成功大學微奈米科技研究中心機台設備與費用列表 備註 : 若需使用本中心儀器, 需先通過安全講習課程, 安全講習課程費率為 300 元 /3 小時除特別標註外, 本表費率 : 自行操作 代工 以時計費 ; 課程 認證 以套計費 臺綜大 ( 成大 中興 中正 中山 ) 師生自行操作及課程享有 8 折優惠

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1 成功大學微奈米科技研究中心機台設備與費用列表 備註 : 若需使用本中心儀器, 需先通過安全講習課程, 安全講習課程費率為 300 元 /3 小時除特別標註外, 本表費率 : 自行操作 代工 以時計費 ; 課程 認證 以套計費 臺綜大 ( 成大 中興 中正 中山 ) 師生自行操作及課程享有 8 折優惠, 代工享有 9 折優惠 新進老師另享有更多優惠, 詳情請參考以下連結 ( 更新日期 :2019/02/27 奈米微影製程 新臺幣 ( 元 )/NTD 0000 製程整合代工服務 (Integration Service) 收取製程整合案件總費用的 10% 1101 電子束微影系統 (Electron Beam Lithography System) EBW SEM 2200( 原 ) ( 原 ) 2200( 優 ) 3400( 原 ) ( 原 ) ( 優 ) 5100( 原 ) ( 優 ) 3200( 原 ) ( 原 ) ( 優 ) 94500( 原 ) 3455( 優 ) 13600( 原 ) ( 優 ) 20400( 原 ) Ultra 不開放 雙面對準 /UV 光感奈米壓印 (Double-Side Mask Aligner/UV Imprinter) 奈米微 影製程 微影 Lithography 單面光罩對準機 (Single-Side Mask Aligner) CO 2 雷射雕刻系統 (CO 2 Laser Micro-Machining System) 旋轉塗佈儀 (Spin Coater ) 不開放不開放 旋轉塗佈儀 II (Spin Coater II ) 光罩繪製 (AutoCAD Design) 反應式離子蝕刻機 (Reactive Ion Etching) 蝕刻 Etching 1202 奈米深蝕刻系統 ( 感應耦合離 子電漿 ) (Inductive Coupled Plasma Etching System) 一般 小時以上 ( 優 ) 7350( 優 ) ( 原 )

2 8 小時以上 化學濕式操作台 ( 無塵室進出 ) (Chemical Wet Bench) (Clean, Organic, Acid, Alkaline Processing) 化學藥品儲藏櫃 (Chemical Storage Cabinet) 金屬蝕刻系統 ( 感應耦合電漿離子蝕刻機 ) (ICP RIE System) 200/24hr /24hr 包含於 旋轉塗佈儀 Spin Coater 課程 ( 優 ) 7000( 原 ) 12000( 原 ) 光罩清洗 (Mask cleaning) 後處理 Back End 1301 晶圓切割機 (Wafer Cutting Machine) 奈米壓印 - 熱壓成型奈米轉印機 (Nano Hot Embosser) 二氧化碳超臨界乾燥機 (CO 2 Supercritical Dry Release Machine) 1304 打線機 (Wire Bonding) ( 原 ) ( 原 ) ( 原 ) 1000( 優 ) 2000( 原 ) ( 原 ) ( 原 ) 3750( 原 ) 膠態試片盒 (Gel Box) 每組 5 個 500 元 ( 不分學 / 業界 ) 1308 玻璃藍寶石切割 奈米表面與磊晶 奈米表 面與磊 薄膜成長 Deposition/ 2101 電漿輔助式分子束磊晶系統 (Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy System) ( 預約時段以 8hr 為單位 ) ( 優 ) 22500( 原 ) ( 優 ) 33750( 原 ) 9000( 原 ) ( 優 ) 13500( 原 ) 晶 Furnace 2102 電子束蒸鍍機 I (E-beam Evaporator I) 900 ( 含靶材 ) ( 原 ) ( 優 ) 8550( 原 ) 1900( 原 ) 2850( 原 )

3 2103 電子束蒸鍍機 II (E-beam Evaporator II) 900 ( 含靶材 ) ( 原 ) ( 優 ) 8550( 原 ) 1900( 原 ) 2850( 原 ) 2104 磁控濺鍍機 (Magnetron Sputter Deposition System) 700 ( 不含靶材 ) ( 原 ) ( 優 ) 7650( 原 ) 1700( 原 ) 2550( 原 ) 2105 共濺鍍機 (Co-Sputter Deposition System) 800 ( 不含靶材 ) ( 優 ) 7200( 原 ) ( 優 ) 10800( 原 ) 2700( 原 ) ( 原 ) 2106 聚對二甲基苯沉積系統 (Parylene Vapor Deposition System) 150( 優 ) 300( 原 ) ( 優 ) 450( 原 ) ( 優 ) 2200( 原 ) ( 優 ) 3300( 原 ) 250( 優 ) 1100( 原 ) ( 優 ) 1650( 原 ) 依 graphene 面積收費 ( 不分學 / 業界 ) 吋化學氣相沉積石墨烯設備 (3 Inch Chemical Vapor Deposition for Graphene) graphene 成長 不開放 1x1~2x2 cm 2 : 700/cm 2 ( 優 ); 1000/cm 2 ( 原 ) 3x3~6x6 cm 2 : 350/cm 2 ( 優 ); 750/cm 2 ( 原 ) 7x7 cm 2 : 250/cm 2 ( 優 ); 500/cm 2 ( 原 ) 不開放 退火 / 熱氧化 掃描探針 SPM/ Electronic Property 奈米壓痕 Indentation &2 吋化學氣相沉積石墨烯設備 (1 & 2 Inch Chemical Vapor Deposition for Graphene ) ( 優 ) 4500( 優 ) 2110 原子層沉積系統 Picosun (Atomic Layer 2250( 原 ) 3750( 原 ) 3000( 原 ) 5000( 原 ) Deposition System Picosun) 以上費用僅包含儀器使用費, 材料費用另計 ( 根據 cycle 數 ): Al2O3( 校內 :5, 業界 :6) HfO2( 校內 :10, 業界 :12) SiO2( 校內 :8, 業界 :10) TiO2( 校內 :6, 業界 : 8) 2201 表面粗度儀 (Alpha-Step Profilometer) ( 優 ) 600( 優 ) ( 含針 ) 2250( 原 ) 500( 原 ) 750( 原 ) 原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscope, 2202 NTMDT-AFM) 多功能掃描探針顯微鏡 2204 (Scanning Probe Microscope, SPM) 半導體元件量測平台 (Measurement 2205 Station for Electrical Characterization) 奈米壓痕試驗機 I ( 含三維量測 ) 2301 (Nano-Indentation System I, MTS XP) 奈米壓痕試驗機 II 2302 (Nano-Indentation System II; MTS G200) ( 優 ) 500( 優 ) 750( 優 ) 不開放 ( 不含針 ) 5850( 原 ) 8775( 原 ) 1950( 原 ) 2925( 原 ) ( 帶針 ) 1440( 帶針 ) 2400( 帶針 ) ( 無針 ) 2340( 無針 ) 3900( 無針 ) 1 400( 優 ) 600( 優 ) ( 原 ) 500( 原 ) 750( 原 ) ( 優 ) 3900( 優 ) ( 含針 ) 7425( 原 ) 11138( 原 ) 2475( 原 ) 3700( 原 ) ( 優 ) 3900( 優 ) ( 含針 ) 7425( 原 ) 11138( 原 ) 2475( 原 ) 3700( 原 )

4 2303 奈微拉伸試驗機 (Micro/Nano Tensile Tester) ( 原 ) ( 原 ) 400( 優 ) ( 優 ) 奈米材料分析 試片製備 Sample Preparation 分析雙束型聚焦離子束 I EDS 3101 (Dual Beam-Focused Ion TEM Beam I, FEI Nova-200) sample omni probe 精密離子拋光機 ( PIPS) 研磨拋光機 (Grinder and Polisher) 3103 鍍金機 (Sputter Coater) 1600( 優 ) 1900( 原 ) 2300( 原 ) ( 原 ) ( 優 ) 3450( 原 ) 2600( 優 ) 2700( 優 ) 3100( 原 ) ( 原 ) 3500( 原 ) ( 優 ) 4500( 原 ) 5000( 優 ) ( 原 ) 18600( 原 ) 5000( 優 ) 5500( 原 ) 5500( 優 ) 6000( 原 ) ( 優 ) 27900( 原 ) 秒內 150 元,101 秒起, 每 1 秒 1.5 元 奈米材 料分析 掃描式 電子顯微鏡 SEM 3104 研磨拋光機 (Grinder and Polisher) 包含於 3102 精密離子拋光機 (PIPS) 課程 雙束型聚焦離子束 II 分析 EDS (Dual Beam-Focused Ion TEM Beam II, Helios G3 CX) sample easy lift 高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡 I (FE-SEM I w EDS/CL, JEOL JSM-7000F) 3000( 原 ) 2900( 優 ) 3400( 原 ) ( 優 ) 5500( 原 ) ( 優 ) 6000( 原 ) ( 優 ) 5500( 原 ) ( 優 ) 6000( 原 ) ( 原 ) 3900( 優 ) 5000( 原 ) 4000( 優 ) 5200( 原 ) 4200( 優 ) 5400( 原 ) ( 原 ) 7000( 優 ) 7000( 優 ) 7500( 優 ) SEM 7000/EDS SEM 7000/CL

5 SEM 7000/EBW 不開放 3202 高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡 II (FE-SEM II w EDS/EBSD, JEOL JSM-7001F) SEM 7001/EDS SEM 7001/EBSD 桌上型掃描式電子顯微鏡 (Tabletop SEM) 穿透式電子顯微鏡 (TEM, JEOL 9000( 優 ) JEM-2010) 12000( 原 ) 1 TEM 2010/EDS 穿透式 高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡 (FE-TEM w EDS/EELS, JEOL JEM-2100F) 1000( 優 ) ( 原 ) 電子顯微鏡 TEM 3302 TEM 2100F/EDS 1100( 優 ) 1300( 原 ) ( 優 ) 1950( 原 ) 2100( 優 ) 2400( 原 ) ( 原 ) ( 優 ) 39450( 原 ) 7200( 原 ) ( 原 ) 3303 TEM 2100F/EELS In-Situ 奈米壓痕試驗機 (In-Situ Nano-Indentation TEM) ( 原 ) FIB + TEM 套餐 ( 以片計費, 每片包含 1.5hr FIB 與 1.5hr TEM) TEM2100+FIB I. 套餐 不開放 不開放不開放 TEM2100+FIB I. 套餐 + EDS 不開放 不開放不開放 TEM2100+FIB II. 套餐 不開放 不開放不開放 TEM2100+FIB II. 套餐 + EDS 不開放 不開放不開放 生醫暨非破壞性分析 生醫暨 非破壞 光學顯微鏡 Optical 4101 多光子激發掃描顯微鏡 (Multiphoton Excitation Microscopy) 1600( 原 ) 2400( 原 ) 1600( 優 ) 2600( 原 ) ( 原 )

6 分析 Microscopy 光學檢測 Property Analysis/ Defection 4102 共軛焦顯微鏡 (Confocal Microscope) 光學顯微鏡 ( 實驗室進出 ) (Optical Microscope) 100/24hr /24hr 共軛焦 3D 光學表面形貌量測儀 (Nano Focus) 暫不定價 暫不定價 暫不定價 暫不定價 3D 雷射共軛焦顯微鏡 (3D Measuring Laser Microscope) 微拉曼及微光激發光譜儀 (Micro-Raman & Micro-PL Spectrometer) 微拉曼及微光激發光譜儀 (Micro-Raman & Micro-PL Spectrometer) 含低溫 拉曼光譜儀 / 顯微鏡 (Raman Spectrometer/Microscopes) 傅立葉轉換紅外光光譜儀 385( 優 ) 310( 優 ) 580( 優 ) 1085( 優 ) 980( 優 ) 1630( 優 ) 2200( 優 ) 3300( 優 ) 810( 優 ) 1220( 優 ) (Fourier Transform ( 原 ) 440( 原 ) 825( 原 ) 1550( 原 ) 1395( 原 ) 2325( 原 ) 3150( 原 ) 4725( 原 ) 1160( 原 ) 1740( 原 ) Infrared Spectrometer) 紫外光 - 可見光 - 近紅外光分光光譜儀 (UV/Visible/NIR Spectrophotometer) 4205 橢圓偏光儀 (Ellipsometer) 接觸角量測儀 (Contact Angle Meter) ( 優 ) ( 原 ) 3800( 原 ) 1450( 原 ) 1000( 優 ) 500( 優 ) ( 原 ) 3300( 原 ) 825( 原 ) 4207 膜厚量測儀 (Nano Spec) 暫不定價暫不定價暫不定價暫不定價 1740( 優 ) 2175( 原 ) 750( 優 ) 1230( 原 ) 4301 X 光繞射儀 (X-Ray Diffractometer) 晶體分析 Lattice Microanalysis 動態光散射儀 (Dynamic Light Scattering) 奈米粒子追蹤分析儀 (Nanoparticle Tracking Analysis) 超高速落地型離心機 4 小時 ( 含 ) 內 (Beckman Optima 第 5 至第 8 小時

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