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1 第三章 门电路 3.1 概述 3.2 分立元件门电路 3.3 TTL 与非门 3.4 其它类型的 TTL 门电路 3.5 MOS 门电路

2 3.1 概述 门 : 电子开关 开门状态 : 满足一定条件时, 电路允 许信号通过 开关接通 关门状态 : 条件不满足时, 信号通不过 开关断开

3 正向导通 : 开关接通 二极管 开关断开 开关 反向截止 : C 作用 饱和区 : 开关接通 三极管 (C,E) E 截止区 : 开关断开 C E

4 3.2 分立元件门电路 3V 0V 一 二极管与门 逻辑变量 +12V D 1 D 2 R u u u 3.9K 0V 0V 0.3V 0V 3V 0.3V 3V 0V 0.3V 3V 3V 3.3V 逻辑函数 ( u D =0.3V )

5 规定 正逻辑极性指定 高电位 :1 低电位 :0 负逻辑极性指定 高电位 :0 低电位 :1 混合逻辑 I: 正逻辑 (input) O: 负逻辑 (output) 一般采用正逻辑 I: 负逻辑 O: 正逻辑

6 +12V 1 1 3V D 1 R 3.9K 3.3V 0V D 2 0.3V 0 0

7 真值表 : u u u 0V 0V 0.3V 0V 3V 0.3V 3V 0V 0.3V 3V 3V 3.3V 输入输出 真值表 : n 个变量 N=2 n 种组合

8 真值表 输入输出 功能 : 当 与 都为高时, 输出 才为高 是 和 的与函数 逻辑式 := : 逻辑与运算逻辑乘法运算

9 逻辑符号 : 波形图 ( 时序图 ) & 二极管与门 口诀 : 任 0 则 0 全 1 则 1

10 二 二极管或门 D 1 D 2 u u u 0V 0V - 0.3V 0V 3V 2.7V 3V R 2.7V 3V 0V 2.7V 3V 3V 2.7V 0V -12V -0.3V ( u D =0.3V )

11 D 1 D 2 真值表 输入输出 1 3V 0V R -12V 1 2.7V -0.3V

12 真值表输入输出 功能 : 当 或者 任意有一个为 高, 或同时都为高时, 输出 就为高 是 和 的或函数 逻辑式 := + + : 逻辑或运算逻辑加法运算

13 逻辑符号 : 波形图 ( 时序图 ) 二极管或门 口诀 : 任 1 则 1 全 0 则 0

14 三 三极管非门 +12V +2.5V 工作情况 : 3.2V 0.3V 1KΩ 1.5KΩ P 18KΩ T β=30 D 1) 当 U =0.3V 时 : 设 :T 截止 要求 : U E <0.5V -12V 保证 U =0.3V 时, 三极管可靠截止

15 0.3V 当 U =0.3V 时 : 1.5KΩ 18KΩ P -12V 1KΩ I +12V+2.5V Tβ=30 箝位二极管 设 :I =0-12/ /1.5 D Up = 1/18 +1/1.5 =-1.8V 3.2V Up<0.5V T 截止 D 导通, 起箝位作用 : U D =0.7V U =2.5V +0.7V=3.2V

16 2) 当 U =3.2V 时 : 设 :T 饱和导通. 3.2V 1.5KΩ 18KΩ P -12V 1KΩ +12V+2.5V Tβ=30 D T 的 U CES = 0.3V, U E = 0.7V 即 U = 0.3V, D 截止 检验 T 饱和条件 : I I s = I CS β 临界饱和基极电流

17 +12V +2.5V 先计算 I S : (12-0.3)/ 1K 1KΩ I C D I S = 3.2V KΩ P =0.39m Tβ=30 I 估算 I : I 0.3V QI 1 =I 2 +I 1 18KΩ I 2 U UP UP ( 12) I = 1.5K 18K -12V = 0.96m I >I s,t 饱和的假设成立 得 :U = 0.3V

18 +12V +2.5V 真值表 1KΩ D 输入输出 1.5KΩ P β=30 18KΩ V V 3.2V 1 0.3V V 0

19 真 值 表 输入 输出 功能 : 当 为高时, 输出 为 低 ; 为低时, 为 高 是 的非函数 逻辑式 := : 逻辑非运算 逻辑求反运算

20 逻辑符号 : 1 三极管非门 求反运算 波形图 ( 时序图 )

21 与非门 : +12V 四 DTL 电路 (Diode Transistor Logic) +12V +2.5V D 1 D 2 R 3.9K 1KΩ 1.5KΩ P 18KΩ β=30 D 二极管与门 -12V 三极管非门

22 与非 门 : 逻辑符号 : & 逻辑式 : = 任 0 则 1 口诀 : 全 1 则 0

23 或非门 : +12V +3V 1KΩ D D 1 D 2 1.5KΩ + 18KΩ P β=30 + R 二极管或门 -12V -12V 三极管非门

24 或非门 : 逻辑符号 : 逻辑式 : = + 任 1 则 0 口诀 : 全 0 则 1

25 采用不同的逻辑极性, 则实现的逻辑关系也不同 +12V 例 : 二极管与门 ( 正逻辑 ) 3V 0V R 3.3V 0.3V 电平状态表逻辑真值表 正逻辑负逻辑混合逻辑 ( ) ( ) I:+ O:- 混合逻辑 I:- O:+ L L L L H L H L L H H H

26 电平状态表逻辑真值表 正逻辑负逻辑混合逻辑 ( ) ( ) I:+ O:- 混合逻辑 I:- O:+ L L L L H L H L L H H H 正逻辑负逻辑混合逻辑混合逻辑 (I:+ O:-) (I:- O:+) 逻辑式 := =+ = =+ 逻辑关系 : 正与门 ; 负或门 ; 混合逻辑与非门, 或非门 注意 : 若无特殊说明, 一般均采用正逻辑

27 逻辑关系 : 正逻辑 负逻辑 混合逻辑 混合逻辑 (I:+ O:-) (I:- O:+) 正与门 ; 负或门 ; 混合逻辑 : 与非门, 或非门 正与非门 ; 负或非门 ; 混合逻辑 : 与门, 或门 正非门 ; 负非门 ; 混合逻辑 : 逻辑恒等 注意 : 一般均采用正逻辑

28 分立元件门电路的 缺点 1 体积大 工作不可靠 2 需要不同电源 3 各种门的输入 输出电平不匹配

29 3.3 TTL 与非门 数字集成电路 : 在一块半导体基片上制作出一个完整的逻辑电路所需要的全部元件和连线 使用时接 : 电源 输入和输出 数字集成电路具有体积小 可靠性高 速度快 而且价格便宜的特点 TTL 型电路 : 输入和输出端结构都采用了半导体晶体管, 称之为 : Transistor Transistor Logic

30 名称 100 个以下 : 小规模集成电路 ( Small Scale Integration :SSI ) 几百个 : 中规模集成电路 (Medium Scale Integration :MSI ) 几千个 : 大规模集成电路 ( Large Scale Integration :LSI ) 一万个以上 : 超大规模集成电路 ( Very Large Scale Integration :VLSI )

31 3.3.1 TTL 与非门电路结构和工作原理 一 结构 +5V R 1 3k R 2 750Ω R 4 100Ω C T 1 T 3 T 2 T 4 3KΩ R 5 3.4V T 5 0.3V R 3 360Ω

32 +5V R 1 R 2 R 4 C T 1 T 2 T 3 T 4 R 5 T 5 R 3 输入级中间级输出级

33 T 1 与 R 1 组成输入级 : +5V +5V R 1 R 1 C T 1 b 1 c 1 等效电路 C b 1 c 1 T 1 多发射极晶体 管 : 实现 与 运算 b 1 = C

34 +5V R 1 R 2 R 4 C T 1 b 1 c 1 T 2 T 3 T 4 R 5 复合管形式 T 5 R 3 与 非 输出级 与非门

35 +5V R 1 R 2 R 4 C 3.4V 0.3V T 1 b 1 c 1 R 3 T 2 T 3 T 4 R 5 T 5 复合管形式 TTL 与非门 与 非 输出级

36 二 工作原理 1 任一输入为低电平 (0.3V) 时 C 1V R 1 b 1 T 1 0.3V c 1 R 2 R 5 T 3 T 2 T 4 R 4 +5V 0 截止 R 3 T 5

37 T 2,T 5 : 截止 +5V R 1 3k R 2 R 4 T 1 R 5 C 1V b 1 c 1 T 3 T 4 0 U =5 -U E3 -U E4 -U R2 R L U 3.4V 高电平! 逻辑关系 : 任 0 则 1

38 1 电位箝在 2.1V 发射结全反偏 (3.4V) C 2. 输入全为高电平 (3.4V) 时 T 1 R 1 1.4V b 4.1V 1 c 1 3.4V R 2 +5V T 2 R 5 T 3 R 4 T 4 T 5 R 3 0.7V

39 1 电位箝在 2.1V 发射结全反偏 (3.4V) C 2. 输入全为高电平 (3.4V) 时 T 1 R 1 b 1 c 1 1.4V 全导通 (T 2 T 5 饱和 ) R 2 1V T 2 R 5 R 3 T 3 0.7V T 4 R 4 T 5 +5V 截止 T 1 : 倒置状态 C E 作用颠倒

40 电位箝在 2.1V 发射结全反偏 R 1 3k b 1 c 1 T 2 : 截止 R 2 饱和 +5V 1 C (3.4V) T 1 T 2 T 5 逻辑关系 : 全 1 则 0 R 3 U =0.3V

41 TTL 与非门 输入任 0:T 2 T 5 截止,T 3 T 4 导通 ; U 0 = U 0H 输入全 1: T 4 截止,T 2 T 5 饱和导通 ; U 0 = U 0L 逻辑关系 : 任 0 则 1 = C 全 1 则 0 & 与非门 C

42 3.3.2 TTL 与非门外特性和参数 一 电压传输特性 : U O U I 测试电路 R U I & +5V U O

43 简化的传输特性 ( U O U I ) 曲线 二值性曲线 U O (V) 截止区 (T 5 : 关门 ) +5V U OL U OH U IL 1.4 U T 阈值电压 :U T =1.4V 门槛电压 (Threshold) 转折区 ( 过渡区 ) U IH C U I (V) R 1 T 1 3kΩ b 1c1 R 2 R 3 750Ω 饱和区 (T 5 : 开门 ) R 4 T 3 T 4 T 2 3KΩ R 5 360Ω 100Ω T 5

44 典型参数 : 1. 输出端典型值 : 输出高电平 U OH =3.4V 输出低电平 U OL =0.3V 通用 :U OH 2.4V, U OL 0.4V 2. 输入端 : 典型值 : 输入高电平 U IH =3.4V 输入低电平 U IL =0.3V 阈值电压 U T =1.4V 通用 :U I U T U I = 1, 与非门开门 U OL ; U I <U T U I = 0, 与非门关门 U OH

45 二 输入负载特性 (U I R I ) +5V R 1 3kΩ R 2 750Ω R 4 100Ω C T 1 b 1 c 1 T 2 3KΩ R 5 T 3 T 4 U I V R I R 3 360Ω T 5

46 当 R I 较小时 : 设 :T 2 T 5 截止 +5V U I = R I R I +R 1 (5-U E1 ) R 1 3k R 2 R 4 = 4.3R I 3+R I T 1 b 1 c 1 T 2 T 3 T 4 例 :R I =0.5KΩ R I U I 截止 R 5 T 5 U I =0.6V <U T U I 为低电平 R 3

47 当 R I 较小时 : U I <U T, T 2 T 5 截止, T 3 T 4 导通 :U = U OH +5V R 1 3k R 2 R 4 R I U I T 1 b 1 R 5 T 3 T 4 R L U

48 当 U I =U T 时,T 5 将饱和导通 :U = U OL ; 此时 R I =? 1.4= R I (5-U R I +3 E1 ) 求出 :R I =1.45KΩ 临界电阻即 : 1.45KΩ ; 当 R I 1.45KΩ 时箝位 U I =1.4V, U = U OL 2.1V 3k R 1 b 1 c 1 R 2 饱和 +5 V R I 1.45KΩ 1.4V T 1 1.4V T 2 0.7V R 3 T 5 U = U OL

49 U I V R I U I (V) C 对应 :U OH & 多余输入端处理 : 接 +5V 若悬空 :U I = 1 输入端并联使用 R I (KΩ) 对应 :U OL

50 R I U I 关系 : R I <1.45KΩ 时 : 输入端 (U I ) 相当于接 0 ( 低电平 ); R I 1.45KΩ 时 : 输入端 (U I ) 相当于接 1 ( 高电平 ); R I = ( 输入端悬空 ) 时 : 相当于接 1 ( 高电平 )

51 三 扇出系数 (fan out) 带负载能力与非门输出驱动同类门的个数 :N 8 与非门的扇出系数一般是 10 驱动器 : 扇出系数可以大于 20

52 1. 与非门输出为高电平时 : ( U IL : T 2 T 5 截止,T 3 T 4 导通 ) +5V R 2 R 4 T 3 T 4 i O 拉电流 : I OH ( 几百 μα) R 5 U OH 拉电流能力 : 维持 U OH 时, 所允许的最大拉电流值 R L ( 等效 )

53 2. 与非门输出为低电平时 : R 1 3k +5V R 2 灌电流能力 : 维持 U OL 时, 所允许的最大灌电流值 +5V b 1 c 1 T 1 T 2 UOL R L ( 等效 ) R 3 T 5 i O 灌电流 : I OL 约十几 m

54 u i o u o o 四 动态特性 50% t 50% t u o t pd = 波形边沿变坏 延迟变化 t p1 + t p2 2 平均传输时间 (Propagation delay) t p1 导通传输 时间 t p2 截止传输 时间 典型值 :3 10 ns

55 对 TTL 与非门的要求 : 1) 掌握其逻辑关系 : 任 0 则 1, 全 1 则 0; 2) 掌握其典型参数, 会使用 ; 3) 了解其基本结构, 能定性分析其工作原理

56 3.4 其它类型的 TTL 门电路一 集电极开路的与非门 (OC 门 ) 1. 问题的提出 (Open Collector) 标准 TTL 与非门进行与运算 : 能否 线与? C D & & E C D E & 1 G E G=E = C D C D & & E G

57 C D & 问题 :TTL 与非门的输出电阻很低 E G & R 2 与非门截止 R 2 750Ω R 4 i +5V T 3 T 4 U 3KΩ R OH 3 750Ω R 4 T 5 100Ω 100Ω +5V i 功耗 与非门截止 : T 4 热击穿 不允许 与非门导通 T 3 T 4 U 3KΩ R OL 3 T 5 与非门导通 : U OL

58 2. OC 门结构 可以断开 +5V C R 1 T 1 3k b 1 c 1 R 2 T 2 R 5 T 3 T 4 R 4 去掉 T 3,T 4 T 5 R 3 标准 TTL 与非门

59 与 非 +5V U CC C 符号 & T 1 R 1 3k b 1 c 1 缺角 R 2 T 2 R 3 R L ( 外接 ) T 5 特点 :R L 和 U CC 可以外 = C 集电极开路 (Open Collector)

60 3. 线与 电路 U CC 1 1 C 1 & 1 R L ( 外接 ) = C 2 & 2 线与 任 0 则 0 全 1 则 C 3 & 3 使用 OC 门的关键是选择外接 R L : 根据带负载情况确定

61 二 三态输出与非门 (TS 门 ) (Three State) 三种状态 高电平 低电平 标准与非门 输出状态 高阻状态 ( 禁止状态 )

62 1. 三态门结构 ( 使能端 :Enable) +5V E 控制端 输入端 1 E T 1 R 1 D R 2 T 2 R 5 T 3 T 4 T 5 R 4 R 3

63 2. 工作原理 E= V 1 3.4V 截止 R 1 +5V 1 D R 2 R 4 E E T 1 T 2 R 5 T 3 T 4 E = 0时 : = T 5 工作状态 R 3

64 1 3.4V E E= V E R 1 导通 D R 2 1V R 4 截止 +5V 高阻状态 ( 禁止状态 ) T 1 T 2 R 5 T 3 T 4 E= 1 时 :=Z ( 高阻状态 ) R 3 T 5 截止

65 E 0 功能表 : 输出 = C ( 工作状态 ) 1 高阻状态 ( 禁止状态 ) 接低电平时为工作状态 符号 : & E

66 若去掉使能端的非门 : ( 使能端 :Enable) 控制端 E R 1 D R 2 R 4 +5V 输入端 T 1 T 2 R 5 T 3 T 4 T 5 R 3

67 E 功能表 : 输出 符号 : 1 = C ( 工作状态 ) 0 高阻状态 ( 禁止状态 ) & E 接高电平时为工作状态

68 3. 用途主要作为 TTL 电路与总线 (US) 间的接口电路 1 1 & E 1 译码器 门工作 E & E 2 门工作 E & E 3 公用总线 门工作 E 3 用公用总线分时传送不同数据

69 三 与或非门简化的等效逻辑图 : & C D 1 C D & & & 逻辑符号 : C D =+CD =+CD +

70 3.5 MOS 门电路 一 MOS 电路的特点 : 优点 1 工艺简单, 集成度高 2 是电压控制元件, 静态功耗小 3 允许电源电压范围宽(3 18V) 4 扇出系数大, 抗噪声容限大 缺点 : 工作速度比 TTL 低

71 MOS 门的开关作用 MOS 门 D S 极之间的开关状态受 U GS 的控制 增强型 : N 沟道 P 沟道 U GS > U T > 0 ( 开启电压 ) U GS < U T U GS <U T < 0 ( 开启电压 ) U GS > U T 导通 D S ( 几百欧 ) 断开 D S 导通 D S ( 几百欧 ) 断开 D S

72 二 MOS 门电路 1. MOS 反相器 ( 非门 ) U DD 0V 结构 : R D G S +U DD T NMOS 增强型 0V U DD 工作原理 : 1) U = 0V: U GS < U T,T 截止 ; U = U DD, = 1 2)U = U DD : U GS > U T,T 导通 ; U 0V, = 0

73 U DD 0V R D G S +U DD NMOS 增强型 1 逻辑符号 : U DD 0V 1 0 真 值 表 : 输入 输出 0 1 逻辑式 :=

74 U GS = U DS > U T 导通 有源负载的 MOS 反相器 ( 非门 ) G S +U DD D T 2 ( 负载管 ) 有源负载 ( 非线性电阻 ) +U DD T 1 ( 驱动管 ) T 1 NMOS 增强型 逻辑式 :=

75 1) 结构 +U DD 2. CMOS 反相器 G S T 2 ( 负载管 ) D D T 1 ( 驱动管 ) S PMOS 管 CMOS 电路 NMOS 管 同一电平 : Complementary -Symmetry MOS 互补对称式 MOS T 1 : ON T 2 : O O ON

76 2) 工作原理 U =0V 0 (0V) G +U DD S D D S T 2 T 1 PMOS NMOS 1 (+U DD ) U GS < U T <0 导通 U GS < U T >0 截止

77 U = U DD 1 (+U DD ) G +U DD S D D S T 2 T 1 PMOS 0 (0V) NMOS U GS > U T <0 截止 U GS > U T >0 导通

78 U DD G 0V 优点 : +U DD S D D S T 2 U DD 真值表 : T 1 T 截止导通 T 导通截止 0V 静态功耗小 速度较快 逻辑式 := 1

79 结构 : 3. CMOS 与非门工作原理 : +U DD S T 3 G S T 1 T 2 S T 1 T 2 T 3 T G = T 4 S &

80 结构 : G G T 4 = + 4. CMOS 或非门 S T 3 S +U DD S T 1 T 2 T 1 T 2 T 3 T 4 工作原理 :

81 本章小结 : 一 门电路 构成数字电路的基本单元 二 要求掌握常用门电路的逻辑符号和逻辑功能, 会使用它们 基本门 : 与 或 非门 ; 常用门 : TTL : 与非门 OC 门 TS 门 与或非门 CMOS 门 : 非 与非 或非门 ( OC 门 TS 门 )

82 附 : 门电路的常见逻辑符号 与门或门非门 = =+ = & + 1

83 与非门或非门 OC 门 ( 两输入与非 ) + = = & + & & 国标

84 三态门 ( 两输入与非 ) & E E & E 国家标准 与或非门 + CD C D & & C D +

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