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1 矽诺威一级代理龙创威电子小柯 描述 特性 是一颗单通道 AB 类音频功率放大器 在 5V 电源供电,THD+N=10%,4 欧姆负载上可以输出 2.5W 的功率 优异的噪声和 THD 指标可以提供高品质的音频信号放大 极少的外围元件就能提供芯片稳定工作, 大大减少了 PCB 面积并降低成本 具有关断功能, 极大的延长系统的待机时间 过热保护功能增强系统的可靠性 POP 声抑制功能改善了系统的听觉感受, 同时简化系统调试 提供 SOP8 封装 典型应用电路图 输出功率 : -2.5W (VDD=5.0V, RL =4Ω,THD+N=10%) 工作电压 : 2.5V to 5.5V 低失真和低噪声 开机 POP 声抑制功能 关机电流小于 1uA 过热保护功能 应用 便携式 DVD 笔记本电脑 插卡音箱 / USB 音箱 液晶电视 / 液晶显示器 引脚排列 Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 1 / 7

2 功能框图 VDD IN- IN+ SD 管脚描述 Input Buffer SHDN Control GND RF Noise Suppression Over Thermal Protection POP/CLICK Suppression Driver Referanc e Voltage 管脚 符号 I/O 描述 1 SD I 系统关断控制 ( 高电平关机, 低电平工作 ) 2 BYPASS I 参考电压 3 IN+ I 音频正输入端 4 IN- I 音频负输入端 OUT1 OUT2 BYPASS 5 OUT1 O 音频输出端口 1 6 VDD 电源 7 GND 地 8 OUT2 O 音频输出端口 2 Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 2 / 7

3 订货信息 料号 封装 表面印字 包装 SOP8 XXXXXXX 100 颗 / 管 绝对最大额定值 V DD 供电电压 -0.3V to 6V V I 输入电压 -0.3V to V DD +0.3V T A 工作温度 -40 C to 85 C T J 结温 -40 C to 125 C T STG 储存温度 -65 C to 150 C T SLD 焊接温度 300 C, 5sec 推荐额定值 MIN MAX UNIT V DD 供电电压 VDD V V IH SD 高电平 V DD =5.0V 2 V V IL SD 低电平 V DD =5.0V 0.6 V 热阻参数 Parameter Symbol Package MAX UNIT 热阻 (Junction to Ambient) θ JA SOP8 115 C/W Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 3 / 7

4 电性参数 (VDD =5V, Gain=20dB, R L =8Ω, T =25 C, unless otherwise noted.) Symbol Parameter Test Conditions MIN TYP MAX UNIT Po THD+N 输出功率 总谐波失真 + 噪声 THD+N=10%,f=1KHZ,R L =4Ω THD+N=1%,f=1KHZ,R L =4Ω V DD =5.0V 2.5 V DD =3.6V 1.2 V DD =5.0V 1.8 V DD =3.6V 0.9 V DD =5.0V, P O =1W, R L =4Ω 0.1 f=1khz V DD =3.6V, P O =0.5W, R L =4Ω 0.1 PSRR 电源纹波抑制比 VDD=4.2V ±200mVp-p f=1khz 50 db SNR 信噪比 V DD =5.0V,Vorms=1V, G V =20dB f=1khz -86 db Vn 残余噪声 V DD =5.0V,Input floating with C in =0.1μF A-weighting 40 No A-weighting Dyn 动态范围 V DD =5.0V, THD=1% f=1khz -93 db I Q 静态电流 V DD =5.0V 5 No Load V DD =3.0V 2 I SD 关断电流 V DD =2.5V to 4.2V V SD =3.3V 3 μa Vos 失调电压 V in =0V, V DD =5V 10 mv Tst 启动时间 Bypass capacitor =1uF 300 ms OTP 温度保护 180 No Load, Junction Temperature V DD =5.0V OTH W W % μv ma C Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 4 / 7

5 典型特征曲线 % % (VDD =5V, Gain=20dB, R L =4Ω, T =25 C, unless otherwise noted.) T THD+N vs Output Power R L =4ohm VDD=3.6V, 4.2V, 5V m 2m 5m 10m 100m 500m THD+N VS FREQUENCY k 2k 5k 20k W R L =8ohm Gain=20dB Vo=1Vp p Hz d B V d B g A Noise Floor FFT k 2k 5k 10k 20k Hz +8 Frequency Response R L =8ohm Gain=20dB k 2k 5k 20k Hz Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 5 / 7

6 应用信息 输入电阻 (Ri) 的增益由音量调节控制的输入电阻 (RI) 和反馈电阻 RF) 控制 增益计算如下 : Av = 2 X ( ) 其中, 输入电阻 RI 为外部的输入电阻,Rf 为外部反馈电阻 输入电容 (Ci ) 输入电容与输入电阻构成一个高通滤波器, 其截至频率可由下试得出 : f c = Ci 的值不仅会影响到电路的低频响应, 而且也会影响电路启动和关断时所产生的 POP 声, 输入电容越大, 则到达其稳定工作点所需的电荷越多, 在同等条件下, 小的输入电容所产生的 POP 声比较小 偏置电容 CBYP 偏置电容是最关键的电容, 它与几个重要性能相关, 当电路启动时, 偏置电容决定了放大器的开启速度, 偏置电容同时会影响到电路的噪声和电源抑制比以及开关机的 POP 声 为避免启动时的 POP 声, 偏置电压的上升速度应该比输入偏置电压的上升速度慢 关断工作模式 为了减少在关断模式下的功率损耗, 带有关闭放大器偏置的关断电路 当 SD 引脚为低电平时, 放大器被关闭, 工作电流达到最小 过温保护 带有过温保护电路以防止内部温度超过 180 时器件损坏 在不同器件之间, 这个值有 25 的差异 当内部电路超过设置的保护温度时, 器件进入关断状态, 输出被截止 当温度下降 40 后, 器件重新正常工作 Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 6 / 7

7 封装图 (SOP8) 符号 毫米 (mm) 英寸 (Inch) 最小值最大值最小值最大值 A A A b c D E E e 1.27(BSC) 0.050(BSC) L 声明 : 上海矽诺微电子有限公司不对本公司产品以外的任何电路使用负责, 也不提供其专利许可 上海矽诺微电子有限公司保留在任何时间 没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利 Shanghai Mixinno Microelectronics Co., Ltd 7 / 7

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