用 HVIC, 其控制端子可与 CPU 端子直接相连, 而不需要任何光耦或变压器等隔离电路 NOTE8:Thanks for HVIC inside modules, direct coupling to MCU without any opto-coupler or transformer isolation is possible. 备注 9: 自举电路负极应直接连接到 U V W 的端 NOTE 9:Bootstrap negative electrodes should be connected to U,V,W terminals directly and separated from the 版本 (Rev.):201801A 14/18

15 main output wires. 备注 10:FO 是漏极开路型, 其信号线应通过一个约 10kΩ 的上拉电阻上拉到 +5V/3.3V 电源 NOTE 10:Fo output is open drain type. It should be pulled up to the positive side of a 5V power supply by a resistor of about 10kΩ 备注 11: 为防止误保护,A B C 连线应尽可能短 NOTE 11:To prevent erroneous protection, the wiring of A, B, C should be as short as possible. 备注 12: 保护线路 R1 C5 的时间常数建议选取在 1~2uS 关断时间可能随着布线的不同而多少有些变化建议 R1 C5 选择小容差, 温度补偿类型 NOTE 12:The time constant R1 C5 of the protection circuit should be selected in the range of 1.0-2μs. SC interrupting time might vary with the wiring pattern. Tight tolerance, temp-compensated type is recommended for R1, C5. 备注 13: 所有电容的位置尽可能的靠近 IPM NOTE 13:All capacitors should be mounted as close to the terminals of the IPM as possible 备注 14: 为了防止噪声干扰, 储能电容与 P&N1 之间的引线应尽可能的短, 推荐在 P&N1 端子之间加约 0.1~0.22uF 的 MLCC 低频滤波电容 NOTE 14:To prevent surge destruction, the wiring between the smoothing capacitor and the P, N1 terminals should be as short as possible. Generally, a μF snubber between the P-N1 terminals is recommended 备注 15: 两个 VNC 端 (9&16 脚 ) 在 IPM 内部已连接在一起, 外部任一 VNC 端子连接到 GND, 另一端子允许开路 NOTE 15:Two VNC terminals (9 & 16 pin) are connected inside IPM, please connect either one to the 15V power supply GND outside and leave another one open 备注 16: 如果控制地通过 PCB 走线被连接到功率地, 控制信号可能会受到功率地的起伏的影响, 推荐使用单点连接 NOTE 16:If control GND is connected to power GND by broad pattern, it may cause malfunction by power GND fluctuation. It is recommended to connect control GND and power GND at only one point. 外形封装图 Detailed Package Outline Drawings 单位 :mm 图 16: 封装外形图 Fig 16: Package Outline 版本 (Rev.):201801A 15/18

16 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理, 无论哪种方式, 订货时请与公司核实 2. 购买时请认清公司商标, 如有疑问请与公司本部联系 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值, 否则会影响整机的可靠性 4. 本说明书如有版本变更不另外告知联系方式吉林华微电子股份有限公司 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent, thus, for customers, when ordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址 : 吉林省吉林市深圳街 99 号邮编 : 总机 : 传真 : 网址 : ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: Tel: Fax: Web Site: 市场营销部地址 : 吉林省吉林市深圳街 99 号邮编 : 电话 : /3099 传真 : MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: Tel: /3099 Fax: 附录 (Appendix): 修订记录 (Revision History) 日期旧版本新版本 Date Last Rev. New Rev. 修订内容 Description of Changes A 初始版本版本 (Rev.):201801A 16/18

华微斯帕克 SPE20S60N-D 说明书 Control 智能功率模块 Part 600V/20A 3 相全桥驱动主要功能及额定参数 : 600V/20A 三相直流转交流逆变器内置低损耗沟道栅 - 场截止型 IGBT 下臂 IGBT 发射极输出内置自举二极管应用 : 空调压缩机冰箱压缩机

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