LP12-A-DS.fm

Size: px

Start display at page:

Download "LP12-A-DS.fm"

绅禹
4 years ago
Views:

1 是基于高度可靠的 InGaP/GaAs HBT 技术的高功率及高增益功率放大器该器件可针对高功率及高效率应用进行配置, 当工作在用于美国欧洲和日本市场的整个 a 频带 ( GHz) 时具有良好的功率附加效率该功率放大器 IC 提供了简单的电路板级用法以及高速上电 / 掉电控制, 提供 16 触点 WQFN 封装特性高增益高线性输出功率 : 在整个频带范围内, 功率高达 24 dbm 时仍满足 a OFDM 频谱模板的要求对于功率最高为 20 dbm 的 54 Mbps a 信号, 增加的 EVM 小于 3% 典型功率值高达 20 dbm 时仍满足 n HT40 频谱模板的要求高功率附加效率 / 低工作电流, 适合 6 Mbps a 应用对于 6 Mbps 应用, P OUT = 23 dbm 时约为 17% 内置超低 I REF 上电 / 掉电控制 I REF <3 ma 低空闲电流约 150 ma I CQ 高速上电 / 掉电开启 / 关断时间 (10%~90%) <100 ns 上电 / 掉电延时 ( 含驱动器延时 ) 典型值 <200 ns 高温度稳定性低关断电流 ( 约 2 µa) 片上功率检测 20 db 动态范围片上功率检测简单的输入 / 输出匹配可用封装 16 触点 WQFN (3 mm x 3 mm) 提供无铅封装应用 WLAN(IEEE a/n) 日本 WLAN HyperLAN2 多媒体

2 产品描述是基于高度可靠的 InGaP/GaAs HBT 技术的高功率及高增益功率放大器可方便地针对高功率及高效率应用进行配置, 当工作在用于美国欧洲和日本市场的整个 a 频带 ( GHz) 时具有极好的功率附加效率具有良好的线性度, 当输出功率为 20 dbm 时增加的 EVM 通常小于 3%, 这对于 54 Mbps a 操作至关重要, 同时满足 24 dbm 时的 a 频谱模板还具有宽广的范围 (>20 db) 温度稳定性 ( 温度超过 85 C 时变化约为 1 db) 以及可降低用户功率控制成本的单端 / 差分功率检测器功率放大器 IC 还具有简单的板级用法以及高速上电 / 掉电控制超低参考电流 ( 总 I REF <3 ma) 使可直接由来自基带芯片的开 / 关信号控制这些特性再加上低工作电流, 使得非常适合于电池供电的 a WLAN 发送器和接入点应用中末级的功率放大提供 16 触点 WQFN 封装关于引脚分配, 请参见图 2 ; 关于引脚说明, 请参见表 1 2

3 功能模块 VCC1 VCC2 VCC RFIN 2 11 RFOUT RFIN 3 10 RFOUT VCCb Det VREF VREF Det_ref 1278 B1.1 图 1: 功能框图 3

4 引脚分配 VCC1 VCC2 VCC RFIN 2 11 RFOUT RFIN VCCb 3 4 RF DC GND RFOUT Det VREF VREF Det_ref wqfn P1.0 图 2: 16 触点 WQFN 的引脚分配引脚说明表 1: 引脚说明符号引脚编号引脚名称类型 1 功能 GND 0 地中心焊盘应通过多个低电感和低电阻的过孔连接到 RF 地 1 无连接未连接引脚 RFIN 2 I RF 输入, 直流去耦 RFIN 3 I RF 输入, 直流去耦 VCCb 4 电源 PWR 用于偏置电路的电源电压 5 无连接未连接引脚 VREF 6 PWR 电流控制 VREF 7 PWR 电流控制 Det_ref 8 O 片上功率检测器参考 Det 9 O 片上功率检测器 RFOUT 10 O RF 输出 RFOUT 11 O RF 输出 12 无连接未连接引脚 13 无连接未连接引脚 VCC3 14 电源 PWR 电源, 第 3 级 VCC2 15 电源 PWR 电源, 第 2 级 VCC1 16 电源 PWR 电源, 第 1 级 1. I= 输入, O= 输出 T

5 电气规范功率放大器接口信号的交流和直流规范关于直流电压和电流规范, 请参见表 3 关于 RF 性能, 请参见图 3 至图 8 绝对最大极限参数 ( 如果器件工作条件超过下述绝对最大极限参数, 可能会对器件造成永久性损坏这仅是极限参数, 我们不建议器件工作在极限值甚至超过下述极限值工作于绝对最大极限参数条件下时, 器件可靠性可能会受到影响 ) 引脚和 16 上的电源电压 (V CC ) V 至 +4.8V 直流电源电流 (I CC ) ma 工作温度 (T A ) ºC 至 +85ºC 存储温度 (T STG ) ºC 至 +120ºC 最大结温 (T J ) ºC 表面贴装回流焊温度 C (10 秒 ) 表 2: 工作范围范围环境温度 V CC 工业级 -40 C 至 +85 C 2.7V 至 4.2V T 表 3: 直流电气特性符号参数最小值典型值最大值单位测试条件 V CC 引脚和 16 上的电源电压 V I CC V CC = 3.3V, P OUT = 23 dbm 时的电源电流 400 ma I CQ V CC 静态电流 150 ma I OFF 关断电流 <1.0 µa V REG 建议应用的参考电压 V T

6 表 4: 用于配置的交流电气特性 1,2 符号参数最小值典型值最大值单位 F L-U 频率范围 GHz 线性度在 3.3V V CC 下工作 54 Mbps OFDM 信号且 EVM 小于 3% 时的输出功率在 GHz 范围内符合 a 模板的输出功率在 GHz 范围内符合 n HT40 模板的输出功率 20 dbm 23 dbm 20 dbm 频带范围 ( MHz) 内的增益 33 db G 频带范围 ( MHz) 内的增益 31 db 频带范围 ( MHz) 内的增益 27 db Det 功率检测器输出电压范围 V Det_ref 功率检测器输出参考 V 2f 3f 4f 和 5f 22 dbm 时的谐波, 无陷波电容 -50 dbc 1. 使用建议的原理图时, 才会达到所示性能 V CC = 3.3V, V REG = 2.95, 温度 = 25ºC 2. EVM 是在均衡器频道估计设置为仅序列时测量的 T

7 典型性能特性测试条件 : 除非另外说明, 否则 V CC = 3.3V, T A = 25 C, V REG1,2 = 2.95V S11 (db) S11 versus Frequency S12 (db) S12 versus Frequency Frequency (GHz) Frequency (GHz) S21 versus Frequency S22 versus Frequency S21 (db) Frequency (GHz) S22 (db) Frequency (GHz) 1278 S-Parms.0.1 图 3: S 参数曲线 7

8 典型性能特性测试条件 : 除非另外说明, 否则 V CC = 3.3V, T A = 25 C, V REG = 2.95V 54 Mbps 操作的 EVM 10 9 EVM versus Output Power EVM (%) GHz GHz GHz GHz Output Power (dbm) 1278 F4.2 图 4: EMV - 输出功率曲线, 在均衡器频道估计设置为仅序列时测得图 5: Supply Current (ma) 电源电流 - 输出功率曲线 Supply Current versus Output Power Output Power (dbm) GHz GHz GHz GHz 1278 F5.3 8

9 Detector Voltage versus Output Power Detector Voltage (V) GHz GHz GHz GHz Output Power (dbm) 1278 F6.3 图 6: 检测器电压 - 输出功率曲线 Power Gain versus Output Power Power Gain (db) GHz GHz GHz GHz Output Power (dbm) 1278 F7.3 图 7: 功率增益 - 输出功率曲线 9

10 PAE versus Output Power PAE (%) GHz GHz GHz GHz Output Power (dbm) 1278 F9.1 图 8: 表 5: PAE - 输出功率曲线符合 a 6 Mbps OFDM 模板的功率频率 (GHz) 符合 a 6 Mbps OFDM 模板的功率 (dbm) T

11 25Ω 3.3 pf 10 µf VCC 0.1 µf 0.1 µf 0-0.5mm (0-20 mil) 1.8 pf RFin 50Ω mm x 1.52 mm (80 mil x 60 mil) 50Ω RFOUT 0.3 pf* pf ** V REG = 2.95V V CC =3.3V 0.1 µf * 0.3 pf 0.89 mm 35 mil Ω 9 10 pf 10 pf ** 100 pf VREF Det_ref Det 1278 Schematic.0.7 图 9: 高功率 a 应用的建议原理图 11

12 产品订购信息 SST 11 LP 12 - QCF XX XX XX - XXX 环保特性 F 1 = 无铅 / 无锡触点 ( 引脚 ) 加工 : 镀镍层顶层 ( 外层 ) 镀金封装说明符 C = 16 触点封装类型 Q = WQFN 产品系列标识符产品类型 P = 功率放大器电压 L = V 工作频率 1 = GHz 产品线 1 = RF 产品 1. 环保后缀 F 代表无铅 / 无锡锡焊 SST 无铅 / 无锡锡焊器件均符合 RoHS 标准的有效组合 -QCF 评估工具包 -QCF-K 注 : 有效组合是已量产或即将投入量产的产品要确认有效组合的供应情况, 以及确认新组合的供应情况, 请咨询您的 SST 销售代表 12

13 封装图 TOP VIEW SIDE VIEW BOTTOM VIEW 0.2 See notes 2 and 3 Pin # ± Pin #1 0.5 BSC 3.00 ± Max mm 16-wqfn-3x3-QC-0.3 Note: 1. Complies with JEDEC JEP95 MO-220J, variant WEED-4 except external paddle nominal dimensions. 2. From the bottom view, the pin #1 indicator may be either a 45-degree chamfer or a half-circle notch. 3. The external paddle is electrically connected to the die back-side and possibly to certain V SS leads. This paddle can be soldered to the PC board; it is suggested to connect this paddle to the V SS of the unit. Connection of this paddle to any other voltage potential can result in shorts and/or electrical malfunction of the device. 4. Untoleranced dimensions are nominal target dimensions. 5. All linear dimensions are in millimeters (max/min). 图 10: 16 触点超薄型正方扁平无引脚封装 (WQFN) SST 封装代码 :QC 13

14 表 6: 版本历史版本说明日期 00 S71278: 将 GP1112 转换为 SST 格式 2005 年 1 月 01 将第 2 页上的产品描述中的频谱模板值更正为 a 2006 年 1 月更正了第 5 页上的绝对最大极限参数下的回流焊温度更新了销售和营销联系信息将 VQFN 更改为 WQFN 更新了产品订购信息更新了第 6 页上的表 4 02 将文档状态从规范初稿更新为 2008 年 3 月 03 修改了特性第 2 页上的产品描述和第 6 页上的表 4 中的增 2009 年 2 月益值更新了联系信息 04 更新了特性表 3 表 4 表 5 和图 4-9 以表明提高了 RF 性能 2010 年 12 月 A 更新了数据曲线, 以反映在均衡器频道估计设置为仅序列时测量的 EVM 更新了第 5 页上的表 2 和第 6 页上的表 4 采用了新的文档格式根据字母版本体系发布了文档将规范编号从 SS71278 更新为 DS 年 1 月 ISBN: Silicon Storage Technology, Inc. (Microchip Technology Inc. 的全资子公司 ) 版权所有 SST Silicon Storage Technology SST 徽标 SuperFlash MTP 和 FlashFlex 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的注册商标 MPF SQI Serial Quad I/O 和 Z-Scale 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的商标在此提及的所有其他商标和注册商标均为各持有公司所有规范值可能发生变更, 恕不另行通知关于最新文档, 请访问最新封装图请至查看封装规范存储器容量表示原始存储容量, 实际可用容量可能会少一些除非在标准销售条款与条件中明确包含, 否则 SST 不对其产品的使用作出任何担保关于销售办事处的地点和信息, 请访问 Silicon Storage Technology, Inc. 14

LF03-B-DS.fm

LF03-B-DS.fm 是适用于 WLAN 802.11b/g/n 和 Bluetooth 系统的全集成前端模块 (Front-End Module, FEM) RF 模块包括一个功率放大器 (Power Amplifier, PA) 一个低噪声放大器 (Low Noise Amplifier, LNA) 和一个天线开关, 是需要小尺寸和高性能的 WLAN/BT 嵌入式应用的理想选择专为 IEEE 802.11b/g/n