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- 确藤 仲
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1 FUJITSU Semiconductor 铁电随机存储器 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Shin-Yokohama Chuo Bldg., , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa, , Japan 版权所有 本公司及其子公司与关系企业 ( 下称富士通半导体 ) 保有修改本手册记载内容的权利, 恕不另行通知 请贵用户于订购产品前咨询富士通半导体的销售代表 本手册记载的信息, 诸如功能概要和应用电路示例, 仅仅提供给贵用户作为对于富士通半导体器件的使用方法和操作示例的参考之用 ; 富士通半导体对于本手册所记载的各种信息, 包括但不限于产品品质 正确性 功能表现 操作的适当性或产品是否侵权等, 皆不提供任何明示或暗示的保证, 亦不负责任何损害赔偿的责任 若贵用户基于本手册记载的信息, 将富士通半导体器件导入或安装于贵用户自行开发的产品或装置内, 贵用户应承担所有风险, 并就此使用所衍生的一切损害自行负责 富士通半导体对本手册所载信息 亦或贵客户使用本手册所导致的任何损害概不负责 本手册内的任何信息, 不应视为授与或转让富士通半导体所拥有或自第三方授权而来的专利权 着作权或其他类型之知识产权, 贵用户对上述权利不享有任何产权和利益 就本手册所载信息 或就贵用户因使用该信息而产生或衍生侵害第三方的知识产权或其他权利的损害赔偿或责任, 富士通半导体概不负责 本手册介绍的产品旨在为一般用途而设计 开发和制造, 包括一般的工业使用 通常办公使用 个人使用和家庭使用 ; 而非用于以下领域的设计 开发和制造 :(1) 伴随着致命风险或危险的使用, 若不加以极高程度的安全保障, 有可能直接造成死亡 人身伤害 严重物质损失或其他损失的使用 ( 包括但不限于核能设备 航空飞行控制 空中交通控制 公共交通控制 医用维系生命系统 或军事用途的使用 ), 以及 (2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 包括但不限于海底中转器和人造卫星 ) 就贵用户或任何第三方使用产品于上述限制领域内而引起的或衍生的任何损害赔偿或责任, 富士通半导体概不负责 任何半导体器件存在一定的故障可能性 贵用户应确保对产品 设备和设施采取诸如冗余设计 消防设计 过流防护, 其他异常操作防护措施等安全设计, 保证即使在半导体器件发生故障的情况下, 也不会造成人身伤害 或财产损失 本手册内记载的任何关于产品或技术之资讯, 应受日本外汇及外贸管理法或美国及其他国家的进出口管理法或管理条例之管制 贵用户应确保将本手册所载产品及技术资讯办理出口或再出口时, 应符合上述一切相关法令 本手册内记载的所有公司名称 品牌名称和商标名称是各个公司所有之产权 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan AD Z August 2016 编辑 : 系统存储器事业部 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2 具有丰富量产业绩的 高质量 高可靠性存储器 1969 年起, 富士通开始提供存储器, 至今已走过了 46 个年头 现在, 富士通半导体主要提供高质量 高可靠性的非易失性存储器 (Ferroelectric Random Access Memory) 1995 年起, 公司开始开发, 具有 17 年以上的量产经验 迄今为止来自世界 43 个国家的客户咨询过 的 200 多种应用产品 应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域 电力仪表及产业设备等产业领域, 以及医疗设备及医疗 RFID 标签等医疗领域 近年来, 还被应用于可穿戴设备 工业机器人以及无人机中 如上所述, 本公司 产品凭借着由强大技术能力支撑的高质量与稳定的产品供货, 长期被要求高可靠性存储器的客户所爱用 今后, 我们将进一步降低存储器的功耗, 扩大存储器的操作温度范围, 加大存储器的容量, 同时继续开发最适合客户用途的产品
3 的特长 (Ferroelectric ) 是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性 随机存取两个特长的铁电随机存储器 ( 内存 ) 的数据保持, 不仅不需要备用电池, 而且与 EEPROM FLASH 等传统的非易失性存储器相比, 具有优越的高速写入 高和低功耗性能 产品阵容 串行接口存储器的产品阵容有 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 接口产品, 以及 4Kbit 至 1Mbit 的 I 2 C 接口产品 电源电压除主要的 工作产品外, 正在扩充 1.8V 工作产品 封装形式除能够与 EEPROM 及串行闪存兼容的 SOP 外, 还提供可穿戴设备用 SON(Small Outline Non-leaded package) 及 WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package) 等超小型封装形式的产品 同时, 使用 TSOP 或 SOP 封装形式提供 256Kbit 至 4Mbit 的并行存储器 在利用 SRAM 及数据保存用电池供电的应用中, 并行存储器被用 作进一步降低能耗或减少电池的解决方案 与其它传统存储器的比较 EEPROM FLASH SRAM 记忆类型非易失性非易失性非易失性易失性 数据写入方法 覆盖式写入 字节单元擦除 + 写入 扇区单元擦除 + 写入 覆盖式写入 数据写入周期时间 150ns 5ms 10µs 55ns 无限次 高 非易失性 安全 8M/16M 容量 (bit) 4M 2M 量产 ES 提供中 计划中 MB85RQ4ML 1.8V MB85RS2MT 1.8V- 8M/16Mbits 1.8V- MB85R4M2T 1.8V- MB85R4001/2A 电荷泵电路无需需要需要无需 数据保护后备电池无需无需无需需要 高速写入 低功耗 1M MB85RC1MT 1.8V- MB85RS1MT 1.8V- MB85R1001/2A 512K MB85RC512T 1.8V- MB85RS512T 1.8V- 产品系列产 产品可分为两个系列 分别是以 SOP/SON 等封装产品形式提供的 独立存储器 和 内置的 RFID 用 LSI 以及验证 LSI 等的 内置 LSI 另外, 根据客户的要求, 开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的 内置定 独立存储器 串行存储器并行存储器 256K 128K 64K 16K MB85RC64TA 1.8V- MB85RC128A MB85RC64A MB85RC16 MB85RC256V -5V MB85RC64V 5V MB85RC16V 5V MB85RS256B MB85RS128B MB85RS64 MB85RDP16LX(*) MB85RS16/16N 1.8V MB85RS64V 5V MB85R256F 制 LSI 内置 LSI RFID 用 LSI 4K MB85RC04V -5V *: 有二进制计数器功能 验证用 LSI 定制 LSI I 2 C 1.8V I 2 C I 2 C 5V SPI 1.8V SPI SPI 5V Parallel (Parallel 1.8V-) 的结构 记忆元件使用了铁电膜 (Ferroelectric film) 本公司的 里使用了 PZT( 锆钛酸铅 ) 的铁电物质, 其结晶结构如右图所示 方格中的 Zr( 锆 ) 或 Ti( 钛 ) 离子有两个稳定点, 其性质是在外部电场作用下会改变位置 ( 铁电性 ) 定位于任一稳定点后, 即使撤掉电场, 其位置也不会发生改变 即记忆了极化状态 Pb( 铅 ) Zr( 锆 ) 或 Ti( 钛 ) 应用 保证了高速写入以及最大 10 兆次的读写次数, 因此被应用于需要 连续读写数据 三维位置信息实时记录 完整保护数据, 并连续读写数据的应用中 满足了 省去保持数据用的电池 反复读写而需要读写次数多的存储器 保存断电前瞬间数据 等要求 飞行 / 行车记录仪 无人机 汽车导航系统 可穿戴设备 智能手表 助听器 机器人 工业机器人 民用机器人 铁电膜的上下设置有电极, 构成电容器, 标示出电极电压及极化量时, 能够实现 磁滞 ( 过程 ), 从而能够记忆 1 或者 0 铁电存储器就是利用了这种非易失性 虽然 EEPROM 或闪存也会根据元件内的存储区域是否有电荷来记忆数据, 但 O( 氧 ) 照明 照明设备 信号灯 网络设备 路由器 RAID 控制器 计量设备 电表 水表 煤气表 各种流量计 是根据极化的方向来记忆数据的, 所以两者具有不同的记忆方式 铁电存储器的结晶结构 医疗用品 一次性医疗用品 医用检测仪器 产业机械 电机 编码器 控制设备 IC 卡 安全卡 交通用 IC 卡 3 4
4 热点产品 热点 作为 1Mbit 串行, 公司开发了业界尺寸最小的超小型封装 面向车载开发出满足 125 C 工作要求的 SPI 接口 本公司新开发面向 1Mbit MB85RS1MT 的 8 引脚晶圆级芯片尺寸封装 (WL-CSP) 并开始供货 与传统业界标准 SOP 封装相比,WL-CSP 大约为 SOP 的 23%, 能够减少约 77% 的安装面积 而且, 本 WL-CSP 的厚度为 0.33mm, 约是信用卡的一半, 从安装体积比来看, 能够减少大约 95% 的体积 另外, 与同为非易失性存储器的通用 EEPROM 相比,MB85RS1MT 的写入时间较短, 从而能够大幅降低写入时的功耗 因此, 将该 引入需要频繁实时记录原始数据的可穿戴设备, 将有利于延长电池的使用寿命或实现电池的小型化 6.00 mm 5.05mm 安装面积减少 77% 以上! 3.09mm 2.28mm 安装高度约为 SOP 的 1/5 本公司的 广泛应用于电力仪表 办公设备及产业设备市场 目前提供的 高温端最大工作保证温度为 85, 但为了适应车载设备市场的要求, 公司正在开发将工作温度提高至 125 的面向车载的 产品 该新产品不仅将工作温度提高至 125, 而且为了满足车载设备市场的高质量要求, 公司重新评估和修改内部设计回路, 提高产品可靠性 车载用 依据 AEC-Q100(*1) 可靠性试验标准, 可满足 PPAP(*2) 如今围绕车载设备的环境, 废气排放得到严格限制, 并要求低能耗, 且安全装备等都是利用电子器件进行复杂控制 为了实现低能耗, 就需要更多的使用断电后仍能保留数据的非易失性存储器 另外, 出现问题时, 因为重要的原始数据都须保留在存储器中, 这就要求存储器具有高可靠性及快速写入的性能 本公司生产的高可靠性 高性能 非易失性存储器满足了车载设备市场的上述需求 EEPROM 写入 功耗 写入时间 41.0ms 合计功耗 492µWh 条件 : 1M-bit SPI,3V, 2KB 写入 : 最大频率 ( 16MHz) 写入 功耗 写入时间 0.54ms 条件 : 1M-bit SPI,3V, 2KB 写入 : 最大频率 ( 30MHz) 合计功耗 15.4µWh 1.55mm 0.33mm SOP 与 WL-CSP 的安装面积及安装高度对比 关于车载 的详细情况, 请查阅本公司的 WEB 网站或者咨询销售公司 *1 :AEC(Automotive Electronic Council) *2 :PPAP(Production Part Approval Process) 要求高可靠性 高性能的车载设备市场 时间 时间 写入时的功耗对比 唯有 才能实现的功能 开发出能够以 54Mbyte/ 秒的速度传输数据的 4Mbit Quad SPI( 四串行接口 ) 本公司开发出了在 Quad SPI 接口非易失性 RAM 市场里最大容量的 4Mbit MB85RQ4ML, 并开始提供产品 本产品采用 1.8V 的独立电源,Quad SPI 接口, 并以 108MHz 的动作频率实现了 54Mbyte/ 秒的数据传输 本公司的传统产品中, 具有 16bit 输入输出引脚的 44 引脚的并行接口的 4Mbit 的最快, 为 13Mbyte/ 秒, 而本产品以较少的引脚实现了相当于 4 倍速度的数据读写 因为具有高速动作及非易失性的特点,MB85RQ4ML 成为网络 RAID 控制器 工业计算领域的最佳选择 非易失性存储器, 无需保持数据的电池, 所以保持数据时不产生能耗 而且, 写入时间较通用 EEPROM 及闪存要短, 具有写入能耗低的优点 因此, 仅仅通过能量回收产生的微小电动势, 就能将数据写入, 因此, 除能量回收以外, 即使没有电池电源, 也能够写入数据 实际上, 我们已确认内置有 的演示设备已经能够在没有电池的状态下写入数据 也就是说, 通过自身的 非易失性 及 高速写入, 实现了低能耗, 为无电池技术提供了解决方案 只要旋转表盘就能记录转数 ( 无电池 ) ic-haus 公司是本公司的业务伙伴, 提供使用韦根线技术 内置有 的演示设备 通过该演示设备, 已确认仅仅利用旋转表盘产生的电动势, 就能将表盘转数写入 请在介绍 的 WEB 网站中观看演示设备的实际操作视频 16 引脚 SOP 封装形式 只要弯曲软质纤维板就能记录转数 ( 无电池 ) ic-haus 公司制造的演示设备 数据传输率 (MB/s) 速度提高 4x 54MB/s 存储器要求特征 存储器作用 非易失性 高密度 存储 OS 重要数据 路由器的 3 种记忆方式 非易失性 快速读写 存储更新设置 备份数据 快速读写 高密度 工作存储器 我们以 MUNEKATA 公司 ( *1) 提供的树脂系列压电元件的软质纤维板 (91mm 55mm, 名片大小 ) 为能量回收电源, 开发了内置 的演示设备 通过该演示设备, 已确认仅仅利用弯曲软质纤维板产生的电动势, 就能将弯曲次数写入 *1 :MUNEKATA 株式会社 (MUNEKATA Co., LTD) 提供采用喷涂工艺制作的树脂系列压电元件 MB/s 目前产品 串行接口 4Mbit (6.7MHz) 新产品 Quad SPI 接口 4Mbit (108MHz) 存储信息 OS 重要数据 配置注册, 启动设置, 事件日志 操作设置, 过程数据 推荐存储器闪存 SDRAM 使用了压电元件的演示设备 数据传输速度对比 路由器用存储器的使用事例 5 6
5 独立 存储器 串行接口存储器 串行接口存储器的产品阵容有 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 接口产品, 以及 4Kbit 至 1Mbit 的 I 2 C 接口产品 电源电压除主要的 工作产品 外, 正在扩充 1.8V 工作产品 封装除能够与 EEPROM 及串行闪存兼容的 SOP 外, 还提供可穿戴设备用 SON(Small Outline Non-leaded package) 及 WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package) 等超小型封装产品 与其他非易失性存储器相比, 串行接口存储器的优势在于写入快 高 功耗低 I 2 C 接口 产品型号 P/N 内存容量输入电压 工作频率 (MAX) 工作温度 ( 保证值 )(*1) MB85RC1MT 1Mbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC512T 512Kbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC256V 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC128A 128Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 并行接口存储器 并行接口存储器为采用 TSOP 或 SOP 封装的 256Kbit 至 4Mbit 的产品, 工作时的电源电压为, 但 MB85R4M2T 能够在 1.8V-3.6V 的大 范围内进行工作 封装方式为能够与 SRAM 兼容的 TSOP 或 SOP 在 SRAM 及使用数据保持电池的应用中, 并行接口存储器被作为进一步降低能耗或减少电池的解决方案 产品型号 P/N 内存容量输入电压写入周期时间工作温度 ( 保证值 )(*1) MB85R4M2T 4Mbit(256K 16) 1.8 至 3.6V 150ns -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) TSOP-44 MB85R4001A 4Mbit(512K 8) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) TSOP-48 MB85R4002A 4Mbit(256K 16) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) TSOP-48 MB85R1001A 1Mbit(128K 8) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) TSOP-48 MB85R1002A 1Mbit(64K 16) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) TSOP-48 MB85R256F 256Kbit(32K 8) 2.7 至 3.6V 150ns -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) TSOP-28/SOP-28 *1 : 当工作温度低于 +55 或 +85 时, 可以延长, 详细请参考数据手册 MB85RC64TA 64Kbit 1.8 至 3.6V 3.4MHz -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8/SON-8 MB85RC64A 64Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC16 16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8/SON-8 MB85RC16V 16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RC04V 4Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 SPI 接口 产品型号 P/N 内存容量输入电压 MB85RQ4ML (*2) 工作频率 (MAX) 工作温度 *1 : 当工作温度低于 +85 时, 可以延长, 详细请参考数据手册 ( 保证值 )(*1) 4Mbit 1.7 至 1.95V 108MHz -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-16 MB85RS2MT 2Mbit 1.8 至 3.6V 25MHz(*3) -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8/DIP-8 MB85RS1MT 1Mbit 1.8 至 3.6V 30MHz(*3) -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8/WL-CSP-8 MB85RS512T 512Kbit 1.8 至 3.6V 30MHz(*3) -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RS256B 256Kbit 2.7 至 3.6V 33MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 封装尺寸 串行接口存储器 封装类型 顶视图 宽度 长度 高度 WL-CSP SON SOP SOP * 至于详细的封装尺寸, 请参考数据手册 并行接口存储器 封装类型 顶视图 宽度 长度 高度 SOP TSOP TSOP TSOP MB85RS128B 128Kbit 2.7 至 3.6V 33MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RS64 64Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RS64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 20MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RS16 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 (1 万亿次 ) 10 年 ( +85 ) SOP-8 MB85RS16N 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +95 MB85RDP16LX (*4) 1 万亿次 (+85 ) 或 1 百亿次 (+95 ) 10 年 ( +95 ) SOP-8/SON-8 16Kbit 1.65 至 1.95V 15MHz(*5) -40 至 (10 万亿次 ) 10 年 ( +105 ) SON-8 *1 : 当工作温度低于 +85 时, 可以延长, 详细请参考数据手册 *2 : 满足 SPI 以及 Quad SPI 接口 *3 : 高速读取模式时, 可实现最大 40MHz 操作 *4 : 有二进制计数器功能 *5 : 双 SPI 模式时, 可实现最大 7.5MHz 操作 网上商店购买 产品 为满足客户 以少量的 样品来进行评估 的要求, 本公司的 介绍 WEB 网页中, 设置有 Buy via Online 按钮 点击按钮, 会链接至销售本公司 产品的电子部品销售网站, 客户可以通过网站购买 SOP 或 TSOP 封装形式的 产品 ( 从 WEB 销售网站购买 产品时, 请仔细阅读销售网站的支持政策及规定 ) 若 WEB 销售网站中没有您想要的 产品, 请咨询代理店或本公司 代理店的联系方式及咨询方式见本公司的 WEB 网站 了解详细信息, 请搜索 : 搜索 Buy via Online 图标上 的网站 7 8
6 内置 LSI 富士通半导体利用 的高速写入, 高 ( 多次读写次数 ) 特长, 提供 RFID 用 LSI 以及应用于电子设备的 内置验证 IC 产品 内置嵌入式验证 LSI 还在 IC 卡等安全领域有业绩, 提供 内置式设备验证 LSI 通用的验证用 LSI 为 MB94R330 内置 RFID 用 LSI 产品型号 P/N 输入电压接口通信频率工作温度 本公司提供使用无限接口的 内置 RFID 用 LSI 本公司的产品不是以单纯读出为中心的 RFID 标签, 作为面向数据携带型 RFID 标签, 国内外 FA 领域 设备维护领域及医疗领域正在导入其产品 今后的传感器网络社会中, 利用传感器取得的数据的无线通信不可或缺, 而本公司的产品将作为支持这一社会的 LSI 受到关注 特长 高速数据写入 稳定的通信距离 : 可提高数据写入时的效率 : 低功耗模式写入工作, 实现相同的读 / 写通信距离 大容量内置存储单元 : 记录信息于电子标签, 实现追溯应用所需的大容量内存单元 读写工作的高耐久性 : 保证最高 1 万亿次的读 / 写工作, 实现标签的长期使用和重复使用 符合国际标准 : 富士通半导体 RFID LSI 产品系列符合 ISO15693 和 ISO (mod1), 6 产品阵容 工作频率 通信距离 (MAX) 3m 50cm 内存单元容量 36byte 至 256byte 2Kbyte 8Kbyte 至 9Kbyte MB97R B (EPC 128bit) MB89R119B 256B MB89R118C 2KB 型号 P/N 工作频率内存单元容量通信规格串行接口 MB97Rxxxx (*1) ( 开发中 ) MB97R803A ( 终止对象产品 ) MB97R804B ( 终止对象产品 ) MB97R8050 MB89R118C MB89R119B MB89R112A 8KByte 4KByte 4KByte 36Byte (EPC128bit) ( 保证值 ) MB97Rxxxx 8KB SPI I/F MB89R112A 9KB SPI I/F SPI 10 年 ( +55 ) (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) (1 百亿次 ) SPI 10 年 ( +55 ) (1 百亿次 ) 10 年 ( +55 ) (1 百亿次 ) 2KByte ISO/IEC 年 ( +85 ) (1 万亿次 ) 256Byte ISO/IEC 年 ( +85 ) (1 万亿次 ) 9KByte ISO/IEC15693 SPI 10 年 ( +85 ) (1 万亿次 ) *1 : 开发中的 MB97Rxxxx 为 MB97R803A/804B 的后续品种 MB94R 至 3.6V I 2 C 400kHz -20 至 (1 万亿次 ) SON-8 MB94R330 序列利用电子设备本体与外设之间的激励与响应来进行验证操作, 识别 正品与假冒产品 适用于检测出在打印机 复合机等电子设备本体上使用的外设的 ( 墨盒 碳粉盒等 ) 假冒产品 在安全用途方面, 由于其性质, 为了满足客户特殊技术要求, 除通用 LSI 外, 还提供定制 LSI 高技术能力的证明 本公司自 1995 年开始开发, 具有 17 年以上的丰富的量产业绩 正是 量产化 的实现以及持续的稳定供给, 证明本公司具有非常高的技术能力 中使用了铁电, 而在此之前的半导体过程中, 铁电会出现劣化, 所以很难实现量产 本公司确定了劣化的原因, 并在制造过程中采取了相应的措施, 最终在世界上率先成功实现了量产 公司开发的量产实现技术以及 产品对社会的贡献已得到认可,2011 年以后也获得了多个权威奖项 今后, 我们也将致力于稳定供应由高技术能力支撑的高质量存储器 历史上获奖 2013 : 2014 : 2015 : 销售公司 第 7 届日本应用物理学会会员奖 第 61 届文部科学大臣促进奖电气科技促进奖 第 60 届大河内纪念技术奖 平成 26 年文部科学大臣表彰科学技术奖 ( 研发部门 ) 第 14 届山崎贞一奖 ( 半导体及半导体装置领域 ) 平成 27 年春季褒章紫绶褒章 验证芯片 本公司的销售公司为富士通电子株式会社及其签约代理店 如您对 产品有什么要求或疑问, 请垂询富士通电子总公司或者就近的营业网点 富士通电子同时在海外设有营业网点, 能为海外开展业务的客户顺利提供本地支持 国内及海外各营业网点的联系方式, 可以通过本公司 WEB 网站的链接查看 Logic (Key & Data) 加密 (Encryption) IP (AES etc.) 验证目标器件 山崎贞一奖的奖章 加密通信 Encryption communication 主体系统 I 2 C, SPI, RF 等 验证用 LSI 的使用结构事例 Global Contacts RFID 用 LSI 的应用 工厂 工程记录 数据读写 医疗 使用记录 信息确认 物流 运行记录 产品管理 Corporate Name: Fujitsu Electronics Inc. Head Office: Shin-Yokohama Chuo Bldg., , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa, Japan URL: 图标上 的网站 运输 产品修整记录 仓库管理 出入库记录 保管环境记录 基础设施 检查记录 劣化跟踪 海外的营业网点 9 10
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FUJITSU Semiconductor FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 1969 50 Ferroelectric Random Access Memory 1999 50 20020 30 IC RFID 2017 125 RFID LSI LSI & 2017 ET/IoT Technology IoT Technology Ferroelectric Random
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FUJITSU Semiconductor FRAM FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED , FRAM 1969, 47, FRAM Ferroelectric Random Access Memory 1995FRAM, 18, 45, 200 , FRAMIC,, RFID,,, FRAM,,,,,, Ferroelectric Random Access Memory
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FUJITSU Semiconductor FRAM 富士通半導體鐵電隨機存取記憶體 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 具豐富量產實績的高品質, 高可靠性記憶體 FRAM 自 1969 年以來, 富士通已持續提供記憶體產品長達 46 年以上之久 而現今富士通半導體提供高品質, 高可靠性非揮發性記憶體 FRAM( 鐵電記憶體 :Ferroelectric Random Access
第 卷 第 期 年 月 半 导 体 学 报! " # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% )
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SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
DS v0-Z
FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS501-00024-4v0-Z 铁电存储器 4 M (256 K 16) 位 MB85R4M2T 产品描述 MB85R4M2T 是一种 FRAM ( 铁电随机存取内存 ) 芯片, 由使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术制造的 262,144 16 位非易失性存储单元构成 MB85R4M2T 无需备用电池即可保持数据, 这正是 SRAM
* 4 6 R P r p . 1 2 3 4 7 89bk 6 5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 bk r bl bm bn^ bo bl br bq bpbo bn bm [ ] [ ] [ ] bp 8 2 4 6 bq p [ ] [SET] br clckbt bs bs bt ck cl. 1 2 1 2+- 3 3 . 1 2 3 4 5 6 7 8 9 bk bl bm
Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
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重 要 提 示 ( 一 ) 本 公 司 董 事 会 监 事 会 及 董 事 监 事 高 级 管 理 人 员 保 证 本 报 告 所 载 资 料 不 存 在 任 何 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 者 重 大 遗 漏, 并 对 其 内 容 的 真 实 性 准 确 性 和 完 整 性 承 担 个
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Microsoft Word - P SDFL series.DOC
片式铁氧体电感 SDFL 系列 Chip Ferrite Inductor SDFL Series Operating Temp. : -40 ~ +85 特征 迭层独石结构 高度可靠性 体积小 良好的磁屏蔽, 无交叉耦合 无引线结构, 适合表面安装 良好的可焊性和耐焊性 适合于流焊和回流焊用途 可用来抑制电子设备中的电磁干扰, 广泛的运用于通讯 视频 / 音频 计算机 遥控器等领域 FEATURES
Microsoft PowerPoint - CH03中文
Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si
2005.book
...4... 4... 7...10... 10... 10... 10... 10... 11... 11 PCC... 11 TB170... 12 /... 12...13... 13 BP150 / BP151 / BP152 / BP155... 14...15... 15... 15... 15... 15... 15... 15... 16 PS465 / PS477... 17 PS692
Microsoft Word - P SDV series.DOC
片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
119,859 (110,532) (3) (8,224) (6,111) 8,224 6, ,859 (110,535) 340,319 (3,383) 195,363 90,762 25,097 16, , , ,695 (13,917) 31,6
Nissin Foods Company Limited 1475 2017 12 31 2017 12 31 2017 12 31 4 2,902,271 2,629,905 (1,867,706) (1,588,722) 1,034,565 1,041,183 38,458 31,583 (603,709) (607,088) (163,294) (143,724) (40,212) (82,431)
西铁城电子 设备解决方案 Citizen Electronics Device Solutions 以高附加值的电子设备 来支持持续进化的产品开发 We support the development of evolving equipment with value-added electronic
西铁城电子 设备解决方案 Citizen Electronics Device Solutions 以高附加值的电子设备 来支持持续进化的产品开发 We support the development of evolving equipment with value-added electronic devices. 当今的电子设备市场要求产品的开发必须不断地创新 西铁城电子 在LED 开关 传感器及背光元件等领域可以为客户提供高品质
DS v1-Z
FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS501-00011-8v1-Z 铁电存储器 256 K (32 K 8) 位 产品描述 是一种 FRAM( 铁电随机存取内存 ) 芯片, 配置为 32,768 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元 无需备用电池即可保持数据, 这正是 SRAM 所需的功能 中使用的存储单元可用于 10 12 读 /
01
Zebra Technologies 白皮书 移动打印给仓储运营带来显著优势 综述 RFID RFID (RF) RFID RFID / ROI LAN 采用移动打印机, 享受显而易见的业务成效 - 49.74 28.11 Zebra 2 Zebra Technologies 移动打印机成本效益分析 示例数据固定式打印机移动打印机每年节省资金 10 10 8 8 48 48 3840 3840 15
发 行 概 况 发 行 股 票 类 型 : 人 民 币 普 通 股 (A 股 ) 每 股 面 值 : 人 民 币 1.00 元 发 行 股 票 数 量 : 不 超 过 2,500 万 股 发 行 股 数 : 不 低 于 发 行 后 总 股 本 的 25.00% 每 股 发 行 价 格 :33.13
本次股票发行后拟在创业板市场上市 该市场具有较高的投资风险 创业板公司具有 业绩不稳定 经营风险高 退市风险大等特点 投资者面临较大的市场风险 投资者 应充分了解创业板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素 审慎作出投资决定 飞天诚信科技股份有限公司 Feitian Technologies Co. Ltd. 北京市海淀区学清路 9 号汇智大厦 B 楼 17 层 首次公开发行股票并在创业板上市 招股说明书
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Microsoft Word - SDWL-C series.doc
绕线片式陶瓷电感 SDWL-C 系列 Wire Wound Chip Ceramic Inductor-SDWL-C Series Operating Temp. : -40 ~ +125 特征 小尺寸, 可表面贴装 陶瓷材料具有高 Q 值 高 高精度 高可靠性用途 通讯设备的高频线路 移动电话如 GSM/CDMA/PDC 等制式 蓝牙, 无线网 FEATURES Small chip suitable
目 录 1 专 业 定 位 和 人 才 培 养 模 式... 3 2 教 学 基 本 条 件...10 3 教 学 改 革 与 教 学 管 理...19 4 人 才 培 养 质 量...28 5 专 业 特 色 或 创 新 项 目...31 2
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Conductix-Wampfler Inductive Power Transfer IPT 2
IPT 产品简介 非接触式动力和数据传输系统 Conductix-Wampfler Inductive Power Transfer IPT 2 Conductix-Wampfler Inductive Power Transfer IPT 3 9 1 2 3 4 5 6 7 8 4 2 3 4 1 8 5 7 9 6 ² ² ² - 无限的应用可能性... 用于变速箱总装线上的 AGV 小车
同轴电缆 微型同轴电缆 0.81 mm 微型同轴电缆 1.13 mm 微型同轴电缆 1.32 mm 微型同轴电缆 1.37 mm 微型同轴电缆 Caledonian 1.48 mm 微型同轴电缆 RG174 微型同轴电缆 RG178 微型同轴电缆 RGD178 微型同轴电缆 RG179 微型同轴电缆
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Microsoft Word - 简本--Only this one for distribution.docx
1... 1 1.1... 1 1.2... 2 1.2.1 使用人群... 2 1.2.2 主要用途... 2 1.2.3 车辆性能... 2 1.2.4 道路设施与条件... 3 1.3... 3 1.4... 3 2... 4 2.1... 4 2.2... 5 2.2.1 国家层面的法规与政策... 5 2.2.2 地方层面的管理规定与办法... 5 2.3... 5 3... 7 3.1...
HP and Canon 单色通用芯片表 SCC 芯片 图片 HP 700 M712, 700 M725 CF214X (14X) 17.5 HP 5200 Q7516A U16-2CHIP SSS 846 芯片记号 (U16-2) Canon LBP-3500, LBP-3900, LBP-392
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董事会议案
2002 2002 OO 1 2002 2002 2003 5 21 2002 2002 2002 2003 2002 2 2002 2002 OO 18,737.75 2001 5.38% 10,016.33, 32.86% 5,059.31 18.73% GMP 1999 60 GMP 2000 2002 1 4 2002 8 2002 9 GMP ISO14001 ISO14001 1,348.88
2015 MCCB Price Book
2015 年塑壳断路器价格表 此部分产品价格自 2015 年 3 月 28 日起正式执行 NSX100~250 固定式完整断路器 NSX400~630 固定式完整断路器 NSX100~250 插入式完整断路器 NSX400~630 插入式完整断路器 NSX100~250 抽出式完整断路器 NSX400~630 抽出式完整断路器 NSX100~250 用于电动机保护的完整塑壳断路器 NSX400~630
/ http//www.chinatrus
3264 233668 http://mops.tse.com.tw 03-597-6688 adam.lou@ardentec.com.tw 03-597-6688 wh.tseng@ardentec.com.tw / 3 03-597-6688 24 4 03-597-6688 24 2 03-597-6688 1 83 5 http//www.chinatrust.com.tw 02-2361-3033
聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]
![聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]](/thumbs/98/138716554.jpg "聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]")
高性能模拟及混合信号芯片 Gainsil. The Signal 目录 01 公司简介 02 产品 Roadmap 03 产品介绍 公司简介 聚洵聚洵半导体科技 ( 上海 ) 有限公司 ( 简称聚洵 Gainsil) 座落在中国 硅谷 之称的张江高科技园区 是一家专注于高性能 高品质模拟和混合信号集成电路研发和销售管理的高科技公司 公司产品广泛应用于 : 通讯网络, 消费电子, 多媒体, 工业自动控制,
1500XA Daniel Danalyzer 1500XA Rosemount Analytical 1500XA P/N 3-9000-757 A 2010 5 ii 1500XA 1500XA iii iv 1500XA : 1-2 1500XA - 1500XA 1-3 1-4 1500XA 1500XA 1-5 1-6 1500XA 1500XA 1-7 1-8 1500XA
清 算, 原 告 為 使 前 開 以 應 收 帳 款 ( 債 權 ) 投 資 之 事 實, 於 外 在 形 式 上 更 符 合 稅 法 之 要 求, 遂 於 96 年 度 將 該 等 應 收 帳 款 作 價 轉 增 資, 以 滿 足 形 式 上 之 投 資 程 序, 並 得 以 認 列 投 資 損
談 營 利 事 業 費 用 與 損 失 之 審 定 與 轉 正 之 時 點 - 台 中 高 等 行 104 年 訴 108 號 簡 評 國 富 浩 華 聯 合 會 計 師 事 務 所 楊 淑 卿 會 計 師 壹 問 題 之 提 出 我 國 稽 徵 實 務 及 審 判 實 務 上, 有 謂 營 利 事 業 既 申 報 為 損 失 科 目, 稽 徵 機 關 認 不 合 該 科 目 要 件, 不 予 認
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苏 州 科 技 学 院 天 平 学 院 汉 语 言 专 业 学 生 获 得 各 类 资 格 证 书 一 览 表 序 号 班 级 姓 名 证 书 名 称 1 涉 外 1022 罗 珊 珊 汉 语 教 师 志 愿 者 资 格 证 书 2 涉 外 1022 罗 珊 珊 2014 年 参 加 孔 子 学 院 总 部 赴 泰 汉 语 教 师 志 愿 者 储 备 人 员 培 训 结 业 证 书 3 文 秘 1022
1 本 次 交 易 完 成 后, 你 公 司 将 分 别 持 有 力 成 科 技 股 份 有 限 公 司 ( 以 下 简 称 力 成 科 技 ) 和 南 茂 科 技 股 份 有 限 公 司 ( 以 下 简 称 南 茂 科 技 )25% 的 股 份, 而 力 成 科 技 和 南 茂 科 技 在 本 次
同 方 国 芯 电 子 股 份 有 限 公 司 关 于 深 圳 证 券 交 易 所 关 于 对 同 方 国 芯 电 子 股 份 有 限 公 司 的 重 组 问 询 函 的 回 复 深 圳 证 券 交 易 所 中 小 板 公 司 管 理 部 : 根 据 贵 部 于 2016 年 3 月 3 日 下 发 的 关 于 对 同 方 国 芯 电 子 股 份 有 限 公 司 的 重 组 问 询 函 ( 中 小
XT1861
同步升压 DC-DC 变换器 产品概述 XT1861 系列产品是一款低功耗高效率 低纹波 工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 XT1861 系列产品仅需要 3 个外部元器, 即可完成低输入的电池电压输入 用途 1~3 个干电池的电子设备 数码相机 电子词典 ED 手电筒 ED 灯 血压计 MP3 遥控玩具 无线耳机 无线鼠标键盘 医疗器械 防丢器 汽车防盗器 充电器 VCR PD 等手持电子设备
... 2 SK SK Command KA 9000 COM... 9 SK / SK / Autolock SK
SK 9000 ... 2 SK 9000... 4... 4... 5 SK 9000... 7... 9 Command KA 9000 COM... 9 SK 9000... 10 / SK 9000... 10 / Autolock... 12... 13... 14 SK 9000... 17... 18... 19... 19... 20 SK 9000... 20 ZH RU PT NL
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1 08 00 11 30 2 08 00 11 30 14 30 17 30 3 4 5 6 100 10 7 12 83339749 8 9 20 10 87766668 31310 87667731 7 5 15 6 15 8 00 11 30 2 30 5 30 12 83337716 11 12 13 14 15 16 17 18 2002 1 1 2 3 4 1 2 3 4 19 08
決議、附帶決議及注意事項
一 通 案 決 議 部 分 : ( 一 ) 104 年 度 中 央 政 府 總 預 算 釋 股 收 入 380 億 元 不 予 保 留 105 非 本 局 職 掌 業 務 年 度 中 央 政 府 總 預 算 釋 股 收 入 288 億 元 如 下 表, 倘 財 政 狀 況 良 好, 原 則 不 予 出 售 ; 釋 股 對 象 以 政 府 四 大 基 金 為 限, 釋 股 費 用 併 同 調 整 預
穨邱秀玲綜合展望報告.PDF
91-1 1 86 91 86 91 91 8,214 1 86 91 \ 86 87 88 89 90 91 812 842 901 1,082 1,281 1,576 4,071 4,196 4,465 4,646 5,068 5,276 1,309 1,410 1,533 1,585 1,744 1,796 997 961 1,160 1,339 1,529 1,739 4,613 4,928
表 决, 审 议 程 序 符 合 有 关 法 律 法 规 和 本 公 司 章 程 的 规 定 3 本 议 案 尚 需 提 交 股 东 大 会 审 议, 与 该 等 交 易 有 利 害 关 系 的 关 联 股 东 将 放 弃 在 股 东 大 会 上 对 相 关 议 案 的 投 票 权 ( 二 ) 公
证 券 代 码 :600850 证 券 简 称 : 华 东 电 脑 编 号 : 临 2016-014 上 海 华 东 电 脑 股 份 有 限 公 司 关 于 预 计 2016 年 日 常 关 联 交 易 的 公 告 本 公 司 董 事 会 及 全 体 董 事 保 证 本 公 告 内 容 不 存 在 任 何 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 者 重 大 遗 漏, 并 对 其 内 容 的 真 实
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广 西 壮 族 自 治 区 人 民 政 府 办 公 厅 文 件 桂 政 办 发 2016 52 号 广 西 壮 族 自 治 区 人 民 政 府 办 公 厅 关 于 印 发 广 西 医 疗 卫 生 服 务 体 系 规 划 (2016 2020 年 ) 的 通 知 各 市 县 人 民 政 府, 自 治 区 人 民 政 府 各 组 成 部 门 各 直 属 机 构 : 广 西 医 疗 卫 生 服 务 体 系
103_02.xls
103 學 年 度 大 學 考 試 入 學 分 發 各 系 組 最 低 錄 取 分 數 及 錄 取 人 數 一 覽 表 0001 國 立 臺 灣 大 學 中 國 文 學 系 國 文 x1.50 英 文 x1.25 數 學 乙 x1.00 歷 史 x1.25 地 理 x1.00 32 493.40 **** ----- ----- ----- 0002 國 立 臺 灣 大 學 外 國 語 文 學 系
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102 學 年 度 大 學 考 試 入 學 分 發 各 系 組 最 低 錄 取 分 數 及 錄 取 人 數 一 覽 表 校 系 0001 國 立 臺 灣 大 學 中 國 文 學 系 國 文 x1.50 英 文 x1.25 數 學 乙 x1.00 歷 史 x1.25 地 理 x1.00 30 491.85 **** 614.02 ----- ----- 0002 國 立 臺 灣 大 學 外 國 語 文
柳州历史上的今天内文改版式.FIT)
1 月 1 日 1 月 1 月 1 日 1929 年 1 月 1 日 广 西 省 第 一 次 建 设 会 议 在 柳 召 开 新 年 伊 始, 新 桂 系 执 政 后 召 开 第 一 次 全 省 建 设 会 议, 开 幕 式 在 柳 州 羊 角 山 广 西 实 业 院 内 举 行, 会 期 10 天 省 政 府 各 部 门 负 责 人 名 流 专 家 学 者 等 93 人 参 加 会 议 国 内 著
生 產 準 備 您 接 近 生 產 之 注 意 事 項 : 備 妥 住 院 用 物, 勿 遠 行 ( 生 產 用 物 包 ) 最 好 有 人 在 家 陪 伴, 或 和 陪 產 者 保 持 連 繫, 有 任 何 狀 況 可 立 即 趕 到 可 做 家 事 散 步 蹲 下 等 運 動, 以 不 太 累
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省 十 二 届 人 大 常 委 会 第 二 十 六 次 会 议 文 件 (4) 关 于 中 国 ( 广 东 ) 自 由 贸 易 试 验 区 条 例 ( 试 行 草 案 ) 审 议 结 果 的 报 告 2016 年 5 月 24 日 在 广 东 省 第 十 二 届 人 民 代 表 大 会 常 务 委 员 会 第 二 十 六 次 会 议 上 广 东 省 人 大 法 制 委 员 会 副 主 任 委 员 刘
Q8. 公 營 事 業 機 構 之 公 務 員 兼 具 勞 工 身 分 者, 於 97 年 3 月 19 日 以 前, 原 選 擇 參 加 勞 保, 調 任 其 他 公 營 事 業 機 構 時, 應 改 參 加 公 保 所 謂 調 任 其 他 公 營 事 業 機 構 之 判 別 依 據 ( 或 標
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