TONE RINGER

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钉舒
5 years ago
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1 4A 700V N 沟道增强型场效应管描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动特点 4A,700V,R DS(on)( 典型值 )=2.5Ω@V GS =10V 低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装形式 SVF4N70F TO-220F-3L SVF4N70F 无铅料管共 7 页第 1 页

2 极限参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数符号参数范围单位漏源电压 V DS 700 V 栅源电压 V GS ±30 V 漏极电流 T C =25 C 4.0 T C =100 C I D 漏极脉冲电流 I DM 16.0 A 耗散功率 (T C =25 C) - 大于 25 C 每摄氏度减少 P D W 0.26 W/ C 单脉冲雪崩能量 ( 注 1) E AS 242 mj 工作结温范围 T J -55~+150 C 贮存温度范围 T stg -55~+150 C A 热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻 R θjc 3.79 C/W 芯片对环境的热阻 R θja 120 C/W 电性参数 ( 除非特殊说明,T C =25 C) 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压 B S V GS =0V,I D =250µA V 漏源漏电流 I DSS V DS =700V,V GS =0V µa 栅源漏电流 I GSS V GS =±30V,V DS =0V ±100 na 栅极开启电压 V GS(th) V GS = V DS,I D =250µA V 导通电阻 R DS(on) V GS =10V,I D =2.0A Ω 输入电容 C iss 输出电容 C oss V DS =25V,V GS =0V, f=1.0mhz 反向传输电容 C rss 开启延迟时间 t d(on) V DD =350V,R G =25Ω,I D =4.0A 开启上升时间 t r 关断延迟时间 t d(off) ( 注 2,3) 关断下降时间 t f 栅极电荷量 Q g V DS =560V,I D =4.0A,V GS =10V 栅极 - 源极电荷量 Q gs ( 注 2,3) 栅极 - 漏极电荷量 Q gd pf ns nc 共 7 页第 2 页

3 源 - 漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流 I S MOS 管中源极漏极构成的反源极脉冲电流 I SM 偏 P-N 结源 - 漏二极管压降 V SD I S =4.0A,V GS =0V V 反向恢复时间 T rr I S =4.0A,V GS =0V, ns 反向恢复电荷 Q rr 1. L=30mH,I AS =3.72A,V DD =100V,R G =25Ω, 开始温度 T J =25 C; 2. 脉冲测试 : 脉冲宽度 300μs, 占空比 2%; 3. 基本上不受工作温度的影响典型特性曲线 di F /dt=100a/µs( 注 2) µc A 共 7 页第 3 页

4 典型特性曲线 ( 续 ) 图 5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd V DS=560V V DS=350V V DS=140V 图 6. 电荷量特性电容 (pf) Ciss Coss Crss 1. V GS=0V 2. f=1mhz 栅源电压 (V) I D=4.0A 漏源电压 V DS (V) 总栅极电荷 Qg(nC) 漏源击穿电压 ( 标准化 ) BS(V) 图 7. 击穿电压 vs. 温度特性 1. V GS=0V 2. I D=250µA 漏源导通电阻 ( 标准化 ) RDS(ON)(Ω) 图 8. 导通电阻 vs. 温度特性 V GS=10V 2. I D=2.0A 结温 T J ( C) 结温 T J ( C) 10 2 图 9. 最大安全工作区域 4.0 图 10. 最大漏极电流 vs. 壳温此区域工作受限于 RDS(ON) µs 3.0 漏极电流 -ID(A) T C=25 C 2.T j=150 C 3. 单个脉冲 DC 10ms 1ms 漏极电流 -ID(A) 漏源电压 -V DS (V) 壳温 T C ( C) 共 7 页第 4 页

5 典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图 12V 200nF 50KΩ 300nF 与待测器件参数一致 10V Qg Qgs Qgd 待测器件 3mA 电荷量开关时间测试电路及波形图 RL VDD 90% 10V RG 待测器件 10% td(on) tr ton td(off) tf toff EAS 测试电路及波形图 L BS EAS = 1 2 LI AS 2 BS BS - VDD ID IAS RG 10V tp 待测器件 VDD VDD ID(t) (t) tp Time 共 7 页第 5 页

6 封装外形图 TO-220F-3L(1) 单位 : mm 10.03±0.30 Φ3.20± ± ± ± MAX 0.80± TYPE 0.50±0.15 TO-220F-3L(2) 单位 : mm 共 7 页第 6 页

7 声明 : 士兰保留说明书的更改权, 恕不另行通知! 客户在下单前应获取最新版本资料, 并验证相关信息是否完整和最新任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能, 买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施, 以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! 产品提升永无止境, 我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品! 附 : 修改记录 : 日期版本号描述页码原版对换 TO-220F-3L(1) 和 TO-220F-3L(2) 尺寸图的顺序修改源 - 漏二极管特性参数共 7 页第 7 页

MCU产品规格书

MCU产品规格书 2A 600V N 沟道增强型场效应管描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.