EG3012芯片数据手册

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自郜
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1 ELECTRONIC GIANT EG2136 芯片数据手册 REV 1.0

2 版本号日期描述版本变更记录 V 年 11 月 18 日 EG2136 数据手册初稿 2 / 12

3 目录 1. 特点描述应用领域引脚引脚定义引脚描述结构框图典型应用图电气特性极限参数典型参数功能描述逻辑时序图封装尺寸 SOP28L 封装尺寸 / 12

4 EG2136 芯片数据手册 V 特点高端悬浮自举电源设计, 耐压可达 600V 适应 5V 或者 3.3V 输入电压输出电流能力 +0.2A/-0.35A 欠压保护使能控制输入输出相反外部设置清理时间高低端通道匹配过流保护关断六通道输出集成三个独立的半桥驱动器内建死区控制电路自带闭锁功能, 彻底杜绝上下管输出同时导通封装形式 :SOP28L 2. 描述 EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压高速功率器件的三相栅极驱动电路, 主要包含三个独立的半桥驱动电路内置死区时间, 可确保功率管上下桥臂不会同时导通内置输入信号滤波, 防止噪声干扰提供外部使能控制可同时关断六通道输出此外, 它还具有欠压保护和过流保护功能, 出现异常时立即关断六通道输出 3. 应用领域三相电机驱动 DC-AC 逆变开关电源空调冰箱洗衣机 4 / 12

5 4. 引脚 4.1 引脚定义 VCC 1 28 VB1 HIN HO1 HIN VS1 HIN NC LIN VB2 LIN HO2 LIN3 FAULT 7 8 EG VS2 21 NC ITRIP 9 20 VB3 EN HO3 RCIN VS3 VSS NC COM LO1 LO LO2 图 4-1. EG2136 管脚定义 4.2 引脚描述引脚序号引脚名称 I/O 描述 1 VCC I 低端电源电压 2,3,4 I 高端输入 ( 负逻辑 ) 5,6,7 I 低端输入 ( 负逻辑 ) 8 FAULT O 过流或者低端欠压闭锁的故障指示 ( 负逻辑 ) 9 ITRIP I 过流保护输入端 10 EN I 使能端 11 RCIN I 外接 RC 元件, 确定故障清楚延时 12 VSS I 地 13 COM I 低端栅极驱动公共端 14,15,16 LO3,2,1 O 低端输出 17,21,25 NC 空脚 18,22,26 VS3,2,1 I 高端浮动偏移电压 19,23,27 HO3,2,1 O 高端输出 20,24,28 VB3,2,1 I 高端浮动绝对电压 5 / 12

6 6 / 结构框图电平位移脉冲滤波驱动驱动死区控制和闭锁控制延时滤波滤波电平位移脉冲滤波驱动驱动死区控制和闭锁控制滤波滤波电平位移脉冲滤波驱动驱动死区控制和闭锁控制滤波滤波欠压检测欠压检测欠压检测延时延时欠压检测滤波数字逻辑控制 0.5V HIN1 LIN1 HIN2 LIN2 HIN3 LIN3 EN RCIN VSS ITRIP VB1 HO1 VS1 LO1 VB2 HO2 VS2 LO2 VB3 HO3 VS3 LO3 VCC FAULT COM 图 5-1. EG2136 结构框图

7 6. 典型应用图 15V FR V VCC VB1,2,3 1N4148 VS1,2,3 C3 R4 10uF FAULAT EN FAULAT EN EG2136 OUT R1 2M 1N4148 C1 0.1uF C2 1nF RCIN ITRIP VSS COM R5 R2 R3 图 6-1. EG2136 典型应用电路图 7. 电气特性 7.1 极限参数无另外说明, 在 TA=25 条件下, 所有电压均以 COM 为参考点符号参数名称测试条件最小最大单位自举高端 VB 电源 VB V 高端悬浮地端 VS - VB1,2,3-20 VB1,2,3+0.3 V 高端输出 HO - VS1,2,3-0.3 VB1,2,3+0.3 V 低端输出 LO VCC+0.3 V 7 / 12

8 电源 VCC V 地 VSS - VCC-20 VCC+0.3 V 高通道逻辑信号输入电平低通道逻辑信号输入电平 V V RCIN 输入电压 VRCIN - VSS-0.3 VCC+0.3 V FAULT 输入电压 VFAULT - VSS-0.3 VCC+0.3 V EN 输入电压 EN - VSS 6 V ITRIP 输入电压 ITRIP - VSS 6 V TA 环境温度 Tstr 储存温度 TL 焊接温度 T=10S 注 : 超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏, 在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性 7.2 典型参数无另外说明, 在 TA=25,VCC=VBS1,2,3=15V,VS1,2,3=VSS=COM,CL=1nF 参数名称符号测试条件最小典型最大单位电源 VCC V 输入逻辑信号高电位 VIH = V 输入逻辑信号低电位 VIL = V EN 使能电压 VTH V EN 使能电压 VTH V ITRIP 过流检测电压 VITTH V ITRIP 过流迟滞电压 VITHYS V RCIN 端检测电压 VRCINTH V RCIN 端迟滞电压 VRCINHYS V VCC/VBS 欠压复位电压 VCC/VBS 欠压检测电压 VCC/VBS 欠压迟滞电压 VCCUV+ VBSUV+ VCCUV- VBSUV- VCCUVH VBSUVH V V V 静态电流 Icc VIN=5,VCC=15V ma 8 / 12

9 VBS 静态电流 IBS VIN= ua 悬浮浮动电源漏电流 ILK VB1,2,3=VS1,2,3=600V ua EN 使能关闭电流 IEN VEN= ua IO 输出拉电流 IO 输出灌电流 IO+ IO- Vo=0V,VIN=VIH PW 10uS Vo=12V,VIN=VIL PW 10uS ma ma 高电平输出电压 VOH IO=25 ma 14.2 V 低电平输出电压 VOL IO=25 ma 0.2 V RCIN 低通电阻 RONRCIN Ω FAULT 低通电阻 RONFAULT Ω 输出上升沿时间 tr ns 输出下降沿时间 tf ns 输出上升沿延时时间 ton ns 输出下降沿延时时间 toff ns EN 使能关闭延时时间 ten VIN,VEN=0V 或 5V ns ITRIP 过流保护延时 titrip VITRIP=5V ns ITRIP 前沿消隐时间 tbl VIN=0V 或 5V,VITRIP=5V ns ITRIP 到 FAULT 传输延迟时间 tflt VIN=0V 或 5V,VITRIP=5V ns 输入滤波时间 tfilin VIN=0V 或 5V ns RCIN 重置时间 tfltclr VIN=0V 或 5V,VITRIP=0V ms 死区时间 DT VIN=0V 或 5V ns 高低端延时匹配 MT ns 三通道导通和关闭延时匹配 MDT ns 输入和输出脉冲宽度匹配 PM pwin-pwout ns 9 / 12

10 7.3 功能描述 EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压高速功率器件的三相栅极驱动电路, 主要包含三个独立的半桥驱动电路, 正常工作输出时,LO 和 HO 分别与输入 LIN 和 HIN 的信号保持逻辑反相 EG2136 同时具备欠压 (UV) 保护功能, 当 VCC 的电压低于欠压保护检测电压时, 三个通道的 LO 和 HO 均输出低电平, 当 VBS 的电压低于欠压保护检测电压时,HO 输出低电平,LO 正常响应 LIN 的信号该功能防止被驱动的 MOSFET 或 IGBT 工作在高电压高电流状态下, 有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作 EG2136 还具备输入噪声滤波功能, 防止噪声干扰 EG2136 内置死区时间, 防止被驱动的两个功率 MOS 管或 IGBT 因直通而产生大电流烧毁功率器件, 有效保护功率器件 EG2136 集成过流保护功能, 并能指示欠压和过流故障状态, 同时关断六通道输出 7.4 逻辑时序图 1. 输入输出逻辑时序图 : EN ITRIP FAULT RCIN 图 7-1. 输入输出逻辑波形图 10 / 12

11 2. 输入信号和输出信号逻辑真值表 : VCC VBS ITRIP ENABLE FAULT <UVCC 0( 注 1) V <UVBS 0V 5V 高阻 0 15V 15V 0V 5V 高阻 15V 15V >VITRIP 5V 0( 注 2) V 15V 0V 0V 高阻 0 0 注 1: 直通保护防止与同时导通注 2: 当 VCC> VCCUV-,VCCUV- 并不会锁定,FAULT 变为高阻注 3: 当 ITRIP< VITRIP,RCIN 电压大于 8V(@VCC=15V), FAULT 变为高阻 3. 开关时间波形 : ton 50% 50% 50% 50% tr pwin pwout 90% 90% 10% 10% 图 7-2. 开关时间波形图 toff tf 4. 使能关断波形 : EN 50% ten 90% 图 7-3. 使能关断波形图 11 / 12

12 5. 死区时间波形 : 50% 50% 50% 50% 50% 50% DT DT 50% 50% 图 7-4. 死区时间波形图 6. 过流保护波形 : RCIN Vrcinth+ ITRIP 50% 50% FAULT tflt 50% 50% Any output titrip 90% tfltclr 图 7-5. 过流保护波形图 7. 欠压保护波形 : VCC FAULT 图 7-6. 欠压保护波形图 12 / 12

13 8. 输入噪声滤波波形 : tfltin high tfltin low 图 7-8. 输入噪声滤波波形图 tfltin tfltin 8. 封装尺寸 8.1 SOP28L 封装尺寸 D A3 A2 A c θ SYMBOL MILLIMETER MIN NOM MAX A A1 A1 A2 A b b1 c E1 E L1 L 0.25 b b1 c1 D E E1 e L L BSC REF b e B B BASE METAL c1 c WITH PLATING θ / 12

Microsoft Word - DW01

Microsoft Word - DW01 用途 / Purpose: 用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池组 For lithium ion / lithium polymer rechargeable battery pack 特点 / Features: (1) 高电压检测电路 / Precision voltage detection circuit 过充检测电压 Overcharge detection voltage 4.3 过充恢复电压