最大值 符号参数条件最小值最大值单位 VG1N, VG2N, VG3N, VG1S, VG2S, VG3S VD1N, VD2N, VD3N, VD1S, VD2S, VD3S ID1N, ID1S 200 ID2N, ID2S 漏极电流 600 门极电压 V 漏极电压

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1 四川益丰电子科技有限公司 8-12 GHz 41dBm 功率放大器 产品介绍 关键技术指标 YPA C2 是一款高性能三阶 GaAs 功率放大器 MMIC, 主要用于 X 波段 YPA C2 具有输出功率 12W@1dB 压缩点, 小信号增益为 25 db 它主要用于 X 波段雷达 通信和仪器仪表应用 该 MMIC 功率消耗受芯片热阻限制, 其设计在脉冲模式中使用, 该 YPA C2 工作占空比高达 50% 工作频率 : 8 GHz 到 12 GHz 输出 Psat : 41.2 dbm 输出 P1dB : 41 dbm 增益 : 25 db 50 Ohms 输入和输出匹配 输入回波损耗 : > 10 db 输出回波损耗 : > 10 db 电源电压 : 4.2 VDD = 8.5 V 芯片尺寸 = 4.5 x 4.1 x 0.1 mm 应用领域 雷达 通信 仪表 YPA C2 功能框图

2 最大值 符号参数条件最小值最大值单位 VG1N, VG2N, VG3N, VG1S, VG2S, VG3S VD1N, VD2N, VD3N, VD1S, VD2S, VD3S ID1N, ID1S 200 ID2N, ID2S 漏极电流 600 门极电压 V 漏极电压 V ID3N, ID3S 1800 ma IGNN, S ( 所有门极 ) 门极电流 ma PIN RF 输入功率 + 23 dbm Tamb 环境温度 C Tj 结温 C Tstg 储存温度 C 在上述所给参数外操作该器件可能会造成永久性损害 电参数 条件 : T amb = + 25 C, I DQ3N, I DQ3S = 1400mA, I DQ2N, I DQ2S = 400mA, I DQ1N, I DQ1S = 125mA, 10% 占空比 符号参数条件最小值典型值最大值单位 RFin 输入频率 8 12 GHz f i = 10 GHz, 漏极电压 8.5V ( 门极电压 -0.7V) V D1N, 2N, 3N V D1S, 2S,3S 漏极电源电压 8.5 V I DD Psat 漏极电压 8.5V A G 增益 db NF 噪声系数 TBD db P1dB 1dB 压缩点 41 dbm Psat 饱和功率 41.2 dbm PAE 功率附加效率 36 % OIP3 输出三阶截点 50 dbm IMD3 TBD dbc ISO rev 反向隔离度 RFOUT/RFIN TBD db S 11 输入反射系数 50 Ohms -10 db S 22 输出反射系数 50 Ohms -10 db P OFF 当 HPA 关闭, 漏电, 所有门极 = -2.5V RFIN = + 20 dbm TBD dbm (*) 测试参考平面为 YPA C2 MMIC 的输入和输出方案 注意 : 本产品是高性能的射频器件, 不当的操作会损害本产品 所有的操作必须符合标准的 ESD 保 护标准 更多保护措施请查阅益丰公司文档 OM-CI-MV/ 001/ PG

3 YPA C2 通过使用脉冲测量测试台, 进行在片晶圆测试 这种方法保证一个完整的极化条件和冷 通道温度 这种方法去除可靠性损害的风险, 由于全极化下晶圆测试固有的高温过载, 反映了该器件在良好散 热条件下的性能 连续波操作 YPA C2 不支持所有偏置下的连续波操作, 可以使用门极电压 (Vg) 降低 Idd, 可以接受 Idd 降低 到 50% 以支持连续波操作 输出功率 增益和 PAE 条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S = 8.5V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C 增益, Pout 和 PAE vs 频率注意 : 16dBm 接近 P1dB 压缩点

4 条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S = 8.0V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C 增益, Pout 和 PAE vs 频率条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S =7.5V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C 增益, Pout 和 PAE vs 频率

5 电流消耗 条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S = 8.5V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C 总电流 vs 频率的输入功率 条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S = 8.5V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C

6 条件 : 在片晶圆测试, 以 50 Ohms 探针 ( 不匹配的条件 ), VD3N, VD3S = VD2N, VD2S = VD1N, VD1S = 8.5V, VG3N, VG3S = VG2N, VG2S = VG1N, VG1S = -0.7V, (IDQ3N + IDQ3S + IDQ2N + IDQ2S + IDQ1N + IDQ1S = 3800 ma, 占空比 10%, Tamb = + 25 C Pout vs 频率的输入功率

7 应用原理图 去耦方案取决于客户实施, 以防止不稳定性 强烈建议将 47pF RF 去耦芯片电容以最短的键合线置于每个 DC 端口 另外,10nF 的电容器可以添加在漏极连接处 3 去耦网络依赖于供电 接地环境 形状因数 以及通过客户环境添加的所有寄生效应 据此, 相应的网络, 有时需要按照高频领域的应用规则进行微调 它可能需要添加非常低的频率 高电容值 在每个漏极, 由 0402 格式电容器组成的 10 Ohms /10 nf 的 RC 串联网络已经实行参考测试夹具 YPA C2 应用原理图

8 器件名称值类型描述 所有 47pF 电容 47pF 芯片电容 所有 10nF 电容 10nF 芯片电容 芯片电容 PRESIDIO COMPONENTS P/N SA151BX470M2HX5#013B 近芯片焊接, 键合尽可能短 MURATAGMA085R71C103MD01T GM260 X7R 103M 16M100 PM520 由于该器件的高度对称设计和功率合成器的要求, 建议保持 IDQ1N 等于 IDQ1S,IDQ2N 等于 IDQ2S 和 IDQ3N 等于 IDQ3S, 针对同样的原因, 建议保持 VD1N 等于 VD1S, VD2N 等于 VD2S 和 VD3N 等于 VD3S YPA C2 可由只有一个脉冲 Vd 电压和一个 Vg 电压来提供 然而, 保持在漏极和栅极有效去耦网络是非常重 要的 不正确的去耦网络会通过供电引导的反馈环导致振荡 在每个门极上的使用不同 Vg 可以被用于优化相应客户要求的特殊参数, 客户可使用所有 Vg YPA C2 经设计以支持 3 线键合 ( 直径 25um, 长度 300um) 去连接芯片到 50 Ohms 环境 ( 微带或共面 ), 因 此 RF 输入和输出不是 0 Ohms 匹配 在片测试直接应用 50 ohms RF 探针到芯片, 对于在某些方面的性能来说, 这建 立起一个不匹配的条件 以此为基础, 对于 RF 输入和输出方案, 我们期望在客户应用中会有更好的性能 测试夹具 连接测试夹具已被开发, 如下图所示

9 测试夹具增加损耗 探针已经被建立以评估损耗 : 在两个接口 ( 输入和输出 ) 均发现 0.7dB 存在于芯片计划和 SMA 连接器之间 由于实施小的散热片, 测试夹具的占空比限制在 10% 建议 10us 的脉冲宽度并带有 100us 的脉冲重复周期 Drain 3 additionnal decoupling capacitor 3 bondings wire to connect coplanar wave-guide

10 框架结构和焊盘配置 该芯片的顶部图的 RF 输入在左侧和 RF 输出在右侧, 显示出 DC 入口在顶部标志北面 (N) 和 DC 入口在顶部标志南面 (N) VD1N, VD2N, VD3N, VG1N, VG2N, VG3N 是应用在北面的 DC 信号,VD1S, VD2S, VD3S, VG1S, VG2S, VG3S DC 信号 许多接地入口通过焊盘布局补充 背面是接地参考平面 是应用在南面的 焊盘布局

11 焊盘 该放大器具有北面和南面, 当 RF 输入在左侧并且 RF 输出在右侧时, 北面在低端, 南在顶端 符号焊盘描述 RFOUT OUT RF 输出 RFIN IN RF 输入 VD1N VD1N 第一阶段漏极 ( 放大器北面 ) VD2N VD2N 第二阶段漏极 ( 放大器北面 ) VD3N VD3N 第三阶段漏极 ( 放大器北面 ) VG1N VG1N 第一阶段门极 ( 放大器北面 ) VG2N VG2N 第二阶段门极 ( 放大器北面 ) VG3N VG3N 第三阶段门极 ( 放大器北面 ) VD1S VD1S 第一阶段漏极 ( 放大器南面 ) VD2S VD2S 第二阶段漏极 ( 放大器南面 ) VD3S VD3S 第三阶段漏极 ( 放大器南面 ) VG1S VG1S 第一阶段门极 ( 放大器南面 ) VG2S VG2S 第二阶段门极 ( 放大器南面 ) VG3S VG3S 第三阶段门极 ( 放大器南面 ) GND 背面接地 注意 : 为确保良好的 RF 性能和稳定性, 将芯片背面上的焊盘良好接地是至关重要的 键合焊盘坐标 符号 X 坐标 (um) Y 坐标 (um) 焊盘尺寸 (um x um) GND 接地焊盘连接 RF 输入 RFIN x 190 GND 接地焊盘连接 RF 输入 VG1N x 130 GND x 90 VD1N x 130 GND x 90 VG2N x 130 GND x 90 VD2N x 130 GND x 90 GND x 90 VG3N x 130 GND x 90 VD3N x 100 GND 接地焊盘连接 RF 输出 RFOUT x 190 GND 接地焊盘连接 RF 输出 GND 背面接地

12 键合焊盘图 MMIC 晶圆上步进沿 X 和 Y 坐标分别是 4.5 和 4.1 mm, 切割通常减小芯片尺寸到 30um 焊盘布局图

13 封装 类型描述端口间距 (mm) 封装尺寸 (mm) 芯片 100% RF 和 DC 在片晶圆测试 x 4.1 x 0.1 采购信息 编号封装版本分类描述 YPA C2 裸芯片 C2 - 在片晶圆测试芯片 焊接 在焊接过程中, 为了避免永久性损害或对可靠性造成影响, 芯片温度应不超过 330 芯片上温度超过 300 时间应不超过 1min 在温度高于 400 时, 会产生毒性烟雾

14 定义 YPA C2 极限值定义 极限值是根据绝对最大额定值系统 (IEC 60134) 给出的 压力高于一个或多个极限值, 会造成对该产品的永久性损坏 这些是压力额定值, 并且以这些额定值或者其它任何高于规定额定值的条件去操作器件将得不到任何保证 长时间的极限值操作可能会影响产品的可靠性 使用方法 在此描述的产品的使用方法仅起说明作用 在没有进一步测试或修正的情况下, 益丰不作任何陈述或保证 : 这 些使用方法将适用于特定用途 免责声明 生命保障类应用 这些产品并非为生命保障应用 器件或系统而设计的, 因此, 这些产品的故障可能会导致人身伤害 若益丰的客户在生命保障类应用中使用或销售这些产品, 应自担风险, 并同意全部赔偿此类应用给益丰公司造成的任何损失 修改权限 益丰公司持有对产品做出修改的权利, 恕不另行通知, 修改包括对电路 标准单元或软件进行设计或性能修改 除 非另有说明, 益丰公司对这些产品的使用不承担任何责任或义务, 不在任何专利 版权 或侵权下转让许可或权利, 也不会做出任何陈述或保证 : 这些产品不受专利 版权或侵权限制 文件历史记录 : 版本 1.1, 最新更新 2016 年 4 月 7 日星期四

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