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- 课声 宋
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1 1 2 TEG p-nsio2-si FEOL-TEG TEGFEOL/ BEOLTEG FEOL 300mm FEOL/BEOLTEG 0.2μm mm2 FEOL/BEOL FEOL FEOL TEG p-nmos
2 FEOL/BEOLTEG 1.3 TEGNMOS 1.4 TEG / 21/4 /9 22/3 /9 23/3 /9 24/3 (T1/T2) (T3) FEOL1Selete FEOLTei FEOL2Selete BEOL BEOL PKG PKG 1 2 Selete: Tei:
3 5 CAST-T2/T3 12 / mm X 21.5 mm 8.6mm8.6mm 5.4mm8.6mm 12.9mm12.9mm 12.9mm2/1 F E O L B E O L μ μ μ μ 6 BEOL WLP WLP Φ QFP MOS Tr. MOS p-n MOS PN QFP MOS Tr. MOS
4 7 PN NMOS NMOS Sub Si3N4 SiO2 Si3N4 LOCOS LOCOS p-well LOCOS p-sub p-sub LOCOS ; Local Oxidation of Silicon 8 PN NMOS NMOS Sub Poly-Si LOCOS LOCOS Gate-SiO2 p-sub poly-si n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub LDD LDD ; Lightly Doped Drain
5 9 PN NMOS NMOS Sub NiSi n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub Ni- W Cu Cu W Poly-Si Cu Poly-Si Low-k SiN P-SiO NiSi P-SiO n+ LOCOS LOCOS n+ n+ p+ Gate-SiO2 p-sub W-Cu 10 [] 100μmx100μmx9 [L] N112.0VL10.6V N1L L1μA 100μmx100μmx9
6 11 L Vr10V L Vr10V μm2 μm Lp-n 12 N1 Vr11.5V N1 Vr11.5V μm2 μm N1p-n L
7 13 Lg=0.6μm Wg=10μm p-sioc NiSi/poly-Si Cu W p-sioc NiSi/poly-Si Cu W n+ Cu W n+ Id (A) E-2 E-4 E-6 E-8 E-10 E-12 p-sub FEOL/BEOL Vth Vg (V) Vd=3V Vs=Vsub =0V 1.5 Id (ma) Vs=Vsub =0V Vg=5V Vd (V) ( 4V 3V 2V 1V 0V 3 14 M1 +5V PAD Cross-under PAD poly-si NMOS SUB PAD GND 0V 5 Lg=0.5um, R=7kΩ 10mV 1 ns
8 15 tpd ( μ 16 Ω A = =1 / = = R M1 / R M0 = A ICMTS
9 17 18
10 19 Ω Ω Ω Ω Ω L/S=0.2/0.2μm, 100mm Selete Tei 20 KrFi0.2 μm mm2 12p-n TEGTEG FEOL FEOL FEOLCASMATBEOL FEOL/BEOLTEG p-nfeol TEG
11 21 CMP Cup-n NaKMOS FEOL n+n-poly-si TEG Cu a. b a. p-n b.
12 23 μ 32sq 100sq X 9 100sq μm 2 μm 2 μm 2 X V Cu 100μm9
13 [] Cu(NO3)2/HF Cu(NO3)2/HF N2hr Cu 26 SiCSiCNSiN L=1.6μm W=10μm
14 27 Vt Vt 28 M2MOS M1MOS FGMOS Vt VtVt M2M1MOSNa1E+12 FGMOS1E+14Na
15 29 M2MOS M1MOS FGMOS Vt VtVt M2M1MOSK1E+13 K1E+12 FGMOS1E+14K μ
16 31 N- N+ Poly-Si 0 0 3N- 200 Mpa5% 32 TEG 2X2μm 6.5nm M1 2X2μm 6.5nm M2
17 33 55k 05/46 125k 23/46 N Low-k: p-sioc M2 300k 38/46 2X2μm, 6.5nm 34 NLow-k: p-sioc NLow-k: p-msq PLow-k: p-sioc PLow-k: p-msq M1M2 p-msqp-sioc PNN
18 35 36
19 37 Ω Ω Ω P Cu
20 ( ( ( ICPT2010ADMETA2010,2011No. 6,7,9,12,15 40 Cup-n NaKM1M2MOS n+n-poly-si TEG CMPCu p-n
21 41 Low-k Low-k RO Low-k CMP MOS Low-k 208QFP Low-k BC BCWLP ROLow-k 3.2 MOS 3.3 QFP 3.4 WLP
22 43 Low-k p-sioc MSQ1 MSQ2 MSQ3 CVD MSQ MSQ MSQ - A B B Shrinkage Pore size (A/cm2) 1.E-02 1.E-03 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 1.E-09 1.E-10 1.E-11 1.E-12 Low-k 1 = 0.5 = P(D) (MV/cm) 1 p-sioc MSQ1 MSQ2 MSQ D () MSQ 44 as depo k k=0.26 k=0.4 k=0.4 CMP as depo k=0.44 CF4/Ar/N NH3 + H2/He CMP (A/cm2) kc-v E-02 1.E-03 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 1.E-09 1.E-10 1.E-11 1.E-12 p-sioc p-sioc (MV/cm)
23 45 ( ) 1.1 M1_11 _MSQ1 M1_11 _MSQ2(1) 1.0 M1_11 _MSQ2(2) M1_11 _MSQ Cap Low-k (kω) CuCap MSQ3MSQ125% CapMSQ1MSQ25% MSQ39% 46 C (pf/100mm) Cap MSQ1 MSQ2 MSQ R (kω/100mm) RC ( ) Cap MSQ1 MSQ2 MSQ3 Low-k (kω) RCLow-k RC
24 47 M2 / Low-k Via / Low-k M1 / Low-k FG MOS M1 MOS M1 M2 MOS M2 [nm] FG / p-sio FG Si sub (channel) MV/cm* : 30s MOS: L1.6 x W10 [μm] Vd = 0.1, Vs = Vsub = 0 [V] Id : 20 na Vg: MV/cm* : 30s 8 Id : 20 na Vg: 0 200V M2 200 V / 800 nm = 2.5 MV/cm
25 49 Id (A) 1E-05 1E-06 1E-07 1E-08 1E-09 1E-10 1E-11 1E-12 M2MOS : 20nA + Vth-Vth - Vth+Vth 1E Vg (V) Vth (V) M2 M1 FG MOS 6x4 FG M M V) FGM1MOS M2MSQp-SiOC
26 51 =250nmp-SiO=250nm=300nm =4p-SiO=4=3 E11/cm2 P-SiO MSQp-SiOC1/2 52 TEG Poly-Si MOS
27 53 FIM QFP 208pin 28mm 0.5mm 1.4mm 8.6mm 25410μm Low-k p-siocmsq1 BC1 54 = 11 = 5 V NMOS: μ μ poly-si: 30μm L X 1μm W MSQ1 p-sioc [%] [%] AL PKG AL PKG f [MHz] f R[kΩ] [MHz] QFPPKG6%
28 55 poly-si: 10μm L X 1μm W MSQ1 p-sioc [%] [%] AL PKG AL PKG R[kΩ] R[kΩ] QFPpoly-Si4% 56 BC
29 57 Si 58 Poly-Si
30 59 BC2 BC5 BC3 BC6 BC4 poly-si110μm TC BCWLPUF500 poly-si 60 NMOS BC2 BC5 BC3 BC6 BC4 NMOS Lg=0.5μmWg=10μm Id=10nAVd=3V BCWLPUF500 NMOS
31 61 UF UF TC5515min12515min IR Al / BC 62 μ μ μ φ φ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ
32 63 3 IR BC1 Si BC1 BC1 10 μm Cu BC2 50 μm SEM 50 um SEM BC2 BC1Cu 64 μ μ μ % BC
33 65 CuTi/BC(MPa) E3 (GPa) BC21 66 Low-k Low-kMOS 208QFPLow-k BC QFP6% poly-si BCWLP WLPBC
Microsoft PowerPoint - CH03中文
Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si
《哈佛考考你·智力》
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1 1 3 3 6 7 7 8 9 10 10 12 ( VSR) 16 19 19 21 22 22 22 23 23 23 23 23 24 27 27 28 29 29 30 31 31 32 32 32 33 34 41 41 42 44 44 44 47 48 48 48 49 50 51 52 52 54 54 58 58 59 60 61 61 62 63 64 64 64 65 65
06知识单元-集成运算放大电路
6 6 S060B a b c b c v 0 = v 0 = v 0 = v f v0 = v S060G v 0 v S060I V- = V + V N = V P I- =0I + = 0 I = 0 S060N V IO I IO v = 0 vo=0 A od VO = ( V V ) S060B A od I o = I I A od = r d = r od = - 46 - A od
-2 4 - cr 5 - 15 3 5 ph 6.5-8.5 () 450 mg/l 0.3 mg/l 0.1 mg/l 1.0 mg/l 1.0 mg/l () 0.002 mg/l 0.3 mg/l 250 mg/l 250 mg/l 1000 mg/l 1.0 mg/l 0.05 mg/l 0.05 mg/l 0.01 mg/l 0.001 mg/l 0.01 mg/l () 0.05 mg/l
tbjx0164ZW.PDF
F = k Q Q r F = k Q = k Q r r Q Q = Fr k = C 0 5 C 9 0 5 Q 0 3 n = = 9 = 65. 0 e 6. 0 4 3 A B 7 7 9 6 C D 7 7 F = k q 7q = k 7q r r q + 7q = 4q F = k 4q 4q = k 6q r r F = 6 F 7 7q q = 3q s c = t s c =
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Publishing House of Electronics Industry BEIJING :,,,,,, ( CIP) /. :, 2004. 2 ISBN 7-5053-9594-7... :. T N710 CIP ( 2004) 002543 : : : : 173 100036 : : 787980 1/ 16 :23 : 518 : 2004 2 1 : 5 000 :30. 00
正文封面.PDF
(1999 ) 1999 1 1 1999 12 31 1 38 2 38 3 38 4 38 5 38 6 38 7 38 8 38 9 38 10 38 11 38 12 38 13 38 14 38 15 38 16 38 1 2 17 38 3.6%2.16% 13.56%3.12% 10%6.25% 10%5.88% 10%3.70% 1.10% 12.50% 13.13% 12.13%
AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO
AL Si O OH 4 2 2 5 K AL Si O 2 3 8 2 3 8 2 3 8 Na AL Si O Ca AL Si O AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O 2 3 2 2 2 3 2 2 CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO 2 3 2
3 92 59235 89 5 60,00024,000 84,000 2028476 6
山 中 傳 奇 與 水 的 牽 絆 二 峰 圳 4 4 0 00 922 92 92002 60 2028476 3 92 59235 89 5 60,00024,000 84,000 2028476 6 86.6 679 58,800 4 220.4 970 23,800 69 58,800 69,733 4 23,800 252,478 69 76 6 925 4 7 5 970 38 50 25
网络分析仪
5. A 5-, N l, N Hl 5- MKS l N r N H A/m l 5-a 5- CGS r 0.4πN H l (Oe) 5-b (CGS )Oe, MKS 0 (Oe) A/m 0.4π 5-. 5- N A A dψ d( BAN) e dt dt A N A B 5- db NA (5-) dt d ψ / dt. 5- H B B µh dh NAµ dt in H l N
信号与系统 (Signal & system)
Signl & sysem xucb@cqup cqup.edu.cn 5-3- ...3.4.5 .......3 3 .. δ δ d δ 4 .. i K V CF u c i δ u c - 5 .. ϕ δ ϕ δ ϕ δ d ϕ ϕ δ ϕ δ ϕ δ d ϕ 6 .. e δ e δ δ δ δ 3δ δ π sin δ d 3 e δ d 3 δ d 5 4 7 .. 3 ϕ δ ϕ
开关电容电路讲义附图
2006 ( ) 1 (CCD) 2 Swithed--Capaitor Ciruits(SC) 3 Swithed--Current Ciruits(SI) ( ) CCD IIR 1972 1977 NMOS 1978 INTEL PCM MOS - 1 - 2.1 2.1.1 2.1.1 q ( t) = C v ( t) ( n 1)T φ S1 S2 v t) = v [( n 1) T
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
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,,,, : : (010 ) 84043279 13801081108 : (010 ) 64033424 E - mail: dd@ hep.com.cn : 55 : 100009 21, 21,,,,,, 8 EWB EDA, (CIP).,.:,2003.2 ISBN 7-04 - 011860-2......... - - - -. TM CIP (2003)000543 010-64054588
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, (15625 H z) : ;, ( ),,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, (),,, 17 17P - 23M, 1-1, 11.5V, 17.8V, 180V, 195V, 710 1 1-1, 20% (1214 s),,,,, (),, 1.,, ( ), 1-2 C,,,,,, B +, R1 R2, R1 R2 U1 U2, A U = U1 + U2 1-2,,,,,,,
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2008 2012 00 1 2008-2012 2 2007 --2010 ( ) 3 ... 6... 7... 7... 8... 9...10...10...10... 11... 11...12...12...13...13...14...14...14 1...14 2...16 3...16 4...17 5...18 6...19 7...20 8 PVC...22 9 PVC...24
国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 2014 年 总 结 2014 年, 普 通 高 校 党 的 建 设 在 国 家 改 革 开 放 不 断 深 化 的 大 背 景 下 取 得 了 一 系 列 伟 大 成 就 ; 国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 以 邓 小 平 理 论 三
目 录 国 际 教 育 学 院 学 生 党 建 工 作 2014 年 总 结... 1 国 际 教 育 学 院 学 生 党 员 发 展 工 作 2014 年 概 况... 4 国 际 教 育 学 院 2014 年 入 党 积 极 分 子 确 定 和 培 养 教 育 工 作 流 程... 5 一 党 课 总 体 计 划... 8 二 课 程 安 排... 10 三 授 课 教 师 简 介... 11
目 录 ( 一 ) 普 通 高 等 学 校 学 生 管 理 规 定 (1) 高 等 学 校 学 生 行 为 准 则 (14) 中 华 人 民 共 和 国 学 位 条 例 (16) 中 华 人 民 共 和 国 学 位 条 例 暂 行 实 施 办 法 (20) 学 生 伤 害 事 故 处 理 办 法 (29) ( 二 ) 华 南 理 工 大 学 全 日 制 本 科 学 生 学 分 制 教 学 管 理 实
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,, 19,, 1834,,,,, :,,,, , 1862, 1879 20 20,,,,??,,,,,,,,,,,, , ( ),,,,,,,, ( ),,,,,,,, 9 : (1 ) :,,,, , 91 95% (2 ) : ( ) - - -,, (3 ) : PN,, (4 ) : (5 ) : (6 ) : (7 ) (8 ) (9 ),,, :,,,,,,,, ;,, ,,,,,
校园之星
K K K Keration K K K K K K K K Kt GF K K ppm CO Fe Fe Mn Cu TiFeMnCr NiYU Fe Fe Smaragdos Al O Al O A Sio F OH Opal Zr SiO BaSO Fe O ph Na BOH H O FeMnAl MgFeSiAl
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理 CMP CMP CMP 了 Slurry 5~10 30~100 奈 nm 粒 1 ph 例 KOH NH 4 OH HNO 3 2 例 3 降 更 Repeatability CMP 力 CMP 來 CMP 來 粒 SiO 2 Al 2 O 3 CeO 2 來 例 金 金 料 CMP 金 了 量 CMP 20 CMP 700 m 3 CMP 1999 年 2000 年 4.088 x 10 8
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C D 1.1 0 1 0 1 2 ( 0 1 ) ( b i t s ) 0 1 1. 2. 0 1 3. ( ) 1-1 1-1 2 A B C A B C X Y 1.2 1.2.1 ( C D ) ( H D L ) H D L H D L J a v a C + + 1.2.2 C P U ( ) 1 3 1-2 C RT ( ) 1-2 ( C P U ) C P U C P U C P
06 14 > 1986 p2762 1979 S4470 893 894 1963 s s f( nl + s) = f( nl) + ( 1 + 2 ) + ( 1 + 2 ) 2l l 2 s 2 ( 1 2 ), 2l s( s l) 2 f( n + s) = f( n) + s+, 2 1 + 2 1 2 f( f + s)
地 理 志 鏡 止 煞, 來 達 到 安 宅 的 效 果 4. 門 神 符 紙 : 於 門 板 繪 製 門 神, 作 為 宅 第 的 守 護, 民 宅 所 使 用 的 門 神 題 材, 多 為 天 官 賜 福 或 文 武 官 員 符 紙 是 以 畫 了 符 咒 的 紙 懸 掛 室 內, 或 加 框
第 二 篇 - 人 文 地 理 ( 五 ) 民 宅 的 祈 福 辟 邪 物 臺 灣 早 期 移 民, 因 為 離 鄉 背 井, 對 於 新 環 境 的 陌 生, 以 及 生 存 的 不 容 易, 再 加 上 承 襲 閩 粵 地 區 的 習 慣, 所 以 住 屋 講 究 的 是 祈 福 辟 邪 除 了 建 屋 之 前 要 看 地 理 風 水, 在 建 屋 時 更 有 許 多 禁 忌 要 遵 守 另 外,
PID
F&B 100% PID 1 3 5 7 9 11 13 14 26 28 1.1. XMGA5000/XMGA6000 PID 4 2 1 3 PID 1.2. 1.2.1. 4 (AI) IN1(PV1) IN2(PV2) (XMGA6000) IN3(PV3) 010mA/420mA/05V/15V (OUT2) DI1 / ( ) PV1 (OUT2) DI1 ( )/ IN4 (RP) 010mA/420mA/05V/15V
Tokyo Tech Template
2.4GHz CMOS PA,,, 2010/07/21 Contents 1 Introduction 2 PA (Power Amplifier) 2.4GHz : WiMAX, WLAN, Bluetooth Introduction 3 Capacitive cross-coupling Self-biased cascode Schematic 4 Out V DD 2 : 1 V DD
Microsoft Word - 第三章第一節第二節.doc
原 臺 中 刑 務 所 典 獄 長 官 舍 第 三 章 臺 中 刑 務 所 典 獄 官 建 築 研 究 與 調 查 第 一 節 建 築 特 色 及 考 證 一 日 治 時 期 臺 灣 官 舍 建 築 特 色 分 析 - 以 臺 中 市 西 區 為 例 96 ( 一 ) 臺 灣 總 督 府 官 舍 制 度 日 治 初 期 臺 灣 總 督 府 為 從 日 本 內 地 招 募 各 種 官 吏 來 到 臺
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投 标 邀 请 书 一 招 标 单 位 : 广 东 白 云 城 市 酒 店 有 限 公 司 二 招 标 地 址 : 广 州 市 环 市 西 路 179 号 三 公 告 时 间 :2016 年 7 月 27 日 2016 年 8 月 1 日 四 工 程 名 称 : 广 东 白 云 城 市 酒 店 外 围 卫 生 清 洁 外 包 项 目 五 工 程 內 容 : 酒 店 外 围 区 域 卫 生 清 洁,
國立中山大學學位論文典藏.PDF
國 立 中 山 大 學 中 國 文 學 系 碩 士 論 文 漢 初 黄 老 學 說 的 經 世 觀 及 其 實 踐 研 究 生 : 楊 芳 華 撰 指 導 教 授 : 夏 長 樸 教 授 中 華 民 國 九 十 五 年 六 月 論 文 摘 要 黃 老 思 想 在 中 國 學 術 史 上 是 一 個 重 要 課 題, 也 在 漢 初 政 治 上 產 生 過 相 當 大 的 影 響, 漢 初 的 文 景
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Microsoft Word - Z8I11A0-102.doc
自 然 考 科 學 測 試 題 關 鍵 解 析 前 言 物 理 科 今 年 自 然 科 考 題 共 68 題, 其 中 物 理 科 占 了 17 題, 今 年 的 題 目 難 度 屬 中 偏 易, 考 題 分 配 十 分 平 均 由 於 是 新 課 綱 第 一 次 學 測, 所 以 新 的 內 容 大 致 上 均 入 題, 大 都 為 物 理 科 普 知 識 就 算 是 第 二 部 分 的 考 題,
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1 1 1 5 10 12 13 13 16 19 26 31 33 37 38 38 49 53 60 63 79 81 81 92 112 129 132 135 144 149 150 150 155 158 1 165 178 187 191 193 194 194 207 212 217 218 223 231 233 234 234 239 245 247 251 256 259 261
(CIP) ().: ISBN O4-44 CIP (2004)
( ) (CIP) ().:. 2004.11 ISBN 7-04 - 015565-6... - -.O4-44 CIP (2004)092157 010-64054588 4 800-810 - 0598 100011 http:www.hep.edu.cn 010-58581000 http:www.hep.com.cn 8501168 1 32 1 8.625 220 000 12.00,.
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中 国 太 平 洋 人 寿 保 险 股 份 有 限 公 司 世 纪 行 人 身 意 外 伤 害 保 险 (C 款 ) 条 款 太 平 洋 人 寿 [2013] 意 外 伤 害 保 险 062 号 阅 读 指 引 本... 阅 读 指 引 有 助 于 理 解 条 款, 对 本 合 同 内 容 的 解 释 以 条 款 为 准 您 拥 有 的 重 要 权 益 本 合 同 提 供 的 保 障 在 保 险 责
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团 学 要 闻 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 3 月 17 日, 我 校 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 在 行 政 办 公 楼 五 楼 会 议 室 举 行, 校 团 委 委 员 各 院 ( 系 ) 团 委 书 记 校 学 生
共 青 团 工 作 简 报 2011 年 第 1 期 共 青 团 大 连 海 洋 大 学 委 员 会 团 学 要 闻 : 导 读 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 我 校 在 大 连 市 大 学 生 创 新 创 意 作 品 大 赛 中 取 得 佳 绩 校 团 委 召 开 学 生 干 部 思 想 动 态 座 谈 会 校 团 委 组 织 开 展 弘 扬 雷 锋
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,, (CIP) /.:, 2006 ISBN 7-5629-2480-5... -. U415.6 CIP (2006) 160794 : ( 122 :430070 ) http: ww w.t ech book.com.cn E-mail: w u [email protected] : : :7871092 1/ 16 :12.25 :302 :2006 12 1 :2006 12 1 :12000
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射 频 与 数 模 混 合 类 高 速 PCB 设 计 课 题 内 容 理 清 功 能 方 框 图 网 表 导 入 PCB Layout 工 具 后 进 行 初 步 处 理 的 技 巧 射 频 PCB 布 局 与 数 模 混 合 类 PCB 布 局 无 线 终 端 PCB 常 用 HDI 工 艺 介 绍 信 号 完 整 性 (SI) 的 基 础 概 念 射 频 PCB 与 数 模 混 合 类 PCB
ο HOH 104 31 O H 0.9568 A 1 1 109 28 1.01A ο Q C D t z = ρ z 1 1 z t D z z z t Qz = 1 2 z D z 2 2 Cl HCO SO CO 3 4 3 3 4 HCO SO 2 3 65 2 1 F0. 005H SiO0. 032M 0. 38 T4 9 ( K + Na) Ca 6 0 2 7 27 1-9
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投影片 1
中 國 文 學 學 與 教 系 列 照 顧 學 生 的 多 樣 性 教 學 經 驗 分 享 會 與 教 系 列 照 顧 學 生 的 多 樣 性 地 利 亞 修 女 紀 念 學 校 ( 協 和 ) 李 浩 芝 老 師 教 學 經 驗 分 享 會 1 學 校 背 景 直 資 學 校 只 收 新 移 民 全 年 收 生 2 中 三 推 介 困 難 : 欠 缺 興 趣, 認 為 與 日 常 生 活 無 關
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关于硕士专业学位授权审核工作的通知
2013 年 增 列 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 申 请 表 硕 士 专 业 学 位 类 别 ( 工 程 领 域 ): 法 律 硕 士 申 报 单 位 名 称 : 燕 山 大 学 国 务 院 学 位 委 员 会 办 公 室 制 表 2013 年 12 月 30 日 填 一 申 请 增 列 法 律 硕 士 专 业 学 位 授 权 点 论 证 报 告 ( 一 ) 法 律 硕 士 专 业 人 才
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五 扬 州 大 学 2013 年 硕 士 研 究 生 招 生 学 科 专 业 类 别 及 领 域 主 要 参 考 书 目 ( 一 ) 学 术 型 硕 士 研 究 生 001 社 会 发 展 学 院 010101 马 克 思 主 义 哲 学 : 马 克 思 主 义 哲 学 原 理 ( 上 下 ) 肖 前 等 主 编, 中 国 人 民 大 学 出 版 社 ; 当 代 中 国 马 克 思 主 义 哲 学
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菩 提 道 次 第 一 三 九 雪 歌 仁 波 切 講 授 法 炬 法 師 翻 譯 2009/03/01 我 們 聞 思 大 乘 法, 主 要 為 生 起 菩 提 心 學 習 菩 薩 行 故, 因 此 特 別 聞 思 至 尊 仁 波 切 ( 宗 喀 巴 大 師 ) 撰 著 的 道 次 第 論, 所 聞 之 法 是 大 乘 法, 主 要 目 的 是 發 起 菩 提 心 及 學 習 菩 薩 行 所 以,
014315 市 立 永 平 高 中 無 填 報 無 填 報 (02)22319670 014322 市 立 樹 林 高 中 已 填 報 已 填 報 (02)86852011 014326 市 立 明 德 高 中 已 填 報 (02)26723302 014332 市 立 秀 峰 高 中 已 填 報
加 總 - 人 數 每 位 填 報 人 只 能 填 一 種 學 制 欄 標 籤 列 標 籤 高 級 中 學 進 修 學 校 010301 國 立 華 僑 高 級 中 等 學 校 無 填 報 已 填 報 (02)29684131 011301 私 立 淡 江 高 中 無 填 報 已 填 報 (02)26203850 011302 私 立 康 橋 高 中 已 填 報 (02)22166000 011306
2. 禁 止 母 乳 代 用 品 之 促 銷 活 動, 以 及 不 得 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴 認 證 說 明 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴, 並 在 婦 產 科 門 診 兒 科 門 診 產
104 年 母 嬰 親 善 醫 療 院 所 認 證 基 準 及 評 分 說 明 ( 調 整 對 照 表 ) 認 證 說 明 措 施 一 : 明 訂 及 公 告 明 確 的 支 持 哺 餵 母 乳 政 策 (8 分 ) ( 一 ) 醫 療 院 所 成 立 母 嬰 親 善 推 動 委 員 會, 由 副 院 長 級 以 上 人 員 擔 任 主 任 委 員, 並 定 期 召 開 會 議, 評 估 醫 療 院
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递, 激 素 神 经 递 质 药 物 需 通 过 细 胞 膜 外 表 面 上 的 相 应 受 体 的 作 用 细 胞 壁 植 物 细 胞 所 特 有 细 胞 器 内 质 网 : 膜 性 管 道 系 统, 核 糖 体 附 着 于 粗 面 内 质 网 上, 滑 面 内 质 网 高 尔 基 复 合 体 :
前 言 这 门 课 要 讲 的 内 容 学 什 么? 这 门 课 的 重 要 性 有 什 么 用 处? 1 与 我 们 的 专 业 密 切 相 关 2 与 我 们 的 生 活 息 息 相 关 学 习 方 法 怎 样 学? 1 理 论 联 系 实 际 2 局 部 与 整 体 的 关 系 生 命 系 统 的 层 次 : 生 物 圈 : 地 球 上 有 生 命 存 在 的 环 境 的 总 和 地 球 表
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( OH ) Cd ( OH ) NiOOH + Cd + H O Ni + ( OH ) + Cd ( OH ) NiOOH + Cd O Ni + H O H O 1/48 H ( ) M NiOOH + MH Ni OH + ( OH ) + M NiOOH MH Ni + /48 3/48 4/48 4 6 8 5.6KΩ±1% 1/ 4W L N C7 1nF/50V F1 T.5A/50V