霍尔开关集成电路

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圆郦
5 years ago
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概述是一款内置霍尔感应及输出单线圈驱动于一体的集成电路, 具有锁机保护和自启动功能, 广泛应用于各类大小型单相直流马达内置斩波放大器可以动态调整输入失调电压, 大大提高了磁场灵敏度高灵敏度的霍尔感应块可以使其用于微型 CPU 冷却风扇以及各类鼓风机和直流风扇它的工作电压范围宽,

1 概述是一款内置霍尔感应及输出单线圈驱动于一体的集成电路, 具有锁机保护和自启动功能, 广泛应用于各类大小型单相直流马达内置斩波放大器可以动态调整输入失调电压, 大大提高了磁场灵敏度高灵敏度的霍尔感应块可以使其用于微型 CPU 冷却风扇以及各类鼓风机和直流风扇它的工作电压范围宽, 持续工作电流达 300mA 特点内置霍尔感应块及输出单线圈驱动工作电压范围宽 :3.2V~18V 输出能力强 : 可持续驱动 300mA 电流过温保护功能锁机保护和自启动功能反接保护应用无刷直流马达无刷直流风扇 TO-94 图 1. 封装形式 June, 2016 Rev /10

2 管脚描述 Package: TO-94 1.VDD 2.DO 3.DOB 4.GND 图 2. 管脚排布编号名称功能 1 VDD 电源 2 DO 输出脚 3 DOB 输出脚 4 GND 地表 1. 管脚描述功能框图 VDD Reverse Polarity protection Regulator OTP hall Chop amp Oscillator Logic Control Circuit a b c d a c. b d NO SO GND 图 3. 功能框图 June, 2016 Rev /10

3 订购信息 X - X Circuit Type E1: Pb-free G1: Halogen-free Package TO-94: Z4 产品编号标识编号封装温度范围包装形式无铅无卤无铅无卤 TO ~85 Z4-E1 Z4-G G 袋装 June, 2016 Rev /10

4 极限参数 ( 注意 : 应用不要超过最大值, 以防止损坏长时间工作在最大值的情况下可能影响器件的可靠性 ) 参数符号参数值单位电源电压 V DD 24 V 输出电压 V OUT 24 V 持续 350 输出电流锁定 500 瞬间峰值 700 耗散功率 P D 550 mw 储存环境温度 T S -65~150 结温 T J 150 ESD, HBM model per Mil-Std-883, Method 3015 HBM 4000 V ESD, MM model per JEDEC EIA/JESD22-A115 MM 400 V Latch-up ma 表 2. 极限参数推荐工作条件参数符号最小值最大值单位工作电压 V DD V 工作电流 I ma 工作温度 T A 表 3. 推荐工作条件电气特性 ( 除特殊注明外 :Ta=25,VDD=12V) 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位工作电源范围 V DD V 静态工作电流 I DD 输出开路 ma 输出饱和压降 V SAT (sink) IO=200mA V V SAT (drive) IO=200mA V 锁定保护开启时间 T on s 锁定保护关断时间 T off s 过温保护点 Ta 温度迟滞 Ta 表 4. 电气特性 I OUT ma June, 2016 Rev /10

5 磁场特性 ( 除特殊注明外 :V DD =12V) VDO VDOB Off-state Off-state B H B H On-state On-state N B RP 0 B OP S B RP B OP N 0 S 图 4. 输出 vs. 磁场特性特性符号下限典型上限单位工作点 Bop Gauss 恢复点 Brp Gauss 磁滞 Bhys Gauss 表 5. 磁场特性 June, 2016 Rev /10

6 原理简介 H- 桥晶体管输出下图是 H- 桥 MOS 管输出电路通过开关管控制流过单线圈 L1 上的电流方向来实现单相马达转换当磁场为 N 极时,Q2 Q3 关断,Q1 Q4 开启, 线圈 L1 上电流从 DO 流向 DOB 当磁场为 S 极时,Q1 Q4 关断,Q2 Q3 开启, 线圈 L1 上电流从 DOB 流向 DO VDD Q1 Q2 L1 DO DOB Q3 Q4 GND 图 5. 输出管结构 June, 2016 Rev /10

7 锁定保护和自启动通过内部霍尔感应块侦测马达的转动, 锁定保护开启时间和关断时间由内部计数电路决定上电 VDD T ON T OFF DO DOB 启动运转正常工作电机堵转重启运转正常运转说明 1: 说明 2: 上电时, 芯片打印面面向北极上电时, 芯片打印面面向南极图 6. 工作时序图温度保护功能具有温度保护功能当内部结温达到 160 时, 输出开关管就会关断当 IC 的结温降低 20 后, 温度传感器会使输出开关管再次开启 June, 2016 Rev /10

8 典型应用图 VDD DO DOB GND VDD R1 C1 Coil 图 7. 典型应用图注 :C1 为旁路电容, 可以有效吸收电源的高压脉冲以及风扇运转时线圈产生的反向电动势, 建议 C1=4.7uF R1 为限流电阻, 可以减小 C1 充放电时的瞬间峰值电流, 提高 C1 电容的可靠性, 建议 R1=3.3Ω 工作波形 June, 2016 Rev /10

9 封装尺寸 TO-94 Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A A b C D D E e TYP TYP. L θ 10 TYP. 10 TYP. June, 2016 Rev /10

10 绍兴光大芯业微电子有限公司 UUUhttp:// 重要声明本文件仅提供公司有关产品信息对本文件中描述的产品和服务, 绍兴光大芯业微电子有限公司有权在没有通知的任何时间进行更改更正修改和改进绍兴光大芯业微电子有限公司对产品的任何特定用途不承担任何责任, 也不承担对任何超出产品应用或使用所产生的责任绍兴光大芯业微电子有限公司没有在其专利或其他权利上设置任何许可 2016 绍兴光大芯业微电子有限公司 - 保留所有权利联系我们 : 绍兴总公司深圳分公司地址 : 浙江省绍兴市天姥路 13 号地址 : 深圳市福田区南园路 68 号上步大厦 22A 邮编 : 邮编 : 电话 :(86) 传真 :(86) 电话 :(86) 传真 :(86) June, 2016 Rev /10

Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc

Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR