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- 课声 宋
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1 1 2 TEG p-nsio2-si FEOL-TEG TEGFEOL/ BEOLTEG FEOL 300mm FEOL/BEOLTEG 0.2μm mm2 FEOL/BEOL FEOL FEOL TEG p-nmos
2 FEOL/BEOLTEG 1.3 TEGNMOS 1.4 TEG / 21/4 /9 22/3 /9 23/3 /9 24/3 (T1/T2) (T3) FEOL1Selete FEOLTei FEOL2Selete BEOL BEOL PKG PKG 1 2 Selete: Tei:
3 5 CAST-T2/T3 12 / mm X 21.5 mm 8.6mm8.6mm 5.4mm8.6mm 12.9mm12.9mm 12.9mm2/1 F E O L B E O L μ μ μ μ 6 BEOL WLP WLP Φ QFP MOS Tr. MOS p-n MOS PN QFP MOS Tr. MOS
4 7 PN NMOS NMOS Sub Si3N4 SiO2 Si3N4 LOCOS LOCOS p-well LOCOS p-sub p-sub LOCOS ; Local Oxidation of Silicon 8 PN NMOS NMOS Sub Poly-Si LOCOS LOCOS Gate-SiO2 p-sub poly-si n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub LDD LDD ; Lightly Doped Drain
5 9 PN NMOS NMOS Sub NiSi n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub Ni- W Cu Cu W Poly-Si Cu Poly-Si Low-k SiN P-SiO NiSi P-SiO n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub W-Cu 10 [] 100μmx100μmx9 [L] N112.0VL10.6V N1L L1μA 100μmx100μmx9
6 11 L Vr10V L Vr10V μm2 μm Lp-n 12 N1 Vr11.5V N1 Vr11.5V μm2 μm N1p-n L
7 13 Lg=0.6μm Wg=10μm p-sioc NiSi/poly-Si Cu W p-sioc NiSi/poly-Si Cu W n+ Cu W n+ Id (A) E-2 E-4 E-6 E-8 E-10 E-12 p-sub FEOL/BEOL Vth Vg (V) Vd=3V Vs=Vsub =0V 1.5 Id (ma) Vs=Vsub =0V Vg=5V Vd (V) ( 4V 3V 2V 1V 0V 3 14 M1 +5V PAD Cross-under PAD poly-si NMOS SUB PAD GND 0V 5 Lg=0.5um, R=7kΩ 10mV 1 ns
8 15 tpd ( μ 16 Ω A = =1 / = = R M1 / R M0 = A ICMTS
9 17 18
10 19 Ω Ω Ω Ω Ω L/S=0.2/0.2μm, 100mm Selete Tei 20 KrFi0.2 μm mm2 12p-n TEGTEG FEOL FEOL FEOLCASMATBEOL FEOL/BEOLTEG p-nfeol TEG
11 21 CMP Cup-n NaKMOS FEOL n+n-poly-si TEG Cu a. b a. p-n b.
12 23 μ 32sq 100sq X 9 100sq μm 2 μm 2 μm 2 X V Cu 100μm9
13 [] Cu(NO3)2/HF Cu(NO3)2/HF N2hr Cu 26 SiCSiCNSiN L=1.6μm W=10μm
14 27 Vt Vt 28 M2MOS M1MOS FGMOS Vt VtVt M2M1MOSNa1E+12 FGMOS1E+14Na
15 29 M2MOS M1MOS FGMOS Vt VtVt M2M1MOSK1E+13 K1E+12 FGMOS1E+14K μ
16 31 N- N+ Poly-Si 0 0 3N- 200 Mpa5% 32 TEG 2X2μm 6.5nm M1 2X2μm 6.5nm M2
17 33 55k 05/46 125k 23/46 N Low-k: p-sioc M2 300k 38/46 2X2μm, 6.5nm 34 NLow-k: p-sioc NLow-k: p-msq PLow-k: p-sioc PLow-k: p-msq M1M2 p-msqp-sioc PNN
18 35 36
19 37 Ω Ω Ω P Cu
20 ( ( ( ICPT2010ADMETA2010,2011No. 6,7,9,12,15 40 Cup-n NaKM1M2MOS n+n-poly-si TEG CMPCu p-n
21 41 Low-k Low-k RO Low-k CMP MOS Low-k 208QFP Low-k BC BCWLP ROLow-k 3.2 MOS 3.3 QFP 3.4 WLP
22 43 Low-k p-sioc MSQ1 MSQ2 MSQ3 CVD MSQ MSQ MSQ - A B B Shrinkage Pore size (A/cm2) 1.E-02 1.E-03 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 1.E-09 1.E-10 1.E-11 1.E-12 Low-k 1 = 0.5 = P(D) (MV/cm) 1 p-sioc MSQ1 MSQ2 MSQ D () MSQ 44 as depo k k=0.26 k=0.4 k=0.4 CMP as depo k=0.44 CF4/Ar/N NH3 + H2/He CMP (A/cm2) kc-v E-02 1.E-03 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 1.E-09 1.E-10 1.E-11 1.E-12 p-sioc p-sioc (MV/cm)
23 45 ( ) 1.1 M1_11 _MSQ1 M1_11 _MSQ2(1) 1.0 M1_11 _MSQ2(2) M1_11 _MSQ Cap Low-k (kω) CuCap MSQ3MSQ125% CapMSQ1MSQ25% MSQ39% 46 C (pf/100mm) Cap MSQ1 MSQ2 MSQ R (kω/100mm) RC ( ) Cap MSQ1 MSQ2 MSQ3 Low-k (kω) RCLow-k RC
24 47 M2 / Low-k Via / Low-k M1 / Low-k FG MOS M1 MOS M1 M2 MOS M2 [nm] FG / p-sio FG Si sub (channel) MV/cm* : 30s MOS: L1.6 x W10 [μm] Vd = 0.1, Vs = Vsub = 0 [V] Id : 20 na Vg: MV/cm* : 30s 8 Id : 20 na Vg: 0 200V M2 200 V / 800 nm = 2.5 MV/cm
25 49 Id (A) 1E-05 1E-06 1E-07 1E-08 1E-09 1E-10 1E-11 1E-12 M2MOS : 20nA + Vth-Vth - Vth+Vth 1E Vg (V) Vth (V) M2 M1 FG MOS 6x4 FG M M V) FGM1MOS M2MSQp-SiOC
26 51 =250nmp-SiO=250nm=300nm =4p-SiO=4=3 E11/cm2 P-SiO MSQp-SiOC1/2 52 TEG Poly-Si MOS
27 53 FIM QFP 208pin 28mm 0.5mm 1.4mm 8.6mm 25410μm Low-k p-siocmsq1 BC1 54 = 11 = 5 V NMOS: μ μ poly-si: 30μm L X 1μm W MSQ1 p-sioc [%] [%] AL PKG AL PKG f [MHz] f R[kΩ] [MHz] QFPPKG6%
28 55 poly-si: 10μm L X 1μm W MSQ1 p-sioc [%] [%] AL PKG AL PKG R[kΩ] R[kΩ] QFPpoly-Si4% 56 BC
29 57 Si 58 Poly-Si
30 59 BC2 BC5 BC3 BC6 BC4 poly-si110μm TC BCWLPUF500 poly-si 60 NMOS BC2 BC5 BC3 BC6 BC4 NMOS Lg=0.5μmWg=10μm Id=10nAVd=3V BCWLPUF500 NMOS
31 61 UF UF TC5515min12515min IR Al / BC 62 μ μ μ φ φ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ
32 63 3 IR BC1 Si BC1 BC1 10 μm Cu BC2 50 μm SEM 50 um SEM BC2 BC1Cu 64 μ μ μ % BC
33 65 CuTi/BC(MPa) E3 (GPa) BC21 66 Low-k Low-kMOS 208QFPLow-k BC QFP6% poly-si BCWLP WLPBC
Microsoft PowerPoint - CH03中文
Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si
《哈佛考考你·智力》
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1 1 3 3 6 7 7 8 9 10 10 12 ( VSR) 16 19 19 21 22 22 22 23 23 23 23 23 24 27 27 28 29 29 30 31 31 32 32 32 33 34 41 41 42 44 44 44 47 48 48 48 49 50 51 52 52 54 54 58 58 59 60 61 61 62 63 64 64 64 65 65
V. PID PID...0
F&B 00% V. PID................0............5....9 PID...0 .... IO900 99.98%.. Pt00Pt00.0Cu50Cu00Pt0 KEBTRN 0-0mA-0mA0-5V-5V mv 0-5V 0-50Ω.. LP TP - - P P.0 P.0 P.0 P.0 P.05 P.0 P.00 t.0 t.0 t.0 t.0 t.05
3 1 2 é é è è é é é é è ü x 2 ( a x) = ( x + E) 2 a ( x + E) { } 2 a 3 2 y = ( 1 x ) Oq p Oq y + p 2 2 2qOy q O 2 2 2 rx
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v = 2 gr 2 ( p h p a 9η ) v 2 gr 2 ( p h p a 9η = ) α = R 2 ω g 6-11 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 1-2- 3-4- 5-6- 7-8- 6-12 1. 2. 3. 1 4. 5. 2 6. 7. 8. 9. 310. 11. 4 12. 1 1 2 2 1. 2. 3. 6-16
PYROGRAPH PYROGRAPH CVD PYROGRAPH PYROGRAPH 20 μm OLED PYROGRAPH B < <0.10 <0.01 <0.01 * * [m 2 /s] pp
![PYROGRAPH PYROGRAPH CVD PYROGRAPH PYROGRAPH 20 μm OLED PYROGRAPH B < <0.10 <0.01 <0.01 * * [m 2 /s] pp](/thumbs/52/28907735.jpg "PYROGRAPH PYROGRAPH CVD PYROGRAPH PYROGRAPH 20 μm OLED PYROGRAPH B < <0.10 <0.01 <0.01 * * [m 2 /s] pp")
- / PYROGRAPH 55 PERMA KOTE 56 59 62 65 PYROGRAPH PYROGRAPH CVD PYROGRAPH PYROGRAPH 20 μm OLED PYROGRAPH B
Untitled
340_1 340_2 340_3 1 340_4 340_5 2 340_6 340_7 3 340_8 340_9 bc 340_10 4 340_11 5 340_12 340_13 340_14 6 340_15 340_16 340_17 7 340_18 340_19 8 340_20 340_21 340_22 9 uu 340_23 340_24 10 11 340_25 12 13,
Microsoft Word - Yang Yong report supl
江 河 之 痛 横 断 山 水 电 建 设 与 南 水 北 调 西 线 调 水 的 隐 忧 杨 勇 / 文 图 2006 年 7 月 初, 西 北 六 省 区 召 开 南 水 北 调 西 线 工 程 座 谈 会, 会 上 通 报 了 西 线 调 水 一 期 工 程 进 展 情 况, 并 着 重 讨 论 工 程 受 水 区 规 划 与 会 省 区 反 映, 随 着 该 区 社 会 经 济 的 迅 速
<4D F736F F F696E74202D208CF68A4A8E9197BF C C B B896A7816A2E B8CDD8AB B83685D>
1/49 2/49 3/49 p. -102 1.5 mm 1609:1 1.4 mnm Zr Cu Ni SK 0 8(Reference1) 22 500 103 8 Ni-MG2500 22313 1000 1500 (hr.) 313!! 2000 2500 4/49 p. -102103 1.5 mm 0.9 9mm 1.5 mm 0.6 mm 0. 3 mm 18 23 5/49 6/49
06知识单元-集成运算放大电路
6 6 S060B a b c b c v 0 = v 0 = v 0 = v f v0 = v S060G v 0 v S060I V- = V + V N = V P I- =0I + = 0 I = 0 S060N V IO I IO v = 0 vo=0 A od VO = ( V V ) S060B A od I o = I I A od = r d = r od = - 46 - A od
-2 4 - cr 5 - 15 3 5 ph 6.5-8.5 () 450 mg/l 0.3 mg/l 0.1 mg/l 1.0 mg/l 1.0 mg/l () 0.002 mg/l 0.3 mg/l 250 mg/l 250 mg/l 1000 mg/l 1.0 mg/l 0.05 mg/l 0.05 mg/l 0.01 mg/l 0.001 mg/l 0.01 mg/l () 0.05 mg/l
tbjx0164ZW.PDF
F = k Q Q r F = k Q = k Q r r Q Q = Fr k = C 0 5 C 9 0 5 Q 0 3 n = = 9 = 65. 0 e 6. 0 4 3 A B 7 7 9 6 C D 7 7 F = k q 7q = k 7q r r q + 7q = 4q F = k 4q 4q = k 6q r r F = 6 F 7 7q q = 3q s c = t s c =
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Publishing House of Electronics Industry BEIJING :,,,,,, ( CIP) /. :, 2004. 2 ISBN 7-5053-9594-7... :. T N710 CIP ( 2004) 002543 : : : : 173 100036 : : 787980 1/ 16 :23 : 518 : 2004 2 1 : 5 000 :30. 00
Microsoft Word - 家用电器原理备课下册.doc
第 一 章 电 冰 箱 的 工 作 原 理 第 一 节 电 冰 箱 的 分 类 与 制 冷 系 统 一 教 学 目 的 让 学 生 了 解 电 冰 箱 的 分 类 及 掌 握 制 冷 系 统 的 结 构 各 部 分 的 作 用 二 教 学 重 点 电 冰 箱 制 冷 系 统 的 结 构 三 教 学 难 点 制 冷 系 统 各 部 件 的 作 用 四 教 学 课 时 五 教 学 仪 器 理 论 1 课
正文封面.PDF
(1999 ) 1999 1 1 1999 12 31 1 38 2 38 3 38 4 38 5 38 6 38 7 38 8 38 9 38 10 38 11 38 12 38 13 38 14 38 15 38 16 38 1 2 17 38 3.6%2.16% 13.56%3.12% 10%6.25% 10%5.88% 10%3.70% 1.10% 12.50% 13.13% 12.13%
017
() -J-(ø1,ø) 1) -J-- ) -J1--M9- * *1IO V 1 1.MPa.MPa.MPa :-1~ ()/ :-1~ () ~mm/s. J.9 J +1. E M 1 1mm mm 1 1 1 1 1mm ( ) J M9 () ø1, ø R M9 M9N 1 n n NPN () -J1,. ø ønh NN ø Y x M x. M x.. Y N + + N (R)
颜料与涂料之——颜料在涂料中的应用
1. 15 µm 2. 8 1 1 3. 80 ~ 100 120 ~ 130 150 4. 5. 6. 7. 8. PVC) 9. ppm 12-1 12-1 (%) () 28.6 60.8 64.3 19.6 14.7 7.1 4.9 100.0 100.0 50 ~ 60% 12-2 12-2 (%) () 30 25 35 50 10 25 10 15 100 100 1. 4 ~ 5 /
AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO
AL Si O OH 4 2 2 5 K AL Si O 2 3 8 2 3 8 2 3 8 Na AL Si O Ca AL Si O AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O 2 3 2 2 2 3 2 2 CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO 2 3 2
3 92 59235 89 5 60,00024,000 84,000 2028476 6
山 中 傳 奇 與 水 的 牽 絆 二 峰 圳 4 4 0 00 922 92 92002 60 2028476 3 92 59235 89 5 60,00024,000 84,000 2028476 6 86.6 679 58,800 4 220.4 970 23,800 69 58,800 69,733 4 23,800 252,478 69 76 6 925 4 7 5 970 38 50 25
, Vol.34, No.21 nm nm nm nm μm μm μm a b c d e
2013, Vol.34, No.21 359 Abstract Key words TS201.2 A 360 2013, Vol.34, No.21 nm nm nm nm μm μm μm a b c d e 2013, Vol.34, No.21 361 362 2013, Vol.34, No.21 ph ph 2013, Vol.34, No.21 363 () (1) (2) (SiO
网络分析仪
5. A 5-, N l, N Hl 5- MKS l N r N H A/m l 5-a 5- CGS r 0.4πN H l (Oe) 5-b (CGS )Oe, MKS 0 (Oe) A/m 0.4π 5-. 5- N A A dψ d( BAN) e dt dt A N A B 5- db NA (5-) dt d ψ / dt. 5- H B B µh dh NAµ dt in H l N
信号与系统 (Signal & system)
Signl & sysem xucb@cqup cqup.edu.cn 5-3- ...3.4.5 .......3 3 .. δ δ d δ 4 .. i K V CF u c i δ u c - 5 .. ϕ δ ϕ δ ϕ δ d ϕ ϕ δ ϕ δ ϕ δ d ϕ 6 .. e δ e δ δ δ δ 3δ δ π sin δ d 3 e δ d 3 δ d 5 4 7 .. 3 ϕ δ ϕ
开关电容电路讲义附图
2006 ( ) 1 (CCD) 2 Swithed--Capaitor Ciruits(SC) 3 Swithed--Current Ciruits(SI) ( ) CCD IIR 1972 1977 NMOS 1978 INTEL PCM MOS - 1 - 2.1 2.1.1 2.1.1 q ( t) = C v ( t) ( n 1)T φ S1 S2 v t) = v [( n 1) T
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: 8 MEMS : () 2015 12 09 : 8 MEMS : : : () A10500191000 A10500191000 A10500140500 A10500050500 8 MEMS F2M3 13601297766 100176 F2M3 1 1.1 86600 20 5000 800 [2015]157 39 2017 09 0 0.9 5 Silex Microsystems
1 2 3 1950 1973 1950 3.10 3.26 4.1 4.13 4.21 4.29 1951 3.12 3.28 4.6 4.15 5.4 1952 3.16 4.1 4.4 4.18 4.14 5.6 5.10 5.12 1953 3.10 3.24 4.5 4.15 4.23 4.26 5.9 5.19 1954 3.13 3.29 4.5 4.19 4.29
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4
19 0 1 2 3 4 5 6 7 28 29 0 1 2 3 4 5 6 7 38 ( ) VS 3 100 ( ) MM MM ! 1 2003 VS . MM MM MM MM MM MM MM CS MM CS MM MM ! ? % Y O [ ] Y O [ ] [ ] [ ] MM MM
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,,,, : : (010 ) 84043279 13801081108 : (010 ) 64033424 E - mail: dd@ hep.com.cn : 55 : 100009 21, 21,,,,,, 8 EWB EDA, (CIP).,.:,2003.2 ISBN 7-04 - 011860-2......... - - - -. TM CIP (2003)000543 010-64054588
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, (15625 H z) : ;, ( ),,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, (),,, 17 17P - 23M, 1-1, 11.5V, 17.8V, 180V, 195V, 710 1 1-1, 20% (1214 s),,,,, (),, 1.,, ( ), 1-2 C,,,,,, B +, R1 R2, R1 R2 U1 U2, A U = U1 + U2 1-2,,,,,,,
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2008 2012 00 1 2008-2012 2 2007 --2010 ( ) 3 ... 6... 7... 7... 8... 9...10...10...10... 11... 11...12...12...13...13...14...14...14 1...14 2...16 3...16 4...17 5...18 6...19 7...20 8 PVC...22 9 PVC...24
国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 2014 年 总 结 2014 年, 普 通 高 校 党 的 建 设 在 国 家 改 革 开 放 不 断 深 化 的 大 背 景 下 取 得 了 一 系 列 伟 大 成 就 ; 国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 以 邓 小 平 理 论 三
目 录 国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 2014 年 总 结... 1 国 际 教 育 学 院 学 生 党 员 发 展 工 作 2014 年 概 况... 4 国 际 教 育 学 院 2014 年 入 党 积 极 分 子 确 定 和 培 养 教 育 工 作 流 程... 5 一 党 课 总 体 计 划... 8 二 课 程 安 排... 10 三 授 课 教 师 简 介... 11
目 录 ( 一 ) 普 通 高 等 学 校 学 生 管 理 规 定 (1) 高 等 学 校 学 生 行 为 准 则 (14) 中 华 人 民 共 和 国 学 位 条 例 (16) 中 华 人 民 共 和 国 学 位 条 例 暂 行 实 施 办 法 (20) 学 生 伤 害 事 故 处 理 办 法 (29) ( 二 ) 华 南 理 工 大 学 全 日 制 本 科 学 生 学 分 制 教 学 管 理 实
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,, 19,, 1834,,,,, :,,,, , 1862, 1879 20 20,,,,??,,,,,,,,,,,, , ( ),,,,,,,, ( ),,,,,,,, 9 : (1 ) :,,,, , 91 95% (2 ) : ( ) - - -,, (3 ) : PN,, (4 ) : (5 ) : (6 ) : (7 ) (8 ) (9 ),,, :,,,,,,,, ;,, ,,,,,
校园之星
K K K Keration K K K K K K K K Kt GF K K ppm CO Fe Fe Mn Cu TiFeMnCr NiYU Fe Fe Smaragdos Al O Al O A Sio F OH Opal Zr SiO BaSO Fe O ph Na BOH H O FeMnAl MgFeSiAl
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地 理 志 鏡 止 煞, 來 達 到 安 宅 的 效 果 4. 門 神 符 紙 : 於 門 板 繪 製 門 神, 作 為 宅 第 的 守 護, 民 宅 所 使 用 的 門 神 題 材, 多 為 天 官 賜 福 或 文 武 官 員 符 紙 是 以 畫 了 符 咒 的 紙 懸 掛 室 內, 或 加 框
第 二 篇 - 人 文 地 理 ( 五 ) 民 宅 的 祈 福 辟 邪 物 臺 灣 早 期 移 民, 因 為 離 鄉 背 井, 對 於 新 環 境 的 陌 生, 以 及 生 存 的 不 容 易, 再 加 上 承 襲 閩 粵 地 區 的 習 慣, 所 以 住 屋 講 究 的 是 祈 福 辟 邪 除 了 建 屋 之 前 要 看 地 理 風 水, 在 建 屋 時 更 有 許 多 禁 忌 要 遵 守 另 外,
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2.4GHz CMOS PA,,, 2010/07/21 Contents 1 Introduction 2 PA (Power Amplifier) 2.4GHz : WiMAX, WLAN, Bluetooth Introduction 3 Capacitive cross-coupling Self-biased cascode Schematic 4 Out V DD 2 : 1 V DD
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原 臺 中 刑 務 所 典 獄 長 官 舍 第 三 章 臺 中 刑 務 所 典 獄 官 建 築 研 究 與 調 查 第 一 節 建 築 特 色 及 考 證 一 日 治 時 期 臺 灣 官 舍 建 築 特 色 分 析 - 以 臺 中 市 西 區 為 例 96 ( 一 ) 臺 灣 總 督 府 官 舍 制 度 日 治 初 期 臺 灣 總 督 府 為 從 日 本 內 地 招 募 各 種 官 吏 來 到 臺
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投 标 邀 请 书 一 招 标 单 位 : 广 东 白 云 城 市 酒 店 有 限 公 司 二 招 标 地 址 : 广 州 市 环 市 西 路 179 号 三 公 告 时 间 :2016 年 7 月 27 日 2016 年 8 月 1 日 四 工 程 名 称 : 广 东 白 云 城 市 酒 店 外 围 卫 生 清 洁 外 包 项 目 五 工 程 內 容 : 酒 店 外 围 区 域 卫 生 清 洁,
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1 此 書 是 美 尚 先 生 遺 稿,2011 年 網 上 版 是 唯 一 版 本 2 小 小 子 ( 兒 ), 坐 門 檻 ( 兒 ), 哭 哭 啼 啼 想 媳 婦 ( 兒 ) 想 媳 婦 ( 兒 ) 幹 嗎? 點 燈 做 伴 ( 兒 ), 吹 燈 說 話 ( 兒 ), 清 早 起 來 梳 個 大 小 辮 ( 兒 ) ------ 就 我 記 憶 所 及, 這 是 我 出 生 兩 三 歲 時 母
國立中山大學學位論文典藏.PDF
國 立 中 山 大 學 中 國 文 學 系 碩 士 論 文 漢 初 黄 老 學 說 的 經 世 觀 及 其 實 踐 研 究 生 : 楊 芳 華 撰 指 導 教 授 : 夏 長 樸 教 授 中 華 民 國 九 十 五 年 六 月 論 文 摘 要 黃 老 思 想 在 中 國 學 術 史 上 是 一 個 重 要 課 題, 也 在 漢 初 政 治 上 產 生 過 相 當 大 的 影 響, 漢 初 的 文 景
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Specification for structura design of buried prestressed concrete pipeine of water suppy and sewerage engineering CECS 40:
CECS 40:2002 Specification for structura design of buried prestressed concrete pipeine of water suppy and sewerage engineering 2003 Specification for structura design of buried prestressed concrete pipeine
Microsoft Word - Z8I11A0-102.doc
自 然 考 科 學 測 試 題 關 鍵 解 析 前 言 物 理 科 今 年 自 然 科 考 題 共 68 題, 其 中 物 理 科 占 了 17 題, 今 年 的 題 目 難 度 屬 中 偏 易, 考 題 分 配 十 分 平 均 由 於 是 新 課 綱 第 一 次 學 測, 所 以 新 的 內 容 大 致 上 均 入 題, 大 都 為 物 理 科 普 知 識 就 算 是 第 二 部 分 的 考 題,
序 言 西 南 科 技 大 学 坚 持 开 放 办 学, 不 断 深 化 办 学 体 制 改 革, 以 中 国 ( 绵 阳 ) 科 技 城 为 中 心, 立 足 四 川 面 向 西 部 服 务 全 国 学 校 产 业 工 作 作 为 西 南 科 技 大 学 办 学 特 色 的 一 面 旗 帜, 始 终 跟 进 学 校 建 设 与 发 展 的 步 伐, 不 断 迈 向 前 进 校 办 产 业 依 托
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( ) (CIP) : /. :, 2004 ISBN 7 5045 4355 1....TM305 CIP (2004) 015232 ( 1 : 100029) : * 787 1092 16 20 498 2004 7 1 2004 7 1 : : 34. 00 : 010 64929211 : 010 64911190 : http : / / www.class.com.cn : 010
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( ) (CIP) ().:. 2004.11 ISBN 7-04 - 015565-6... - -.O4-44 CIP (2004)092157 010-64054588 4 800-810 - 0598 100011 http:www.hep.edu.cn 010-58581000 http:www.hep.com.cn 8501168 1 32 1 8.625 220 000 12.00,.
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中 国 太 平 洋 人 寿 保 险 股 份 有 限 公 司 世 纪 行 人 身 意 外 伤 害 保 险 (C 款 ) 条 款 太 平 洋 人 寿 [2013] 意 外 伤 害 保 险 062 号 阅 读 指 引 本... 阅 读 指 引 有 助 于 理 解 条 款, 对 本 合 同 内 容 的 解 释 以 条 款 为 准 您 拥 有 的 重 要 权 益 本 合 同 提 供 的 保 障 在 保 险 责
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团 学 要 闻 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 3 月 17 日, 我 校 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 在 行 政 办 公 楼 五 楼 会 议 室 举 行, 校 团 委 委 员 各 院 ( 系 ) 团 委 书 记 校 学 生
共 青 团 工 作 简 报 2011 年 第 1 期 共 青 团 大 连 海 洋 大 学 委 员 会 团 学 要 闻 : 导 读 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 我 校 在 大 连 市 大 学 生 创 新 创 意 作 品 大 赛 中 取 得 佳 绩 校 团 委 召 开 学 生 干 部 思 想 动 态 座 谈 会 校 团 委 组 织 开 展 弘 扬 雷 锋
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目 录 目 录 1 概 述 2 第 一 章 机 器 安 全 守 则 3 第 二 章 机 器 的 安 装 与 组 装 6 第 三 章 机 器 各 部 分 名 称 11 第 四 章 机 器 功 能 参 数 与 主 要 部 位 说 明 12 第 五 章 刺 绣 的 基 本 操 作 24 第 六 章 机 器 主 要 部 位 的 调 整 26 第 七 章 机 器 的 维 护 与 保 养 32 第 八 章 故
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射 频 与 数 模 混 合 类 高 速 PCB 设 计 课 题 内 容 理 清 功 能 方 框 图 网 表 导 入 PCB Layout 工 具 后 进 行 初 步 处 理 的 技 巧 射 频 PCB 布 局 与 数 模 混 合 类 PCB 布 局 无 线 终 端 PCB 常 用 HDI 工 艺 介 绍 信 号 完 整 性 (SI) 的 基 础 概 念 射 频 PCB 与 数 模 混 合 类 PCB
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中 國 文 學 學 與 教 系 列 照 顧 學 生 的 多 樣 性 教 學 經 驗 分 享 會 與 教 系 列 照 顧 學 生 的 多 樣 性 地 利 亞 修 女 紀 念 學 校 ( 協 和 ) 李 浩 芝 老 師 教 學 經 驗 分 享 會 1 學 校 背 景 直 資 學 校 只 收 新 移 民 全 年 收 生 2 中 三 推 介 困 難 : 欠 缺 興 趣, 認 為 與 日 常 生 活 無 關
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第一章 前言
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关于硕士专业学位授权审核工作的通知
2013 年 增 列 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 申 请 表 硕 士 专 业 学 位 类 别 ( 工 程 领 域 ): 法 律 硕 士 申 报 单 位 名 称 : 燕 山 大 学 国 务 院 学 位 委 员 会 办 公 室 制 表 2013 年 12 月 30 日 填 一 申 请 增 列 法 律 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 论 证 报 告 ( 一 ) 法 律 硕 士 专 业 人 才
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2013 年 增 列 硕 专 业 学 位 授 权 点 申 请 表 硕 专 业 学 位 类 别 ( 工 程 领 域 ): 法 律 申 报 单 位 名 称 : 东 北 林 业 大 学 国 务 院 学 位 委 员 会 办 公 室 制 表 2013 年 12 月 8 日 填 -7- 目 录 申 请 增 列 法 律 硕 专 业 学 位 授 权 点 论 证 报 告 1 申 请 增 列 硕 专 业 学 位 授 权
04 依 法 治 国 理 论 与 实 践 李 和 平 副 教 授 复 试 科 目 :F08 马 克 思 主 义 哲 学 原 理 030203 科 学 社 会 主 义 与 国 际 共 产 主 义 运 动 加 试 科 目 :1 政 治 经 济 学 原 理 3702 科 学 社 会 主 义 的 理 论 与
延 安 大 学 2016 年 硕 士 研 究 生 招 生 专 业 目 录 培 养 单 位 专 业 研 究 方 向 导 师 招 生 人 数 考 试 科 目 备 注 001 政 治 与 法 学 学 院 65 复 试 科 目 :F06 马 克 思 主 义 哲 学 史 010101 马 克 思 主 义 哲 学 加 试 科 目 :1 毛 泽 东 思 想 与 中 国 特 色 社 会 主 义 理 论 体 系 3701
广西师范大学2016硕士研究生招生专业目录.xls
01 马 克 思 主 义 哲 学 与 当 代 社 会 研 究 02 思 维 哲 学 研 究 03 国 外 马 克 思 主 义 哲 学 研 究 04 政 治 哲 学 研 究 广 西 师 范 大 学 2016 全 日 制 硕 士 研 究 生 招 生 专 业 目 录 注 : ( 一 ) 所 有 学 术 型 专 业 学 制 均 为 三 年 ( 二 ) 专 业 学 位 除 工 程 硕 士 ( 电 子 与 通
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2015 年 第 1 期 ( 总 第 33 期 ) 目 录 教 育 部 副 部 长 刘 利 民 一 行 视 察 四 川 大 学 校 史 展 览 馆 四 川 大 学 党 委 书 记 杨 泉 明 教 授 检 查 干 部 人 事 档 案 审 核 工 作 四 川 大 学 大 学 精 神 与 大 学 文 化 教 育 社 科 普 及 基 地 开 展 向 著 名 校 友 红 军 将 领 刘 伯 坚 烈 士 家 乡
7 名 称 一 对 采 掘 工 程 类 违 法 为 的 对 独 眼 井 开 采 的 违 法 为 的 煤 矿 机 构 力 清 单 依 据 使 主 体 备 注 法 规 1. 煤 矿 条 例 第 二 十 五 条 煤 矿 机 构 发 现 煤 矿 进 独 眼 井 开 采 的, 应 当 责 令 关 闭 2. 国
1 名 称 一 对 采 掘 工 程 类 违 法 为 的 对 擅 自 开 采 保 安 煤 柱 或 采 用 危 及 相 邻 煤 矿 生 产 安 全 危 险 方 法 进 采 矿 作 业 的 违 法 为 的 煤 矿 机 构 力 清 单 依 据 使 主 体 备 注 法 规 煤 矿 条 例 第 四 十 三 条 擅 自 开 采 保 安 煤 柱, 或 者 采 用 危 及 相 邻 煤 矿 生 产 安 全 的 决 水
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五 扬 州 大 学 2013 年 硕 士 研 究 生 招 生 学 科 专 业 类 别 及 领 域 主 要 参 考 书 目 ( 一 ) 学 术 型 硕 士 研 究 生 001 社 会 发 展 学 院 010101 马 克 思 主 义 哲 学 : 马 克 思 主 义 哲 学 原 理 ( 上 下 ) 肖 前 等 主 编, 中 国 人 民 大 学 出 版 社 ; 当 代 中 国 马 克 思 主 义 哲 学
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菩 提 道 次 第 一 三 九 雪 歌 仁 波 切 講 授 法 炬 法 師 翻 譯 2009/03/01 我 們 聞 思 大 乘 法, 主 要 為 生 起 菩 提 心 學 習 菩 薩 行 故, 因 此 特 別 聞 思 至 尊 仁 波 切 ( 宗 喀 巴 大 師 ) 撰 著 的 道 次 第 論, 所 聞 之 法 是 大 乘 法, 主 要 目 的 是 發 起 菩 提 心 及 學 習 菩 薩 行 所 以,
014315 市 立 永 平 高 中 無 填 報 無 填 報 (02)22319670 014322 市 立 樹 林 高 中 已 填 報 已 填 報 (02)86852011 014326 市 立 明 德 高 中 已 填 報 (02)26723302 014332 市 立 秀 峰 高 中 已 填 報
加 總 - 人 數 每 位 填 報 人 只 能 填 一 種 學 制 欄 標 籤 列 標 籤 高 級 中 學 進 修 學 校 010301 國 立 華 僑 高 級 中 等 學 校 無 填 報 已 填 報 (02)29684131 011301 私 立 淡 江 高 中 無 填 報 已 填 報 (02)26203850 011302 私 立 康 橋 高 中 已 填 報 (02)22166000 011306
2. 禁 止 母 乳 代 用 品 之 促 銷 活 動, 以 及 不 得 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴 認 證 說 明 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴, 並 在 婦 產 科 門 診 兒 科 門 診 產
104 年 母 嬰 親 善 醫 療 院 所 認 證 基 準 及 評 分 說 明 ( 調 整 對 照 表 ) 認 證 說 明 措 施 一 : 明 訂 及 公 告 明 確 的 支 持 哺 餵 母 乳 政 策 (8 分 ) ( 一 ) 醫 療 院 所 成 立 母 嬰 親 善 推 動 委 員 會, 由 副 院 長 級 以 上 人 員 擔 任 主 任 委 員, 並 定 期 召 開 會 議, 評 估 醫 療 院
,,, ( CI P) /. :, ISBN :.T U56 CI P ( 2004 ) : 122 : / E mail: mail.w hu t.ed
,,, ( CI P) /. :, 2004.8 ISBN 7 5629 2094... :.T U56 CI P ( 2004 )003590 : 122 : 430070 http:/ / www.techbook.com.cn E mail: yangxuezh@ mail.w hu t.edu.cn : : : 7871092 1/ 16 : 19 : 474 : 2004 8 1 : 2004
递, 激 素 神 经 递 质 药 物 需 通 过 细 胞 膜 外 表 面 上 的 相 应 受 体 的 作 用 细 胞 壁 植 物 细 胞 所 特 有 细 胞 器 内 质 网 : 膜 性 管 道 系 统, 核 糖 体 附 着 于 粗 面 内 质 网 上, 滑 面 内 质 网 高 尔 基 复 合 体 :
前 言 这 门 课 要 讲 的 内 容 学 什 么? 这 门 课 的 重 要 性 有 什 么 用 处? 1 与 我 们 的 专 业 密 切 相 关 2 与 我 们 的 生 活 息 息 相 关 学 习 方 法 怎 样 学? 1 理 论 联 系 实 际 2 局 部 与 整 体 的 关 系 生 命 系 统 的 层 次 : 生 物 圈 : 地 球 上 有 生 命 存 在 的 环 境 的 总 和 地 球 表
99710b45zw.PDF
1 2 1 4 C && Zn H H H H H Cl H O H N H H H CH C H C H 3 2 5 3 7 H H H H CH 3 C2H 5 H H H O H H O K K O NO 2 H O NO 2 NO O 2 C2H5 H O C2H5 C H O C2H3 2 5 H H H O H H O 1826 O
1 1 1.1 1 1.1.1 1 1.1.2 2 1.1.3 3 1.2 3 1.2.1 3 1.2.2 4 1.2.3 5 1.2.4 5 1.2.5 6 1.3 8 1.3.1 8 1.3.2 10 1.3.3 10 1.3.4 11 1.3.5 11 1.4 12 1.4.1 12 1.4.2 15 1.4.3 16 2 18 2.1 18 2.1.1 18 2.1.2 20 2.1.3 24
untitled
(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
(CIP) : / :,, :,2000.5 ISBN 7-04 - 008822-3 - - N - 42 CIP (2000)60397 55 100009 010-64054588 010-64014048 / 8501168 1/ 32 7.875
( ) (CIP) : / :,, :,2000.5 ISBN 7-04 - 008822-3 - - N - 42 CIP (2000)60397 55 100009 010-64054588 010-64014048 http:/ / www.hep.edu.cn 8501168 1/ 32 7.875 190 000 8.40, ( ) 1 16 16 16 18 21 22 24 24 24
第三节 防 疫
192 1978 3353 34 3 1979 30 24 30 1980 10 1980-1981 1 2 2734 13 65 2 0 n 55 1 5-1 0 73 71 1 0 14 74 1981 3 13 5696 2342 167 69 1 1146 665 58 03 1983 4 2 510 100 1984 7 7n 3421 2200 1985 12 2636 30 1941
untitled
( OH ) Cd ( OH ) NiOOH + Cd + H O Ni + ( OH ) + Cd ( OH ) NiOOH + Cd O Ni + H O H O 1/48 H ( ) M NiOOH + MH Ni OH + ( OH ) + M NiOOH MH Ni + /48 3/48 4/48 4 6 8 5.6KΩ±1% 1/ 4W L N C7 1nF/50V F1 T.5A/50V
材料科技简报
材 料 科 技 简 报 2016 年 第 2 期 电 子 版 材 料 科 技 简 报 编 辑 部 2016 年 4 月 本 期 目 录 材 料 热 点 关 注 CO 2 电 催 化 还 原 成 液 体 能 源 柔 性 集 成 微 型 超 级 电 容 器 CdTe 太 阳 能 电 池 开 路 电 压 首 次 超 过 1V 最 强 韧 的 仿 生 石 墨 烯 纤 维 材 料 发 展 前 沿 石 墨 烯