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摸纷童
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MSP430F2 系列 16 位超低功耗单片机模块原理第 5 章 Flash 块控制器版本 : 1.3 日期 : 2007.6. 原文 : TI MSP430x2xxfamily.pdf 翻译 : 余川编辑 : DC 微控技术论坛版主注 : 以下文章是翻译 TI MSP430x2xxfamily.

1 MSP430F2 系列 16 位超低功耗单片机模块原理第 5 章 Flash 块控制器版本 : 1.3 日期 : 原文 : TI MSP430x2xxfamily.pdf 翻译 : 余川编辑 : DC 微控技术论坛版主注 : 以下文章是翻译 TI MSP430x2xxfamily.pdf 文件中的部分内容由于我们翻译水平有限, 有整理过程中难免有所不足或错误 ; 所以以下内容只供参考. 一切以原文为准详情请密切留意微控技术论坛第五章 Flash 存储控制器本章介绍了 MSP430x2xx 系列单片机 Flash 存储控制器的操作 5.1 Flash 存储器的介绍 Page 1 of 18

2 5.2 Flash 存储器的分段结构 5.3 Flash 存储器的操作 5.4 Flash 存储器的控制寄存器 5.1 Flash 存储器的介绍 MSP430 的 Flash 存储器是可位 / 字节 / 字寻址和编程的存储器该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作控制器包括三个寄存器, 一个时序发生器及一个提供编程 / 擦除电压的电压发生器 MSP430 的 Flash 存储器的特点有 : 产生内部编程电压可位 / 字节 / 字编程超低功耗操作支持段擦除和多段模块擦除 Flash 存储器和控制器的结构框图如图 5 1 所示注意 :Flash 写入和擦除操作期间的最小电压值 V CC 应为 2.2V 如果在操作期间 V CC 低于 2.2V, 写入或擦除的结果将是不确定的图 5 1 Flash 存储器框图 Page 2 of 18

3 5.2 Flash 存储器的分段结构 MSP430 Flash 存储器分成多个段可对其进行单个位 / 字节 / 字的写入, 但是最小的擦除单位是段 Flash 存储器分为主存储器和信息存储器两部分, 在操作上两者没有什么区别, 程序代码和数据可以存储于任意部分两部分的区别在于段的大小和物理地址信息存储器有四个 64 字节的段, 主存储器有两个或更多的 512 字节的段不同的芯片可参见各自数据手册的整体存储空间图每一段又进一步划分为 64 字节的块, 起始地址分别为 0xx00h,0xx40h,0xx80h,0xxC0h, 结束地址分别为 0xx3Fh,0xx7Fh,0xxBFh,0xxFFh 图 5 2 Flash 存储器分段 ( 以 4KB 为例 ) Segment A 信息存储器中的 Segment A 可以通过 LOCKA 位的设置进行锁定, 从而与其他段的操作区分开当 LOCKA=1 时,Segment A 不能写入或擦除, 其他的信息存储器在整个模块擦除时被保护起来当 LOCKA=0 时,Segment A 可以像其他 Flash 存储器一样进行擦除和写入的操作, 同时其他的信息存储器在整个模块擦除时擦除 Segment B,C,D 在段擦除时均能被擦除, 与 LOCKA 位的状态无关当 LOCKA 写入为 1 时,LOCKA 的状态发生翻转 ( 即如果 LOCKA 原来为 1, 对它写入 1 则变为 0; 如果 LOCKA 原来为 0, 对它写 1 则它变为 1); 当 LOCKA 写入为 0 时,LOCKA 的状态不受影响这样就能实现当前 flash 编程程序的固定 Page 3 of 18

4 ; 解锁 SegmentA 子程序 BIT #LOCKA,&FCTL3 ; 测试 LOCKA 位, 判断是否锁定 Segment A JZ SEGA_UNLOCKED ; 解锁了吗? MOV #FWKEY+LOCKA,&FCTL3 ; 没有, 解锁 SEGA_UNLOCKED ; 是的, 已经解锁了, 继续 ; 锁定 SegmentA 子程序 BIT #LOCKA,&FCTL3 ; 测试 LOCKA 位, 锁定 Segment A 了吗 JNZ SEGALOCKED ; 锁定 Segment A 了吗 MOV #FWKEY+LOCKA,&FCTL3 ; 没有, 锁定 Segment A SEGA_LOCKED ; 锁定了, 继续执行 5.3 Flash 存储器的操作 Flash 存储器的默认工作模式是读模式, 在该模式下, 存储器无法进行擦除和写入操作, 同时时序发生器和电压发生器关闭此时的操作与 ROM 的操作类似 MSP430 Flash 存储器能在没有外加电压的条件下实现在系统编程 (ISP),CPU 能对它自带的 Flash 进行编程 Flash 存储器的写入 / 擦除模式通过 BLKWRT,WRT,MERAS 和 ERASE 位选择, 能完成 : 单字节 / 单字写入块写入段擦除多段擦除 ( 针对所有主存储器的段 ) 整体擦除 ( 针对所有段 ) 在编程或擦除期间禁止对 Flash 存储器进行读或写操作在写入或擦除是需要用到的 CPU 程序应该在 RAM 中运行对 Flash 的任何更新都开始于 Flash 存储器或 RAM 中 Flash 存储器的时序发生器时序发生器用于控制 Flash 存储器的编程和擦除操作, 如图 5 3 所示时序发生器的输入频率 f FTG 必须在 257 khz 到 476 khz 内 ( 请参看详细的芯片数据手册 ) 图 5 3 时序发生器框图 Flash 时序发生器时钟源的选择 : 时序发生器可以选择 3 个时钟源之一 :ACLK,SMCLK 或 MCLK 选择的时钟信号可通过 FNx 位的进行分频以适应时序发生器输入频率 f FTG 的要求如果在写入或擦除操作过程中,f FTG 不符合要求, 写入或擦除的结果将不确定, 或者 Flash 被迫工作于正常工作状态的边缘 ( 即只要再超过一点就是非正常操作状态了, 也可以翻译为 : 被迫工作于临界状态 ) 如果在写入或擦除操作过程中检测到时钟信号失效, 操作将终止, 置位 FAIL 标志位, 操作 Page 4 of 18

5 的结果将不确定当写入或擦除操作启动了时钟源的选择, 不会在 MSP430 进入低功耗模式时无效, 将一直保持到写入或擦除操作完成 Flash 存储器的擦除 Flash 存储器各位的缺省值为 1, 每一位都可以单独的编程为 0, 但只有擦除操作才能将它恢复成 1 擦除操作的最小单位是段通过 ERASE 和 MERAS 位的设置可选择 3 种擦除模式, 如表 5-1 所示表 5-1 擦除模式 MERAS ERASE 擦除模式 0 1 段擦除 1 0 多段擦除 ( 所有主存储器的段 ) 1 1 整体擦除 (LOCKA=0 时, 擦除所有主存储器和信息存储器的段 ; 主存储器的段只当 LOCKA=0 时可以擦除 ) 任何擦除操作开始于对擦除的地址范围内任意位置作一次空写入空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作, 如图 5-4 所示为擦除周期在空写入操作之后,BUSY 位立即置位, 并保持到擦除周期结束 BUSY,MERAS 和 ERASE 位在擦除周期结束后自动复位 MSP430Fx2xx 系列芯片的擦除周期均相等, 与片内 Flash 存储器的数量无关图 5-4 Flash 存储器擦除周期如果空写入操作的地址在不能执行擦除操作的段地址范围内, 则写入操作不起作用, 对 Flash 存储器无影响, 也不会有任何标志指示这一状态, 错误的空写入将被忽略从 Flash 存储器启动的擦除操作 : 任何擦除周期可以从片内 Flash 存储器或 RAM 存储器开始, 如果段擦除操作开始于片内 Flash 存储器内, 所有的定时都由 Flash 控制器控制,CPU 在擦除周期结束前将停止运行, 状态保持不变在擦除周期结束后,CPU 将重新按照空写入之后的规定执行程序代码开始于 Flash 存储器内的段擦除操作, 同样可以把擦除之后要执行的程序代码清除掉, 一旦发生这样的情况,CPU 在擦除周期之后的操作将不确定由 Flash 存储器启动擦除操作流程如图 5-5 所示 Page 5 of 18

6 图 5-5 Flash 存储器启动擦除操作流程 ; 从 Flash 存储器启动擦除操作,514 khz < SMCLK < 952 khz ; 假设 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0 MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; 停止看门狗 WDT MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ;SMCLK/2 MOV #FWKEY,&FCTL3 ; 清除 LOCK 位 MOV #FWKEY+ERASE,&FCTL1 ; 使能段操作 CLR &0FC10h ; 空写入, 清除 S1 MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3 ; 空写入完成后, 置位 LOCK ; 重新使能看门狗 WDT 从 RAM 存储器初始化的擦除操作 : 任何擦除周期可以从 RAM 存储器开始, 在这种情况下,CPU 不会停止运行, 能继续的执行 RAM 存储器中的程序代码在 CPU 可以重新访问任何 Flash 地址前, 必须查询 BUSY 位位以判断擦除周期的结束如果进入 Flash 地址发生在 BUSY=1 时, 这个进入操作是非法的,ACCVIFG( 非法访问中断标志 ) 置位, 擦除结果将不确定由 RAM 存储器启动擦除操作流程如图 5-6 所示 Page 6 of 18

7 图 5-6 RAM 存储器启动擦除操作流程 ; 从 RAM 存储器启动擦除操作,514 khz < SMCLK < 952 khz ; 假设 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0 MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; 停止看门狗 WDT L1 BIT #BUSY,&FCTL3 ; 测试 BUSY 位 JNZ L1 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L1 MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ;SMCLK/2 MOV #FWKEY,&FCTL3 ; 清除 LOCK 位 MOV #FWKEY+ERASE,&FCTL1 ; 使能擦除功能 CLR &0FC10h ; 空写入, 清除 S1 L2 BIT #BUSY,&FCTL3 ; 测试 BUSY 位 JNZ L2 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L2 MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3 ; 空写入完成后, 置位 LOCK ; 重新使能看门狗 WDT Flash 存储器的写入写入模式由 WRT 和 BLKWRT 位进行设置, 如表 5-2 所示表 5-2 写入模式 BLKWRT WRT 写入模式 0 1 单字节 / 单字写入 1 1 块写入 Page 7 of 18

所有的写入模式使用一系列特有的写入命令, 采用块写入的速度大约是单字节 / 单字写入的 2 倍, 因为电压发生器在块写入完成期间均能保持对于这两种写入模式, 任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址一个 Flash 字 ( 低 + 高字节 ) 不能在擦除期间进行两次以上的写入否则,FLASH 可能被损坏当启动写入操作时 BUSY 位置位, 写入结束时复位如果写入操作由 RAM

8 所有的写入模式使用一系列特有的写入命令, 采用块写入的速度大约是单字节 / 单字写入的 2 倍, 因为电压发生器在块写入完成期间均能保持对于这两种写入模式, 任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址一个 Flash 字 ( 低 + 高字节 ) 不能在擦除期间进行两次以上的写入否则,FLASH 可能被损坏当启动写入操作时 BUSY 位置位, 写入结束时复位如果写入操作由 RAM 存储器启动, 当 BUSY=1 时 CPU 无法进入 Flash 否则, 非法进入将产生,ACCVIFG( 非法访问中断标志 ) 置位, 写入结果将不确定单字节 / 单字写入单字节 / 单字写入可以在片内 Flash 存储器或 RAM 存储器执行, 如果段擦除操作开始于 Flash 存储器内, 所有的定时都由 Flash 控制器控制,CPU 在写入结束前将停止运行, 状态保持不变在写入结束后,CPU 将重新按照写入之后的规定执行程序代码单子节 / 单字写入时间周期如图 5-7 所示图 5-7 单字节 / 单字写入周期当是从 RAM 存储器启动时, CPU 能继续的执行 RAM 存储器中的程序代码在 CPU 可以重新进入任何 Flash 地址前,BUSY 位必须复位否则这个进入操作是非法的,ACCVIFG( 非法访问中断标志 ) 置位, 写入结果将不确定在单字节 / 单字写入模式下, 内部产生的编程电压在整个 64-byte 的块编程时间段内都供电, 每次写一个字节或字, 每次需要写 27 个 f FTG 周期 ( 见图 5-7, 即写一个字或字节需要 30 个周期, 其中只有中间 27 个是编程周期, 头尾 3 个是电压产生和消除周期 ; 一个段 (segment) 有 256 个字节, 分为 4 个块, 每块 64 字节, 所以它说加电加在 64byte 的块 ) 在每个字或字节写入时, 编程电压所加载那一块 (block) 的时间一直在累加累加时间 t CPT, 不能超过任何一块所允许的编程总时间如果累加编程时间到了, 块必须在对该块的写操作之前执行擦除操作 ( 请参看详细的芯片数据手册 ) 从 Flash 存储器启动单字节 / 单字写入 : 从 Flash 存储器启动单字节 / 单字写入的操作流程如图 5-8 所示 Page 8 of 18

9 图 5-8 Flash 存储器启动单字节 / 单字写入流程 ; 由 Flash 启动单字节 / 单字写入,514 khz < SMCLK < 952 khz ; 假设地址 0FF1Eh 已经擦除 ; 假设 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0 MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; 停止看门狗 WDT MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ;SMCLK/2 MOV #FWKEY,&FCTL3 ; 清除 LOCK 位 MOV #FWKEY+WRT,&FCTL1 ; 使能写入功能 MOV #0123h,&0FF1Eh ;0123h > 0FF1Eh MOV #FWKEY,&FCTL1 ; 完成后清除 WRT 位 MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3 ; 置位 LOCK 位. ; 重新使能看门狗 WDT 从 RAM 存储器启动单字节 / 单字写入 : 从 RAM 存储器启动单字节 / 单字写入的操作流程如图 5-9 所示 Page 9 of 18

10 图 5-9 RAM 存储器启动单字节 / 单字写入流程 ; 从 RAM 存储器启动单字节 / 单字写入的操作,514 khz < SMCLK < 952 khz ; 假设地址 0FF1Eh 已经擦除 ; 假设 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0. MOV # WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; 停止看门狗 WDT L1 BIT # BUSY,&FCTL3 ; 测试 BUSY 位 JNZ L1 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L1 MOV # FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ;SMCLK/2 MOV # FWKEY,&FCTL3 ; 清除 LOCK 位 MOV # FWKEY+WRT,&FCTL1 ; 使能写入功能 MOV # 0123h,&0FF1Eh ;0123h > 0FF1Eh L2 BIT # BUSY,&FCTL3 ; 测试 BUSY 位 JNZ L2 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L2 MOV # FWKEY,&FCTL1 ; 清除 WRT 位 MOV # FWKEY+LOCK,&FCTL3 ; 置位 LOCK ; 重新使能看门狗 WDT 块写入当有连续的字节或字需要进行编程时, 块写入的方式能提高 Flash 写入的速度在对 64 字节的块进行写入操作的过程中,Flash 编程电压将会一直保持累加时间 t CPT, 不能超过该块所允许的编程总时间块写入周期不能在片内 Flash 中开始, 必须从 RAM 存储器开始在块写入期间,BUSY 位保 Page 10 of 18

11 持置位, 在写入每个字节或字之间需要检测 WAIT 位的值, 如果 WAIT 位置位表明下一个字节或字可以写入了对连续的块进行写操作时, 在当前块写入完成时,BLKWRT 位必须复位在 FLAHS 的恢复时间 tend 之后,BLKWRT 必须置位以初始化下块的写操作 BUSY 位在每个块写入操作完成时清零, 以指示下一个块可以写入了块写入时间周期如图 5-10 所示. 图 5-10 Flash 存储器块写入周期块写入流程及举例块写入流程如图 5-11 所示, 下面为应用举例 Page 11 of 18

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13 图 5-11 Flash 存储器块写入流程 ; 写入一个其实地址为 0F000h 的块. ; 必须由 RAM 存储器启动执行, 假设 Flash 存储器已经擦除 ;514 khz < SMCLK < 952 khz ; 假设 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0 MOV #32,R5 ; 作为写入计数器 MOV #0F000h,R6 ; 写操作数指针 MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; 停止看门狗 WDT L1 BIT #BUSY,&FCTL3 ; 测试 BUSY 位 JNZ L1 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L1 MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ;SMCLK/2 MOV #FWKEY,&FCTL3 ; 清除 LOCK 位 MOV #FWKEY+BLKWRT+WRT,&FCTL1 ; 使能块写入功能 L2 MOV Write_Value,0(R6) ; 写入地址 L3 BIT #WAIT,&FCTL3 ; 测试 WAIT 位 JZ L3 ; 当 WAIT=0 时, 循环执行 L3 INCD R6 ; 指向下一个字 DEC R5 ; 计数器减 1 JNZ L2 ; 写入是否完成? 没有则循环执行 L2 MOV #FWKEY,&FCTL1 ; 清除 WRT 和 BLKWRT 位 L4 BIT #BUSY,&FCTL3 ; 测持 BUSY 位 JNZ L4 ;BUSY=1, 即忙, 则循环执行 L4 MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3 ;LOCK 置位 ; 需要的话, 重新使能看门狗 WDT 写入 / 擦除期间的 Flash 存储器访问在由 RAM 存储器启动的任意写入 / 除操或 BUSY=1 时,CPU 不能读 / 写 Flash 否则, 将产生一个非法进入,ACCVIFG( 非法访问中断标志 ) 置位, 写入结果将不确定当然, 如果在 WRT=0 时对 Flash 进行写入,ACCVIFG( 非法访问中断标志 ) 同样产生置位 Flash 存储器不受影响在由 Flash 存储器启动的任意写入 / 除操或 BUSY=1 时,Flash 控制器将在取出下一个指令时给 CPU 返回操作代码 03FFFh, 相当于指令 JMP PC, 这就会使 CPU 循环执行, 直到 Flash 写入操作完成在操作完成且 BUSY=0 时,Flash 控制器允许 CPU 取出正确的操作代码并重新运行程序在 BUSY=1 时, 对 Flash 的访问条件如表 5-3 所示表 5-3 Flash 的访问条件 (BUSY=1) Flash 的操作 Flash 访问 WAIT 位取值结果读 0 ACCVIFG=0, 读出结果为 03FFFh 擦除或单字节 / 单字写 0 ACCVIFG=1, 写操作被忽略写入 ACCVIFG=0,CPU 读取 03FFFh, 相取指令 0 当于指令 JMP PC 任意操作 0 ACCVIFG=1,LOCK=1 块写入读 1 ACCVIFG=0, 读出结果为 03FFFh 写 1 ACCVIFG=0,Flash 执行写操作取指令 1 ACCVIFG=1,LOCK=1 当 EEI=0,EEIEX=0 时,Flash 操作期间中断功能自动无效 ; 在 MSP430x20xx 系列没有 EEI 和 Page 13 of 18

14 EEIEX 位的芯片也同样适用 Flash 操作结束后, 中断功能自动重新使能在操作期间发生的中断将相应标志位置位, 在重新使能后产生中断请求当 EEIEX = 1,GIE = 1 时, 中断将立即停止 Flash 的操作, 并置位 FAIL 位当 EEI=1,GIE=1,EEIEX=0 时, 每 32 个 f FTG 周期段擦除将产生一个中断, 在中断服务之后, 段擦除将继续执行 32 个 f FTG 周期, 直至擦除结束在中断服务程序执行时,BUSY 保持置位, 但是 CPU 可访问 Flash 存储器而不发生非法进入不支持嵌套中断在擦除周期之前, 看门狗 ( 工作于看门狗模式 ) 要停止工作复位将停止擦除操作, 使擦除结果不确定在擦除周期结束之后, 要重新使能看门狗停止写入 / 擦除周期置位 EMEX( 紧急退出位 ) 位, 任意的写入 / 擦除操作均可以在正常结束前被停止设置 EMEX 位能立即停止当前操作和 Flash 控制器所有 Flash 操作停止, 恢复到默认状态读模式,FCTL1 寄存器将全部复位预计操作的结果将不可靠 Flash 存储控制寄存器设置和访问 FCTLx 是一个 16 位, 有安全键值保护, 可读 / 写的寄存器必须用字指令访问, 写操作还需在高字节加入安全键值 0A5h 键值出错将使 KEYV 置位并产生 PUC( 上电清除信号 ) 系统复位对 FCTLx 的读出需在高字节加入安全键值 096h 在擦除或单字节 / 单字写入操作期间对 FCTL1 进行写操作是非法的, 将使 ACCVIFG 置位在块写入模式下, 当 WAIT=1 时, 允许写 FCTL1; 但如果 WAIT=0 将置位 ACCVIFG 当 BUSY=1 时, 对 FCTL2 的写入是非法的对 FCTLx 的读操作要在 BUSY=1 是进行, 否则将产生非法操作 Flash 存储控制寄存器中断 Flash 控制器有两个中断源 :KEYV 和 ACCVIFG 发生非法操作时 ACCVIFG 位置位, 在写入或擦除操作之后重新置位 ACCVIE 位, 此时 ACCVIFG 位的置位将产生一个中断请求 ACCVIFG 是 NMI( 非屏蔽中断 ), 所以不受 GIE 是否置位的影响需进行软件检测 ACCVIFG, 确认是否有非法操作发生 ACCVIFG 得由软件复位当写入错误键值时,KEYV 位 ( 安全键值错位 ) 置位, 同时立即产生 PUC( 上电清除信号 ) 使系统复位 Flash 存储器的编程对 MSP430 Flash 型单片机有三种编程方式的选择所有方式都支持在线编程通过 JTAG 接口编程通过引导加载程序编程通过自定义方式编程通过 JTAG 接口编程 MSP430 单片机可以通过 JTAG 接口进行编程 JTAG 接口需要四根信号线 ( 在 20 或 28 引脚芯片上需要 5 根信号线 ), 地线,VCC 和 RST/NMI JTAG 接口由熔丝进行保护, 熔丝的激活是不可逆的, 一旦激活就不能再访问片内系统详细情况请参看上的使用报告中的 Programminga Flash-Based MSP430 Using the JTAG Interface 一文通过引导加载程序 (Bootstrap Loader,BSL) 编程 MSP430 Flash 型单片机均包含一个引导装入程序,BSL 使用户能通过 UART 串行接口对 Flash 存储器和 RAM 存储器进行编程通过 BSL 访问 Flash 存储器由 256 位, 用户自定义的口令进行保护详细情况请参看上的使用报告中的 Features of the MSP430 Bootstrap Loader 一文 Page 14 of 18

15 通过自定义方式编程 MSP430 CPU 对 Flash 存储器的在线和外部用户自定义写入方式如图 5-12 所示, 用户可以选择通过 UART, SPI 等方式进行编程用户自行开发的软件也可以接收数据或对 Flash 存储器编程, 从而能方便的进行编程, 擦除, 更新 Flash 存储器的应用图 5-12 用户自定义编程方式 5.4 Flash 存储器控制寄存器 Flash 存储器控制寄存器如所示表 5-4 Flash 存储器控制寄存器一览表寄存器简称寄存器类型地址初始值 (PUC 后 ) Flash memory control register 1 FCTL1 可读 / 写 0128h 09600h Flash memory control register 2 FCTL2 可读 / 写 012Ah 09642h Flash memory control register 3 FCTL3 可读 / 写 012Ch 09658h Interrupt Enable 1 IE1 可读 / 写 0000h Reset Flash 存储器控制寄存器 FCTL BLKWRT WRT 保留 EEIEX + EEI + MERAS ERASE 保留 096h ( 读 ) rw-0 rw-0 r0 rw-0 rw-0 rw-0 rw-0 r0 0A5h ( 写 ) 注 : 在 MSP430x20xx 系列中无 b15-8: FRKEY/FWKEY,FCTLx 安全键值读操作为 096h, 写操作为 0A5h, 写入错误将产生 PUC b7: BLKWRT, 块写入模式选择位在写模式下 WRT 也必须置位,EMEX 置位时,WRT 将自动复位 0: 块写入模式关闭 1: 块写入模式开启 Page 15 of 18

16 b6/b0 b5 b4 b3 b2 b1 WRT, 写模式选择位此位是用于选择写模式的 EMEX 置位时,WRT 将自动复位 0: 写入模式关闭 1: 写入模式开启 Reserved, 保留位值为 0 EEIEX, 紧急中断退出使能通过设置此位, 能在 GIE = 1 时, 产生紧急中断, 从而跳出 Flash 的操作 EMEX 置位后, EEIEX 自动复位 0: 无作用 1: 中断使能 EEI, 擦除中断使能设置此位则允许段擦除产生中断请求, 中断服务结束之后擦除周期继续进行 EMEX 置位后,EEI 自动复位 0: 无作用 1: 使能段擦除中断 MERAS, 集中擦除 ERASE, 擦除这两位同时用于选择擦除模式 EMEX 置位后,MERAS 和 ERASE 将自动复位 MERAS ERASE 擦除周期 0 0 无擦除 0 1 只进行单段的擦除 1 0 擦除所有的主存储器段 1 1 LOCKA=0 时, 擦除所有主存储器和信息存储器段 LOCKA=1 时, 擦除所有主存储器 Flash 存储器控制寄存器 FCTL FSSELx FNx 096h ( 读 ) rw-0 rw-1 rw-0 rw-0 rw-0 rw-0 rw-1 rw-0 0A5h ( 写 ) b15-8: b7-6: B5-0: FWKEYx,FCTLx 安全键值读操作为 096h, 写操作为 0A5h, 写入错误将产生 PUC FSSELx, 时钟源选择位 00 ACLK 01 MCLK 10/11 SMCLK FNx, 定义时钟源信号的分频因子为 FNx 值加 1 例如:FNx=00h, 分频因子为 1; 当 FNx=03Fh, 分频因子为 64 Flash 存储器控制寄存器 FCTL FAIL LOCKA EMEX LOCK WAIT ACCVIFG KEYV BUSY 096h ( 读 ) r(w)-0 r(w)-1 rw-0 rw-1 r-1 rw-0 rw-(0 ) r (w)-0 0A5h ( 写 ) Page 16 of 18

17 b15-8: FWKEYx,FCTLx 安全键值读操作为 096h, 写操作为 0A5h, 写入错误将产生 PUC b7: FAIL, 操作失败在时序发生器输入时钟失效或者 Flash 操作停止时 (EEIEX=1) 该位置位, 需用软件复位 0 操作成功 1 操作失败 b6: LOCKA,Segment A 封锁键输入 1 值改变状态, 输入 0 值无影响 0 Segment A 未封锁, 在集中擦除操作时, 所有信息存储器均被擦除 1 Segment A 封锁, 在集中擦除操作时, 所有信息存储器均被保护起来 b5: EMEX, 紧急退出键 0 无作用 1 产生紧急退出 b4: LOCK, 封锁键在写入和擦除操作时, 不对 Flash 存储器进行封锁 LOCK 位可以在单字节 / 单字写入或擦除操作的任意时刻置位, 且不影响操作的正常进行在块写入模式中, 如果 BLKWRT=WAIT=1 时 LOCK 位置位,BLKWRT 和 WAIT 位将复位, 但操作仍正常进行 0 未封锁 1 封锁 b3: WAIT, 等待键用于指示 Flash 存储器可以进行写入操作 0 Flash 存储器未做好准备进行下一次单字节 / 单字的写入操作 1 Flash 存储器已做好准备进行下一次单字节 / 单字的写入操作 b2: ACCVIFG, 非法访问中断标志必须用软件清除 0 无待处理的中断 1 有待处理的中断 b1: KEYV, 安全键值错该位用于指示写入 FCTLx 的安全键值错误, 同时产生 PUC KEYV 必须用软件复位 0 FCTLx 的安全键值正确 1 FCTLx 的安全键值错误 b0: BUSY 该位用于指示 Flash 时序发生器的状态 0 不忙 1 忙中断使能寄存器 IE ACCVIE rw-0 b7-6,b4-0 b5 这些位用于其他模块, 请参看具体的芯片数据手册 Flash 存储器非法访问中断使能位该位用于使能 ACCVIFG 建议使用在设置和清除该位时用指令:BIS.B 或 BIC.B, Page 17 of 18

18 优于使用 MOV.B 或 CLR.B MSP430F22x4 评估板专业提供 MSP430 单片机开发工具 Page 18 of 18

MSP430x11x1 T A -40 ~ SOWB 20 TSSOP (DW) (PW) MSP430F110IDW MSP430F110IPW MSP430F112IDW MSP430F112IPW + F11x 30kΩ

MSP430x11x1 T A -40 ~ SOWB 20 TSSOP (DW) (PW) MSP430F110IDW MSP430F110IPW MSP430F112IDW MSP430F112IPW + F11x 30kΩ MSP430F11x 1.8-3.6V 1.6uA@4KHz 200uA@1MHz 2.2V 5 ( 0.8uA RAM 0.1uA) 6us 16 RISC 125nS 32KHz / 16 A/D MSP430F110 1KB+128B 128B RAM MSP430F112 4KB+256B 256B RAM 20 (SOWB) 20 (TSSOP) MSP430 16 RISC CPU 16