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- 堪 芒
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1 1.31µm VCSEL (2/2) INER013 1
2
3 a MOCVD 2 %InGaAsN SQW photoluminescencepl. 11 b MBE 5.3 %InGaAsN SQW InGaAlAs a InP/InGaAlAsInAlAs/InGaAlAs 35 DBR...13 b InP/InGaAlAs InAlAs/InGaAlAs 35 DBR (I-V) nm VCSEL...13 a VCSEL.14 b VCSEL PL..14 a VCSEL.14 b VCSEL PL.14 a 16 b lasing lasing nm VCSEL 3
4 17 a 1550nm InGaAlAs b 1550nmInGaAlAs probe-station 21 a 30µm 1550nmVCSEL 22 b 30µm 1550nmVCSEL L-I-V 22 4
5 (>0.5%)N-InGaAs MOCVD 1550 nm VCSEL DBR InGaAsAs 1550 nm VCSEL DBR DBR VCSEL InGaAlAs InP/InGaAlAs DBR 10 TiO 2 /SiO 2 DBR F-P (Fabry-Perot) dip 1558 nm lasing 1562nm 1nm 30mW 2KA/cm nm VCSEL Trim 550 KeV VCSEL - - 5
6 In this project, 1550 nm VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) was epitaxy by MOCVD system has been simulated and fabricated using wafer bonding and proton-implanted. The processes and measurement systems of the 1550 nm VCSEL were also been established. Because of the wafer quality of N-InGaAs will degrade when the N content >0.5%, the material of active region in 1550nm is replaced by InGaAlAs, which is lattice matching with InP substrate. By concerning of wafer quality, the wafer consists of bottom-dbr and active region and the wafer only consist of top-dbr were respectively grown. These two wafers were bonded together successfully by wafer bonding. The VCSEL wafer consists of InP/InGaAlAs bottom-dbr, InGaAlAs active region and 10 pairs of TiO 2 /SiO 2 top-dbr was successfully optical pumped by 990nm Ti: sapphire laser. The F-P dip of the VCSEL was about at 1558 nm, the lasing wavelength is 1562 nm and the threshold pumping power is 30mW which is about 2KA/cm 2 of threshold current density. To optimize the opto-electronics characteristics of proton-implanted 1550 nm VCSEL, the energy of implanted was about 550 Kev obtained by the Trim simulator. Additionally, the opto-electronic measurement system of long wavelength was established to measure the L-I-V characteristics, near-field pattern and spectrum of the VCSEL. 6
7 1.55 µm (Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL) 1300nm LED 850nm 1300nm 1550nm 1300nm~1550nm 1300nm~1550nm 1300nm 1550nm 7
8 UCSB,Walter Schottky Inst., NTT Photonics Lab., Alcatel, Noval Crystal Sandial Lab. [1] [4] [5] [10] 850nm 980nm 850nm ( Edge Emitting Laser, EEL) 1300nm 1550nm nm GaAs/InGaAs/A1GaAs 1.55 µm 8
9 1.55µm VCSEL N-InGaAs 1.45µm InGaAsP AlInGaAs MOCVD PL X-raySEMTEM DBR DBR GaAs InP 1. PECVD E-gun TiO 2 /SiO 2 TiO 2 /SiO 2 a-si/sio 2 a-si/mgo 2. AlGaAs/GaAs DBR DBR 9
10 MOCVD spectro- meter n-k analyzer DBR DBR δ- DBR 3. InP InGaAsP AlInGaAs DBR Sb- AlGaAsSb InP InP InP 1. 10
11 nm VCSEL 1550 nm VCSEL (1) VCSEL Bond-Pad (2) 1550nm VCSEL DBR active layer > 10µm DBR crack DBR Fusion Bonded (3) 11
12 1550nm VCSEL DBR 6~7µm (4) 1550nm VCSEL - - L-I-V near-field pattern 12
13 1. N InGaAs N InGaAs N single quantum-wellsqw 210k 1450nm (0.855KeV) 210k sample (b)mbe 5.3 % InGaAsN SQW photoluminescencepl 190k 1500nm 190k > 0.5% [11] 1550nm InGaAlAs (d) Sample D intensity(a.u) K 180K 100K 70K 50K 10K Intensity (a. u.) K 40K 50K 70K 90K 110K 130K 150K 170K 190K photon energy(ev) Wavelength (nm) (a)mocvd 2 %InGaAsN SQW(b)MBE 5.3 %InGaAsN SQW photoluminescencepl 13
14 2. InGaAlAs InP InGaAlAs InGaAlAs InP PL 1520nm Intensity (a.u.) Wavelength InGaAlAs 1520nm 3. DBR InP DBR InP/InGaAlAs ( n = 0.34 )InAlAs/InGaAlAs ( n = 0.3 )InP/InGaAsP ( n = 0.27 ) InP/InGaAlAs InAlAs/InGaAlAs DBR 35 (a) 99% InP/InGaAlAs DBR 寛 (FWHM) 110 nm InAlAs/InGaAlAs DBR FWHM 100 nm (b) DBR InP/InGaAlAs DBR DBR 寛 InP/InGaAlAs DBR 14
15 R signal /R Au (%) InP/InGaAlAs DBRs (a) InAlAs/InGaAlAs DBRs Wavelength (nm) Current(mA) InP/InGaAlAsInAlAs/InGaAlAs 35 DBR (a) (b) I-V (b) InAlAs/InGaAlAs DBRs InP/InGaAlAs DBRs Voltage drop(mv) 4. InP 35 InP/InGaAlAs DBR 2 2λ InGaAlAs 1/2λ InP spacer 10 TiO 2 /SiO 2 DBR DBR InGaAlAs 1/2 λ InP InGaAlAs (SC-MQWs) 1/2 λ InP InP 5/4 λ InGaAlAs 5/4 λ TiO 2 x10 SiO 2 2 λ cavity InP 1/4 λ InGaAlAs 1/4 λ InP substrate x35 15
16 R signal /R Au PL a TiO 2 /SiO 2 DBR VCSEL F-P dip 1558nm b VCSEL PL PL peak 1510nm 54nm (a)(b) DBR PL TiO 2 /SiO 2 DBR a F-P dip 1558nm PL b peak 1558nm 寛 3.3nm b b Q PL 54nm 3.3nm Q 470nm Wavelength(nm) Wavelength(nm) a VCSEL b VCSEL PL R signal /R Au Wavelength(nm) 16 PL intensity (a.u.) PL intensity (a.u.) Wavelength(nm) a VCSEL b VCSEL PL
17 Ti:sapphire laser 990nm InGaAs Detector VCSEL optical pumping a b b VCSEL lasing 30mW 2KA/cm nm 1nm InP/InGaAlAs DBR InGaAlAs VCSEL lasing Spectrometer Ti:sapphire laser λ p = p 990nm isolator F = 150mm F = room temperature sample a nm Measured output power (a.u.) nm Wavelength(nm) Pumping power (mw) 17 λ=1562 nm P th =30 mw Equivalent threshold current density = 2 KA/cm 2 b lasing lasing
18 1. DBR 6 µm 550KeV 480 KeV 480keV Concentration ( A. U.) Energy 450 ev 500 ev 550 ev Depth (µm) 18 P-DBR 1550 nm VCSEL
19 2. (1) VCSEL (life-time) a b (a) 1550nm InGaAlAs P-Type Top DBR InGaAlAs MQW active region Bottom DBR n-inp substrate b1550nmingaalas 19
20 bond-pad 100x100150x x x300µm µm (2) wafer bonding 35 DBR InGaAlAs 34 DBR DBR InP GaAs/AlAs DBR DBR 25 99% 35 InP/InGaAlAs DBR InGaAlAs 25 GaAs/AlAs DBR 600 o C VCSEL GaAs sub. GaAs sub. VCSEL structure MQW InP sub. InP sub. InP sub. InP sub. (3) 20
21 1550 nm VCSEL (a) (ACE)3 (b) (CH3OH)3 (c) (D. I. Water)3 (d) wafer bonding (e) (f) wafer bonding (g) AZ5214E (pattern) (h) Ti/Au (200Å/2000Å) (i) p-metal (j) Au/Ge/Ni/Au (200Å/400Å/140Å/ 2000Å) n-gaas subutrate (k) (RTA) (anneal) (l) 1550nmVCSEL 21
22 DBR 6 µm AZ4620 (m) (n) (4) DBR p-alas/gaas n-inp/ingaalas DBR p-alas/gaas Ti/Au n-inp Au/Ge/Ni/Au nm VCSEL - - (L-I-V) (near-field pattern) (Labview) optical fiber + probe station 22 probe-station
23 (probe-station) VCSEL a 1550nmVCSEL b L-I-V L-I-V lasing (a) Voltage (volt) 4 (b) IV o C Power (uw) Forward current (ma) Leakage current Turn-on 30µm 1550nmVCSEL a bl-i-v 0.00 lasing 1. wafer bonding bonding 2. 4µm p mesa etching 23
24 A. Karim, K. A. Black, P. Abraham, D. Lofgreen, Y. J. Chiu, J. Piprek and J. E. bowers, IEEE Photon. Technol. Lett., 12(11), p.1438(2000) R. Shau, M. Ortsiefer, M. Zigldrum, J. Rosskopf, G. Bohm, F. Kohler, M. C. Amann, Electron. Lett., 36(15), p.1286(2000) Y. Ohiso, R. Iga, K. Kishi, C. Amano, Electron. Lett., 36(1), p.39(2000) J. Boucart, C. Starck, F. Gaborit, A. Plais, F. Brillouet, J. Jacquet, L. Goldstein, C. Fortin, D. Carpentier, P. Salet, F. Brillouet, J. Jacquet, IEEE Photon. Technol. Lett., 11(6), p.629(1999) J. P. Debray, N. Bouche, G. Le Roux, R. Raj and M. Quillec, Electron. Lett., 33(10), p.868(1997) D. I. Babic, K. Streubel, R. P. Mirin, N. M. Margalit, J. E. Bowers, E. L. Hu, D. E. Mars, L. Yang and K. Carey, IEEE Photon. Technol. Lett., 7(11), p.1225(1995) K. Uomi, S. J. B. Yoo, A. Scherer, R. Bhat, N. C. Andreadakis, C. E. Zah, M. A. Koza and T. P. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., 6(3), p.317(1994) O. K. Kwon, B. S. Yoo, J. H. Shin, J. H. Baek and B. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., 6(3), p.317(1994) J. H. Baek, I. H. Choi, B. Lee, W. S. Han and H. K. Cho, Appl. Phys. Lett. 75(11) p.1500(1999) J. Piprek, Y. A. Akulova, D. I. Babic, L. A. Coldren and Bowers, Appl. Phys. Lett. 72(15) p.1814(1998) Fang-I Lai, M. Y. Tsai, Y. H. Chang, J. P. Chu, S. Y. Kuo, H. C. Kuo and S.C. Wang, submitted to Jpn. J. Appl. Phys. 24
國立中山大學學位論文典藏
db/km ps/ km-nm 1.55µm 0.2dB/km 1.3µm 1.55µm 1.3µm [1] 1-1 1.55µm 1.3µm In x Ga 1-x As y P 1-y x y 1.1µm 1.65µm InGaAlAs [2,3] InGaAsP Lattice constant InP 1-2 0.75eV In 0.53 Ga 0.47 As 1.47eV In 0.52
<4D F736F F F696E74202D208E9197BF362D32288CF68A4A298DC C55F92C789C18D9E2E707074>
1/30 (1) (2) (3) 2/30 (1) 3/30 (1) * * * * * * * 100% (1) /4 4 5/30 (1) 50 nm 10 nm(mfm) 5150% MFM MFM (etc) MFM II-T MFM MFM (etc) 6/30 (1) @2005 MFM 100% MFM2010 7/30 (1) 10nm (2006.6) 2 @ MFM CoFeCT300/3
untitled
林 Dr. Chia-Feng Lin Department of Materials Engineering National Chung Hsing University Phone: 04-22840500#706 E-mail: [email protected] - 1 a-si TFTs Color filter TFT substrate Polarizer Backlight
[1-3] (Smile) [4] 808 nm (CW) W 1 50% 1 W 1 W Fig.1 Thermal design of semiconductor laser vertical stack ; Ansys 20 bar ; bar 2 25 Fig
40 6 2011 6 Vol.40 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun. 2011 808 nm 2000 W 1 1 1 1 2 2 2 2 2 12 (1. 710119 2. 710119) : bar 808 nm bar 100 W 808 nm 20 bar 2 000 W bar LIV bar 808 nm : : TN248.4 TN365
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94
NANO COMMUNICATION 23 No.3 90 CMOS 94/188 GHz 23 90 CMOS 94/188 GHz A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm- Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS 90 CMOS 94/188GHz LC class-b 0.70 0.75 mm 2 pad 1 V 19.6 ma (ƒ
無投影片標題
LED 亮度 LED 呂 e-mail: [email protected] Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency Improve and Cost Down Summary Outline FPD Current Status LED Used in FPD BLU Status LED Efficiency
國立中山大學學位論文典藏.PDF
InGaAsP Planarized InGaAsP Semiconductor Lasers for Giga-bit Applications 1 1 1.3µm SiO 2 (Benzocyclobutene, BCB) BCB SiO 2 SiO 2 laser die 500µm 300µm mount submound 34mA 1.31V 10.1Ω 76 3dB 1.9G 2 Abstract
第八章 社会事业发展与边疆和谐稳定
附 件 黑 龙 江 和 内 蒙 古 东 北 部 地 区 沿 边 开 发 开 放 规 划 2013 年 8 月 目 录 前 言.1 第 一 章 开 放 基 础 与 发 展 背 景...2 第 一 节 开 放 合 作 条 件... 2 第 二 节 机 遇 与 挑 战... 3 第 三 节 战 略 意 义... 4 第 二 章 战 略 定 位 与 发 展 目 标...4 第 一 节 指 导 思 想...
LED Mu-Tao Chu Copyright 2012 ITRI
LED Mu-Tao Chu 1 LED LED LED 2 LED LED LED LED100 lm/w LED 2015LED~30% 400LEDLED DOE LED Source: Solid-State Lighting Research and Development: Multi-Year Program Plan, March 2011, DOE LED LED LED OEMODM
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光 電 半 導 體 製 程 設 備 介 紹 電 子 光 子 能 階 升 授 課 老 師 : 林 彥 勝 博 士 夸 克 原 子 核 E-mail: [email protected] 能 階 降 Content 潔 淨 室 (Cleaning Room) 薄 膜 沈 積 (Thin Film Deposition) 化 學 汽 相 沉 積 法 MOCVD ( Metal Organic Chemical
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e-trace 132 1617 1872 p32-12 1/71 2/71 . GPS AIST 17 1-12 p32-39 3/71 GPS NMIJGPSGPS time GPS #N 1 GPS #N 2 GPS GPS #N 3 TA TA GPS _ time TA T T GPS _ time T T AB B A B T T T T ( T TB) B A B B A 4/71 16
高功率LED製程技術
率 Reporter: Date: May 11,2006 1 率 LED 率 LED 率 LED 度 論 2 LED 3 LED 4 GaN 率 率 5 Conventional versus Power LED From Lumileds 6 TYNTEK 40 mil Power chip 7 臨 n1 sin 1 = n2 sin 2 n2 2 n1 1 8 Light Extraction
72075(BOC A Share)_入cover同back cover.indb
2015 32 3 20142014 2015630 201516 2014 1 2015630 20141231 73,858 85,123 (1) 1,651,951 1,727,805 (2) 126,744 158,224 (3) 396,199 420,059 2,248,752 2,391,211 (1) 2015630 18.5%2014123120.0%5.0%2014 12315.0%
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電 器 用 電 量 調 查 說 明 電 器 用 電 量 調 查 表 填 寫 須 知 填 寫 電 器 用 電 量 調 查 表 時, 請 按 照 第 一 欄 所 列 的 項 目 提 供 資 訊 或 進 行 運 算 目 標 是 算 出 單 月 用 電 量 有 多 少 瓩 小 時 ( 第 十 二 列 ) 首 先, 算 出 某 項 電 器 平 均 每 日 開 啟 時 數 ( 第 三 列 ), 再 乘 以 30
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= = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) e - + Ar Ar + + 2 e - (1) = = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ i ) (q
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2006 7 25 12 12 [email protected] www.whlib.ac.cn CMOS SUPER CCD 2006 12 1 1 2 1 Si-LED 1 2006 12 Si-LED Si-LED Er 3+ SiNx LED 1.6% 2 / SOI Silicon-On-Insulator 2005 2 17 Nature Intel 3 Ge-PIN 1310nm
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23 4 2018 8 Vol. 23 No. 4 JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Aug. 2018 Q345B 1 " 1 2 2 2 1. 150040 2. 200125 Q345B 536. 47 MPa 281 HV Q345B DOI 10. 15938 /j. jhust. 2018. 04. 021 TG444
壹 基 本 資 料 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 主 持 人 : 李 嗣 涔 校 長 計 畫 期 間 ( 全 程 ):98 年 1 月 1 日 至 102 年 12 月 31 日 計 畫 目 前 執 行 :98 年 1 月 1 日 至 101 年 6 月 98 年 度
政 府 科 技 計 畫 成 果 效 益 報 告 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 期 程 期 中 暨 結 案 前 一 年 成 果 效 益 報 告 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 主 管 機 關 : 行 政 院 國 家 科 學 委 員 會 執 行 單 位 : 能 源 局 交 通 部 運 研 所 國 科 會 標 檢 局 原 能 會 技 術 處 教 育 部 地 調 所 內 政
114 鄭國雄 陳俊宏 臺北捷運的新材料 新工法與新技術 累積四分之一世紀的若干標竿分享 一 前言 臺北都會區大眾捷運系統目前已完工通車的路網包括文山內湖線 淡水線 中和線 新店線 南港線 板橋線 土城線 小南門線 南港線東延段 新莊線及蘆洲線等 長度 約 120 公里 計 104 座車站 平常每日
捷運技術半年刊 第 48 期 113 臺北捷運的新材料 新工法與新技術 累積四分之一世紀的若干標竿分享 鄭國雄 1 陳俊宏 2 摘要 臺北捷運系統自開始規劃至今已長達 25 年 從木柵線 85 年 3 月通車及 86 年淡水線之分 段通車 至目前 120 公里之通車路線 提供民眾享受快速 便捷之現代大眾運輸方式之交通生 活 回想過去 捷運工程為一具技術密集 資金密集性 為規模龐大且複雜之系統工程 當初
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致 谢 开 始 这 篇 致 谢 的 时 候, 以 为 这 是 最 轻 松 最 愉 快 的 部 分, 而 此 时 心 头 却 充 满 了 沉 甸 甸 的 回 忆 和 感 恩, 一 时 间 竟 无 从 下 笔 虽 然 这 远 不 是 一 篇 完 美 的 论 文, 但 完 成 这 篇 论 文 要 感 谢
中 国 科 学 技 术 大 学 博 士 学 位 论 文 论 文 课 题 : 一 个 新 型 简 易 电 子 直 线 加 速 器 的 关 键 技 术 研 究 学 生 姓 名 : 导 师 姓 名 : 单 位 名 称 : 专 业 名 称 : 研 究 方 向 : 完 成 时 间 : 谢 家 麟 院 士 王 相 綦 教 授 国 家 同 步 辐 射 实 验 室 核 技 术 及 应 用 加 速 器 物 理 2006
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