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1 國家奈米元件實驗室簡介

2 製程服務平台介紹

3 NDL 製程服務平台介紹 1. 平面型元件製程服務平台 2. 奈米微機電製程服務平台 3. 太陽能製程服務平台 4. 非平面型元件製程服務平台 ( 預計 102 年底提供服務 ) 5.RRAM 製程服務平台 ( 預計 103 年中提供服務 ) 45 nm W fin :15 nm 3

4 平面型元件製程服務平台 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 4

5 非平面型元件製程服務平台 NDL; SOI FinFET Gate NDL; Bulk FinFET Intel; 22nm Transistor S/D S/D 45 nm H Gate : 46nm H fin :44 nm TiN H Fin : 32nm W Fin : 17nm W fin :15 nm tsmc; 2010 IEDM imec; 2012 ITF Drain Current (Amp/um) 20nm Box 10-3 NMOS PMOS L Gate :0.2 m undoped Fin Gate Bias (Volts) SiON Al 2 O 3 HfO 2 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 38 nm 5

6 電阻式記憶體製程服務平台 Top Pad IMD 2 Top contact RR Film IMD 1 Bottom contact Bottom Pad Metal pad PR 8350A SiN 1000A RR film TEOS 1500A N+ Poly SiO2 5000A 6 Si wafer SiN SiO2 Check point Poly 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 6

7 積層式電晶體製程服務平台 Non vacuum system Vacuum system Challenge Monolithic 3D electronics LT channel layer LT plasma dielectrics S/D activation Solutions Laser-/plasma- crystallized epi-like Si ICP-CVD Laser activation (GN-LSA) Taipei 101, ALD Microwave Fast Si QDs NVM: APL 2012 Research Highlights annealing and Editor s choice Monolithic 3D+ IC: IEDM 2012 and IEDM 2013 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產,非由書面許可,不准透露或使用本文件,亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 7

8 奈米機電製程服務平台 金屬微加工製程 (6 吋 and 8 吋 ): 約 100 道製程 NDL 驗證之加速度計 SOI 微加工製程 (6 吋 ): 約 8 道製程 NDL 驗證之加速度計 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 8

9 太陽能製程服務平台 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 9

10 ISO 17025:2005 檢測分析實驗室 Nano Metrology Laboratory Audited by Taiwan Accreditation Foundation (TAF) Quality Management System Technical Management System AFM SEM TEM SIMS XPS XRD Step Height Line width Line width Surface Image Observation Line width Depth Profile for Boron Surface Qualitative Identification Phase International Laboratory Accreditation Cooperation (ILAC) Mutual Recognition Arrangement Our technical capabilities have reached international standards and commensurable techniques with other 60 accredited laboratories in 73 countries over the world. 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 10

11 國內最完善的高頻技術服務環境 We provide comprehensive high frequency technical services those can benefit device development, modeling and circuit design in the field of high speed/high frequency applications up to 220 GHz. 220 GHz RF/MW/MMW Circuit Measurement On wafer measurement platform for both coaxial & waveguide configurations, RT to to 18, 18 to 65 and 60 to 90 GHz High Frequency Noise Parameters Measurement Flicker Noise 1/f) and RTN Measurement 1 18 GHz Noise Parameters Measurement System GHz Noise Parameters Measurement System Flicker Noise (1/f) Measurement System 2 to 110 & 140 to 220 GHz 2 port S parameters Measurement 50 GHz 2 port/4 port S parameters Measurement 67/67 to 110 GHz 4 port S parameters Measurement, mhemt L=150 nm, W = 50 um Vg = 0.9 V, Vd = 1 V Freq : 2 110, GHz S GHz Nonlinear Vector Network Analysis 26.5 GHz Pulsed RF Measurement 0.8 to 6.5, 1.8 to 18, & 60 to 90 GHz Load Pull Measurement 18to65GHzNVNA&Load Pull Measurement, 2013/2014. High Voltage/High power Device and Circuit Measurement 110 GHz S parameters Measurement System 220 GHz S parameters Measurement System S GHz Noise/Load Pull Measurement System Power Device Measurement System, up to 3000V, RT to 200 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 11

12 可能合作課題 New Material - Ge/SiGe, III-V FinFETs, MoS 2 2D channel, Ag Metal, low-k dielectric. Nano-Devices Structure - Nano Wire, T-FET, Spintronic FET for 5-7 nm technology node 3DFETs. Process Technologies - Low temperature activation/ Raised source/drain /Junctionless contact - Monolithic 3D CMOS/ 3D Integration - MEMS, solar cells (CIGS), RRAM, bio-chips integration with Si process. - High resolution resist material study for 5-7nm Electron Beam Lithography Simulation - FinFET, TFET, GAA, TSV Equipment and materials - Joint development, Test and evaluation 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 12

13 NDL 製程服務收費標準低廉及彈性的收費方式! 業界 : 學界 : 100% 現金 10% 現金 NDL 奈米元件創新產學聯盟會員 獲得業界贊助 25 萬 / 年 : 可扣抵新台幣 50 萬儀器設備使用費帳單金額 獲得業界合作意向書 : 可扣抵新台幣 6 萬儀器設備使用費帳單金額 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 13

14 學生休息室人性化舒適的休息及閱讀環境! 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產, 非由書面許可, 不准透露或使用本文件, 亦不准複製或轉變成任何其他形式使用 14

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