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子虚沈
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1 FUJITSU Semiconductor FRAM 富士通半導體鐵電隨機存取記憶體 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED

:Ferroelectric Random Access Memory) 產品本公司自 1995 年起開發

2 具豐富量產實績的高品質, 高可靠性記憶體 FRAM 自 1969 年以來, 富士通已持續提供記憶體產品長達 46 年以上之久而現今富士通半導體提供高品質, 高可靠性非揮發性記憶體 FRAM( 鐵電記憶體 :Ferroelectric Random Access Memory) 產品本公司自 1995 年起開發 FRAM, 已有 17 年以上的量產實績, 至今已有來自全球 43 個國家的客戶, 向本公司洽詢 200 種以上的應用產品

3 一直以來, FRAM 被運用於智慧卡與 IC 卡等卡片用途, 電表與產業機械等產業領域, 以及醫療設備與醫療 RFID 標籤等醫療領域近年來, 在穿戴式裝置, 產業用機器人與無人機方面也有運用實績如上所述, 本公司的 FRAM 憑藉高科技背書的高品質與穩定的產品供應, 長期受到要求記憶體可靠性的客戶愛用今後, 我們將進一步降低記憶體的功耗, 擴大工作溫度範圍, 增大容量, 同時也將持續進行開發, 以期開發出最適合客戶用途的產品

Ferroelectric Random Access Memory FRAM 特性鐵電記憶體 (FRAM, Ferroelectric Random Access Memory) 是隨寫隨讀, 並且在斷電狀態下, 能夠永久保持住資料的隨機存取形式記憶體 FRAM 的資料保持不需要備用電池, 與 EEPROM, FLASH 等傳統記憶體相比, 具有優越的高速寫入, 高讀寫耐

4 Ferroelectric Random Access Memory FRAM 特性鐵電記憶體 (FRAM, Ferroelectric Random Access Memory) 是隨寫隨讀, 並且在斷電狀態下, 能夠永久保持住資料的隨機存取形式記憶體 FRAM 的資料保持不需要備用電池, 與 EEPROM, FLASH 等傳統記憶體相比, 具有優越的高速寫入, 高讀寫耐久性和低功耗特性 FRAM 與其他傳統記憶體的比較 FRAM EEPROM FLASH SRAM 記憶類型非揮發性非揮發性非揮發性揮發性寫入方法覆寫位元組擦除 + 寫入扇區單元擦除 + 寫入覆寫非揮發性寫入周期時間 150ns 5ms 10µs 55ns 讀寫次數無限次高讀寫耐久性 FRAM 安全 Charge pump 電路不需要需要需要不需要數據保護後備電池不需要不需要不需要需要高速寫入低功耗 FRAM 產品系列 FRAM 產品可分為兩個系列以 SOP/SON 等封裝產品形式的獨立記憶體和 FRAM 內建的 RFID 用 LSI/ 驗證 LSI 等的 FRAM 內建 LSI 此外, 還可因應客戶需求, 開發並提供內建 FRAM 的客製化 LSI, 將應用的優勢與性能發揮至最大 FRAM 獨立記憶體 FRAM 內建 LSI 串列記憶體並列記憶體 RFID 用 LSI 驗證用 LSI 客製化 LSI FRAM 的結構 FRAM 的儲存元件使用鐵電薄膜 (Ferroelectric film) 而本公司的 FRAM 則使用 PZT( 鋯鈦酸鉛 ) 作為鐵電物質, 其結晶結構如右圖所示方格中的 Zr( 鋯 ) 或 Ti( 鈦 ) 離子具有兩個穩定點, 在性質上會受到外部電場作用而改變位置 ( 鐵電性 ) 一旦定位於任一個穩定點後, 即使除去電場, 位置也不會改變換言之, 極化狀態的記憶將會留存在鐵電薄膜的上下設置電極, 組成電容器, 標示電極電壓與極化量後, 便能得到磁滯 ( 歷史紀錄 ), 因而得以記憶 1 或 0 鐵電記憶體正是利用這種非揮發性質而製成 EEPROM 或快閃記憶體雖然也會依元件內儲存區域有無電荷來記憶資料, 但由於 FRAM 是根據極化方向來記憶資料, 因此兩者的記憶方式並不相同 Pb( 鉛 ) Zr( 鋯 ) 或 Ti( 鈦 ) 0( 氧 ) 鐵電記憶體的結晶結構 3

FRAM 產品陣容串列記憶體的產品陣容包含 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 介面產品, 以及 4Kbit 至 1Mbit 的

8V 操作產品封裝形式除了能與 EEPROM 及串列快閃記憶體兼容的 SOP 封裝外, 同時也針對穿戴式裝置提供 SON (Small

等超小型封裝產品而並列記憶體則以 TSOP 或 SOP 封裝形式提供 256Kbit 至 4Mbit 的產品透過使用 SRAM

8V- 4M 量產樣品供應中計劃中 MB85RQ4ML 1.8V MB85R4M2T 1.

8V- MB85R1001/2A 512K MB85RC512T 1.8V- MB85RS512T 1.

MB85RC16V 5V MB85RDP16LX(*) MB85RS16/16N 1.

5 FRAM 產品陣容串列記憶體的產品陣容包含 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 介面產品, 以及 4Kbit 至 1Mbit 的 I 2 C 介面產品輸入電壓除了主要的操作產品外, 目前也正在擴充 1.8V 操作產品封裝形式除了能與 EEPROM 及串列快閃記憶體兼容的 SOP 封裝外, 同時也針對穿戴式裝置提供 SON (Small Outline Non-leaded package) 與 WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package) 等超小型封裝產品而並列記憶體則以 TSOP 或 SOP 封裝形式提供 256Kbit 至 4Mbit 的產品透過使用 SRAM 與資料保持電池之應用, 作為進一步降低功耗與減少電池的解決方案容量 (bit) 8M/16M 8M/16Mbits 1.8V- 4M 量產樣品供應中計劃中 MB85RQ4ML 1.8V MB85R4M2T 1.8V- MB85R4001/2A 2M MB85RS2MT 1.8V- 1M MB85RC1MT 1.8V- MB85RS1MT 1.8V- MB85R1001/2A 512K MB85RC512T 1.8V- MB85RS512T 1.8V- 256K MB85RC256V -5V MB85RS256B MB85R256F 128K MB85RC128A MB85RS128B 64K MB85RC64TA 1.8V- MB85RC64A MB85RC64V 5V MB85RS64 MB85RS64V 5V 16K MB85RC16 MB85RC16V 5V MB85RDP16LX(*) MB85RS16/16N 1.8V 4K MB85RC04V -5V *: 內建二進計數器產品 I 2 C 1.8V I 2 C I 2 C 5V SPI 1.8V SPI SPI 5V 並列 ( 並列 1.8V-) 應用 FRAM 保證高速寫入與最高 10 兆次的讀寫次數, 因此被運用於需要連續讀寫資料, 即時記錄三次元位置資訊, 妥善保護資料, 且連續讀寫資料的應用中滿足省略資料保持電池, 因反覆讀寫而需可多次讀寫的記憶體, 保持斷電前瞬間資料等需求飛行 / 行車記錄器無人機汽車導航系統穿戴式裝置智慧手錶助聽器機器人產業用機器人民生用機器人照明照明設備號誌燈網路設備路由器 RAID 控制器儀表電表瓦斯表, 水表醫療用品拋棄式醫療用品醫療用監測器產業機械馬達, 編碼器控制設備 IC 卡保全卡交通用 IC 卡 4

Ferroelectric Random Access Memory 推薦產品以 1Mbit 串列 FRAM 形式, 開發業界尺寸最小的超小型封裝產品本公司針對 1Mbit 的 FRAM MB85RS1MT, 新開發出 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝產品 (WL-CSP) 並開始供貨安裝面積減少 77% 以上!

33mm, 約為信用卡的一半, 從安裝體積比來看, 可減少的體積約為 SOP 的 95% 除此之外, MB85RS1MT 與同為非揮發性記憶體的標準 EEPROM 相較之下, 資料寫入時間更短, 6.00 mm 2.28mm 可大幅降低寫入時的功耗 5.05mm 3.

0ms 耗電量 492µWh 條件 : 1Mbit SPI, 3V, 2KByte 寫入, 最大頻率 (16MHz) FRAM 寫入時電力寫入時間 0.54ms 條件 : 1Mbit SPI, 3V, 2KByte 寫入, 最大頻率 (30MHz) 耗電量 15.4µWh 1.55mm 0.

6 Ferroelectric Random Access Memory 推薦產品以 1Mbit 串列 FRAM 形式, 開發業界尺寸最小的超小型封裝產品本公司針對 1Mbit 的 FRAM MB85RS1MT, 新開發出 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝產品 (WL-CSP) 並開始供貨安裝面積減少 77% 以上! 與過去傳統業界標準 SOP 封裝相較之下, WL-CSP 約為 SOP 的 23%, 可減少約 77% 的安裝面積此外, 本 WL-CSP 的厚度僅有 0.33mm, 約為信用卡的一半, 從安裝體積比來看, 可減少的體積約為 SOP 的 95% 除此之外, MB85RS1MT 與同為非揮發性記憶體的標準 EEPROM 相較之下, 資料寫入時間更短, 6.00 mm 2.28mm 可大幅降低寫入時的功耗 5.05mm 3.09mm 因此, 在需頻繁, 即時記錄日誌資料的穿戴式裝置中導入本 FRAM 後, 將有利於延長電池壽命或減小電池體積安裝高度約為 SOP 的 1/5 EEPROM 寫入時電力寫入時間 41.0ms 耗電量 492µWh 條件 : 1Mbit SPI, 3V, 2KByte 寫入, 最大頻率 (16MHz) FRAM 寫入時電力寫入時間 0.54ms 條件 : 1Mbit SPI, 3V, 2KByte 寫入, 最大頻率 (30MHz) 耗電量 15.4µWh 1.55mm 0.33mm SOP 與 WL-CSP 的安裝面積及安裝高度比較時間時間寫入時的功耗比較開發 4Mbit Quad SPI FRAM, 能以每秒 54MByte 的速度傳輸資料本公司開發出 4Mbit FRAM MB85RQ4ML 並開始供貨, 在 Quad SPI 介面非揮發性 RAM 市場中為容量最大的產品本產品採用 1.8V 單一電源, Quad SPI 介面, 藉由 108MHz 之運轉, 能以每秒 54Mbyte 的速度傳輸資料本公司既有產品中擁有 16bit 輸出輸入針腳的 44 針腳式並列介面, 其中又以 4Mbit FRAM 的速度最快, 為每秒 13MByte 然而本產品卻以較少的針腳數量, 達成約 4 倍速度的資料讀寫由於其具備高速動作與非揮發性記憶體的特性, 因此最適合用於網路, RAID 控制器, 產業用電腦領域 16-pin SOP 封裝資料傳輸速度 (MByte/ 秒 ) 路由器內建記憶體 (3 種 ) 60 54MB/s 記憶體要求特性非揮發性大容量非揮發性高速存取高速存取大容量 40 傳輸速度 4 倍記憶體作用儲存作業系統與重要資料儲存更新設定, 備份儲存用資料工作記憶體 MB/s 既有產品並列 I/F 4Mbit FRAM (6.7MHz) 新產品 Quad SPI I/F 4Mbit FRAM (108MHz) 儲存資訊 OS, 儲存資料配置資訊, 初始設定, 事件日誌工作設定, 資料處理推薦記憶體快閃記憶體 FRAM SDRAM 資料傳輸速度比較路由器用記憶體使用案例 5

FRAM 焦點汽車專用開發可滿足 125 工作要求的 SPI 介面 FRAM 本公司的 FRAM 在電力儀表, 辦公設備或產業設備市場中受到廣泛應用目前提供的 FRAM 於高溫時的最大工作保證溫度為 85, 為因應汽車設備市場需求, 目前正在開發車用 FRAM 產品, 可將工作溫度提升至 125

在安全裝備等方面亦透過電子設備進行複雜控制為了追求低油耗, 斷電後資料也不會消失的非揮發性記憶體在運用上出現增加的趨勢此外, 發生問題時, 重要日誌資料將儲存於記憶體中, 因此記憶體必須具備高可靠性與高讀寫性能等為了滿足上述車用設備市場需求, 本公司提供高可靠性, 高性能的非揮發性記憶體

FRAM 才得以實現的功能非揮發性記憶體 FRAM 不需要資料保持電池, 因此保持資料時不會產生功耗此外, 與標準 EEPROM 及快閃記憶體相較之下, 寫入時間更短, 具備寫入時功耗較低的優點因此, 進行能源採集時僅需微小的電動勢, 就能在 FRAM 中寫入資料,

ic-haus 採用韋根線控技術, 提供內建 FRAM 的演示套件該演示套件僅需仰賴旋轉刻度盤時的電動勢, 便可確認在 FRAM 中寫入刻度盤旋轉數的資料演示套件的實際操作影片, 可在本公司介紹 FRAM 的網站觀賞僅需彎曲軟板, 便能記錄彎曲次數 ( 無電池 ) ic-haus

7 FRAM 焦點汽車專用開發可滿足 125 工作要求的 SPI 介面 FRAM 本公司的 FRAM 在電力儀表, 辦公設備或產業設備市場中受到廣泛應用目前提供的 FRAM 於高溫時的最大工作保證溫度為 85, 為因應汽車設備市場需求, 目前正在開發車用 FRAM 產品, 可將工作溫度提升至 125 此一新產品不僅可將工作溫度提升至 125, 為了滿足車用設備市場對高品質的要求, 內部迴路設計也經過評估調整, 進一步提升其可靠性車用 FRAM 以 AEC-Q100(*1) 可靠性測試標準為依據, 符合 PPAP(*2) 程序目前在車用設備周遭環境之中, 不僅有廢氣排放規範, 低油耗趨勢, 在安全裝備等方面亦透過電子設備進行複雜控制為了追求低油耗, 斷電後資料也不會消失的非揮發性記憶體在運用上出現增加的趨勢此外, 發生問題時, 重要日誌資料將儲存於記憶體中, 因此記憶體必須具備高可靠性與高讀寫性能等為了滿足上述車用設備市場需求, 本公司提供高可靠性, 高性能的非揮發性記憶體 FRAM 以為因應關於車用 FRAM 的詳細資訊, 請參閱本公司網站, 或向銷售公司洽詢 *1:AEC(Automotive Electronic Council) *2:PPAP(Production Part Approval Process) 要求高可靠性, 高性能的車用設備市場唯有 FRAM 才得以實現的功能非揮發性記憶體 FRAM 不需要資料保持電池, 因此保持資料時不會產生功耗此外, 與標準 EEPROM 及快閃記憶體相較之下, 寫入時間更短, 具備寫入時功耗較低的優點因此, 進行能源採集時僅需微小的電動勢, 就能在 FRAM 中寫入資料, 即便無能源採集以外的電池電源, 也能寫入資料實際上經本公司確認, 內建 FRAM 的示範機在無電池狀況下也能寫入資料換言之, FRAM 藉由非揮發性與高速寫入的特性, 可達到低功耗, 為無電池技術提供解決方案只需轉動刻度盤, 便能記錄旋轉數 ( 無電池 ) 本公司業務夥伴 ic-haus 採用韋根線控技術, 提供內建 FRAM 的演示套件該演示套件僅需仰賴旋轉刻度盤時的電動勢, 便可確認在 FRAM 中寫入刻度盤旋轉數的資料演示套件的實際操作影片, 可在本公司介紹 FRAM 的網站觀賞僅需彎曲軟板, 便能記錄彎曲次數 ( 無電池 ) ic-haus 公司製造的演示套件本公司使用 MUNEKATA 株式會社 (*1) 提供的樹脂材質壓電元件軟板 (91mm 55mm 名片大小 ) 作為能源採集電源, 開發出內建 FRAM 的演示套件該演示套件僅需仰賴彎曲軟板時的電動勢, 便可確實在 FRAM 中寫入彎曲次數的資料 *1:MUNEKATA 株式會社提供以噴塗法技術製造的樹脂材質壓電元件使用壓電元件的演示套件 6

8 Ferroelectric Random Access Memory 獨立記憶體串列記憶體串列記憶體的產品陣容包含 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 介面產品, 以及 4Kbit 至 1Mbit 的 I 2 C 介面產品輸入電壓除了主要的操作產品外, 目前也正在擴充 1.8V 操作產品封裝形式除了能與 EEPROM 及串列快閃記憶體兼容的 SOP 封裝外, 同時也針對穿戴式裝置提供 SON (Small Outline Non-leaded package) 與 WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package) 等超小型封裝產品串列介面 FRAM 記憶體產品與其他傳統非揮發性記憶體相比, 具有優越的高速寫入, 高讀寫耐久性和低功耗的優點 I 2 C 介面產品型號 P/N 内存容量輸入電壓工作頻率 (MAX) 工作溫度讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) 數據保持時間 (*1) 封裝類別 MB85RC1MT 1Mbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC512T 512Kbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC256V 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC128A 128Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC64TA 64Kbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8/SON-8 MB85RC64A 64Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC16 16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8/SON-8 MB85RC16V 16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RC04V 4Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 SPI 介面 *1 : 當工作溫度低於 +85 時, 資料保持時間可以延長, 詳細請參考 datasheet 產品型號 P/N 内存容量輸入電壓 MB85RQ4ML (*2) 工作頻率 (MAX) 工作溫度讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) 數據保持時間 (*1) 封裝類別 4Mbit 1.7 至 1.95V 108MHz -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-16 MB85RS2MT 2Mbit 1.8 至 3.6V 25MHz(*3) -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8/DIP-8 MB85RS1MT 1Mbit 1.8 至 3.6V 30MHz(*3) -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8/WL-CSP-8 MB85RS512T 512Kbit 1.8 至 3.6V 30MHz(*3) -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS256B 256Kbit 2.7 至 3.6V 33MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS128B 128Kbit 2.7 至 3.6V 33MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS64 64Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 20MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS16 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) SOP-8 MB85RS16N 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +95 MB85RDP16LX (*4) 1 萬億次 (+85 ) 或 1 百億次 (+95 ) 10 年 (+95 ) SOP-8/SON-8 16Kbit 1.65 至 1.95V 15MHz(*5) -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+105 ) SON-8 *1 : 當工作溫度低於 +85 時, 資料保持時間可以延長, 詳細請參考 datasheet *2 : 滿足 SPI 及 Quad SPI 介面的需求 *3 : 高速讀取模式時, 可實現最大 40MHz 操作 *4 : 內建二進計數器功能 *5 :Dual SPI 模式時, 可實現最大 7.5MHz 操作 7

9 FRAM 並列記憶體而並列記憶體則以 TSOP 或 SOP 封裝形式提供 256Kbit 至 4Mbit 的產品操作時的輸入電壓為, 但 MB85R4M2T 的操作範圍較大, 為 1.8V ~3.6V 封裝形式為與 SRAM 兼容的 TSOP 及 SOP 封裝透過使用 SRAM 與資料保持電池之應用, 作為進一步降低功耗與減少電池的解決方案產品型號 P/N 内存容量輸入電壓寫入周期時間工作溫度讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) 數據保持時間 (*1) 封裝類別 MB85R4M2T 4Mbit(256K 16) 1.8 至 3.6V 150ns -40 至次 (10 萬億次 ) 10 年 (+85 ) TSOP-44 MB85R4001A 4Mbit(512K 8) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) TSOP-48 MB85R4002A 4Mbit(256K 16) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) TSOP-48 MB85R1001A 1Mbit(128K 8) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) TSOP-48 MB85R1002A 1Mbit(64K 16) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) TSOP-48 MB85R256F 256Kbit(32K 8) 2.7 至 3.6V 150ns -40 至次 (1 萬億次 ) 10 年 (+85 ) TSOP-28/SOP-28 *1 : 工作溫度低於最大溫度 (+55 或 +85 ) 時, 資料保持時間可以延長, 詳細請參考 datasheet 封装尺寸串列記憶體並列記憶體封裝類別頂視圖寬度長度 (mm) 高度 (mm) 封裝類別頂視圖寬度長度 (mm) 高度 (mm) WL-CSP SON SOP SOP TSOP SOP TSOP * 詳細的封裝尺寸, 請參考 datasheet TSOP 網路銷售購買 FRAM 產品為滿足客戶想透過少量 FRAM 樣品進行評估的需求, 本公司於介紹 FRAM 的網站設有樣品網路銷售按鈕連結網頁為本公司銷售 FRAM 產品的電子零件銷售網站, 客戶僅需透過網路, 便能購買 SOP 或 TSOP 封裝的 FRAM 產品 ( 在網路銷售網站購買 FRAM 產品時, 請詳閱銷售網站服務政策與使用規範 ) 如網路銷售網站沒有您需要的 FRAM 產品, 請向經銷商或本公司洽詢經銷商聯絡方式及洽詢表單請透過本公司網站進行確認 Buy via Online 圖標上 FRAM 網站了解詳細資訊, 請搜尋 : 搜尋 8

Ferroelectric Random Access Memory FRAM 內建 LSI 富士通半導體提供內建 FRAM 的 RFID 與驗證用 LSI 活用了 FRAM 的高速寫入速度, 高讀寫耐久性和低功耗等優點 FRAM 內建 RFID 用 LSI 本公司提供的 FRAM 內建 RFID 用 LSI

可提高資料寫入時的效率穩定的通信距離 : 低功耗模式寫入操作, 實現同等讀 / 寫通信距離大容量內建記憶體單元 : 記錄資料於電子標籤, 實現追溯應用所需的大容量內建記憶體讀寫操作的高耐久性 : 保證最高 1 萬億次的讀 / 寫操作, 實現標籤的長期使用和再利用符合國際標準 :ISO15693 和

MB97R804B ( 終止目標產品 ) MB97R8050 MB89R118C MB89R119B MB89R112A RFID 用 LSI 的應用 UHF 860-960MHz UHF 860-960MHz UHF 860-960MHz UHF 860-960MHz HF 13.56MHz HF 13.

10 Ferroelectric Random Access Memory FRAM 內建 LSI 富士通半導體提供內建 FRAM 的 RFID 與驗證用 LSI 活用了 FRAM 的高速寫入速度, 高讀寫耐久性和低功耗等優點 FRAM 內建 RFID 用 LSI 本公司提供的 FRAM 內建 RFID 用 LSI 具備無線介面本公司產品並不是單純以讀取為主的 RFID 標籤, 而是以資料載體型 RFID 標籤為導向, 逐步導入日本國內外 FA 領域, 設備維修領域, 醫療領域今後, 使用檢測器取得資料的無線通訊將不可或缺, 本公司產品也以支援檢測器網路社會的 LSI 而備受矚目特長高速資料寫入 : 可提高資料寫入時的效率穩定的通信距離 : 低功耗模式寫入操作, 實現同等讀 / 寫通信距離大容量內建記憶體單元 : 記錄資料於電子標籤, 實現追溯應用所需的大容量內建記憶體讀寫操作的高耐久性 : 保證最高 1 萬億次的讀 / 寫操作, 實現標籤的長期使用和再利用符合國際標準 :ISO15693 和 ISO , 6 標準產品陣容工作頻率通訊距離 (MAX) 內建記憶體 36byte 至 256byte 2Kbyte 8Kbyte 至 9Kbyte UHF 頻段 MHz 3m MB97R8050 FRAM 36B (EPC 128bit) MB97Rxxxx FRAM 8KB SPI I/F HF 頻段 13.56MHz 50cm MB89R119B FRAM 256B MB89R118C FRAM 2KB MB89R112A FRAM 9KB SPI I/F 型號 P/N 工作頻率內建記憶體通信規格串列介面數據保持時間 MB97Rxxxx (*1) ( 開發中 ) MB97R803A ( 終止目標產品 ) MB97R804B ( 終止目標產品 ) MB97R8050 MB89R118C MB89R119B MB89R112A RFID 用 LSI 的應用 UHF MHz UHF MHz UHF MHz UHF MHz HF 13.56MHz HF 13.56MHz HF 13.56MHz 8KByte 4KByte 4KByte 36Byte (EPC128bit) ISO/IEC EPC C1G2 Ver ISO/IEC EPC C1G2 Ver ISO/IEC EPC C1G2 Ver ISO/IEC EPC C1G2 Ver 讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) SPI 10 年 (+55 ) 次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) 次 (1 百億次 ) SPI 10 年 (+55 ) 次 (1 百億次 ) 10 年 (+55 ) 次 (1 百億次 ) 2KByte ISO/IEC 年 (+85 ) 次 (1 萬億次 ) 256Byte ISO/IEC 年 (+85 ) 次 (1 萬億次 ) 9KByte ISO/IEC15693 SPI 10 年 (+85 ) 次 (1 萬億次 ) *1: 正在開發的 MB97Rxxxx 為 MB97R803A/804B 的下一代產品工廠過程記錄資料重寫醫療使用記錄信息確認物流運行記錄產品管理運輸部件的維修記錄倉庫管理裝卸記錄存儲環境的記錄基礎設施檢查記錄退化監測 9

FRAM 內建 FRAM 的驗證 LSI 本公司的 FRAM 在 IC 卡等保全用途也具有實績, 提供內建 FRAM 的設備驗證用 LSI 標準型驗證 LSI 為 MB94R330 產品型號輸入電壓介面工作頻率工作溫度讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) 封裝類別 MB94R330 3.0 至 3.

的偽造品的檢測辨識在保全用途部分, 為能在產品性質上滿足客戶對規格的個別需求, 除標準型 LSI 外, 本公司亦提供客製化 LSI FRAM 驗證晶片邏輯 FRAM ( 鍵值和數據 ) 加密 IP (AES 等 ) 加密通信 Encryption communication I 2 C, SPI, RF 等

於製程中採取相應措施, 因而得以領先全球, 成功量產本公司的量產化技術開發與 FRAM 產品對社會的貢獻廣獲認同, 自 2011 年起榮獲多項權威獎項今後本公司亦將致力穩定提供由高科技背書的高品質記憶體歷史上獲獎 2013: 2014: 2015: 第 7 屆應用物理學會會員獎第 61

產品相關需求與洽詢, 請洽富士通電子株式會社總公司或最近的營業據點此外, 富士通電子株式會社亦擁有日本海外營業據點, 可順利地於當地為在日本海外拓展業務的客戶提供服務日本國內與海外各營業據點的聯絡方式, 請透過本公司網站內連結進行確認 Global Contacts Corporate Name: Fujitsu

11 FRAM 內建 FRAM 的驗證 LSI 本公司的 FRAM 在 IC 卡等保全用途也具有實績, 提供內建 FRAM 的設備驗證用 LSI 標準型驗證 LSI 為 MB94R330 產品型號輸入電壓介面工作頻率工作溫度讀寫耐久性 ( 讀寫次數 ) 封裝類別 MB94R 至 3.6V I 2 C 400kHz -20 至 (1 萬億次 ) SON-8 序列的 MB94R330, 通過主機系統和配件之間的 Challenge & Response 來進行驗證操作, 辨識出授權或未授權的組件 ( 真偽辨識 ) 例如, 印表機, 多功能印表機主機的配件 ( 墨盒, 碳粉盒等 ) 的偽造品的檢測辨識在保全用途部分, 為能在產品性質上滿足客戶對規格的個別需求, 除標準型 LSI 外, 本公司亦提供客製化 LSI FRAM 驗證晶片邏輯 FRAM ( 鍵值和數據 ) 加密 IP (AES 等 ) 加密通信 Encryption communication I 2 C, SPI, RF 等主體系統驗證目標器件驗證的 LSI 的使用結構的例子高科技的證明本公司自 1995 年起開發 FRAM, 擁有 17 年以上的豐富量產實績而實現量產化與持續的穩定供應, 正是本公司擁有高科技的證明 FRAM 中使用鐵電, 但以往在半導體製程中鐵電常有退化情形, 因此量產不易本公司找出其退化原因, 於製程中採取相應措施, 因而得以領先全球, 成功量產本公司的量產化技術開發與 FRAM 產品對社會的貢獻廣獲認同, 自 2011 年起榮獲多項權威獎項今後本公司亦將致力穩定提供由高科技背書的高品質記憶體歷史上獲獎 2013: 2014: 2015: 第 7 屆應用物理學會會員獎第 61 屆文部科学大臣鼓勵獎電氣科學技術鼓勵獎第 60 屆大河內紀念技術獎平成 26 年度文部科学大臣表彰科學技術獎 ( 開發部 ) 第 14 屆山崎悌一獎 ( 半導體和半導體裝置的領域 ) 平成 27 年春天獎章紫綬山崎悌一獎的獲獎 FRAM 銷售公司本公司產品的銷售公司為富士通電子株式會社與其簽約代理店 FRAM 產品相關需求與洽詢, 請洽富士通電子株式會社總公司或最近的營業據點此外, 富士通電子株式會社亦擁有日本海外營業據點, 可順利地於當地為在日本海外拓展業務的客戶提供服務日本國內與海外各營業據點的聯絡方式, 請透過本公司網站內連結進行確認 Global Contacts Corporate Name: Fujitsu Electronics Inc. Head Office: Shin-Yokohama Chuo Bldg., , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa, Japan URL: 圖標上 FRAM 網站海外销售據點 10

12 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Shin-Yokohama Chuo Bldg., , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa, , Japan All Rights Reserved. FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, its subsidiaries and affiliates (collectively, "FUJITSU SEMICONDUCTOR") reserves the right to make changes to the information contained in this document without notice. Please contact your FUJITSU SEMICONDUCTOR sales representatives before order of FUJITSU SEMICONDUCTOR device. Information contained in this document, such as descriptions of function and application circuit examples is presented solely for reference to examples of operations and uses of FUJITSU SEMICONDUCTOR device. FUJITSU SEMICONDUCTOR disclaims any and all warranties of any kind, whether express or implied, related to such information, including, without limitation, quality, accuracy, performance, proper operation of the device or non-infringement. If you develop equipment or product incorporating the FUJITSU SEMICONDUCTOR device based on such information, you must assume any responsibility or liability arising out of or in connection with such information or any use thereof. FUJITSU SEMICONDUCTOR assumes no responsibility or liability for any damages whatsoever arising out of or in connection with such information or any use thereof. Nothing contained in this document shall be construed as granting or conferring any right under any patents, copyrights, or any other intellectual property rights of FUJITSU SEMICONDUCTOR or any third party by license or otherwise, express or implied. FUJITSU SEMICONDUCTOR assumes no responsibility or liability for any infringement of any intellectual property rights or other rights of third parties resulting from or in connection with the information contained herein or use thereof. The products described in this document are designed, developed and manufactured as contemplated for general use including without limitation, ordinary industrial use, general office use, personal use, and household use, but are not designed, developed and manufactured as contemplated (1) for use accompanying fatal risks or dangers that, unless extremely high levels of safety is secured, could lead directly to death, personal injury, severe physical damage or other loss (including, without limitation, use in nuclear facility, aircraft flight control system, air traffic control system, mass transport control system, medical life support system and military application), or (2) for use requiring extremely high level of reliability (including, without limitation, submersible repeater and artificial satellite). FUJITSU SEMICONDUCTOR shall not be liable for you and/or any third party for any claims or damages arising out of or in connection with above-mentioned uses of the products. Any semiconductor devices fail or malfunction with some probability. You are responsible for providing adequate designs and safeguards against injury, damage or loss from such failures or malfunctions, by incorporating safety design measures into your facility, equipments and products such as redundancy, fire protection, and prevention of overcurrent levels and other abnormal operating conditions. The products and technical information described in this document are subject to the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law of Japan, and may be subject to export or import laws or regulations in U.S. or other countries. You are responsible for ensuring compliance with such laws and regulations relating to export or re-export of the products and technical information described herein. All company names, brand names and trademarks herein are property of their respective owners FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan AD Y September 2016 Edited: System Memory Business Unit

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AD Y FUJITSU Semiconductor FRAM FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED , FRAM 1969, 47, FRAM Ferroelectric Random Access Memory 1995FRAM, 18, 45, 200 , FRAMIC,, RFID,,, FRAM,,,,,, Ferroelectric Random Access Memory