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阳侈钱
5 years ago
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1 南亞科技 March 15~17, 2011 Bank of America Merrill Lynch Taiwan, Technology & Beyond Conference

2 台塑集團成員之一 FATC* (IC assembly & testing) Formosa Chem. & Fiber Nanya Tech (DRAM & Memory Foundry) Nan Ya PCB Formosa Plastics (PCB+Substrate) FST** (Polished & Annealed Wafer) Nan Ya Plastics Formosa Petrochemical Formosa Plastics Group * FATC = Formosa Advanced Technology Co. ** FST = Formosa Sumco Technology January

台塑集團 (2009 年財務資訊 ) 台灣最大的多角化集團企業成立於 1954 年員工人數 :95,535 人 2009 年度營收 : 美金 550.

3 台塑集團 (2009 年財務資訊 ) 台灣最大的多角化集團企業成立於 1954 年員工人數 :95,535 人 2009 年度營收 : 美金億元單位 : 美金仟元 ; 人公司名稱資本額資產股東權益營收稅前盈餘員工人數台塑 1,910,991 9,710,966 7,034,982 4,900, ,689 4,986 南亞 2,451,545 11,629,702 7,823,794 5,025, ,574 12,237 台化 1,776,607 10,629,716 7,195,327 6,860, ,124 4,932 台塑化 2,974,074 14,006,830 7,268,717 19,801,199 1,497,827 3,959 集團其他公司 9,380,468 40,666,572 25,034,830 18,501, ,710 69,421 合計 18,493,685 86,643,786 54,357,650 55,089,259 4,221,924 95,535 January

4 股權結構 January

5 南科簡介成立於 1995 年 3 月資本額美金 1,362 佰萬元 1 員工人數 3,981 產品一般型 DRAM 特殊型 DRAM 行動裝置 DRAM 專業代工廠區 Fab-1 (8 吋 ) Fab-3A (12 吋 ) 技術 110/99 奈米 68/50/42 奈米 Note: 1. US $1 = NT $29.63 as of Mar 2, The amount of capital was updated in Mar, 2011 January

6 公司沿革 1995 南亞科技成立 1996 與日本沖電氣株式會社 (OKI) 簽訂 0.36um/0.32um 製程技術合約 1998 與 IBM 簽訂 0.2/0.175um 技術授權合約 2000 股票掛牌上市 2002 與 Infineon 簽署成立合資公司及共同技術研發協定 2005 成功導入 90nm 製程技術 2006 與 Qimonda 合作, 成功導入 70/75nm 製程技術 2007 南亞科技 3A 廠 (12 吋廠 ) 試產成功 2008 與 Micron 簽訂合資協議 2009 資本重整完成 ( 減資 66.43%) 透過私募籌資新台幣 122 億元公開發行募資新台幣 160 億元月 5 日第一批 42nm 製程產品試產成功 10 月開始生產 42nm 製程產品第四季以每股 16.5 元公開發行 6 億股, 募資 99 億元 January

Location : Taishan, Taiwan, 2007 Capacity : 50,000 WSPM*

7 南亞科技現有廠區一廠 Location : Taoyuan, Taiwan, 1996 Capacity : 27,000 WSPM* Technology : 110nm/99nm Product : DRAM 專業代工, 特殊型 DRAM 3A 廠 Location : Taishan, Taiwan, 2007 Capacity : 50,000 WSPM* Technology : 68nm/50nm/42nm Product : DRAM *WSPM = wafers per month January

8 2011 年營收概況單位 : 新台幣佰萬元 January

9 季營收概況單位 : 新台幣佰萬元 January

10 年度營收概況單位 : 美金佰萬元 Note: US$1 = NT$31.55 as weighted average exchange rate of Y2010 January

11 2010 年第四季損益表 4Q10 3Q10 QoQ 4Q09 YoY 單位 : 新台幣佰萬元 Unaudited Audited Audited 營收 11, % 14, % -21% 16, % -29% 銷貨成本 17, % 14,000 94% 14,711 88% 毛利 -6,121-52% 916 6% 1,978 12% 銷管費用 641 5% 457 3% 705 4% 研發費用 1,977 17% 1,833 12% 930 6% 營業利益 -8,739-74% -1,373-9% 343 2% 業外損益 -1,383-12% % % 稅前損益 -10,122-86% -2,267-15% 199 1% 所得稅費用 0 0% 0 0% 0 0% 本期淨損 -10,122-86% -2,267-15% 199 1% Note 1: + indicates improvement in 4Q 10, - indicates the opposite. January

12 2010 年年度損益表 YoY 單位 : 新台幣佰萬元 Unaudited Audited 營收 56, % 42, % +33% 銷貨成本 59, % 52, % 毛利 -3,427-6% -10,174-24% +66% 銷管費用 1,885 3% 2,307 5% 研發費用 6,542 12% 3,439 8% 營業利益 -11,853-21% -15,919-37% +26% 業外損益 -3,247-6% -4,834-11% 稅前損益 -15,100-27% -20,754-49% +27% 所得稅費用 0 0% 0 0% 本期淨損 -15,100-27% -20,754-49% +27% Note 1: + indicates improvement in 2010, - indicates the opposite. January

13 無塵室簡介 Nanya FAB (300mm) 68/50/42nm production technologies 南亞與美光共同開發次 50 奈米 (sub-50nm) 製程技術 Inotera FAB (300mm) 50/42nm production technologies January

14 Nanya 及 Elixir 產品 Nanya Brand Series Products Nanya SODIMM Nanya Specialty (Consumer Applications) Nanya RDIMM High quality, high performance Nanya UDIMM Elixir UDIMM Elixir RDIMM Elixir Component Elixir SODIMM Elixir UDIMM w/ ECC January

15 南亞 42 奈米製程晶圓 42nm 製程晶圓 42nm DDR3 2Gb chip 2010 年 10 月開始生產 42 奈米製程產品 January

16 行動裝置用 DRAM 南亞新產品 256Mb Mobile DRAM 512Mb Mobile DRAM 一般型 DRAM 2GB SODIMM 1600 MHz 4GB UDIMM 1600 MHz 伺服器用 DRAM 16GB RDIMM 1333 MHz 8GB RDIMM 1333 MHz October

南科的智慧財產 Unit 南科近年累積獲得的智慧財產權 1200 1000 800 600 400 200 0 2004

17 南科的智慧財產 Unit 南科近年累積獲得的智慧財產權 TW US CN DE GB JP KR January

18 環球觀點全球服務網絡 UK & Ireland Amsterdam, Netherlands Duesseldorf, Germany Chrudim, Czech Republic Burlington, USA Tokyo, Japan Shanghai, China Shenzhen, China Penang, Malaysia Headquarters Taoyuan, Taiwan Houston, USA Austin, USA Santa Clara, USA Boise, USA Sales Office FAE Application Lab FAE Support Distribution Center Design Center January

19 2011 年展望 January

20 位元成長率及資本支出年度位元成長率資本支出 53% 57% 47 37% 單位 : 新台幣十億元 15% F 2010 年實際位元成長率 :15% 2010 年實際資本支出 : 新台幣 230 億元, 預估 2011 年資本支出金額為 120 億元 3A 廠聚焦於高附加價值的產品製程技術進展 : 42nm 產品於 2010 年第四季開始生產 3Xnm 產品預計於 2011 年第二季試產 2010 年第四季現金增資新台幣 99 億元主要用於購置 3A 廠之設備 Note: Bit growth rate and capex in 2011 are estimates. January

21 2011 年南科提升產品附加價值之策略雲端運算伺服器高密度低耗電聚焦於三項高度成長之產品線數位消費性電子產品產品客製化完整全面的產品供應行動通訊裝置低耗電策略聯盟 January

22 2011 年南亞科技重點產品伺服器用記憶體南亞科技是台灣惟一具備完整的伺服器記憶體產品線之廠商 (1.5v/1.35v 4/8/16GB RDIMM) 伺服器記憶體產品約佔 2010 年全年營收的 15%, 目標在 2011 年達到 20% 1.35V 4GB RDIMM DDR V 8GB RDIMM DDR V 16GB RDIMM DDR January

23 2011 年南亞科技重點產品消費型記憶體南亞科技在 DTV( 數位電視 ) STB( 網路機上盒 ) DVD 以及網路等市場均有完整且技術先進的產品南亞科技是台灣最大的數位消費型記憶體供應商 *, 在全球數位消費性電子市場具有高度競爭力 512Mb DDR 512Mb DDR2 1Gb DDR2 1Gb DDR3 *Note : 消費型記憶體不包含繪圖卡記憶體 January

24 2011 年南亞科技重點產品行動通訊裝置記憶體由於智慧型手機及平板電腦的需求, 帶動行動通訊裝置記憶體市場的快速成長南亞科技在 2011 年將藉由與策略性夥伴合作, 開始進入此快速成長的市場 256Mb LPDDR 512Mb LPDDR 2Gb LPDDR 2Gb LP DDR2 January

25 南亞與美光強化合作關係 January

3Xnm 產品估計 2011 年第一季位元成長率 :40% 至 50% 2011 年展望 : 10 台浸潤式曝光機已就位, 準備全力生產

26 南亞及美光強化合作關係南亞及美光合資設立華亞科技 : 2008 年 11 月底, 美光取得原屬 Qimonda 之華亞科技 35.6% 股權華亞科之產能由南亞及美光共享 2011 年預計資本支出金額 : 約新台幣 170 億元, 準備投入 42nm 全產能生產及試產 3Xnm 產品估計 2011 年第一季位元成長率 :40% 至 50% 2011 年展望 : 10 台浸潤式曝光機已就位, 準備全力生產 42nm 產品預計 2011 年中全數轉換為生產 42nm 製程 DRAM 規劃於 2011 年第三季開始試產 3Xnm 4Gb DRAM January

27 我們的目標 : 成為客戶心目中最佳的 DRAM 供應商 nanya.com January

Nanya Technology 3Q 2010 Investor Conference

Nanya Technology 3Q 2010 Investor Conference 南亞科技股份有限公司 UBS Taiwan Conference 2015 資深副總暨發言人李培瑛博士 2015 年 6 月 22 日 ~ 23 日會議議程 01. 公司簡介 02. 財務概況 03. 營運績效 04. 市場展望 05. 營運展望 2 01 公司簡介 3 南亞科技公司簡介公司資訊產品組合 DRAM 設計製造及銷售 1995 年設立, 2000 年股票掛牌上市總部位於台灣桃園市